JPH0551742A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
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- JPH0551742A JPH0551742A JP21055991A JP21055991A JPH0551742A JP H0551742 A JPH0551742 A JP H0551742A JP 21055991 A JP21055991 A JP 21055991A JP 21055991 A JP21055991 A JP 21055991A JP H0551742 A JPH0551742 A JP H0551742A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 71
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜室と、基体の交換を行うためのロードロ
ック室とを連設し、基体のホルダを兼ねる弁体でロード
ロック室を成膜室から気密に隔絶するように閉じること
ができるタイプの薄膜製造装置において、基体の設置或
いは交換にあたり、弁体の駆動系に大きな負担がかから
ないようにし、それだけ全体を小型、安価に製作できる
ようにした薄膜製造装置を提供する。 【構成】 下端開口10を有する成膜室1と、下端開口
20及びその周囲の弁座面22を有するロードロック室
2と、これらを連通させる弁移動路30と、この弁移動
路に、成膜室開口10又はロードロック室開口20に選
択的に臨むことができるように横移動可能に設けた基体
ホルダを兼ねる弁体6と、弁体の駆動エアシリンダ9と
を備え、ロードロック室の弁座面22及び弁体の弁座当
接部64を、該弁体が成膜室開口10に臨む位置からロ
ードロック室開口20に臨む位置へ移動するに伴って該
移動方向に対し角度θ傾斜した斜面において互いに気密
に接するように形成してある薄膜製造装置。
ック室とを連設し、基体のホルダを兼ねる弁体でロード
ロック室を成膜室から気密に隔絶するように閉じること
ができるタイプの薄膜製造装置において、基体の設置或
いは交換にあたり、弁体の駆動系に大きな負担がかから
ないようにし、それだけ全体を小型、安価に製作できる
ようにした薄膜製造装置を提供する。 【構成】 下端開口10を有する成膜室1と、下端開口
20及びその周囲の弁座面22を有するロードロック室
2と、これらを連通させる弁移動路30と、この弁移動
路に、成膜室開口10又はロードロック室開口20に選
択的に臨むことができるように横移動可能に設けた基体
ホルダを兼ねる弁体6と、弁体の駆動エアシリンダ9と
を備え、ロードロック室の弁座面22及び弁体の弁座当
接部64を、該弁体が成膜室開口10に臨む位置からロ
ードロック室開口20に臨む位置へ移動するに伴って該
移動方向に対し角度θ傾斜した斜面において互いに気密
に接するように形成してある薄膜製造装置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置用基板、
EL表示装置用基板、超電導部材の基体等の基体表面に
液晶素子用の膜、EL素子用の膜、超電導膜等、それぞ
れの用途に適した機能を有する薄膜を形成するための薄
膜製造装置に関する。
EL表示装置用基板、超電導部材の基体等の基体表面に
液晶素子用の膜、EL素子用の膜、超電導膜等、それぞ
れの用途に適した機能を有する薄膜を形成するための薄
膜製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】このような薄膜製造装置には種々のタイ
プのものがあるが、その一つに、成膜室と、基体の交換
を行うためのロードロック室とを連設し、新たな基体の
設置或いは基体の交換にあたって、前記ロードロック室
を基体のホルダを兼ねる弁体で成膜室から気密に隔絶
し、成膜時には、基体を支持した該弁体を成膜室に配置
するタイプのものが知られている。
プのものがあるが、その一つに、成膜室と、基体の交換
を行うためのロードロック室とを連設し、新たな基体の
設置或いは基体の交換にあたって、前記ロードロック室
を基体のホルダを兼ねる弁体で成膜室から気密に隔絶
し、成膜時には、基体を支持した該弁体を成膜室に配置
するタイプのものが知られている。
【0003】このタイプの薄膜製造装置の一例を図6を
参照して説明すると、成膜室10の上部にロードロック
室20が連設されている。成膜室10内にはターゲット
40が配置され、このターゲット40に向けイオン源3
0からイオンビームが照射されるようになっている。ロ
ードロック室20はその上端開口が扉100によって開
閉される。成膜室10は高真空ポンプPHにより所定の
真空度に真空引きすることができ、ロードロック室20
は荒引き真空ポンプPLによって所定の真空度に真空引
きすることができる。
参照して説明すると、成膜室10の上部にロードロック
室20が連設されている。成膜室10内にはターゲット
40が配置され、このターゲット40に向けイオン源3
0からイオンビームが照射されるようになっている。ロ
ードロック室20はその上端開口が扉100によって開
閉される。成膜室10は高真空ポンプPHにより所定の
真空度に真空引きすることができ、ロードロック室20
は荒引き真空ポンプPLによって所定の真空度に真空引
きすることができる。
【0004】成膜室10とロードロック室20の境目の
開口は弁体60によって気密にシールすることができ
る。弁体60はその上面に基体50を支持するようにな
っており、基体支持部分の周囲にはロードロック室20
下面の弁座201に気密に接し得るオーリング70を備
えている。弁体60は成膜室10の下方に配置したエア
シリンダ90の駆動により昇降するロッド901の上端
に支持されており、このロッド901が上昇することで
弁体上のオーリング70がロードロック室の弁座201
に気密に接し、ロードロック室20が成膜室10に対し
気密に隔絶される。また、ロッド901を下降させるこ
とで、弁体上の基体50を成膜室10内の成膜位置に配
置し、ターゲット40からのスパッタ粒子に曝すことが
できる。なお、ロッド901は成膜室10の底壁101
を、この底壁外面とロッド901に渡し設けた伸縮ベロ
ーズタイプの気密シール装置80によって気密に、且
つ、摺動自在に貫通している。
開口は弁体60によって気密にシールすることができ
る。弁体60はその上面に基体50を支持するようにな
っており、基体支持部分の周囲にはロードロック室20
下面の弁座201に気密に接し得るオーリング70を備
えている。弁体60は成膜室10の下方に配置したエア
シリンダ90の駆動により昇降するロッド901の上端
に支持されており、このロッド901が上昇することで
弁体上のオーリング70がロードロック室の弁座201
に気密に接し、ロードロック室20が成膜室10に対し
気密に隔絶される。また、ロッド901を下降させるこ
とで、弁体上の基体50を成膜室10内の成膜位置に配
置し、ターゲット40からのスパッタ粒子に曝すことが
できる。なお、ロッド901は成膜室10の底壁101
を、この底壁外面とロッド901に渡し設けた伸縮ベロ
ーズタイプの気密シール装置80によって気密に、且
つ、摺動自在に貫通している。
【0005】この従来装置によると、当初、ロードロッ
ク室20は弁体60によって成膜室10から気密に隔絶
され、この状態で成膜室10内がポンプPHにより予め
定めた真空度に真空引きされる。一方、ロードロック室
20においては扉100が開かれ、弁体60上に基体5
0が設置される。基体50の設置後、扉100は気密に
閉じられ、真空ポンプPLによってロードロック室20
内が所定の真空度に荒引きされる。
ク室20は弁体60によって成膜室10から気密に隔絶
され、この状態で成膜室10内がポンプPHにより予め
定めた真空度に真空引きされる。一方、ロードロック室
20においては扉100が開かれ、弁体60上に基体5
0が設置される。基体50の設置後、扉100は気密に
閉じられ、真空ポンプPLによってロードロック室20
内が所定の真空度に荒引きされる。
【0006】しかるのちエアシリンダ90によりロッド
901が下降せしめられ、それによって基体50が成膜
室10内の成膜位置に配置されるとともに、成膜室10
内がポンプPHで成膜真空度とされ、その後、イオン源
30からのイオンビーム照射によりターゲット40から
スパッタ粒子が発せられ、該スパッタ粒子により基体5
0表面に所望の薄膜が形成される。
901が下降せしめられ、それによって基体50が成膜
室10内の成膜位置に配置されるとともに、成膜室10
内がポンプPHで成膜真空度とされ、その後、イオン源
30からのイオンビーム照射によりターゲット40から
スパッタ粒子が発せられ、該スパッタ粒子により基体5
0表面に所望の薄膜が形成される。
【0007】薄膜形成後はエアシリンダ90によるロッ
ド901の上昇により基体50が弁体60ごと上昇せし
められ、弁体60上面のオーリング70がロードロック
室20の弁座201に気密に接する。この状態で扉10
0が開かれ、基体50の交換が行われる。基体50を交
換した後は、最初と同様ロードロック室20内がポンプ
PLにより所定真空度に荒引きされ、しかるのち基体5
0が弁体60ごと成膜位置に配置される。
ド901の上昇により基体50が弁体60ごと上昇せし
められ、弁体60上面のオーリング70がロードロック
室20の弁座201に気密に接する。この状態で扉10
0が開かれ、基体50の交換が行われる。基体50を交
換した後は、最初と同様ロードロック室20内がポンプ
PLにより所定真空度に荒引きされ、しかるのち基体5
0が弁体60ごと成膜位置に配置される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来薄膜製造装置によると、基体50を弁体60上に設置
したり、基体50を交換するとき、成膜の準備のため成
膜室10内がポンプPHにより予め所定真空度に真空引
きされた状態でロードロック室20の扉100が開けら
れるため、弁体60の上面に大気圧がかかり、それは例
えば直径が30cmの基体を支持する弁体の場合、80
0kgにもなる。この大気圧はそのまま弁体駆動系に加
わる。さらに、このような大気圧を受ける弁体の反りを
防止するため、弁体は厚くされて重くなっており、この
弁体重量も駆動系に加わる。さらに、この大気圧を受け
るため、弁体60のオーリング70は弁座201に強く
押しつけられるが、そのオーリングの締め付け反力も駆
動系に加わる。このように、エアシリンダ90を含む弁
体の駆動系は、これら大気圧、弁体重量及びオーリング
の締め付け反力を全て支えなければならず、そのため駆
動系を高出力且つ頑丈な構造のものにしなければなら
ず、それだけ装置の大型化及びコスト高を招いていると
いう問題がある。
来薄膜製造装置によると、基体50を弁体60上に設置
したり、基体50を交換するとき、成膜の準備のため成
膜室10内がポンプPHにより予め所定真空度に真空引
きされた状態でロードロック室20の扉100が開けら
れるため、弁体60の上面に大気圧がかかり、それは例
えば直径が30cmの基体を支持する弁体の場合、80
0kgにもなる。この大気圧はそのまま弁体駆動系に加
わる。さらに、このような大気圧を受ける弁体の反りを
防止するため、弁体は厚くされて重くなっており、この
弁体重量も駆動系に加わる。さらに、この大気圧を受け
るため、弁体60のオーリング70は弁座201に強く
押しつけられるが、そのオーリングの締め付け反力も駆
動系に加わる。このように、エアシリンダ90を含む弁
体の駆動系は、これら大気圧、弁体重量及びオーリング
の締め付け反力を全て支えなければならず、そのため駆
動系を高出力且つ頑丈な構造のものにしなければなら
ず、それだけ装置の大型化及びコスト高を招いていると
いう問題がある。
【0009】そこで本発明は、成膜室と、基体の交換を
行うためのロードロック室とを連設し、基体のホルダを
兼ねる弁体でロードロック室を成膜室から気密に隔絶す
ることができるタイプの薄膜製造装置において、基体の
設置或いは交換にあたり、弁体の駆動系に大きな負担が
かからないようにし、それだけ全体を小型、安価に製作
できるようにした薄膜製造装置を提供することを目的と
する。
行うためのロードロック室とを連設し、基体のホルダを
兼ねる弁体でロードロック室を成膜室から気密に隔絶す
ることができるタイプの薄膜製造装置において、基体の
設置或いは交換にあたり、弁体の駆動系に大きな負担が
かからないようにし、それだけ全体を小型、安価に製作
できるようにした薄膜製造装置を提供することを目的と
する。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的に従
い、下端に開口を有する成膜室と、下端に開口及びその
周囲の弁座を有する、基体交換のための、前記成膜室の
隣りに横並べに連設した1又は2以上のロードロック室
と、隣り合う前記成膜室及びロードロック室を連通させ
る横方向に延びる弁移動路と、前記弁移動路に、前記成
膜室開口又はロードロック室開口に選択的に臨むことが
できるように横移動可能に設けられた基体ホルダを兼ね
る弁体と、前記弁体の駆動手段とを備え、前記ロードロ
ック室の弁座及び前記弁体の弁座当接部を、該弁体が前
記成膜室開口に臨む位置から該ロードロック室開口に臨
む位置へ横移動するに伴って、該移動方向に対し若干傾
斜した斜面において互いに気密に接するように形成して
あることを特徴とする薄膜製造装置を提供するものであ
る。
い、下端に開口を有する成膜室と、下端に開口及びその
周囲の弁座を有する、基体交換のための、前記成膜室の
隣りに横並べに連設した1又は2以上のロードロック室
と、隣り合う前記成膜室及びロードロック室を連通させ
る横方向に延びる弁移動路と、前記弁移動路に、前記成
膜室開口又はロードロック室開口に選択的に臨むことが
できるように横移動可能に設けられた基体ホルダを兼ね
る弁体と、前記弁体の駆動手段とを備え、前記ロードロ
ック室の弁座及び前記弁体の弁座当接部を、該弁体が前
記成膜室開口に臨む位置から該ロードロック室開口に臨
む位置へ横移動するに伴って、該移動方向に対し若干傾
斜した斜面において互いに気密に接するように形成して
あることを特徴とする薄膜製造装置を提供するものであ
る。
【0011】
【作用】本発明薄膜製造装置によると、弁体はその駆動
手段により横移動され、成膜室に臨む位置又はロードロ
ック室に臨む位置に選択的に配置される。ロードロック
室に臨む位置に配置される弁体は、成膜室からの移動に
伴い、その弁座当接部が、弁体移動方向に対し若干傾斜
した斜面を境にしてロードロック室開口周囲の弁座に楔
打ち込み様に気密に接し、ロードロック室を成膜室から
気密に隔絶する。
手段により横移動され、成膜室に臨む位置又はロードロ
ック室に臨む位置に選択的に配置される。ロードロック
室に臨む位置に配置される弁体は、成膜室からの移動に
伴い、その弁座当接部が、弁体移動方向に対し若干傾斜
した斜面を境にしてロードロック室開口周囲の弁座に楔
打ち込み様に気密に接し、ロードロック室を成膜室から
気密に隔絶する。
【0012】この状態で成膜室内は所定真空度に真空引
きされている一方、このロードロック室において弁体上
に基体が設置され、或いは弁体上の基体が交換され、し
かるのち、該ロードロック室内が所定真空度に真空引き
され、そのあと基体が弁体ごと成膜室に臨む位置に移動
配置され、そこで所定の薄膜が基体上に形成される。薄
膜形成後、基体は弁体ごと再びロードロック室側に移動
され、ここで新たな基体と交換される。
きされている一方、このロードロック室において弁体上
に基体が設置され、或いは弁体上の基体が交換され、し
かるのち、該ロードロック室内が所定真空度に真空引き
され、そのあと基体が弁体ごと成膜室に臨む位置に移動
配置され、そこで所定の薄膜が基体上に形成される。薄
膜形成後、基体は弁体ごと再びロードロック室側に移動
され、ここで新たな基体と交換される。
【0013】前記弁体によるロードロック室開口の気密
閉塞は、弁体の横移動方向に対し若干傾斜した斜面を境
にして行われるので、弁体上面に加わる大気圧は、その
横方向分力のみが直接弁駆動手段に加わることになる。
また、弁体に加わる他の力もその横方向分力のみが弁体
駆動手段に加わるだけである。従って、弁体駆動手段は
比較的低出力でロードロック室開口を気密に閉じること
ができる。
閉塞は、弁体の横移動方向に対し若干傾斜した斜面を境
にして行われるので、弁体上面に加わる大気圧は、その
横方向分力のみが直接弁駆動手段に加わることになる。
また、弁体に加わる他の力もその横方向分力のみが弁体
駆動手段に加わるだけである。従って、弁体駆動手段は
比較的低出力でロードロック室開口を気密に閉じること
ができる。
【0014】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。図1から図3は本発明の一実施例を示している。図
1は弁体でロードロック室を閉じた状態の概略断面を、
図2は弁体上の基体を成膜室に臨ませた状態の概略断面
を示している。図3は図1の矢印A方向から見た弁体移
動機構を示している。
る。図1から図3は本発明の一実施例を示している。図
1は弁体でロードロック室を閉じた状態の概略断面を、
図2は弁体上の基体を成膜室に臨ませた状態の概略断面
を示している。図3は図1の矢印A方向から見た弁体移
動機構を示している。
【0015】この装置は、成膜室1とロードロック室2
を横並べに連設したものである。成膜室1は下端に開口
10を備え、ロードロック室2も下端に開口20を備え
ている。両室の下端開口10、20は水平方向に延びる
弁移動路30によって互いに連通している。成膜室1中
にはターゲット4が設置され、このターゲットに向けイ
オン源3からイオンビームが照射されるようになってい
る。また、ターゲット4の下方には、丁度開口10の位
置で、中央部を開口したマスク板11が設置してある。
この成膜室1は高真空ポンプPHによって所定真空度に
真空引き可能である。
を横並べに連設したものである。成膜室1は下端に開口
10を備え、ロードロック室2も下端に開口20を備え
ている。両室の下端開口10、20は水平方向に延びる
弁移動路30によって互いに連通している。成膜室1中
にはターゲット4が設置され、このターゲットに向けイ
オン源3からイオンビームが照射されるようになってい
る。また、ターゲット4の下方には、丁度開口10の位
置で、中央部を開口したマスク板11が設置してある。
この成膜室1は高真空ポンプPHによって所定真空度に
真空引き可能である。
【0016】ロードロック2はその上端開口が扉10A
によって開閉されるようになっており、扉10Aが閉じ
る部分には気密シール用のオーリング21を設けてあ
る。このロードロック室2は荒引き真空ポンプPLによ
り所定の真空度に真空引き可能である。弁移動路30に
は弁体6が設置されている。図3に示すように、この弁
体6は弁体支持台61上に固定支持され、該支持台61
は弁体移動路30の長手方向に沿って水平に延びるリニ
アガイド62に上方から外嵌しており、このガイドに沿
って水平方向に移動し、成膜室1の開口10に臨む位置
又はロードロック室2の開口20に臨む位置に選択的に
位置することができる。本例ではこのガイド62は平板
レール形状のものであるが、スライドシャフト形状のも
の等を採用してもよい。
によって開閉されるようになっており、扉10Aが閉じ
る部分には気密シール用のオーリング21を設けてあ
る。このロードロック室2は荒引き真空ポンプPLによ
り所定の真空度に真空引き可能である。弁移動路30に
は弁体6が設置されている。図3に示すように、この弁
体6は弁体支持台61上に固定支持され、該支持台61
は弁体移動路30の長手方向に沿って水平に延びるリニ
アガイド62に上方から外嵌しており、このガイドに沿
って水平方向に移動し、成膜室1の開口10に臨む位置
又はロードロック室2の開口20に臨む位置に選択的に
位置することができる。本例ではこのガイド62は平板
レール形状のものであるが、スライドシャフト形状のも
の等を採用してもよい。
【0017】弁体6には水平方向に延びるロッド91が
連設され、このロッドは、成膜室1から弁移動路30に
わたって延びる側壁12を貫通し、エアシリンダ9に連
結されている。側壁12の外面には伸縮自在のベローズ
タイプの気密シール装置8が設けられ、この装置はロッ
ド91を囲繞してこれに連結されており、ロッド91が
側壁12を貫通する部分を気密にシールしている。
連設され、このロッドは、成膜室1から弁移動路30に
わたって延びる側壁12を貫通し、エアシリンダ9に連
結されている。側壁12の外面には伸縮自在のベローズ
タイプの気密シール装置8が設けられ、この装置はロッ
ド91を囲繞してこれに連結されており、ロッド91が
側壁12を貫通する部分を気密にシールしている。
【0018】ロードロック室2の開口20の周囲には弁
座面22が形成されており、この弁座面22は成膜室1
から遠ざかる方向に下り傾斜するように水平方向に対し
角度θ(約3°〜10°)だけ傾斜している。一方、弁
体6はその上面に基体5を設置する部分63を備えてお
り、その周囲に弁座当接部64を備えている。弁座当接
部64はロードロック室の弁座面22に対応するように
水平方向に対し角度θだけ傾斜している。また、この弁
座当接部64は弁座面22に気密に接するためのオーリ
ング7を含む。
座面22が形成されており、この弁座面22は成膜室1
から遠ざかる方向に下り傾斜するように水平方向に対し
角度θ(約3°〜10°)だけ傾斜している。一方、弁
体6はその上面に基体5を設置する部分63を備えてお
り、その周囲に弁座当接部64を備えている。弁座当接
部64はロードロック室の弁座面22に対応するように
水平方向に対し角度θだけ傾斜している。また、この弁
座当接部64は弁座面22に気密に接するためのオーリ
ング7を含む。
【0019】従って、弁体6が成膜室1に臨む位置から
ロードロック室2に臨む位置に動かされると、該弁体は
弁座面22と、弁体を支持するリニアガイド62との間
に楔状に打ち込まれる如き状態で進入し、弁体上のオー
リング7が弁座面22に気密に接触し、且つ、基体設置
部分63がロードロック室2に臨む。以上説明した薄膜
製造装置によると、弁体6は、当初、図1に示すよう
に、エアシリンダ9にてロードロック室2の開口20を
気密に閉じる位置に配置され、この状態で成膜室1内が
真空ポンプPHにより所定真空度まで真空引きされる一
方、ロードロック室2においてその扉10Aが開かれ、
弁体6の基体設置部分63に成膜すべき基体5が設置さ
れる。しかるのち扉10Aが閉じられ、荒引き真空ポン
プPLの運転によりロードロック室2内が所定真空度に
真空引きされる。その後、エアシリンダ9により弁体6
が成膜室1の開口10に臨む位置まで動かされ、弁体上
の基体5がマスク11の中央開口を介してターゲット4
に臨む。図2はこの状態を示している。
ロードロック室2に臨む位置に動かされると、該弁体は
弁座面22と、弁体を支持するリニアガイド62との間
に楔状に打ち込まれる如き状態で進入し、弁体上のオー
リング7が弁座面22に気密に接触し、且つ、基体設置
部分63がロードロック室2に臨む。以上説明した薄膜
製造装置によると、弁体6は、当初、図1に示すよう
に、エアシリンダ9にてロードロック室2の開口20を
気密に閉じる位置に配置され、この状態で成膜室1内が
真空ポンプPHにより所定真空度まで真空引きされる一
方、ロードロック室2においてその扉10Aが開かれ、
弁体6の基体設置部分63に成膜すべき基体5が設置さ
れる。しかるのち扉10Aが閉じられ、荒引き真空ポン
プPLの運転によりロードロック室2内が所定真空度に
真空引きされる。その後、エアシリンダ9により弁体6
が成膜室1の開口10に臨む位置まで動かされ、弁体上
の基体5がマスク11の中央開口を介してターゲット4
に臨む。図2はこの状態を示している。
【0020】かくして成膜室1内が真空ポンプPHの運
転にて所定の成膜真空度まで真空引きされ、イオン源3
からターゲット4にイオンビームが照射されることでタ
ーゲット4から発せられるスパッタ粒子が基体5表面に
付着し、そこに所定の薄膜が形成される。このとき、タ
ーゲット4から発せられるスパッタ粒子の一部はマスク
板11に遮られ、弁体6の弁座当接部64やそこのオー
リング7に付着堆積することが避けられる。
転にて所定の成膜真空度まで真空引きされ、イオン源3
からターゲット4にイオンビームが照射されることでタ
ーゲット4から発せられるスパッタ粒子が基体5表面に
付着し、そこに所定の薄膜が形成される。このとき、タ
ーゲット4から発せられるスパッタ粒子の一部はマスク
板11に遮られ、弁体6の弁座当接部64やそこのオー
リング7に付着堆積することが避けられる。
【0021】所定の薄膜形成が終了すると、弁体6は再
びエアシリンダ9によりロードロック室2に臨む位置に
配置され、ここで弁体上のオーリング7がロードロック
室2の弁座面22に気密に接する。かくして成膜室1内
が真空を維持されたままロードロック室2に接続された
弁Vが開かれてベント処理されたのち、扉10Aが開か
れる。こうして弁体6上の基体5の交換が行われ、交換
後は再び扉10Aが閉じられ、室2内が荒引き真空ポン
プPLによって所定の真空度に真空引きされたのち、新
たな基体5が弁体6ごと成膜室1の方へ動かされ、そこ
で薄膜を形成される。このようにして順次繰り返し基体
5上に薄膜が形成されていく。
びエアシリンダ9によりロードロック室2に臨む位置に
配置され、ここで弁体上のオーリング7がロードロック
室2の弁座面22に気密に接する。かくして成膜室1内
が真空を維持されたままロードロック室2に接続された
弁Vが開かれてベント処理されたのち、扉10Aが開か
れる。こうして弁体6上の基体5の交換が行われ、交換
後は再び扉10Aが閉じられ、室2内が荒引き真空ポン
プPLによって所定の真空度に真空引きされたのち、新
たな基体5が弁体6ごと成膜室1の方へ動かされ、そこ
で薄膜を形成される。このようにして順次繰り返し基体
5上に薄膜が形成されていく。
【0022】以上説明した工程中、弁体6がロードロッ
ク室2を成膜室1から気密に隔絶するように閉じている
状態のとき(図1参照)、該室の扉10Aを開けると、
弁体6上面に大気圧P1が加わるが、この大気圧はその
全てがエアシリンダ9側に加わるのではなく、弁座面の
傾斜角度θに対応する水平分力P3=P1sinθのみ
がエアシリンダ9側に加わるだけである。垂直分力P2
はリニアガイド62に加わる。また、オーリング7の締
め付け反力もその水平分力のみがエアシリンダ9側に加
わるだけである。さらに、弁体6、その支持台61等の
重量はこれがエアシリンダ9に直接加わることはない。
ク室2を成膜室1から気密に隔絶するように閉じている
状態のとき(図1参照)、該室の扉10Aを開けると、
弁体6上面に大気圧P1が加わるが、この大気圧はその
全てがエアシリンダ9側に加わるのではなく、弁座面の
傾斜角度θに対応する水平分力P3=P1sinθのみ
がエアシリンダ9側に加わるだけである。垂直分力P2
はリニアガイド62に加わる。また、オーリング7の締
め付け反力もその水平分力のみがエアシリンダ9側に加
わるだけである。さらに、弁体6、その支持台61等の
重量はこれがエアシリンダ9に直接加わることはない。
【0023】従って弁体6をロードロック室2を閉じる
位置に維持するためのエアシリンダ9の出力は比較的低
出力で足り、それだけ該シリンダを小型、安価なもので
済ますことができ、延いては薄膜製造装置全体の小型化
及び低価格化を実現できる。また、弁体6は平坦な弁体
支持台61によって支持されるので、大気圧によって反
る恐れがなく、比較的軽量に製作することができる。ま
た弁体6やその支持台61の重量は弁移動路30に設け
たリニアガイド62に支持されている。従って、支持台
61とガイド62の摩擦係数μを小さく選択することで
弁体移動のためのエアシリンダ9の負荷を少なくでき、
この点でもエアシリンダ9は従来の弁体駆動シリンダに
比べ低出力で足り、駆動系の省力化、小型化に寄与す
る。
位置に維持するためのエアシリンダ9の出力は比較的低
出力で足り、それだけ該シリンダを小型、安価なもので
済ますことができ、延いては薄膜製造装置全体の小型化
及び低価格化を実現できる。また、弁体6は平坦な弁体
支持台61によって支持されるので、大気圧によって反
る恐れがなく、比較的軽量に製作することができる。ま
た弁体6やその支持台61の重量は弁移動路30に設け
たリニアガイド62に支持されている。従って、支持台
61とガイド62の摩擦係数μを小さく選択することで
弁体移動のためのエアシリンダ9の負荷を少なくでき、
この点でもエアシリンダ9は従来の弁体駆動シリンダに
比べ低出力で足り、駆動系の省力化、小型化に寄与す
る。
【0024】次に図4及び図5に基づいて本発明の他の
実施例について説明する。本実施例は成膜室1に横並び
に連設されるロードロック室2が前記実施例におけるよ
うに一つではなく、成膜室1の左右に対称的に二つ連設
されている点及び二つのロードロック室を設けたことに
対応して弁体6が二つ設けられている点を除けば前述の
実施例と実質上同構造のものである。図中、図1から図
3に示す実施例におけると実質上同一構造、作用の部品
については図1〜図3において使用した符号と同じ参照
符号を付してある。
実施例について説明する。本実施例は成膜室1に横並び
に連設されるロードロック室2が前記実施例におけるよ
うに一つではなく、成膜室1の左右に対称的に二つ連設
されている点及び二つのロードロック室を設けたことに
対応して弁体6が二つ設けられている点を除けば前述の
実施例と実質上同構造のものである。図中、図1から図
3に示す実施例におけると実質上同一構造、作用の部品
については図1〜図3において使用した符号と同じ参照
符号を付してある。
【0025】この装置における二つの弁体6は一体的に
連設されており、これに伴ってこれら弁体6、6を支持
する弁体支持台610も大きく形成されており、支持台
610が走行するためのリニアガイド620も長く形成
されている。また、弁移動路300も長く形成されてい
る。弁体駆動用エアシリンダ9は一方のロードロック室
外に配置され、これに連設された弁体駆動ロッド91は
この室の壁を貫通している。なお、成膜室1の下端開口
には基体5がターゲット4に臨むための中央開口を設け
たマスク板110が設けてある。
連設されており、これに伴ってこれら弁体6、6を支持
する弁体支持台610も大きく形成されており、支持台
610が走行するためのリニアガイド620も長く形成
されている。また、弁移動路300も長く形成されてい
る。弁体駆動用エアシリンダ9は一方のロードロック室
外に配置され、これに連設された弁体駆動ロッド91は
この室の壁を貫通している。なお、成膜室1の下端開口
には基体5がターゲット4に臨むための中央開口を設け
たマスク板110が設けてある。
【0026】この実施例によると、各弁体6には基体5
を載置することができるようになっているが、一方の弁
体が成膜室1に臨む位置に配置されるとき、他方の弁体
はそれに対応するロードロック室2の下端開口20を気
密に閉じる。図4に示す状態では、左側の弁体6が成膜
室1に臨む位置に配置され、該弁体上の基体5に薄膜形
成が行われる一方、右側の弁体6が右側のロードロック
室2を気密に閉じ、このロードロック室において弁体6
に対し基体5の設置或いは基体5の交換を行える。ま
た、図5に示す状態では、右側の弁体6が成膜室1に臨
み、該弁体上の基体5に薄膜形成が行われる一方、左側
の弁体6がこれに対応する左側のロードロック室2を気
密に閉じ、このロードロック室で左側弁体6に対し基体
5を設置したり、該弁体上の基体5を交換することがで
きる。
を載置することができるようになっているが、一方の弁
体が成膜室1に臨む位置に配置されるとき、他方の弁体
はそれに対応するロードロック室2の下端開口20を気
密に閉じる。図4に示す状態では、左側の弁体6が成膜
室1に臨む位置に配置され、該弁体上の基体5に薄膜形
成が行われる一方、右側の弁体6が右側のロードロック
室2を気密に閉じ、このロードロック室において弁体6
に対し基体5の設置或いは基体5の交換を行える。ま
た、図5に示す状態では、右側の弁体6が成膜室1に臨
み、該弁体上の基体5に薄膜形成が行われる一方、左側
の弁体6がこれに対応する左側のロードロック室2を気
密に閉じ、このロードロック室で左側弁体6に対し基体
5を設置したり、該弁体上の基体5を交換することがで
きる。
【0027】各ロードロック室に接続した荒引き真空ポ
ンプPL及びベント用弁V並びに成膜室1に接続した高
真空ポンプPHの動作のタイミングは前述の実施例と同
様である。この装置によると、成膜中にいずれかのロー
ドロック室で基体交換を行えるので、高スループットが
得られ、量産に適する。なお、前記実施例では、成膜手
段としてイオン源3とターゲット4を用いているが、必
要に応じ、他の成膜手段を採用してもよい。
ンプPL及びベント用弁V並びに成膜室1に接続した高
真空ポンプPHの動作のタイミングは前述の実施例と同
様である。この装置によると、成膜中にいずれかのロー
ドロック室で基体交換を行えるので、高スループットが
得られ、量産に適する。なお、前記実施例では、成膜手
段としてイオン源3とターゲット4を用いているが、必
要に応じ、他の成膜手段を採用してもよい。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、成
膜室と、基体の交換を行うためのロードロック室とを連
設し、基体のホルダを兼ねる弁体でロードロック室を成
膜室から気密に隔絶するように閉じることができるタイ
プの薄膜製造装置において、基体の設置或いは交換にあ
たり、弁体の駆動系に大きな負担がかからないように
し、それだけ全体を小型、安価に製作できるようにした
薄膜製造装置を提供することができる。
膜室と、基体の交換を行うためのロードロック室とを連
設し、基体のホルダを兼ねる弁体でロードロック室を成
膜室から気密に隔絶するように閉じることができるタイ
プの薄膜製造装置において、基体の設置或いは交換にあ
たり、弁体の駆動系に大きな負担がかからないように
し、それだけ全体を小型、安価に製作できるようにした
薄膜製造装置を提供することができる。
【図1】本発明の一実施例の概略断面図であり、ロード
ロック室を弁体で閉じている状態を示すものである。
ロック室を弁体で閉じている状態を示すものである。
【図2】図1に示す装置の同じく概略断面図であり、弁
体が成膜室に臨んでいる状態を示すものである。
体が成膜室に臨んでいる状態を示すものである。
【図3】弁体の移動機構を図1中の矢印A方向から見て
示す図である。
示す図である。
【図4】本発明の他の実施例の概略断面を示すもので、
右側の弁体が右側のロードロック室を閉じている状態を
示すものである。
右側の弁体が右側のロードロック室を閉じている状態を
示すものである。
【図5】図4に示す装置の同じく概略断面図であり、左
側の弁体が左側のロードロック室を閉じている状態を示
すものである。
側の弁体が左側のロードロック室を閉じている状態を示
すものである。
【図6】従来例の説明図である。
1 成膜室 10 開口 2 ロードロック室 20 開口 22 弁座面 3 イオン源 4 ターゲット 5 基体 30、300 弁移動路 6 弁体 61、610 弁体支持台 62、620 リニアガイド 63 基体設置部分 64 弁座当接部 7 オーリング 8 気密シール用ベローズ 9 エアシリンダ 91 ロッド PH 高真空ポンプ PL 荒引き真空ポンプ V ベント用弁
Claims (1)
- 【請求項1】 下端に開口を有する成膜室と、 下端に開口及びその周囲の弁座を有する、基体交換のた
めの、前記成膜室の隣りに横並べに連設した1又は2以
上のロードロック室と、 隣り合う前記成膜室及びロードロック室を連通させる横
方向に延びる弁移動路と、 前記弁移動路に、前記成膜室開口又はロードロック室開
口に選択的に臨むことができるように横移動可能に設け
られた基体ホルダを兼ねる弁体と、 前記弁体の駆動手段とを備え、 前記ロードロック室の弁座及び前記弁体の弁座当接部
を、該弁体が前記成膜室開口に臨む位置から該ロードロ
ック室開口に臨む位置へ横移動するに伴って、該移動方
向に対し若干傾斜した斜面において互いに気密に接する
ように形成してあることを特徴とする薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210559A JP3042056B2 (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 基体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210559A JP3042056B2 (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 基体処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551742A true JPH0551742A (ja) | 1993-03-02 |
| JP3042056B2 JP3042056B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=16591329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3210559A Expired - Fee Related JP3042056B2 (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 基体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3042056B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783055A (en) * | 1995-02-28 | 1998-07-21 | Hitachi, Ltd. | Multi-chamber sputtering apparatus |
| JP2007217756A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置 |
| JP2014110358A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 製造ラインを構成するためのユニットとその組み立て方法 |
-
1991
- 1991-08-22 JP JP3210559A patent/JP3042056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783055A (en) * | 1995-02-28 | 1998-07-21 | Hitachi, Ltd. | Multi-chamber sputtering apparatus |
| JP2007217756A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置 |
| JP2014110358A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 製造ラインを構成するためのユニットとその組み立て方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3042056B2 (ja) | 2000-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000208 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |