JPH0913172A - 真空装置用昇降機構 - Google Patents
真空装置用昇降機構Info
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- JPH0913172A JPH0913172A JP18481295A JP18481295A JPH0913172A JP H0913172 A JPH0913172 A JP H0913172A JP 18481295 A JP18481295 A JP 18481295A JP 18481295 A JP18481295 A JP 18481295A JP H0913172 A JPH0913172 A JP H0913172A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
[目的] 真空チャンバの下方において、金属ベロー
ズ、エヤシリンダが錯綜して存在しない真空装置用昇降
機構を提供すること。 [構成] 二段に昇降する昇降支持筒31に基板載置台
34を固定し、その周縁部に4本の基板支持ピン41を
上下に挿通させて設ける。基板支持ピン41には上端部
に鍔42と下端部に鍔43を設ける。また、基板支持ピ
ン41の直下となる真空チャンバ12の底面部分のばね
孔49にピン受け45を乗せたコイルばね47を嵌入し
て設ける。
ズ、エヤシリンダが錯綜して存在しない真空装置用昇降
機構を提供すること。 [構成] 二段に昇降する昇降支持筒31に基板載置台
34を固定し、その周縁部に4本の基板支持ピン41を
上下に挿通させて設ける。基板支持ピン41には上端部
に鍔42と下端部に鍔43を設ける。また、基板支持ピ
ン41の直下となる真空チャンバ12の底面部分のばね
孔49にピン受け45を乗せたコイルばね47を嵌入し
て設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は真空装置内に設置される
昇降機構に関するものであり、更に詳しくは、真空装置
内で基板等の物品を昇降させるための真空装置用昇降機
構に関する。
昇降機構に関するものであり、更に詳しくは、真空装置
内で基板等の物品を昇降させるための真空装置用昇降機
構に関する。
【0002】
【従来の技術及びその問題点】図9は従来使用されてい
る基板昇降機構21が組み込まれた真空装置の一例とし
てのプラズマCVD装置20の縦断面図である。基板昇
降機構21は昇降支持筒51に固定され基板Sが載置さ
れる基板載置台54とその周縁部に配置された基板支持
ピン55、及び基板支持ピン55の直下に設けられた昇
降ピン61とからなっている。
る基板昇降機構21が組み込まれた真空装置の一例とし
てのプラズマCVD装置20の縦断面図である。基板昇
降機構21は昇降支持筒51に固定され基板Sが載置さ
れる基板載置台54とその周縁部に配置された基板支持
ピン55、及び基板支持ピン55の直下に設けられた昇
降ピン61とからなっている。
【0003】基板載置台54には図示せずとも基板Sを
加熱して所定の温度に維持するためのヒータが内蔵され
ている。基板載置台54は真空チャンバ22の筐体23
の底面部分を下方から挿入され、図示しないエヤシリン
ダによって昇降される昇降支持筒51に固定されてお
り、昇降支持筒51と筐体23との間の気密化のため
に、昇降支持筒51を囲むようにフランジ付き金属ベロ
ーズ53が設けられO−リング57を介して筐体23の
下面に取り付けられている。
加熱して所定の温度に維持するためのヒータが内蔵され
ている。基板載置台54は真空チャンバ22の筐体23
の底面部分を下方から挿入され、図示しないエヤシリン
ダによって昇降される昇降支持筒51に固定されてお
り、昇降支持筒51と筐体23との間の気密化のため
に、昇降支持筒51を囲むようにフランジ付き金属ベロ
ーズ53が設けられO−リング57を介して筐体23の
下面に取り付けられている。
【0004】基板載置台54の周縁部には上端部に鍔5
6を有する4本の基板支持ピン55が対称位置において
上下に緩く挿通して設けられ、基板載置台54の上昇位
置において、基板支持ピン55は鍔56を基板載置台5
4に形成された座ぐりに嵌入して垂下される。そして基
板Sは4本の基板支持ピン55の鍔56を覆うように載
置される。
6を有する4本の基板支持ピン55が対称位置において
上下に緩く挿通して設けられ、基板載置台54の上昇位
置において、基板支持ピン55は鍔56を基板載置台5
4に形成された座ぐりに嵌入して垂下される。そして基
板Sは4本の基板支持ピン55の鍔56を覆うように載
置される。
【0005】また、筐体23の底面部分の基板支持ピン
55の直下となる箇所には、下方から挿通されて図示し
ないエヤシリンダによって昇降し、上端部に鍔62を有
する昇降ピン61が設けられている。また、昇降ピン6
1と筐体23との間の気密化のために、昇降ピン61を
囲むようにフランジ付き金属ベローズ63が設けられ、
O−リング64を介して筐体23の下面に取り付けられ
ている。
55の直下となる箇所には、下方から挿通されて図示し
ないエヤシリンダによって昇降し、上端部に鍔62を有
する昇降ピン61が設けられている。また、昇降ピン6
1と筐体23との間の気密化のために、昇降ピン61を
囲むようにフランジ付き金属ベローズ63が設けられ、
O−リング64を介して筐体23の下面に取り付けられ
ている。
【0006】筐体23の壁面部分には隣接する図示しな
い搬送チャンバに設置された後述する搬送ロボットのハ
ンド39によって基板Sを搬出入するための開口28が
設けられ、搬出入時以外はゲート弁29によって密閉さ
れている。
い搬送チャンバに設置された後述する搬送ロボットのハ
ンド39によって基板Sを搬出入するための開口28が
設けられ、搬出入時以外はゲート弁29によって密閉さ
れている。
【0007】筐体23の上縁部には真空チャンバ22の
上蓋を兼ねるカソードとしての電極フランジ24が絶縁
フランジ26を介して取り付けられ、絶縁フランジ26
の上下の接触面はO−リング27によって気密が保たれ
ている。電極フランジ24の中央部にはガス導入パイプ
65がO−リング66を介して気密に取り付けられてお
り、真空チャンバ22内において、電極フランジ24の
下面側の環状隆起部25には多数のガス整流孔68を設
けたシャワープレート67がねじ69によって取り付け
られている。図示せずとも電極フランジ24にはRF電
源が接続され、アノードとなる基板載置台54は筐体2
3と同電位としてアースされている。また、図示せずと
も、真空チャンバ22は筐体23に設けた排気管によっ
て真空排気系に接続されている。
上蓋を兼ねるカソードとしての電極フランジ24が絶縁
フランジ26を介して取り付けられ、絶縁フランジ26
の上下の接触面はO−リング27によって気密が保たれ
ている。電極フランジ24の中央部にはガス導入パイプ
65がO−リング66を介して気密に取り付けられてお
り、真空チャンバ22内において、電極フランジ24の
下面側の環状隆起部25には多数のガス整流孔68を設
けたシャワープレート67がねじ69によって取り付け
られている。図示せずとも電極フランジ24にはRF電
源が接続され、アノードとなる基板載置台54は筐体2
3と同電位としてアースされている。また、図示せずと
も、真空チャンバ22は筐体23に設けた排気管によっ
て真空排気系に接続されている。
【0008】基板Sへの薄膜の形成に際しては、真空チ
ャンバ22内を所定の真空度に維持し、内蔵ヒータで基
板載置台54を加熱して所定の温度に達すると基板Sが
載置される。続いて、ガス導入パイプ65から原料ガス
が導入され、図示しないRF電源によって高周波電力が
印加されると、電極フランジ24と基板載置台54との
間にプラズマ放電が生起し、原料ガスが分解され反応し
て基板S上に薄膜が形成され始める。そして、所定の膜
厚が得られると、プラズマ放電と原料ガスの導入とを停
止し、残る原料ガスを不活性ガスと置換した後、基板S
は真空チャンバ22から搬出され、新しい基板Sが搬入
されて成膜が継続される。
ャンバ22内を所定の真空度に維持し、内蔵ヒータで基
板載置台54を加熱して所定の温度に達すると基板Sが
載置される。続いて、ガス導入パイプ65から原料ガス
が導入され、図示しないRF電源によって高周波電力が
印加されると、電極フランジ24と基板載置台54との
間にプラズマ放電が生起し、原料ガスが分解され反応し
て基板S上に薄膜が形成され始める。そして、所定の膜
厚が得られると、プラズマ放電と原料ガスの導入とを停
止し、残る原料ガスを不活性ガスと置換した後、基板S
は真空チャンバ22から搬出され、新しい基板Sが搬入
されて成膜が継続される。
【0009】上記の基板Sの搬出時における昇降機構2
1の動作は図10のA、B、図11のA、B、および図
11のBにおける[12]−[12]線方向の矢視の断
面を示す図12に示されている。なお、図10のAは図
9に対応するが、図10のB以降の図では、動作に関係
しない構成要素は簡略化して示している。
1の動作は図10のA、B、図11のA、B、および図
11のBにおける[12]−[12]線方向の矢視の断
面を示す図12に示されている。なお、図10のAは図
9に対応するが、図10のB以降の図では、動作に関係
しない構成要素は簡略化して示している。
【0010】図10のAでは、基板昇降機構21上の基
板載置台54はプラズマCVDによる基板Sへの成膜時
の位置、すなわち上昇位置にある。図10のAの状態か
ら基板載置台54の昇降支持筒51が下降され、昇降ピ
ン61が上昇されて図10のBに示すように、昇降ピン
61の鍔62は基板載置台54の下面に接して基板支持
ピン55を押し上げ、基板Sは基板支持ピン55の鍔5
6に支持されて残り、下降された基板載置台54との間
に間隙g2 が生じる。次いで、図11のAを参照し、隣
接する図示しない搬送チャンバとの間のゲート弁29が
開とされて、搬送ロボットのハンド39が開口28から
挿入され、間隙g2 を進んで基板Sの直下に至り停止さ
れる。続いて昇降ピン61が下降され、基板支持ピン5
5も下降されて、図11のB、図12を参照し、基板支
持ピン55の鍔56の位置がハンド39よりも下方とな
ることにより、基板支持ピン55の鍔56に支持されて
いた基板Sはハンド39へ移載される。そして基板Sは
搬送チャンバへ運び出される。次いで新しい基板Sが送
り込まれ、新しい基板Sの載置された基板載置台54は
成膜時の上昇位置へ上昇されるが、この搬入時における
基板昇降機構21の動作は搬出時の場合と丁度逆であ
る。
板載置台54はプラズマCVDによる基板Sへの成膜時
の位置、すなわち上昇位置にある。図10のAの状態か
ら基板載置台54の昇降支持筒51が下降され、昇降ピ
ン61が上昇されて図10のBに示すように、昇降ピン
61の鍔62は基板載置台54の下面に接して基板支持
ピン55を押し上げ、基板Sは基板支持ピン55の鍔5
6に支持されて残り、下降された基板載置台54との間
に間隙g2 が生じる。次いで、図11のAを参照し、隣
接する図示しない搬送チャンバとの間のゲート弁29が
開とされて、搬送ロボットのハンド39が開口28から
挿入され、間隙g2 を進んで基板Sの直下に至り停止さ
れる。続いて昇降ピン61が下降され、基板支持ピン5
5も下降されて、図11のB、図12を参照し、基板支
持ピン55の鍔56の位置がハンド39よりも下方とな
ることにより、基板支持ピン55の鍔56に支持されて
いた基板Sはハンド39へ移載される。そして基板Sは
搬送チャンバへ運び出される。次いで新しい基板Sが送
り込まれ、新しい基板Sの載置された基板載置台54は
成膜時の上昇位置へ上昇されるが、この搬入時における
基板昇降機構21の動作は搬出時の場合と丁度逆であ
る。
【0011】従来例の基板昇降機構21は上述のように
使用されるが、これを組み込んだプラズマCVD装置2
0は、図9に示すように、真空チャンバ22の下方が極
めて錯綜した状態になっている。すなわち、基板載置台
54の昇降支持筒51をシールするためのフランジ付き
金属ベローズ53と昇降支持筒51を昇降させる図示し
ないエヤシリンダが存在し、その周囲に近接して、4本
の昇降ピン61のそれぞれについてフランジ付き金属ベ
ローズ63と図示しないエヤシリンダが存在している。
このことによって、金属ベローズ、エヤシリンダが密
度高く存在するのでメンテナンス作業を行いにくい、
金属ペローズはO−リングを介して取り付けているが、
このことは潜在的な真空洩れポイントを増大させてい
る、金属ペローズの占有面積が大きく、結果的に真空
チャンバの内の表面積を大にしている、昇降機構が構
造的に複雑であり、製造コストを高くしている、などの
問題点がある。
使用されるが、これを組み込んだプラズマCVD装置2
0は、図9に示すように、真空チャンバ22の下方が極
めて錯綜した状態になっている。すなわち、基板載置台
54の昇降支持筒51をシールするためのフランジ付き
金属ベローズ53と昇降支持筒51を昇降させる図示し
ないエヤシリンダが存在し、その周囲に近接して、4本
の昇降ピン61のそれぞれについてフランジ付き金属ベ
ローズ63と図示しないエヤシリンダが存在している。
このことによって、金属ベローズ、エヤシリンダが密
度高く存在するのでメンテナンス作業を行いにくい、
金属ペローズはO−リングを介して取り付けているが、
このことは潜在的な真空洩れポイントを増大させてい
る、金属ペローズの占有面積が大きく、結果的に真空
チャンバの内の表面積を大にしている、昇降機構が構
造的に複雑であり、製造コストを高くしている、などの
問題点がある。
【0012】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、真空装置内の昇降機構に使用される金
属ベローズの数を減らして潜在的な真空洩れポイントを
減らし、メンテナンス作業が容易であり、かつ真空チャ
ンバを小型し得て製造コストを低下させ得る真空装置用
昇降機構を提供することを目的とする。
に鑑みてなされ、真空装置内の昇降機構に使用される金
属ベローズの数を減らして潜在的な真空洩れポイントを
減らし、メンテナンス作業が容易であり、かつ真空チャ
ンバを小型し得て製造コストを低下させ得る真空装置用
昇降機構を提供することを目的とする。
【0013】
【問題点を解決するための手段】以上の目的は、真空チ
ャンバの底面から内部へ挿入されて二段に昇降する昇降
支持体に固定された物品載置台と、該物品載置台の周縁
部の対称位置において上下方向に緩く挿通され、該物品
載置台の上面側となる上端部と下面側となる下端部とに
鍔を有し、真空処理中において物品が載置される前記物
品載置台の上昇位置では、前記上端部の鍔を前記物品載
置台に形成された座ぐりに嵌入させて垂下される複数の
物品支持ピンと、前記物品載置台の一段目の下降時には
前記物品支持ピンの下降を停止させて前記物品支持ピン
の前記上端部の鍔に支持される前記物品と下降された前
記物品載置台との間に物品搬送機構の先端部が挿入され
る間隙を形成させ、前記物品載置台の二段目の下降時に
は共に下降される前記物品支持ピンの前記上端部の鍔の
位置を挿入されている前記物品搬送機構の先端部より低
くなるまで下降させることによって前記物品支持ピンの
前記上端部の鍔に支持されている前記物品を前記物品搬
送機構の先端部に移載させる部材とからなることを特徴
とする真空装置用昇降機構、によって達成される。
ャンバの底面から内部へ挿入されて二段に昇降する昇降
支持体に固定された物品載置台と、該物品載置台の周縁
部の対称位置において上下方向に緩く挿通され、該物品
載置台の上面側となる上端部と下面側となる下端部とに
鍔を有し、真空処理中において物品が載置される前記物
品載置台の上昇位置では、前記上端部の鍔を前記物品載
置台に形成された座ぐりに嵌入させて垂下される複数の
物品支持ピンと、前記物品載置台の一段目の下降時には
前記物品支持ピンの下降を停止させて前記物品支持ピン
の前記上端部の鍔に支持される前記物品と下降された前
記物品載置台との間に物品搬送機構の先端部が挿入され
る間隙を形成させ、前記物品載置台の二段目の下降時に
は共に下降される前記物品支持ピンの前記上端部の鍔の
位置を挿入されている前記物品搬送機構の先端部より低
くなるまで下降させることによって前記物品支持ピンの
前記上端部の鍔に支持されている前記物品を前記物品搬
送機構の先端部に移載させる部材とからなることを特徴
とする真空装置用昇降機構、によって達成される。
【0014】
【作用】二段に昇降する物品載置台と物品支持ピンの動
作を規定する部材とによって、従来例の昇降機構に使用
されていた昇降ピンを皆無としており、これによって真
空チャンバの下方は簡素化され、存在するのは物品載置
台の昇降支持体用の金属ベローズとエヤシリンダのみと
なる。
作を規定する部材とによって、従来例の昇降機構に使用
されていた昇降ピンを皆無としており、これによって真
空チャンバの下方は簡素化され、存在するのは物品載置
台の昇降支持体用の金属ベローズとエヤシリンダのみと
なる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例による真空装置用昇降
機構について図面を参照して説明する。図1は実施例の
基板昇降機構11が組み込まれたプラズマCVD装置1
0の側断面図であり、図2は図1における[2]−
[2]線方向の平面図である。なお、図1は基板昇降機
構11を理解し易い断面図としており、図2における
[1]−[1]線方向の断面を示す。プラズマCVD装
置としての基本的な構成、作用は図9で説明した従来例
のプラズマCVD装置20と同様であるので、以下主と
して、異なる基板昇降機構11について説明する。
機構について図面を参照して説明する。図1は実施例の
基板昇降機構11が組み込まれたプラズマCVD装置1
0の側断面図であり、図2は図1における[2]−
[2]線方向の平面図である。なお、図1は基板昇降機
構11を理解し易い断面図としており、図2における
[1]−[1]線方向の断面を示す。プラズマCVD装
置としての基本的な構成、作用は図9で説明した従来例
のプラズマCVD装置20と同様であるので、以下主と
して、異なる基板昇降機構11について説明する。
【0016】基板昇降機構11は基板Sが載置される基
板載置台34と、その周縁部に配置された基板支持ピン
41と、基板支持ピン41の直下となる真空チャンバ1
2の底面部分に設けられたコイルばね47とからなって
いる。
板載置台34と、その周縁部に配置された基板支持ピン
41と、基板支持ピン41の直下となる真空チャンバ1
2の底面部分に設けられたコイルばね47とからなって
いる。
【0017】基板載置台34は真空チャンバ12の筐体
13の底面部分を下方から挿入され図示しないエヤシリ
ンダによって二段に昇降する昇降支持筒31に固定され
ており、支持筒31と筐体13との間の気密化のため
に、昇降支持筒31を囲むようにフランジ付き金属ベロ
ーズ33が設けられ、O−リング35を介して筐体13
の下面に取り付けられている。
13の底面部分を下方から挿入され図示しないエヤシリ
ンダによって二段に昇降する昇降支持筒31に固定され
ており、支持筒31と筐体13との間の気密化のため
に、昇降支持筒31を囲むようにフランジ付き金属ベロ
ーズ33が設けられ、O−リング35を介して筐体13
の下面に取り付けられている。
【0018】基板載置台34の周縁部には上端部に鍔4
2、下端部に鍔43を有する4本の基板支持ピン41が
対称において上下に緩く挿通して設けられ、基板載置台
34の上昇位置において、基板支持ピン41は鍔42を
基板載置台34に形成された座ぐりに嵌入させて垂下さ
れる。そして基板Sは4本の基板支持ピン41の鍔42
を覆うように載置される。
2、下端部に鍔43を有する4本の基板支持ピン41が
対称において上下に緩く挿通して設けられ、基板載置台
34の上昇位置において、基板支持ピン41は鍔42を
基板載置台34に形成された座ぐりに嵌入させて垂下さ
れる。そして基板Sは4本の基板支持ピン41の鍔42
を覆うように載置される。
【0019】また、4本の基板支持ピン41それぞれの
直下において、真空チャンバ12の筐体13の底面部分
にはばね孔49を設けてコイルばね47が上下方向に伸
縮するように嵌入されており、脚部46をコイルばね4
7内に挿入させたピン受け45がコイルばね47の上端
に載置されている。
直下において、真空チャンバ12の筐体13の底面部分
にはばね孔49を設けてコイルばね47が上下方向に伸
縮するように嵌入されており、脚部46をコイルばね4
7内に挿入させたピン受け45がコイルばね47の上端
に載置されている。
【0020】筐体13の壁面部分には隣接する図示しな
い搬送チャンバに設置された搬送ロボットのハンド39
によって基板Sを搬出入するための開口18が設けら
れ、搬出入時以外はゲート弁19によって密閉されてい
る。
い搬送チャンバに設置された搬送ロボットのハンド39
によって基板Sを搬出入するための開口18が設けら
れ、搬出入時以外はゲート弁19によって密閉されてい
る。
【0021】上述した以外の、昇降機構11とは関連の
ない絶縁フランジ26、電極フランジ24、及びこれら
に取り付けられている各構成要素は図9に示した従来例
のプラズマCVD装置20と同様に構成され作用するの
で、同じ符号を付して説明は省略する。
ない絶縁フランジ26、電極フランジ24、及びこれら
に取り付けられている各構成要素は図9に示した従来例
のプラズマCVD装置20と同様に構成され作用するの
で、同じ符号を付して説明は省略する。
【0022】基板Sに所定の膜厚の薄膜が形成されると
基板Sは真空チャンバ12から搬出され、新しい基板S
が搬入されて成膜が継続されるが、基板Sの搬出に際し
ての実施例の昇降機構11の動作を以下に説明する。す
なわち、その動作は図3のA、B、図4のA、B、およ
び図4のBにおける[5]−[5]線方向の矢視の断面
を示す図5に示されている。なお、図3のAは図1に対
応するが、図3のB以降の図では、動作に関係しない構
成要素は簡略化して示している。
基板Sは真空チャンバ12から搬出され、新しい基板S
が搬入されて成膜が継続されるが、基板Sの搬出に際し
ての実施例の昇降機構11の動作を以下に説明する。す
なわち、その動作は図3のA、B、図4のA、B、およ
び図4のBにおける[5]−[5]線方向の矢視の断面
を示す図5に示されている。なお、図3のAは図1に対
応するが、図3のB以降の図では、動作に関係しない構
成要素は簡略化して示している。
【0023】図3のAでは、基板昇降機構11の基板載
置台34はプラズマCVDによる基板への成膜時の位
置、すなわち上昇位置にある。図3のAの状態から昇降
支持筒31が下降され基板載置台34は一段目の下降を
行うが、図3のBに示すように、基板支持ピン41は下
端がピン受け45に接して下降を停止され、基板Sは基
板支持ピン41の鍔42に支持されて残り、下降された
基板載置台34との間に間隙g1 が生じる。次いで図4
のAを参照し、隣接する搬送チャンバとの間のゲート弁
19が開とされて、搬送ロボットのハンド39が開口1
9から挿入され、間隙g2 を進んで基板Sの直下に至り
停止される。
置台34はプラズマCVDによる基板への成膜時の位
置、すなわち上昇位置にある。図3のAの状態から昇降
支持筒31が下降され基板載置台34は一段目の下降を
行うが、図3のBに示すように、基板支持ピン41は下
端がピン受け45に接して下降を停止され、基板Sは基
板支持ピン41の鍔42に支持されて残り、下降された
基板載置台34との間に間隙g1 が生じる。次いで図4
のAを参照し、隣接する搬送チャンバとの間のゲート弁
19が開とされて、搬送ロボットのハンド39が開口1
9から挿入され、間隙g2 を進んで基板Sの直下に至り
停止される。
【0024】続いて、基板載置台34が二段目の下降を
行うが、図4のBと図5を参照し、基板支持ピン41の
下端部の鍔43に基板載置台34の下面が当接して基板
支持ピン41を押し下げる。従って、基板支持ピン41
の下端がピン受け45を押し下げコイルばね47を圧縮
するので、基板支持ピン41も下降される。この下降に
よって基板支持ピン41の上端部の鍔42の位置が搬送
ロボットのハンド39よりも下方になるので、基板支持
ピン41の上端部の鍔42に支持されていた基板Sはハ
ンド39へ移載される。そして基板Sは搬送チャンバへ
運び出される。次いで新しい基板が送り込まれ、これを
載置された基板載置台34は成膜時の上昇位置とされる
が、この搬入時における基板昇降機構11の動作は搬出
時の場合と丁度逆の順に行われる。
行うが、図4のBと図5を参照し、基板支持ピン41の
下端部の鍔43に基板載置台34の下面が当接して基板
支持ピン41を押し下げる。従って、基板支持ピン41
の下端がピン受け45を押し下げコイルばね47を圧縮
するので、基板支持ピン41も下降される。この下降に
よって基板支持ピン41の上端部の鍔42の位置が搬送
ロボットのハンド39よりも下方になるので、基板支持
ピン41の上端部の鍔42に支持されていた基板Sはハ
ンド39へ移載される。そして基板Sは搬送チャンバへ
運び出される。次いで新しい基板が送り込まれ、これを
載置された基板載置台34は成膜時の上昇位置とされる
が、この搬入時における基板昇降機構11の動作は搬出
時の場合と丁度逆の順に行われる。
【0025】そして、本実施例の昇降機構11は従来例
の基板昇降機構21が要していた昇降ピン61用の多く
の金属ベローズとエヤシリンダを皆無とし、真空チャン
バ12の下方に存在するのは基板載置台34の昇降支持
筒31用のフランジ付き金属ベローズ33とエヤシリン
ダのみとしているので、メンテナンスの作業性に優れ、
潜在的なリークポイントが減少し、真空チャンバ12の
小型化、製造コストの低下の観点からも極めて好ましい
ものになっている。
の基板昇降機構21が要していた昇降ピン61用の多く
の金属ベローズとエヤシリンダを皆無とし、真空チャン
バ12の下方に存在するのは基板載置台34の昇降支持
筒31用のフランジ付き金属ベローズ33とエヤシリン
ダのみとしているので、メンテナンスの作業性に優れ、
潜在的なリークポイントが減少し、真空チャンバ12の
小型化、製造コストの低下の観点からも極めて好ましい
ものになっている。
【0026】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明の
技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明の
技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0027】例えば本実施例においては、基板載置台3
4の二段の昇降に組み合わせるばねとしてコイルばね4
7を採用したが、これ以外のばね、例えば板ばね、トー
ションばね等を用いてもよい。
4の二段の昇降に組み合わせるばねとしてコイルばね4
7を採用したが、これ以外のばね、例えば板ばね、トー
ションばね等を用いてもよい。
【0028】また、本実施例においては、エヤシリンダ
により基板載置台34を二段に昇降するようにしている
が、駆動手段としてモータを用いて無段階に昇降するよ
うにしてもよい。
により基板載置台34を二段に昇降するようにしている
が、駆動手段としてモータを用いて無段階に昇降するよ
うにしてもよい。
【0029】また、本実施例においては、4本の基板支
持ピン41のそれぞれにコイルばね47を設けたが、例
えば、図1に対応する図6の縦断面図に示すように、筐
体13の底面部分に形成させた円環状の溝59内に大き
い径のコイルばね57を嵌入させ、4本の基板支持ピン
41をコイルばね57の円周上で受けるようにしてもよ
い。コイルばね57には円環状のピン受け55が設けら
れる。図6においてコイルばね57以外の要素は図1に
示したプラズマCVD装置10と同様であるので同一の
符号を付して説明は省略する。
持ピン41のそれぞれにコイルばね47を設けたが、例
えば、図1に対応する図6の縦断面図に示すように、筐
体13の底面部分に形成させた円環状の溝59内に大き
い径のコイルばね57を嵌入させ、4本の基板支持ピン
41をコイルばね57の円周上で受けるようにしてもよ
い。コイルばね57には円環状のピン受け55が設けら
れる。図6においてコイルばね57以外の要素は図1に
示したプラズマCVD装置10と同様であるので同一の
符号を付して説明は省略する。
【0030】また、本実施例においては、筐体13の底
面部分にばね孔49を設けてコイルばね47を嵌入させ
たが、ばね孔49は必ずしも必要とせず、例えば底面上
に直接コイルばね47を固定してもよい。
面部分にばね孔49を設けてコイルばね47を嵌入させ
たが、ばね孔49は必ずしも必要とせず、例えば底面上
に直接コイルばね47を固定してもよい。
【0031】また、本実施例においては、基板支持ピン
41を4本設けたが、3本または4本以上の基板支持ピ
ン41として基板Sの搬出入に支障とならないように配
置してもよい。
41を4本設けたが、3本または4本以上の基板支持ピ
ン41として基板Sの搬出入に支障とならないように配
置してもよい。
【0032】また、本実施例においては、基板支持ピン
41の上端部の鍔42を基板載置台34の座ぐりに嵌入
させて基板Sを基板載置台34と当接させるようにした
が、例えば上端部の鍔42の形状を変更することによっ
て基板Sと基板載置台34との間に間隙を設けるように
してもよい。
41の上端部の鍔42を基板載置台34の座ぐりに嵌入
させて基板Sを基板載置台34と当接させるようにした
が、例えば上端部の鍔42の形状を変更することによっ
て基板Sと基板載置台34との間に間隙を設けるように
してもよい。
【0033】また、本実施例においては、昇降させる対
象物品として基板Sを取り上げたが、基板S以外の真空
装置内で昇降される全ての物品が対象となる。例えば、
基板Sに所定のパターン形状の薄膜を形成させる場合、
その形状に切り抜かれたマスク板Mを基板Sに重ね合わ
せて成膜操作が行われるが、成膜後に基板Sを搬出する
には先ずマスク板Mを基板Sから上方へ上昇させること
が必要である。
象物品として基板Sを取り上げたが、基板S以外の真空
装置内で昇降される全ての物品が対象となる。例えば、
基板Sに所定のパターン形状の薄膜を形成させる場合、
その形状に切り抜かれたマスク板Mを基板Sに重ね合わ
せて成膜操作が行われるが、成膜後に基板Sを搬出する
には先ずマスク板Mを基板Sから上方へ上昇させること
が必要である。
【0034】図7は基板昇降機構11のほかにマスク板
昇降機構91を設けたプラズマCVD装置70の縦断面
図であり、図8は図7における[8]−[8]線方向の
平面図である。なお、図7は基板昇降機構11とマスク
板昇降機構91とを理解し易い断面図としており、図8
における[7]−[7]線方向の断面を示す。すなわ
ち、基板昇降機構11の外側にマスク昇降機構91が設
けられている。マスク板昇降機構91は対向して配設し
た二段に昇降する2本の昇降ロッド71上に、円環状の
マスク板載置台74が固定されている。また、マスク板
載置台74上において、真空チャンバ72の中心から基
板支持ピン41に向う角度と同一角度に基板昇降機構1
1の基板支持ピン41と同様な4本のマスク板支持ピン
81を配置し、4本のマスク板支持ピン81の直下とな
る真空チャンバ72の筐体73の底面部分には、基板支
持ピン41に対するコイルばね47と同様な、マスク板
支持ピン81に対するコイルばね87が設けられてい
る。このようにして基板Sとは独立してマスク板Mが昇
降される。マスク板Mの搬出入には筐体73の壁面部分
に専用の開口を設けてもよく、基板Sを搬出入する開口
78を兼用して搬出入することもできる。勿論、所定の
期間は基板Sの交換毎にマスク板Mを交換せず、基板S
の交換時にはマスク板Mを単に昇降させるような使用も
可能である。これ以外の構成要素は図1に示したプラズ
マCVD装置10と同様であるので、説明は省略する。
昇降機構91を設けたプラズマCVD装置70の縦断面
図であり、図8は図7における[8]−[8]線方向の
平面図である。なお、図7は基板昇降機構11とマスク
板昇降機構91とを理解し易い断面図としており、図8
における[7]−[7]線方向の断面を示す。すなわ
ち、基板昇降機構11の外側にマスク昇降機構91が設
けられている。マスク板昇降機構91は対向して配設し
た二段に昇降する2本の昇降ロッド71上に、円環状の
マスク板載置台74が固定されている。また、マスク板
載置台74上において、真空チャンバ72の中心から基
板支持ピン41に向う角度と同一角度に基板昇降機構1
1の基板支持ピン41と同様な4本のマスク板支持ピン
81を配置し、4本のマスク板支持ピン81の直下とな
る真空チャンバ72の筐体73の底面部分には、基板支
持ピン41に対するコイルばね47と同様な、マスク板
支持ピン81に対するコイルばね87が設けられてい
る。このようにして基板Sとは独立してマスク板Mが昇
降される。マスク板Mの搬出入には筐体73の壁面部分
に専用の開口を設けてもよく、基板Sを搬出入する開口
78を兼用して搬出入することもできる。勿論、所定の
期間は基板Sの交換毎にマスク板Mを交換せず、基板S
の交換時にはマスク板Mを単に昇降させるような使用も
可能である。これ以外の構成要素は図1に示したプラズ
マCVD装置10と同様であるので、説明は省略する。
【0035】また、本実施例においては、真空装置とし
てプラズマCVD装置を取り上げたが、これ以外の真空
装置、例えば真空蒸着装置、スパッタ装置、エッチング
装置、イオン注入装置、その他各種の真空装置に本発明
の昇降機構を適用することができる。
てプラズマCVD装置を取り上げたが、これ以外の真空
装置、例えば真空蒸着装置、スパッタ装置、エッチング
装置、イオン注入装置、その他各種の真空装置に本発明
の昇降機構を適用することができる。
【0036】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の真空装置用
昇降機構によれば、従来の昇降機構が真空チャンバの下
方に要していた昇降ピン用の多くの金属ベローズ、エヤ
シリンダを皆無とし得るので、メンテナンス作業が容易
になりOーリング等によるシール箇所、すなわち潜在的
なリークポイントが減少して信頼性が高まり、かつ全体
的にコンパクトな設計が可能で、製造コストも低下させ
得る。
昇降機構によれば、従来の昇降機構が真空チャンバの下
方に要していた昇降ピン用の多くの金属ベローズ、エヤ
シリンダを皆無とし得るので、メンテナンス作業が容易
になりOーリング等によるシール箇所、すなわち潜在的
なリークポイントが減少して信頼性が高まり、かつ全体
的にコンパクトな設計が可能で、製造コストも低下させ
得る。
【図1】実施例の基板昇降機構が組み込まれたプラズマ
CVD装置の縦断面図である。
CVD装置の縦断面図である。
【図2】図1における[2]−[2]線方向の平面図で
ある。
ある。
【図3】図4と共に実施例の基板昇降機構の動作を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図4】図3と共に実施例の基板昇降機構の動作を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図5】図4のBにおける[5]−[5]線方向の縦断
面図である。
面図である。
【図6】コイルばねの変形例を示す縦断面図であり、図
1に対応する。
1に対応する。
【図7】基板昇降機構とマスク板昇降機構とが組み込ま
れたプラズマCVD装置の縦断面図であり、図1に対応
する。
れたプラズマCVD装置の縦断面図であり、図1に対応
する。
【図8】図7における[8]−[8]線方向の平面図で
ある。
ある。
【図9】従来例の基板昇降機構が組み込まれたプラズマ
CVD装置の縦断面図である。
CVD装置の縦断面図である。
【図10】図11と共に従来例の基板昇降機構の動作を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図11】図10と共に従来例の基板昇降機構の動作を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図12】図11のBにおける[12]−[12]線方
向の縦断面図である。
向の縦断面図である。
10 プラズマCVD装置 11 基板昇降機構 12 真空チャンバ 13 筐体 19 ゲート弁 31 昇降支持筒 33 フランジ付き金属ベローズ 34 基板載置台 41 基板支持ピン 42 鍔 43 鍔 45 ピン受け 47 コイルばね 49 ばね孔 S 基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/205 H01L 21/205 21/68 21/68 N (72)発明者 森 勝彦 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 清水 康男 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 真空チャンバの底面から内部へ挿入され
て二段に昇降する昇降支持体に固定された物品載置台
と、該物品載置台の周縁部の等角度間隔となる箇所にお
いて上下方向に遊嵌され、該物品載置台の上面側となる
上端部と下面側となる下端部とに鍔を有し、真空処理中
において物品が載置される前記物品載置台の上昇位置で
は、前記上端部の鍔を前記物品載置台に近接又は当接さ
せて垂下している複数の物品支持ピンと、前記物品載置
台の一段目の下降時には前記物品支持ピンの下降を停止
させて前記物品支持ピンの前記上端部の鍔に支持される
前記物品と下降された前記物品載置台との間に物品搬送
機構の先端支持部が挿入される間隙を形成させ、前記物
品載置台の二段目の下降時には共に下降される前記物品
支持ピンの前記上端部の鍔の位置を挿入されている前記
物品搬送機構の先端支持部より低くなるまで下降させる
ことによって前記物品支持ピンの前記上端部の鍔に支持
されている前記物品を前記物品搬送機構の先端支持部に
移載させる部材とからなることを特徴とする真空装置用
昇降機構。 - 【請求項2】 前記部材が前記物品支持ピンの直下に設
けられた上下方向への伸縮機能を有するばねであり、前
記物品載置台の一段目の下降時における前記物品支持ピ
ンの下降の停止は前記ばねへの前記物品支持ピンの下端
部の当接によって生じ、前記物品載置台の二段目の下降
時における前記物品支持ピンの下降は前記物品支持ピン
の下端部が当接している前記ばねを圧縮して行われる請
求項1に記載の真空装置用昇降機構。 - 【請求項3】 前記物品載置台にヒータが内蔵されてい
る請求項1または請求項2に記載の真空装置用昇降機
構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18481295A JPH0913172A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 真空装置用昇降機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18481295A JPH0913172A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 真空装置用昇降機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0913172A true JPH0913172A (ja) | 1997-01-14 |
Family
ID=16159726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18481295A Pending JPH0913172A (ja) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 真空装置用昇降機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0913172A (ja) |
Cited By (22)
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-
1995
- 1995-06-28 JP JP18481295A patent/JPH0913172A/ja active Pending
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