JPH055181A - Ｍｏｃｖｄ用反応器 - Google Patents
Ｍｏｃｖｄ用反応器Info
- Publication number
- JPH055181A JPH055181A JP18185991A JP18185991A JPH055181A JP H055181 A JPH055181 A JP H055181A JP 18185991 A JP18185991 A JP 18185991A JP 18185991 A JP18185991 A JP 18185991A JP H055181 A JPH055181 A JP H055181A
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- JP
- Japan
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- reactor
- oxide superconducting
- superconducting film
- gas
- reaction substrate
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応器の内壁に原料ガスが沈着して微粉末が
発生し、それが浮遊して形成される酸化物超電導膜が変
質することを防止すること。 【構成】 酸化物超電導膜を形成するための原料ガスの
供給口（１１）と残余ガスの排気口（１６）を有する反
応器（１）の外周に高周波加熱コイル（４）が、酸化物
超電導膜の付設を受ける反応基板（２）に対応して部分
的に配置されており、かつ前記反応器（１）の外周の高
周波加熱コイルが配置されていない部分に電気抵抗式加
熱手段（３）が配置されているＭＯＣＶＤ用反応器。 【効果】 組成の均一性に優れて超電導特性が安定した
酸化物超電導膜を形成できるコールドウォール型のＭＯ
ＣＶＤ用反応器が得られる。
発生し、それが浮遊して形成される酸化物超電導膜が変
質することを防止すること。 【構成】 酸化物超電導膜を形成するための原料ガスの
供給口（１１）と残余ガスの排気口（１６）を有する反
応器（１）の外周に高周波加熱コイル（４）が、酸化物
超電導膜の付設を受ける反応基板（２）に対応して部分
的に配置されており、かつ前記反応器（１）の外周の高
周波加熱コイルが配置されていない部分に電気抵抗式加
熱手段（３）が配置されているＭＯＣＶＤ用反応器。 【効果】 組成の均一性に優れて超電導特性が安定した
酸化物超電導膜を形成できるコールドウォール型のＭＯ
ＣＶＤ用反応器が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＯＣＶＤ方式により
反応器沈着物質の混入なく酸化物超電導膜を形成できる
ようにした反応器に関する。
反応器沈着物質の混入なく酸化物超電導膜を形成できる
ようにした反応器に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｙ、Ｂa、Ｃuのβ−ジケトンキレート化
合物の如き粉末原料をガス化してなる、酸化物超電導体
の形成元素を含有する原料ガスを、反応器内に配置した
高温の反応基板上に供給して分解反応させ、酸化物超電
導膜を付設するＭＯＣＶＤ法が知られている。
合物の如き粉末原料をガス化してなる、酸化物超電導体
の形成元素を含有する原料ガスを、反応器内に配置した
高温の反応基板上に供給して分解反応させ、酸化物超電
導膜を付設するＭＯＣＶＤ法が知られている。
【０００３】従来、前記の反応基板を配置する反応器と
しては、原料ガスの供給口と残余ガスの排気口を有する
反応器の外周に高周波加熱コイルが、酸化物超電導膜の
付設を受ける反応基板に対応して部分的に配置されたコ
ールドウォール型のものが知られていた。しかしなが
ら、反応器内に原料ガスが沈着して微粉末となり、それ
が浮遊して反応基板上に形成される酸化物超電導膜を変
質させ、超電導特性を低下させる問題点があった。
しては、原料ガスの供給口と残余ガスの排気口を有する
反応器の外周に高周波加熱コイルが、酸化物超電導膜の
付設を受ける反応基板に対応して部分的に配置されたコ
ールドウォール型のものが知られていた。しかしなが
ら、反応器内に原料ガスが沈着して微粉末となり、それ
が浮遊して反応基板上に形成される酸化物超電導膜を変
質させ、超電導特性を低下させる問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記した原
料ガスの沈着微粉末の浮遊問題を生じないコールドウォ
ール型の反応器を得ることを目的とする。
料ガスの沈着微粉末の浮遊問題を生じないコールドウォ
ール型の反応器を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物超電導
膜を形成するための原料ガスの供給口と残余ガスの排気
口を有する反応器の外周に高周波加熱コイルが、酸化物
超電導膜の付設を受ける反応基板に対応して部分的に配
置されており、かつ前記反応器の外周の高周波加熱コイ
ルが配置されていない部分に電気抵抗式加熱手段が配置
されていることを特徴とするＭＯＣＶＤ用反応器を提供
するものである。
膜を形成するための原料ガスの供給口と残余ガスの排気
口を有する反応器の外周に高周波加熱コイルが、酸化物
超電導膜の付設を受ける反応基板に対応して部分的に配
置されており、かつ前記反応器の外周の高周波加熱コイ
ルが配置されていない部分に電気抵抗式加熱手段が配置
されていることを特徴とするＭＯＣＶＤ用反応器を提供
するものである。
【０００６】
【作用】通常、減圧状態とした反応器内における反応基
板を高周波加熱コイルを介し加熱しつつ原料ガスを供給
口より供給し、反応基板上で加熱分解させて反応させ、
酸化物超電導膜を反応基板上に形成付設する。反応器の
外周における高周波加熱コイルを配置した部分以外の部
分における電気抵抗式加熱手段で反応器を加熱すること
により、原料ガスの沈着による微粉末の発生が防止され
る。原料ガスの分解ガス等からなる残余ガスは、排気口
を介して反応器の外に排気される。
板を高周波加熱コイルを介し加熱しつつ原料ガスを供給
口より供給し、反応基板上で加熱分解させて反応させ、
酸化物超電導膜を反応基板上に形成付設する。反応器の
外周における高周波加熱コイルを配置した部分以外の部
分における電気抵抗式加熱手段で反応器を加熱すること
により、原料ガスの沈着による微粉末の発生が防止され
る。原料ガスの分解ガス等からなる残余ガスは、排気口
を介して反応器の外に排気される。
【０００７】
【実施例】図１にバッチ式の実施例を示し、図２に連続
成膜式の実施例を示した。１が反応器、２が反応基板、
３が電気抵抗式加熱手段、４が高周波加熱コイルであ
る。なお、１１は原料ガスの供給口、１２は保持台、１
４は導入路、１６は残余ガスの排気口、５はファイバー
式の放射温度計である。
成膜式の実施例を示した。１が反応器、２が反応基板、
３が電気抵抗式加熱手段、４が高周波加熱コイルであ
る。なお、１１は原料ガスの供給口、１２は保持台、１
４は導入路、１６は残余ガスの排気口、５はファイバー
式の放射温度計である。
【０００８】図１、図２に例示の如く反応器１として
は、酸化物超電導膜を形成するための原料ガスの供給口
１１と、残余ガスの排気口１６を有するものが用いられ
る。複数の供給口や排気口を有するものであってもよ
い。反応器は限定するものではないが、石英ガラスの如
き透視が可能な耐熱性材料で形成することが好ましい。
は、酸化物超電導膜を形成するための原料ガスの供給口
１１と、残余ガスの排気口１６を有するものが用いられ
る。複数の供給口や排気口を有するものであってもよ
い。反応器は限定するものではないが、石英ガラスの如
き透視が可能な耐熱性材料で形成することが好ましい。
【０００９】図１に例示のバッチ式の反応器１では、保
持台１２を介して単品の反応基板２を保持できるように
なっている。保持台１２は支持板１３を介して反応器の
中央に配置固定されている。
持台１２を介して単品の反応基板２を保持できるように
なっている。保持台１２は支持板１３を介して反応器の
中央に配置固定されている。
【００１０】図２に例示の連続成膜式の反応器１では、
導入路１４を介してテープや線材等の長尺体からなる反
応基板２を矢印の如く順次連続的に導入して、反応器１
内を通過する間に、その反応基板２上に酸化物超電導膜
を連続的に成膜できるようになっている。なお、１５は
反応器１内の減圧状態の維持率を高めるためや、不純物
の侵入を抑制するために導入路１４内に設けた隔壁であ
る。
導入路１４を介してテープや線材等の長尺体からなる反
応基板２を矢印の如く順次連続的に導入して、反応器１
内を通過する間に、その反応基板２上に酸化物超電導膜
を連続的に成膜できるようになっている。なお、１５は
反応器１内の減圧状態の維持率を高めるためや、不純物
の侵入を抑制するために導入路１４内に設けた隔壁であ
る。
【００１１】図１、図２より明らかな如く、反応器１の
外周には高周波加熱コイル４が部分的に配置されてい
る。高周波加熱コイル４は、反応基板２を加熱してその
上で原料ガスを分解・反応させて酸化物超電導膜を形成
させるためのものである。従って高周波加熱コイル４
は、反応基板２の配置に対応する位置に部分的に設けら
れる。反応基板２の加熱温度は、原料ガスの分解・反応
温度に応じて適宜に決定される。その温度は、放射温度
計５等を介して精密に制御することが、超電導特性に優
れる酸化物超電導膜を安定して形成する点より好まし
い。
外周には高周波加熱コイル４が部分的に配置されてい
る。高周波加熱コイル４は、反応基板２を加熱してその
上で原料ガスを分解・反応させて酸化物超電導膜を形成
させるためのものである。従って高周波加熱コイル４
は、反応基板２の配置に対応する位置に部分的に設けら
れる。反応基板２の加熱温度は、原料ガスの分解・反応
温度に応じて適宜に決定される。その温度は、放射温度
計５等を介して精密に制御することが、超電導特性に優
れる酸化物超電導膜を安定して形成する点より好まし
い。
【００１２】本発明においては、高周波加熱コイル４に
加えて電気抵抗式加熱手段３が反応器１の外周に配置さ
れる。電気抵抗式加熱手段３は、反応器１をその内壁に
原料ガスが沈着して微粉末が発生することを防止するた
めに加熱するためのものである。
加えて電気抵抗式加熱手段３が反応器１の外周に配置さ
れる。電気抵抗式加熱手段３は、反応器１をその内壁に
原料ガスが沈着して微粉末が発生することを防止するた
めに加熱するためのものである。
【００１３】従って電気抵抗式加熱手段３は、高周波加
熱コイル４では前記微粉末の発生を防止できる温度に達
しない反応器の外周部分に設けられる。その加熱温度
は、原料ガスのガス状態を維持できる温度とされ、原料
のガス化温度（蒸発温度）に応じて適宜に決定される。
一般には２００℃以上、就中２３０℃以上であり、各原
料のガス化温度の内の最も高い温度よりも若干高い温度
とされる。なお電気抵抗式加熱手段は、例えば抵抗体テ
ープや抵抗線等を反応器の外周に巻回する方式など、適
宜に形成してよい。
熱コイル４では前記微粉末の発生を防止できる温度に達
しない反応器の外周部分に設けられる。その加熱温度
は、原料ガスのガス状態を維持できる温度とされ、原料
のガス化温度（蒸発温度）に応じて適宜に決定される。
一般には２００℃以上、就中２３０℃以上であり、各原
料のガス化温度の内の最も高い温度よりも若干高い温度
とされる。なお電気抵抗式加熱手段は、例えば抵抗体テ
ープや抵抗線等を反応器の外周に巻回する方式など、適
宜に形成してよい。
【００１４】本発明のＭＯＣＶＤ用反応器においては矢
印の如く、供給口１１から排気口１６に向かって原料ガ
スが供給されて、反応基板２上に酸化物超電導膜が形成
されると共に、残余ガス等が排気される。その原料ガス
の供給・残余ガス等の排気には必要に応じてキャリアガ
スが用いられる。キャリアガスとしては、アルゴンガ
ス、窒素ガス、ヘリウムガスの如き不活性ガスが一般に
用いられる。
印の如く、供給口１１から排気口１６に向かって原料ガ
スが供給されて、反応基板２上に酸化物超電導膜が形成
されると共に、残余ガス等が排気される。その原料ガス
の供給・残余ガス等の排気には必要に応じてキャリアガ
スが用いられる。キャリアガスとしては、アルゴンガ
ス、窒素ガス、ヘリウムガスの如き不活性ガスが一般に
用いられる。
【００１５】前記の反応基板としては例えば、各種のセ
ラミック、あるいは銀やその合金、就中、銀・白金合
金、銀・パラジウム合金の如き高融点合金等の種々の金
属などからなる基板やテープ、線材等の適宜な形態のも
のが用いられる。
ラミック、あるいは銀やその合金、就中、銀・白金合
金、銀・パラジウム合金の如き高融点合金等の種々の金
属などからなる基板やテープ、線材等の適宜な形態のも
のが用いられる。
【００１６】本発明においては種々の酸化物超電導膜を
形成することができる。その超電導体の種類については
特に限定はない。その例としては、ＹＢa2Ｃu3ＯyやＹ
Ｂa2Ｃu4Ｏyの如きＹ系酸化物超電導体、Ｂa1-xＫxＢi
Ｏ3の如きＢa系酸化物超電導体、Ｎd2-xＣexＣuＯyの如
きＮd系酸化物超電導体、Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy、Ｂi2-x
ＰbxＳr2Ｃa2Ｃu3Ｏyの如きＢi系酸化物超電導体、その
他Ｌa系酸化物超電導体、Ｔl系酸化物超電導体、Ｐb系
酸化物超電導体などがあげられる。また、前記のＹ等の
成分を他の希土類元素で置換したものや、Ｂa等の成分
を他のアルカリ土類金属で置換したものなどもあげられ
る。
形成することができる。その超電導体の種類については
特に限定はない。その例としては、ＹＢa2Ｃu3ＯyやＹ
Ｂa2Ｃu4Ｏyの如きＹ系酸化物超電導体、Ｂa1-xＫxＢi
Ｏ3の如きＢa系酸化物超電導体、Ｎd2-xＣexＣuＯyの如
きＮd系酸化物超電導体、Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy、Ｂi2-x
ＰbxＳr2Ｃa2Ｃu3Ｏyの如きＢi系酸化物超電導体、その
他Ｌa系酸化物超電導体、Ｔl系酸化物超電導体、Ｐb系
酸化物超電導体などがあげられる。また、前記のＹ等の
成分を他の希土類元素で置換したものや、Ｂa等の成分
を他のアルカリ土類金属で置換したものなどもあげられ
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、反応器の内壁に原料ガ
スが沈着して微粉末化することを防止でき、かかる微粉
末が浮遊して形成される酸化物超電導膜の組成を変化さ
せて変質させることを防止することができる。従って、
組成の均一性に優れて超電導特性が安定した酸化物超電
導膜が形成されるコールドウォール型のＭＯＣＶＤ用反
応器を得ることができる。
スが沈着して微粉末化することを防止でき、かかる微粉
末が浮遊して形成される酸化物超電導膜の組成を変化さ
せて変質させることを防止することができる。従って、
組成の均一性に優れて超電導特性が安定した酸化物超電
導膜が形成されるコールドウォール型のＭＯＣＶＤ用反
応器を得ることができる。
【図１】実施例の部分断面側面図。
【図２】他の実施例の部分断面側面図。
１：反応器 １１：原料ガスの供給口 １６：残余ガスの排気口 ２：反応基板 ３：電気抵抗式加熱手段 ４：高周波加熱コイル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 酸化物超電導膜を形成するための原料ガ
スの供給口と残余ガスの排気口を有する反応器の外周に
高周波加熱コイルが、酸化物超電導膜の付設を受ける反
応基板に対応して部分的に配置されており、かつ前記反
応器の外周の高周波加熱コイルが配置されていない部分
に電気抵抗式加熱手段が配置されていることを特徴とす
るＭＯＣＶＤ用反応器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18185991A JPH055181A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | Ｍｏｃｖｄ用反応器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18185991A JPH055181A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | Ｍｏｃｖｄ用反応器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055181A true JPH055181A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=16108085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18185991A Pending JPH055181A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | Ｍｏｃｖｄ用反応器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055181A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474535B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 장치 |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP18185991A patent/JPH055181A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474535B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 장치 |
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