JPH0552055B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0552055B2 JPH0552055B2 JP62105126A JP10512687A JPH0552055B2 JP H0552055 B2 JPH0552055 B2 JP H0552055B2 JP 62105126 A JP62105126 A JP 62105126A JP 10512687 A JP10512687 A JP 10512687A JP H0552055 B2 JPH0552055 B2 JP H0552055B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- container
- side wall
- substrate
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は洗浄装置に関するものであつて、特に
半導体装置製造工程に於ける基板洗浄工程に用い
る洗浄槽の形状を改善し、洗浄時間を短縮するこ
とを目的とする。
半導体装置製造工程に於ける基板洗浄工程に用い
る洗浄槽の形状を改善し、洗浄時間を短縮するこ
とを目的とする。
従来の技術
半導体装置の製造装置の自動化に伴い、薬液や
水を満たして容器にキヤリアに入つた半導体基板
を浸漬する基反洗浄装置も自動化が進んでいる。
薬液や純水を満たす為の容器（洗浄槽）の構造に
関しても、種々の機能を付加する為に、槽は大形
化し、、工夫された形状のものが開発されている。
しかし、バツチ式の洗浄方式では、この槽の大型
化に伴なつて、最も重要な基板表面に於ける薬液
或は純水の流速は低下する傾向にある。第４図を
用いて説明する。第４図は従来のSi基板を洗浄す
る為の純水洗浄槽を示す断面図で１は洗浄槽側壁
を、５はSi基板を、４はSi基板のキヤリアを示
す。給水管３から導入された純水は、多孔板２に
設けられた穴より槽上部に向かつて流れ出す。し
かし、Si基板５は通常規格品のキヤリア４にピツ
チ4.76mm程度で並べられて入れられており、基板
間の流水抵抗は大きくなる。一方、キヤリア４と
洗浄槽側壁１との側面間隙Ｌは、上記Si基板４同
志のすき間に比べて３cm程度大きい。したがつ
て、側面間隙に於ける純水流速ｖＢは、Si基板４
の中央付近の流速vａに比べて約10倍程大きい。
水を満たして容器にキヤリアに入つた半導体基板
を浸漬する基反洗浄装置も自動化が進んでいる。
薬液や純水を満たす為の容器（洗浄槽）の構造に
関しても、種々の機能を付加する為に、槽は大形
化し、、工夫された形状のものが開発されている。
しかし、バツチ式の洗浄方式では、この槽の大型
化に伴なつて、最も重要な基板表面に於ける薬液
或は純水の流速は低下する傾向にある。第４図を
用いて説明する。第４図は従来のSi基板を洗浄す
る為の純水洗浄槽を示す断面図で１は洗浄槽側壁
を、５はSi基板を、４はSi基板のキヤリアを示
す。給水管３から導入された純水は、多孔板２に
設けられた穴より槽上部に向かつて流れ出す。し
かし、Si基板５は通常規格品のキヤリア４にピツ
チ4.76mm程度で並べられて入れられており、基板
間の流水抵抗は大きくなる。一方、キヤリア４と
洗浄槽側壁１との側面間隙Ｌは、上記Si基板４同
志のすき間に比べて３cm程度大きい。したがつ
て、側面間隙に於ける純水流速ｖＢは、Si基板４
の中央付近の流速vａに比べて約10倍程大きい。
発明が解決しようとする問題点
このことは、供給した純水の量に比べて、Si基
板４の表面に付着した異物やイオンの除去される
効率が悪いことを意味しており、高価な純水の使
用量増加に伴うコスト上昇や、洗浄に要する時間
が長くなる等の問題点を有している。
板４の表面に付着した異物やイオンの除去される
効率が悪いことを意味しており、高価な純水の使
用量増加に伴うコスト上昇や、洗浄に要する時間
が長くなる等の問題点を有している。
問題点を解決するための手段
本発明は、以上の問題点を解決するために、一
定間隔でほぼ平行に基板を収納したキヤリアを浸
漬する薬液や水を貯蔵する容器の、上記容器内部
に上記キヤリアを載置する多孔板と、上記多孔板
基下部に上記薬液や水を上記容器歪部に供給する
給水管と、上記キヤリアに収納された基板の水平
直径付近の上記容器側面内壁に設けられた整流板
とを有し、上記整流板を設けたことにより上記容
器側面内壁と上記キヤリア側壁外側との最短距離
が上記基板の水平直径付近に位置し、かつ上記キ
ヤリア内の上記基板の収納されている間隔の３倍
以下のなり、上記キヤリア上面における側壁外面
と上記容器側壁内面との距離が上記最短距離より
大きくなるように上記整流板によつて容器側壁に
凸状の傾斜面を設けたことを特徴とする基板洗浄
装置である。
定間隔でほぼ平行に基板を収納したキヤリアを浸
漬する薬液や水を貯蔵する容器の、上記容器内部
に上記キヤリアを載置する多孔板と、上記多孔板
基下部に上記薬液や水を上記容器歪部に供給する
給水管と、上記キヤリアに収納された基板の水平
直径付近の上記容器側面内壁に設けられた整流板
とを有し、上記整流板を設けたことにより上記容
器側面内壁と上記キヤリア側壁外側との最短距離
が上記基板の水平直径付近に位置し、かつ上記キ
ヤリア内の上記基板の収納されている間隔の３倍
以下のなり、上記キヤリア上面における側壁外面
と上記容器側壁内面との距離が上記最短距離より
大きくなるように上記整流板によつて容器側壁に
凸状の傾斜面を設けたことを特徴とする基板洗浄
装置である。
作 用
このような構造を採用すると、キヤリアに並べ
られたSi等の半導体基板間を流れる純水の流速
は、キヤリアと洗浄槽の間の流速とほぼ等しくな
る。すなわち、Si基板表面の異物やイオンの除去
効率が向上し、純水使用量の低減、洗浄時間の短
縮が可能となり、半導体集積回路の製造工程に於
けるコスト低減、製造期間の短縮に寄与する。さ
らに、キヤリアを洗浄槽に出し入れする時に用い
るキヤリアハンドル等の挿入が容易に行えること
となる。
られたSi等の半導体基板間を流れる純水の流速
は、キヤリアと洗浄槽の間の流速とほぼ等しくな
る。すなわち、Si基板表面の異物やイオンの除去
効率が向上し、純水使用量の低減、洗浄時間の短
縮が可能となり、半導体集積回路の製造工程に於
けるコスト低減、製造期間の短縮に寄与する。さ
らに、キヤリアを洗浄槽に出し入れする時に用い
るキヤリアハンドル等の挿入が容易に行えること
となる。
実施例
本発明の概念の説明として、直径150mmの半導
体Si基板水洗槽への応用例について、第１図を参
照して説明する。第１図は、本発明の水洗槽の概
念を示す断面図で材質は厚さ５mmの石英である。
直径150mmのSi基板が多数載置されるキヤリア４
の幅ＷおよびSi基板同志の間隙（ピツチ）一般的
な規格品（SEMI規格）の場合それぞれ160mm程
度および4.76mmである。そこでSi基板中央付近
（水平直径付近）より下部については、側面間隙
L′を上記ピツチ同程度の約５mmとする。一方、キ
ヤリア保持部４′の幅は、上記キヤリア場合175mm
程度となるので、上記Si基板中央部より上部で
は、側壁間隙Ｌを従来並の30mm程度とする。これ
は、キヤリア保持部４′のみならず、キヤリア４
を本水洗槽に出し入れする時に用いるキヤリアハ
ンドル等の挿入を容易に行うための寸法を確保す
る為である。
体Si基板水洗槽への応用例について、第１図を参
照して説明する。第１図は、本発明の水洗槽の概
念を示す断面図で材質は厚さ５mmの石英である。
直径150mmのSi基板が多数載置されるキヤリア４
の幅ＷおよびSi基板同志の間隙（ピツチ）一般的
な規格品（SEMI規格）の場合それぞれ160mm程
度および4.76mmである。そこでSi基板中央付近
（水平直径付近）より下部については、側面間隙
L′を上記ピツチ同程度の約５mmとする。一方、キ
ヤリア保持部４′の幅は、上記キヤリア場合175mm
程度となるので、上記Si基板中央部より上部で
は、側壁間隙Ｌを従来並の30mm程度とする。これ
は、キヤリア保持部４′のみならず、キヤリア４
を本水洗槽に出し入れする時に用いるキヤリアハ
ンドル等の挿入を容易に行うための寸法を確保す
る為である。
さらに本発明の場合、側面寸法がL′からＬに広
がる場所で、水流が渦状になることを防止する為
に、側面寸法は徐々に大きくなるように、テーパ
ー構造を採用した。テーパー角度は一般にゆるや
かな方が望ましいが低面の給水管３より供給され
る純水の流量と上述したキヤリア保持部の寸法余
裕より決めなければならない。本実施例の場合、
給水量20〜30／minで遷移長（側面間隙がL′か
らＬになるテーパ部の長さ）は25mmとした。主要
部第１図の点線で囲んだ部分周辺の寸法入り図面
は第３図に示す。
がる場所で、水流が渦状になることを防止する為
に、側面寸法は徐々に大きくなるように、テーパ
ー構造を採用した。テーパー角度は一般にゆるや
かな方が望ましいが低面の給水管３より供給され
る純水の流量と上述したキヤリア保持部の寸法余
裕より決めなければならない。本実施例の場合、
給水量20〜30／minで遷移長（側面間隙がL′か
らＬになるテーパ部の長さ）は25mmとした。主要
部第１図の点線で囲んだ部分周辺の寸法入り図面
は第３図に示す。
次に本発明の一実施例を第２図を用いて説明す
る。第２図は、Si基板中央部付近に相当する洗浄
槽内壁に整流板６を取り付けることを特徴として
いる。本実施例に於ては先に第１図、第３図を用
いて本発明の概念を説明したように、基板中央部
付近のみ側面間隙を小さくしている。即ち整流板
６を設けることより洗浄槽側壁を部分的に狭間〓
とした構造を採用する。本実施例の場合、従来型
の槽を改造することが可能である。キヤリアと水
洗槽との間の寸法は、本実施例ではいずれも５mm
程度としたが、Si基板の並びのピツチ4.76mmに対
して３倍程度以下にするのが望ましい。
る。第２図は、Si基板中央部付近に相当する洗浄
槽内壁に整流板６を取り付けることを特徴として
いる。本実施例に於ては先に第１図、第３図を用
いて本発明の概念を説明したように、基板中央部
付近のみ側面間隙を小さくしている。即ち整流板
６を設けることより洗浄槽側壁を部分的に狭間〓
とした構造を採用する。本実施例の場合、従来型
の槽を改造することが可能である。キヤリアと水
洗槽との間の寸法は、本実施例ではいずれも５mm
程度としたが、Si基板の並びのピツチ4.76mmに対
して３倍程度以下にするのが望ましい。
以上の様な実施例により、キヤリア４と洗浄槽
１の側壁の最短距離が小さくなり、キヤリアと洗
浄槽の間を流れる純水量を小さく、Si基板の間を
流れる量を大きくできる。すなわち、Si基板５の
中央部の流速vaと側面間隙における純水流速vbを
ほぼ等しくできる。従つて、Si基板表面に付着し
た異物やイオンは、給水管３から供給する純水の
量が同じであれば、従来より除去し易くなる。す
なわち、純水の使用効率が著しく向上し、より少
ない純水量でより短かい時間で洗浄効果を上げる
ことが可能となる。これは、純水コストの低減、
製造時間の短縮をもたらす。実際的には、例えば
薬品槽に浸した後の水洗を行う場合、槽内の平均
的な比抵抗が十分に高くなるまでの所要時間は従
来の約1/2に短縮できた。この時純水の流速比
va／vBは従来の1/10程度であつたが、本実施例の
場合va／vbは約１である。
１の側壁の最短距離が小さくなり、キヤリアと洗
浄槽の間を流れる純水量を小さく、Si基板の間を
流れる量を大きくできる。すなわち、Si基板５の
中央部の流速vaと側面間隙における純水流速vbを
ほぼ等しくできる。従つて、Si基板表面に付着し
た異物やイオンは、給水管３から供給する純水の
量が同じであれば、従来より除去し易くなる。す
なわち、純水の使用効率が著しく向上し、より少
ない純水量でより短かい時間で洗浄効果を上げる
ことが可能となる。これは、純水コストの低減、
製造時間の短縮をもたらす。実際的には、例えば
薬品槽に浸した後の水洗を行う場合、槽内の平均
的な比抵抗が十分に高くなるまでの所要時間は従
来の約1/2に短縮できた。この時純水の流速比
va／vBは従来の1/10程度であつたが、本実施例の
場合va／vbは約１である。
なお、キヤリア４と水洗槽１の側壁との間の寸
法は、上記実施例ではSi基板１同志の間隔とほぼ
同程度としたが、３倍程度以下にすれば、洗浄時
間の短縮ならびに純水等の使用量の減少を得るこ
とが可能である。
法は、上記実施例ではSi基板１同志の間隔とほぼ
同程度としたが、３倍程度以下にすれば、洗浄時
間の短縮ならびに純水等の使用量の減少を得るこ
とが可能である。
また、ここでは水洗槽に関する例を述べたが、
薬品を用いた洗浄槽に関しても全く同様の効果が
得られることは言うまでもなく、半導体基板以外
にも適用可能である。
薬品を用いた洗浄槽に関しても全く同様の効果が
得られることは言うまでもなく、半導体基板以外
にも適用可能である。
発明の効果
以上のように、本発明を用いることにより、キ
ヤリアハンドル等の挿入が容易に行えると共に洗
浄速度の向上ならびに純水等の使用量を減らすこ
とが可能となり、洗浄作業の能率向上、洗浄効果
の向上にすぐれた工業的効果を発揮するものであ
る。
ヤリアハンドル等の挿入が容易に行えると共に洗
浄速度の向上ならびに純水等の使用量を減らすこ
とが可能となり、洗浄作業の能率向上、洗浄効果
の向上にすぐれた工業的効果を発揮するものであ
る。
第１図は本発明の概念を説明する洗浄槽の概略
構成図、第２図は本発明の一実施例の洗浄槽の概
略構成図、第３図は第１図の主要部の詳細を示す
寸法説明図、第４図は従来の洗浄槽の概略構成図
である。 １……洗浄槽側壁、２……多孔板、３……給水
管、４……キヤリア、４′……キヤリア保持部、
５……Si基板。
構成図、第２図は本発明の一実施例の洗浄槽の概
略構成図、第３図は第１図の主要部の詳細を示す
寸法説明図、第４図は従来の洗浄槽の概略構成図
である。 １……洗浄槽側壁、２……多孔板、３……給水
管、４……キヤリア、４′……キヤリア保持部、
５……Si基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一定間隔でほぼ平行に基板を収納したキヤリ
アを浸漬する薬液や水を貯蔵する容器と、上記容
器内部に上記キヤリアを載置する多孔板と、上記
多孔板下部に上記薬液や水を上記容器内部に供給
する給水管と、上記キヤリアに収納された基板の
水平直径付近の上記容器側面内壁に設けられた整
流板とを有し、上記整流板を設けたことにより上
記容器側面内壁と上記キヤリア側壁外側との最短
距離が上記基板の水平直径付近に位置し、かつ上
記キヤリア内の上記基板の収納されている間隔の
３倍以下となり、上記キヤリア上面における側壁
外面と上記容器側壁内面との距離が上記最短距離
より大きくなるように上記整流板によつて容器側
壁に凸状の傾斜面を設けたことを特徴とする基板
洗浄装置。 ２ 基板が半導体基板である特許請求の範囲第１
項記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105126A JPS63271937A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105126A JPS63271937A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271937A JPS63271937A (ja) | 1988-11-09 |
| JPH0552055B2 true JPH0552055B2 (ja) | 1993-08-04 |
Family
ID=14399090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62105126A Granted JPS63271937A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63271937A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH071795Y2 (ja) * | 1990-09-10 | 1995-01-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 浸漬型基板洗浄装置 |
| JP2014166945A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-09-11 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン片の洗浄装置及び洗浄方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142834U (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-19 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62105126A patent/JPS63271937A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63271937A (ja) | 1988-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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