JPH0552666B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0552666B2 JPH0552666B2 JP58220925A JP22092583A JPH0552666B2 JP H0552666 B2 JPH0552666 B2 JP H0552666B2 JP 58220925 A JP58220925 A JP 58220925A JP 22092583 A JP22092583 A JP 22092583A JP H0552666 B2 JPH0552666 B2 JP H0552666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- metal
- bump
- plating
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、バンプ電極の製造方法に関する。
従来のバンブ電極構造及びその形成方法は、
Solid state technology、April 1980年版の様に
液状レジストを使用した場合、キノコ状のバンプ
形状、すなわち熱圧着ボンデイング時のバンプ電
極上方からの圧力に対し、不安定な構造となつて
いる。更にバンプ電極の微細化に伴い、その機械
的強度の低下が問題となつている。
Solid state technology、April 1980年版の様に
液状レジストを使用した場合、キノコ状のバンプ
形状、すなわち熱圧着ボンデイング時のバンプ電
極上方からの圧力に対し、不安定な構造となつて
いる。更にバンプ電極の微細化に伴い、その機械
的強度の低下が問題となつている。
本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、バンプ電極の首部を頭
部よりも広くすることで、バンプ電極の機械的強
度を向上させることにある。
その目的とするところは、バンプ電極の首部を頭
部よりも広くすることで、バンプ電極の機械的強
度を向上させることにある。
本発明のバンプ電極構造及びその形成法は、バ
ンプ下金属の部分的なエツチング又は選択的な形
成により、電着バンプ成長時に、通電電着可能と
なるバンプ下金属の島を設け、バンプ形成時にバ
ンプの首部を頭部よりも広くとることで、バンプ
電極の機械的強度を向上させることである。
ンプ下金属の部分的なエツチング又は選択的な形
成により、電着バンプ成長時に、通電電着可能と
なるバンプ下金属の島を設け、バンプ形成時にバ
ンプの首部を頭部よりも広くとることで、バンプ
電極の機械的強度を向上させることである。
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に
説明する。
説明する。
一実施例は、バンプ下金属膜をフオトリソグラ
フイ工程を用いたエツチング又はリフトオフ法等
により、例えば第２，３図中ｃ，ｄの様なバンプ
形成の為の共通通電部分と、ｅの様な前記通電部
分と電気的に隔離していて且つメツキ成長中のバ
ンプと通電可能となる島状構造をもたせる。次に
フオトリンソラフイ工程を用い、第２，３図中ｄ
等のバンプ形成を行わない部分をレジスト等で覆
い、バンプを形成させる。第４図にバンプ形成の
為のレジスト被覆例を示す。バンプ成長は第４図
中ｃ部分を中心に広がり、これが第４図中ｅ部分
に到着する。
フイ工程を用いたエツチング又はリフトオフ法等
により、例えば第２，３図中ｃ，ｄの様なバンプ
形成の為の共通通電部分と、ｅの様な前記通電部
分と電気的に隔離していて且つメツキ成長中のバ
ンプと通電可能となる島状構造をもたせる。次に
フオトリンソラフイ工程を用い、第２，３図中ｄ
等のバンプ形成を行わない部分をレジスト等で覆
い、バンプを形成させる。第４図にバンプ形成の
為のレジスト被覆例を示す。バンプ成長は第４図
中ｃ部分を中心に広がり、これが第４図中ｅ部分
に到着する。
しかる後はｅ部分はｃ部分と同電位となり第５
図に示す様なバンプ形状となる。
図に示す様なバンプ形状となる。
次に不要なバンプ下金属膜ｄをエツチング技術
を用て除去する。第５図は本発明により形成した
最終のバンプ電極構造を示す。
を用て除去する。第５図は本発明により形成した
最終のバンプ電極構造を示す。
以上述べた様に本発明によれば、メツチ時の通
電部分、即ちメツキ電極となる部分の周辺部に離
間した島状の金属膜を設けます。まずメツキ電極
を中心にメツキ金属が成長します。この時点で
は、島状の金属膜は通電されませんのでメツキは
成長しません。ある程度メツキ成長するとメツキ
金属がメツキ電極から離間した島状の金属膜に到
達する。これによりこの島状の金属膜がメツキ電
極と導通することによりこの島状の金属膜を中心
にメツキ金属が成長します。その結果、従来の構
造に比べ２倍以上機械的強度に優れた台形状のバ
ンプ電極を形成することが可能となるという効果
を有する。また本発明は、工程を増やすことなく
バンプ電極を形成することができるので、機械的
強度を信頼性高く向上させることが可能となると
いう効果も有するものである。
電部分、即ちメツキ電極となる部分の周辺部に離
間した島状の金属膜を設けます。まずメツキ電極
を中心にメツキ金属が成長します。この時点で
は、島状の金属膜は通電されませんのでメツキは
成長しません。ある程度メツキ成長するとメツキ
金属がメツキ電極から離間した島状の金属膜に到
達する。これによりこの島状の金属膜がメツキ電
極と導通することによりこの島状の金属膜を中心
にメツキ金属が成長します。その結果、従来の構
造に比べ２倍以上機械的強度に優れた台形状のバ
ンプ電極を形成することが可能となるという効果
を有する。また本発明は、工程を増やすことなく
バンプ電極を形成することができるので、機械的
強度を信頼性高く向上させることが可能となると
いう効果も有するものである。
バンプ下金属膜ｃとｅの距離はバンプの高さ及
びバンプ間ピツチを考慮した上で、自由ぬ設定で
きる。
びバンプ間ピツチを考慮した上で、自由ぬ設定で
きる。
第１図は、液状フオトレジストを用いた場合の
従来のバンプ電極構造。第２図は、バンプ下金属
膜の選択的形成例。第３図は、第２図に於ける電
極の断面構造。第４図は、バンプ電極形成の為の
レジスト被覆例。第５図は、最終バンプ電極構
造。 ａ……AL等のパツド電極、ｂ……SiO2ガラス
等の保護膜、ｃ，ｄ，ｅ……バンプ下金属膜、ｆ
……メツキされたバンプ、ｇ……メツキ保護用フ
オトレジスト層。
従来のバンプ電極構造。第２図は、バンプ下金属
膜の選択的形成例。第３図は、第２図に於ける電
極の断面構造。第４図は、バンプ電極形成の為の
レジスト被覆例。第５図は、最終バンプ電極構
造。 ａ……AL等のパツド電極、ｂ……SiO2ガラス
等の保護膜、ｃ，ｄ，ｅ……バンプ下金属膜、ｆ
……メツキされたバンプ、ｇ……メツキ保護用フ
オトレジスト層。
Claims (1)
- １ 半導体基板に設けられ、一部が前記半導体基
板に延在する絶縁膜に被覆されたパツド電極の露
出部と電気的に接続された第１金属膜を有し、前
記第１金属膜の周辺部に離間して設けられ、且つ
前記パツド電極と電気的に絶縁した島状の第２金
属膜とを形成する工程、前記第１金属膜をメツキ
成長時の通電部として前記第１金属膜を中心とし
て前記第２金属膜方向にメツキ金属を成長させる
工程、前記メツキ金属を前記第２金属膜と電気的
に接続するまで成長させることにより、前記第２
金属膜表面に前記メツキ金属が延在して形成し、
前記メツキ金属の断面形状を上辺に比べて底辺が
長い台形状とする工程を有することを特徴とする
バンプ電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220925A JPS60113446A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | バンプ電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220925A JPS60113446A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | バンプ電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113446A JPS60113446A (ja) | 1985-06-19 |
| JPH0552666B2 true JPH0552666B2 (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=16758697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58220925A Granted JPS60113446A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | バンプ電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113446A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252951A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-11-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | バンプ電極の製造方法 |
| JP2633586B2 (ja) * | 1987-10-21 | 1997-07-23 | 株式会社東芝 | バンプ構造を有する半導体装置 |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58220925A patent/JPS60113446A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60113446A (ja) | 1985-06-19 |
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