JPH05243323A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH05243323A JPH05243323A JP4440092A JP4440092A JPH05243323A JP H05243323 A JPH05243323 A JP H05243323A JP 4440092 A JP4440092 A JP 4440092A JP 4440092 A JP4440092 A JP 4440092A JP H05243323 A JPH05243323 A JP H05243323A
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- electrode pad
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置において電極パッドはがれをなく
する。 【構成】 半絶縁性ＧａＡｓ基板１に選択的に形成され
た導電領域２の少なくとも一部にオーミック電極５を形
成する。上記導電領域２外の上記基板上１の少なくとも
一部に、上記オーミック電極５と同じ材質をもつ接着用
金属７を形成する。上記接着用金属７上にボンディング
パッド用金属として上記オーミック電極と電気的に接続
している金属配線８を形成する。
する。 【構成】 半絶縁性ＧａＡｓ基板１に選択的に形成され
た導電領域２の少なくとも一部にオーミック電極５を形
成する。上記導電領域２外の上記基板上１の少なくとも
一部に、上記オーミック電極５と同じ材質をもつ接着用
金属７を形成する。上記接着用金属７上にボンディング
パッド用金属として上記オーミック電極と電気的に接続
している金属配線８を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電極パッドと基板または
電極パッドと表面保護膜の密着性を改善した半導体装置
およびその製造方法に関するものである。
電極パッドと表面保護膜の密着性を改善した半導体装置
およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子において、配線用金属材料に
用いられる金属としては、電気伝導度の点から金属単体
で使用できるのは金、アルミニウムなどで、その他の金
属は金、アルミニウムと組み合わせて用いられる。
用いられる金属としては、電気伝導度の点から金属単体
で使用できるのは金、アルミニウムなどで、その他の金
属は金、アルミニウムと組み合わせて用いられる。
【０００３】また、配線材料は、絶縁物との密着性や化
学反応性が重視される。密着性が悪いと配線が剥離して
信頼性を低下させ、また絶縁膜との反応が強すぎると配
線が酸化または窒化され、配線の有効断面積が減少する
などの障害が発生する。以上のことから密着性と反応性
は相反することが要求される。一般に酸化物形成または
窒化物形成の自由化エネルギーが小さいものほど密着性
がよいといわれている。さらに密着性には酸化、窒化さ
れやすさとともに酸化物、窒化物との反応性が大きく影
響している。
学反応性が重視される。密着性が悪いと配線が剥離して
信頼性を低下させ、また絶縁膜との反応が強すぎると配
線が酸化または窒化され、配線の有効断面積が減少する
などの障害が発生する。以上のことから密着性と反応性
は相反することが要求される。一般に酸化物形成または
窒化物形成の自由化エネルギーが小さいものほど密着性
がよいといわれている。さらに密着性には酸化、窒化さ
れやすさとともに酸化物、窒化物との反応性が大きく影
響している。
【０００４】しかし、電気的特性や密着性など、希望す
る特性すべてを満足する金属は少なく、多層化などによ
り、各金属の持っている特徴を生かし、それぞれの金属
の欠点を補って用いられている。
る特性すべてを満足する金属は少なく、多層化などによ
り、各金属の持っている特徴を生かし、それぞれの金属
の欠点を補って用いられている。
【０００５】半導体素子のチップ表面は、パッケージを
通しての外部からの水分、汚染物の侵入や機械的な損傷
からチップを保護するために、表面保護膜で覆われてい
る。その中で電極パッド上はワイヤーボンディング用に
中心部は表面保護膜がなく、周辺部に表面保護膜がオー
バーハングしている。このような構造により、電極パッ
ド周辺部の表面保護膜が剥離することは信頼性上大きな
問題である。にもかかわらず、電極パッド表面の材質は
金属配線に用いられる金やアルミニウムであり、それら
と表面保護膜との密着性は低い。
通しての外部からの水分、汚染物の侵入や機械的な損傷
からチップを保護するために、表面保護膜で覆われてい
る。その中で電極パッド上はワイヤーボンディング用に
中心部は表面保護膜がなく、周辺部に表面保護膜がオー
バーハングしている。このような構造により、電極パッ
ド周辺部の表面保護膜が剥離することは信頼性上大きな
問題である。にもかかわらず、電極パッド表面の材質は
金属配線に用いられる金やアルミニウムであり、それら
と表面保護膜との密着性は低い。
【０００６】以下図面を参照しながら、上記した従来の
半導体装置およびその製造方法の一例について説明す
る。
半導体装置およびその製造方法の一例について説明す
る。
【０００７】図４（ａ）は従来の半導体装置の上面図、
図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ―Ｃ’線における断面図で
ある。半絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面側に導電領域２が
あり、基板全面に絶縁膜３が堆積されている。導電領域
２上の一部の絶縁膜３を除去したあとにオーミック電極
５およびショットキー電極６が形成されている。各電極
は、金属配線８によって電極パッド部９に引き出されて
いる。また電極パッド部９上のワイヤーボンディング領
域を除いた全面に表面保護膜１１が堆積されている。以
上の構成により、電極パッドの周辺部では金属配線８と
表面保護膜１１が接した構造になっている。また、電極
パッド部９では金属配線８と絶縁膜３が接した構造にな
っている。
図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ―Ｃ’線における断面図で
ある。半絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面側に導電領域２が
あり、基板全面に絶縁膜３が堆積されている。導電領域
２上の一部の絶縁膜３を除去したあとにオーミック電極
５およびショットキー電極６が形成されている。各電極
は、金属配線８によって電極パッド部９に引き出されて
いる。また電極パッド部９上のワイヤーボンディング領
域を除いた全面に表面保護膜１１が堆積されている。以
上の構成により、電極パッドの周辺部では金属配線８と
表面保護膜１１が接した構造になっている。また、電極
パッド部９では金属配線８と絶縁膜３が接した構造にな
っている。
【０００８】図５は従来の半導体装置の製造方法を示す
工程断面図である。図５（ａ）は半絶縁性ＧａＡｓ基板
１にイオン注入法によって選択的に導電領域２を形成す
る工程である。導電領域２の形成にはエピタキシャル成
長法を用いることもある。図５（ｂ）は半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板１の全面に絶縁膜３を堆積した後、レジスト４を
塗布し、通常の露光法により導電領域２上の一部にオー
ミック電極５を形成する工程である。図５（ｃ）はショ
ットキー電極を形成した後、金属配線８によって各電極
を引出し、電極パッド部９を形成する工程である。図５
（ｄ）は電極パッド部９上のワイヤーボンディング領域
を除いた全面に表面保護膜１１を堆積する工程である。
工程断面図である。図５（ａ）は半絶縁性ＧａＡｓ基板
１にイオン注入法によって選択的に導電領域２を形成す
る工程である。導電領域２の形成にはエピタキシャル成
長法を用いることもある。図５（ｂ）は半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板１の全面に絶縁膜３を堆積した後、レジスト４を
塗布し、通常の露光法により導電領域２上の一部にオー
ミック電極５を形成する工程である。図５（ｃ）はショ
ットキー電極を形成した後、金属配線８によって各電極
を引出し、電極パッド部９を形成する工程である。図５
（ｄ）は電極パッド部９上のワイヤーボンディング領域
を除いた全面に表面保護膜１１を堆積する工程である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
構成では、電極パッド部において、金やアルミニウムを
材質とする金属配線とＳｉＮなどを材質とする表面保護
膜とは密着性が悪いので、表面保護膜が剥離しやすく、
剥離したところから素子内部に水や不純物が侵入し、信
頼性不良が発生するという問題点を有していた。
構成では、電極パッド部において、金やアルミニウムを
材質とする金属配線とＳｉＮなどを材質とする表面保護
膜とは密着性が悪いので、表面保護膜が剥離しやすく、
剥離したところから素子内部に水や不純物が侵入し、信
頼性不良が発生するという問題点を有していた。
【００１０】また、上記した構成では、電極パッド部に
おいて、金やアルミニウムを材質とする金属配線とＳｉ
ＮまたはＳｉＯ2などを材質とする絶縁膜とは密着性が
悪く、ワイヤーボンディングの際にその衝撃で、電極パ
ッドが剥離し、ワイヤーボンディングが付かないという
問題点を有していた。また剥離したところから素子内部
に水や不純物が侵入し、信頼性不良が発生するという問
題点を有していた。
おいて、金やアルミニウムを材質とする金属配線とＳｉ
ＮまたはＳｉＯ2などを材質とする絶縁膜とは密着性が
悪く、ワイヤーボンディングの際にその衝撃で、電極パ
ッドが剥離し、ワイヤーボンディングが付かないという
問題点を有していた。また剥離したところから素子内部
に水や不純物が侵入し、信頼性不良が発生するという問
題点を有していた。
【００１１】また、上記した製造方法では、電極パッド
部において金やアルミニウムを材質とする金属配線とＳ
ｉＮまたはＳｉＯ2などを材質とする絶縁膜とは密着性
が悪く、製造工程中に電極パッドが剥離し、歩留まりが
低くなるという問題点を有していた。
部において金やアルミニウムを材質とする金属配線とＳ
ｉＮまたはＳｉＯ2などを材質とする絶縁膜とは密着性
が悪く、製造工程中に電極パッドが剥離し、歩留まりが
低くなるという問題点を有していた。
【００１２】本発明は上記問題点に鑑み、電極パッド部
の金属配線層および表面保護膜が剥離しない半導体装置
およびその製造方法を提供するものである。
の金属配線層および表面保護膜が剥離しない半導体装置
およびその製造方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体装置は、半導体基板の主面上に形成
された電極パッドと、電極パッド周辺にオーバーハング
している表面保護膜と、電極パッドの表面と表面保護膜
との間にチタンを材質とする接着用金属とを備える。
めに本発明の半導体装置は、半導体基板の主面上に形成
された電極パッドと、電極パッド周辺にオーバーハング
している表面保護膜と、電極パッドの表面と表面保護膜
との間にチタンを材質とする接着用金属とを備える。
【００１４】また、上記問題点を解決するために本発明
の半導体装置は、半絶縁性ＧａＡｓ基板に選択的に形成
された導電領域と、導電領域上の少なくとも一部に形成
されたオーミック電極と、導電領域外の基板上の少なく
とも一部に形成され、かつオーミック電極と同じ材質を
もつ接着用金属と、接着用金属上にボンディングパッド
用金属としてオーミック電極と電気的に接続している金
属配線とを備える。
の半導体装置は、半絶縁性ＧａＡｓ基板に選択的に形成
された導電領域と、導電領域上の少なくとも一部に形成
されたオーミック電極と、導電領域外の基板上の少なく
とも一部に形成され、かつオーミック電極と同じ材質を
もつ接着用金属と、接着用金属上にボンディングパッド
用金属としてオーミック電極と電気的に接続している金
属配線とを備える。
【００１５】また、上記問題点を解決するために本発明
の半導体装置の製造方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基板に選
択的に導電領域を形成する工程と、導電領域上の少なく
とも一部にオーミック電極を形成すると同時に導電領域
外の基板上の少なくとも一部にオーミック電極と同じ材
質をもつ接着用金属を形成する工程と、接着用金属上に
ボンディングパッド用金属としてオーミック電極と電気
的に接続している金属配線を形成する工程とを順次行
う。
の半導体装置の製造方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基板に選
択的に導電領域を形成する工程と、導電領域上の少なく
とも一部にオーミック電極を形成すると同時に導電領域
外の基板上の少なくとも一部にオーミック電極と同じ材
質をもつ接着用金属を形成する工程と、接着用金属上に
ボンディングパッド用金属としてオーミック電極と電気
的に接続している金属配線を形成する工程とを順次行
う。
【００１６】
【作用】本発明は上記した構成によって、電極パッドと
表面保護膜との接合用に表面保護膜との密着性が高いチ
タン層を設けているため、表面保護膜が剥離せず、高い
信頼性が得られることとなる。
表面保護膜との接合用に表面保護膜との密着性が高いチ
タン層を設けているため、表面保護膜が剥離せず、高い
信頼性が得られることとなる。
【００１７】また、本発明は上記した構成によって、電
極パッド部では、金属配線との密着性が高いオーミック
金属を材質とする接着用金属層を設けているため、電極
パッドが剥離する可能性は極めて低い。これにより、組
立歩留まりが著しく向上し、かつ高い信頼性が保たれる
こととなる。
極パッド部では、金属配線との密着性が高いオーミック
金属を材質とする接着用金属層を設けているため、電極
パッドが剥離する可能性は極めて低い。これにより、組
立歩留まりが著しく向上し、かつ高い信頼性が保たれる
こととなる。
【００１８】また、本発明は上記した製造方法によっ
て、電極パッド部では、金属配線との密着性が高いオー
ミック金属を材質とする接着用金属層を設けているた
め、製造工程中に電極パッドが剥離する可能性は極めて
低い。これにより、歩留まりが著しく向上することとな
る。
て、電極パッド部では、金属配線との密着性が高いオー
ミック金属を材質とする接着用金属層を設けているた
め、製造工程中に電極パッドが剥離する可能性は極めて
低い。これにより、歩留まりが著しく向上することとな
る。
【００１９】
【実施例】以下本発明の半導体装置およびその製造方法
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】図１（ａ）は本発明の半導体装置の上面
図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面
図である。以下、本発明の説明においてすでに説明を加
えた図面と等価な部分については同一の参照番号を付し
て示すものとする。半絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面側に
導電領域２があり、基板全面に絶縁膜３が堆積されてい
る。導電領域２上のオーミック電極形成部とショットキ
ー電極形成部の絶縁膜３を除去したあとにオーミック電
極５およびショットキー電極６が形成されている。各電
極は、金属配線８によって電極パッド部９に引き出され
ている。さらに電極パッド部９の周辺部にはチタンを材
質とする表面保護膜接着用金属１０が堆積されている。
また電極パッド部９上のワイヤーボンディング領域を除
いた全面に表面保護膜１１が堆積されている。
図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面
図である。以下、本発明の説明においてすでに説明を加
えた図面と等価な部分については同一の参照番号を付し
て示すものとする。半絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面側に
導電領域２があり、基板全面に絶縁膜３が堆積されてい
る。導電領域２上のオーミック電極形成部とショットキ
ー電極形成部の絶縁膜３を除去したあとにオーミック電
極５およびショットキー電極６が形成されている。各電
極は、金属配線８によって電極パッド部９に引き出され
ている。さらに電極パッド部９の周辺部にはチタンを材
質とする表面保護膜接着用金属１０が堆積されている。
また電極パッド部９上のワイヤーボンディング領域を除
いた全面に表面保護膜１１が堆積されている。
【００２１】以上の構成により、電極パッド部９におい
て、表面保護膜１１と表面保護膜接着用金属１０とは密
着性が高いため、従来大きな問題であった表面保護膜１
１の剥離は発生しない。これにより、高い信頼性が保た
れる。
て、表面保護膜１１と表面保護膜接着用金属１０とは密
着性が高いため、従来大きな問題であった表面保護膜１
１の剥離は発生しない。これにより、高い信頼性が保た
れる。
【００２２】図２（ａ）は本発明の半導体装置の上面
図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ―Ｂ’線における断面
図である。半絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面側に導電領域
２があり、基板全面に絶縁膜３が堆積されている。導電
領域２上の一部の絶縁膜３を除去したあとにオーミック
電極５およびショットキー電極６が形成されている。本
発明においてはさらに電極パッド形成部の絶縁膜３も除
去されており、そのあとにはオーミック電極５と同じ材
質を持つ電極パッド接着用金属７が堆積されている。各
電極は、金属配線８によって電極パッド部９の電極パッ
ド接着用金属７上に引き出されている。また電極パッド
部９上のワイヤーボンディング領域を除いた全面に表面
保護膜１１が堆積されている。
図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ―Ｂ’線における断面
図である。半絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面側に導電領域
２があり、基板全面に絶縁膜３が堆積されている。導電
領域２上の一部の絶縁膜３を除去したあとにオーミック
電極５およびショットキー電極６が形成されている。本
発明においてはさらに電極パッド形成部の絶縁膜３も除
去されており、そのあとにはオーミック電極５と同じ材
質を持つ電極パッド接着用金属７が堆積されている。各
電極は、金属配線８によって電極パッド部９の電極パッ
ド接着用金属７上に引き出されている。また電極パッド
部９上のワイヤーボンディング領域を除いた全面に表面
保護膜１１が堆積されている。
【００２３】以上の構成により、電極パッド部９では金
属配線８と電極パッド接着用金属７とが接している。こ
れらは密着性が高いため、従来大きな問題であったワイ
ヤーボンディング時の電極パッドはがれは発生しない。
これにより、組立歩留まりが著しく向上し、かつ高い信
頼性が保たれる。
属配線８と電極パッド接着用金属７とが接している。こ
れらは密着性が高いため、従来大きな問題であったワイ
ヤーボンディング時の電極パッドはがれは発生しない。
これにより、組立歩留まりが著しく向上し、かつ高い信
頼性が保たれる。
【００２４】図３は本発明の半導体装置の製造方法を示
す工程断面図である。図３（ａ）は半絶縁性ＧａＡｓ基
板１にイオン注入法によって選択的に導電領域２を形成
する工程である。導電領域２の形成にはエピタキシャル
成長法を用いることもある。図３（ｂ）では半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板１の全面に絶縁膜３を堆積した後、レジスト
４を塗布し、通常の露光法により、導電領域２上のオー
ミック電極形成部と電極パッド形成部の絶縁膜３を除去
する。そこにオーミック電極５の材質である金属を堆積
し、オーミック電極５と電極パッド接着用金属７を形成
する。図３（ｃ）はショットキー電極６を形成した後、
金属配線８によって各電極を電極パッド接着用金属７上
に引出し、電極パッド部９を形成する工程である。図３
（ｄ）は電極パッド部９上のワイヤーボンディング領域
を除いた全面に表面保護膜１１を堆積する工程である。
す工程断面図である。図３（ａ）は半絶縁性ＧａＡｓ基
板１にイオン注入法によって選択的に導電領域２を形成
する工程である。導電領域２の形成にはエピタキシャル
成長法を用いることもある。図３（ｂ）では半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板１の全面に絶縁膜３を堆積した後、レジスト
４を塗布し、通常の露光法により、導電領域２上のオー
ミック電極形成部と電極パッド形成部の絶縁膜３を除去
する。そこにオーミック電極５の材質である金属を堆積
し、オーミック電極５と電極パッド接着用金属７を形成
する。図３（ｃ）はショットキー電極６を形成した後、
金属配線８によって各電極を電極パッド接着用金属７上
に引出し、電極パッド部９を形成する工程である。図３
（ｄ）は電極パッド部９上のワイヤーボンディング領域
を除いた全面に表面保護膜１１を堆積する工程である。
【００２５】以上の製造方法により、電極パッド部９で
は金属配線８と電極パッド接着用金属７とが接してい
る。これらは密着性が高いため、従来大きな問題であっ
た製造工程中の電極パッドはがれは発生しない。このた
め歩留まりが著しく向上する。さらに、電極パッド接着
用金属はオーミック金属とすることから、オーミック電
極を形成するのと同時に形成でき、従来の製造方法と同
じ工程数でよいという利点がある。
は金属配線８と電極パッド接着用金属７とが接してい
る。これらは密着性が高いため、従来大きな問題であっ
た製造工程中の電極パッドはがれは発生しない。このた
め歩留まりが著しく向上する。さらに、電極パッド接着
用金属はオーミック金属とすることから、オーミック電
極を形成するのと同時に形成でき、従来の製造方法と同
じ工程数でよいという利点がある。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明は、電極パッド表面
とその周辺にオーバーハングしている表面保護膜の間に
チタンを材質とする金属層を備えた構成により、表面保
護膜と電極パッドとの密着性が高く、高信頼性が得られ
る。
とその周辺にオーバーハングしている表面保護膜の間に
チタンを材質とする金属層を備えた構成により、表面保
護膜と電極パッドとの密着性が高く、高信頼性が得られ
る。
【００２７】また、電極パッド部では、金属配線との密
着性が高いオーミック金属を材質とする接着用金属層を
設けているため、ワイヤーボンディングの衝撃で電極パ
ッドが剥離することはない。これにより、組立歩留まり
が著しく向上し、かつ高い信頼性が保たれる。
着性が高いオーミック金属を材質とする接着用金属層を
設けているため、ワイヤーボンディングの衝撃で電極パ
ッドが剥離することはない。これにより、組立歩留まり
が著しく向上し、かつ高い信頼性が保たれる。
【００２８】また、導電領域上にオーミック金属を形成
すると同時に電極パッド形成部の基板上に上記オーミッ
ク金属と材質を同じくする接着用金属を形成することに
より、製造工程中に電極パッドが剥離することがない。
そのため歩留まりが著しく向上する。また工程数は従来
と同じでよいという利点を合わせ持つ。
すると同時に電極パッド形成部の基板上に上記オーミッ
ク金属と材質を同じくする接着用金属を形成することに
より、製造工程中に電極パッドが剥離することがない。
そのため歩留まりが著しく向上する。また工程数は従来
と同じでよいという利点を合わせ持つ。
【図１】第１の発明の半導体装置の上面図および断面図
【図２】第２の発明の半導体装置の上面図および断面図
【図３】第３の発明の半導体装置の製造方法を示す工程
断面図
断面図
【図４】従来の半導体装置の上面図および断面図
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ 導電領域 ３ 絶縁膜 ４ レジスト ５ オーミック電極 ６ ショットキー電極 ７ 電極パッド接着用金属 ８ 金属配線 ９ 電極パッド部 １０ 表面保護膜接着用金属 １１ 表面保護膜
フロントページの続き (72)発明者 石川 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板の主面上に形成された電極パッ
ドと、上記電極パッド周辺にオーバーハングしている表
面保護膜と、上記電極パッドの表面と上記表面保護膜と
の間にチタンを材質とする接着用金属とを備えたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】半絶縁性ＧａＡｓ基板に選択的に形成され
た導電領域と、上記導電領域上の少なくとも一部に形成
されたオーミック電極と、上記導電領域外の上記基板上
の少なくとも一部に形成され、かつ上記オーミック電極
と同じ材質をもつ接着用金属と、上記接着用金属上にボ
ンディングパッド用金属として上記オーミック電極と電
気的に接続している金属配線とを備えたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】半絶縁性ＧａＡｓ基板に選択的に導電領域
を形成する工程と、上記導電領域上の少なくとも一部に
オーミック電極を形成すると同時に上記導電領域外の上
記基板上の少なくとも一部に上記オーミック電極と同じ
材質をもつ接着用金属を形成する工程と、上記接着用金
属上にボンディングパッド用金属として上記オーミック
電極と電気的に接続している金属配線を形成する工程を
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4440092A JPH05243323A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4440092A JPH05243323A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243323A true JPH05243323A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12690464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4440092A Pending JPH05243323A (ja) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243323A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004064088A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Agilent Technol Inc | 静電放電から保護される薄膜共振器 |
| JP2006128353A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010153707A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-03-02 JP JP4440092A patent/JPH05243323A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004064088A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Agilent Technol Inc | 静電放電から保護される薄膜共振器 |
| JP2006128353A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010153707A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置 |
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