JPH0554673B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0554673B2 JPH0554673B2 JP58220435A JP22043583A JPH0554673B2 JP H0554673 B2 JPH0554673 B2 JP H0554673B2 JP 58220435 A JP58220435 A JP 58220435A JP 22043583 A JP22043583 A JP 22043583A JP H0554673 B2 JPH0554673 B2 JP H0554673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blocking layer
- sccm
- flow rate
- layer
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光（紫外から可視、赤外、Ｘ線、γ線
などの電磁波）に感受性をもつ光導電部材に関す
る。
などの電磁波）に感受性をもつ光導電部材に関す
る。
固体撮像素子、電子写真観光体等の光導電性層
を構成する光導電性材料は、その使用上の目的か
ら暗所での比抵抗が高く（通常1013Ωcm以上）、
かつ光照射により比抵抗が小さくなる性質を有す
ることが必要である。
を構成する光導電性材料は、その使用上の目的か
ら暗所での比抵抗が高く（通常1013Ωcm以上）、
かつ光照射により比抵抗が小さくなる性質を有す
ることが必要である。
電子写真を例にしてその原理を説明すると、ま
ず感光体表面にコロナ放電により電荷を付与して
帯電させる。つづいて、感光体に光を照射すると
電子と正孔の対ができ、そのいずれか一方により
表面の電荷が中和される。例えば、正に帯電させ
た場合は光照射により生じた対のうち電子によつ
て中和され、感光体表面に正電荷の潜像が形成さ
れる。次いで、感光体表面の電荷と逆極性に帯電
したトナーを感光体表面にクーロン力によつて吸
引させることにより可視化がなされる。この時、
電荷がなくとも、トナーの電荷で感光体に引きつ
けられるのを回避するために、感光体と現像器の
間に電荷による電場と逆方向の電場が生じるよう
に現像器の電位を高くする、いわゆる現像バイア
スの処理がなされる。
ず感光体表面にコロナ放電により電荷を付与して
帯電させる。つづいて、感光体に光を照射すると
電子と正孔の対ができ、そのいずれか一方により
表面の電荷が中和される。例えば、正に帯電させ
た場合は光照射により生じた対のうち電子によつ
て中和され、感光体表面に正電荷の潜像が形成さ
れる。次いで、感光体表面の電荷と逆極性に帯電
したトナーを感光体表面にクーロン力によつて吸
引させることにより可視化がなされる。この時、
電荷がなくとも、トナーの電荷で感光体に引きつ
けられるのを回避するために、感光体と現像器の
間に電荷による電場と逆方向の電場が生じるよう
に現像器の電位を高くする、いわゆる現像バイア
スの処理がなされる。
上述した電子写真においては、その感光体とし
て次のような条件を満足することが要求される。
即ち、第１にコロナ放電により帯電した電荷が光
照射まで保持されること、第２に光照射により生
成した電子と正孔の対が再結合することなく、一
方が表面の電荷を中和し、更に他方が感光体の支
持体まで瞬時に達すること、等が要求される。
て次のような条件を満足することが要求される。
即ち、第１にコロナ放電により帯電した電荷が光
照射まで保持されること、第２に光照射により生
成した電子と正孔の対が再結合することなく、一
方が表面の電荷を中和し、更に他方が感光体の支
持体まで瞬時に達すること、等が要求される。
ところで、従来、光導電性材料としては非晶質
カルコゲナイド系のものが用いられている。非晶
質カルコゲナイドは大面積化が容易であり、かつ
光導電性が優れる等の特徴を有する。しかしなが
ら、かかる非晶質カルコゲナイドは光の吸収帯が
可視から紫外に近い所にあり、実用上、可視域の
先に対する感度が低く、しかも硬度が低く、電子
写真に対応した場合、寿命が短い等の種々の問題
があつた。
カルコゲナイド系のものが用いられている。非晶
質カルコゲナイドは大面積化が容易であり、かつ
光導電性が優れる等の特徴を有する。しかしなが
ら、かかる非晶質カルコゲナイドは光の吸収帯が
可視から紫外に近い所にあり、実用上、可視域の
先に対する感度が低く、しかも硬度が低く、電子
写真に対応した場合、寿命が短い等の種々の問題
があつた。
このようなことから、最近、光導電性材料とし
てアモルフアスシリコン（以下、ａ−Siと称す）
を用いることが注目されている。ａ−Siは吸収波
長域が広く、パンクロマテイツクであり、感度も
高い。また、硬度も高く、電子写真感光体に応用
した場合は従来のものより10倍以上の寿命をもつ
ことが期待されている。更に、人体に無害であ
り、単結晶シリコンと比較した場合、安価で容易
に大面積のものが得られる等多くの利点を有す
る。しかしながら、ａ−Siは暗所での比抵抗（以
下、暗抵抗と称す）が低く、通常108Ωcm〜1010Ω
cm程度で、電子写真感光体のような静電潜像を形
成するものでは、表面に帯電させた電荷を保持す
ることができない。
てアモルフアスシリコン（以下、ａ−Siと称す）
を用いることが注目されている。ａ−Siは吸収波
長域が広く、パンクロマテイツクであり、感度も
高い。また、硬度も高く、電子写真感光体に応用
した場合は従来のものより10倍以上の寿命をもつ
ことが期待されている。更に、人体に無害であ
り、単結晶シリコンと比較した場合、安価で容易
に大面積のものが得られる等多くの利点を有す
る。しかしながら、ａ−Siは暗所での比抵抗（以
下、暗抵抗と称す）が低く、通常108Ωcm〜1010Ω
cm程度で、電子写真感光体のような静電潜像を形
成するものでは、表面に帯電させた電荷を保持す
ることができない。
そこで、ａ−Siを電子写真に応用した例では、
感光層と支持体との間にＮ、Ｃ、Ｏなどを添加し
た比抵抗の高いａ−Si層或いはｐ型、ｎ型のａ−
Si層を設け、支持体からのキヤリアの注入を阻止
することが試みられている。但し、後者のａ−Si
層を用いる際は、正帯電の場合には電子をブロツ
クし、正孔を通過させうるｐ型のａ−Si層を、負
帯電の場合にはｎ型のａ−Si層を、使用する。こ
うした構造の感光体では帯電能力を高くすること
が可能である。しかしながら、前者の構造では
Ｎ、Ｃ、Ｏを添加したａ−Si層を厚くすると、感
光層から支持体へ流れるキヤリアの通過をも阻止
し、その結果、残留電位が高くなるという問題が
生じる。一方、該ａ−Si層を薄くすると、現像バ
イアスによる絶縁破壊を招く。後者の構造ではｐ
型、ｎ型のａ−Si層を厚くしても前者のような問
題を生じないが、帯電能がかならずしも十分に満
足するものでなかつた。
感光層と支持体との間にＮ、Ｃ、Ｏなどを添加し
た比抵抗の高いａ−Si層或いはｐ型、ｎ型のａ−
Si層を設け、支持体からのキヤリアの注入を阻止
することが試みられている。但し、後者のａ−Si
層を用いる際は、正帯電の場合には電子をブロツ
クし、正孔を通過させうるｐ型のａ−Si層を、負
帯電の場合にはｎ型のａ−Si層を、使用する。こ
うした構造の感光体では帯電能力を高くすること
が可能である。しかしながら、前者の構造では
Ｎ、Ｃ、Ｏを添加したａ−Si層を厚くすると、感
光層から支持体へ流れるキヤリアの通過をも阻止
し、その結果、残留電位が高くなるという問題が
生じる。一方、該ａ−Si層を薄くすると、現像バ
イアスによる絶縁破壊を招く。後者の構造ではｐ
型、ｎ型のａ−Si層を厚くしても前者のような問
題を生じないが、帯電能がかならずしも十分に満
足するものでなかつた。
更に、上述したａ−Si層の両方を組合せた構造
の光導電部材も提案されている。即ち、この光導
電部材は支持体上にｐ型又はｎ型のａ−Si層（第
１ブロツキング層）及びＮ、Ｃ、Ｏなどを添加し
た絶縁性のａ−Si層（第２ブロツキング層）を順
次積層し、更にその上に感光層を積層したもので
ある。しかしながら、かかる光導電部材にあつて
は、第２ブロツキング層により感光層から支持体
へ流れるキヤリアが阻止され、やはり残留電位が
高くなるという問題が生じる。
の光導電部材も提案されている。即ち、この光導
電部材は支持体上にｐ型又はｎ型のａ−Si層（第
１ブロツキング層）及びＮ、Ｃ、Ｏなどを添加し
た絶縁性のａ−Si層（第２ブロツキング層）を順
次積層し、更にその上に感光層を積層したもので
ある。しかしながら、かかる光導電部材にあつて
は、第２ブロツキング層により感光層から支持体
へ流れるキヤリアが阻止され、やはり残留電位が
高くなるという問題が生じる。
本発明は光照射後の残留電位を解消すると共に
帯電能の優れた長寿命の光導電部材を提供しよう
とするものである。
帯電能の優れた長寿命の光導電部材を提供しよう
とするものである。
本発明は支持体上に第１ブロツキング層と、第
２ブロツキング層と、光導電性層とを順次積層し
てなる光導電部材であつて、前記第１及び第２ブ
ロツキング層は、いずれもアモルフアスシリコン
からなり、かつＣ、Ｎ及びＯの少なくとも１種を
含み、前記第１ブロツキング層は、第ａ族又は
第Va族の元素を含むｐ型又はｎ型の半導体から
なり、前記第２ブロツキング層は、前記第１ブロ
ツキング層よりも少量の第ａ族又は第Va族の
元素を含むか又は全く含有せず、かつ暗抵抗／明
抵抗比が103以上であることを特徴とする光導電
部材を提供する。こうした本発明によれば第２ブ
ロツキング層として比抵抗が高いものの光導電性
を持たせることにより、光照射時に光導電性層か
ら支持体にキヤリアを通過でき、同時に第１ブロ
ツキング層と支持体からのキヤリアの注入を防止
でき、ひいては既述の如く残留電位がなく帯電能
の優れた長寿命の光導電部材を得ることができ
る。なお、光導電性とは暗抵抗と光抵抗の比が
103以上のものである。
２ブロツキング層と、光導電性層とを順次積層し
てなる光導電部材であつて、前記第１及び第２ブ
ロツキング層は、いずれもアモルフアスシリコン
からなり、かつＣ、Ｎ及びＯの少なくとも１種を
含み、前記第１ブロツキング層は、第ａ族又は
第Va族の元素を含むｐ型又はｎ型の半導体から
なり、前記第２ブロツキング層は、前記第１ブロ
ツキング層よりも少量の第ａ族又は第Va族の
元素を含むか又は全く含有せず、かつ暗抵抗／明
抵抗比が103以上であることを特徴とする光導電
部材を提供する。こうした本発明によれば第２ブ
ロツキング層として比抵抗が高いものの光導電性
を持たせることにより、光照射時に光導電性層か
ら支持体にキヤリアを通過でき、同時に第１ブロ
ツキング層と支持体からのキヤリアの注入を防止
でき、ひいては既述の如く残留電位がなく帯電能
の優れた長寿命の光導電部材を得ることができ
る。なお、光導電性とは暗抵抗と光抵抗の比が
103以上のものである。
次に、本発明の光導電部材の一製造方法を第１
図のCVD装置を参照して説明する。
図のCVD装置を参照して説明する。
まず、真空反応容器１内の固定部材２上に導電
性の支持体３を設置した後、バルブ４を介装した
排気管５に取付けたメカニカルブースターポンプ
と油拡散ポンプ（いずれも図示せず）を作動して
反応容器１内を10-3〜10-4torrの真空にする。同
時に、固定部材２に取付けたヒータ６により支持
体３を100〜400℃の温度に昇温する。つづいて、
ガス供給装置７よりSi原子を含むガス（例えば
SiH4、Si2H6、SiF4等のガス）、第ａ族又は第
Va族を含むドーピングガス、Ｃを含むガス（例
えばCH4、C2H6、C3H8等のガス）、Ｎを含むガ
ス（例えばNH3、N2等のガス）、Ｏを含むガス
（例えばO2、N2O等のガス）等を、目的とする混
合比率でバルブ８が介装されたガス導入管９から
反応容器１内に導入し、0.1〜1torr程度の圧力に
なるように排気系の排気速度を調整し、定常状態
になるまで待つ。ひきつづき、反応容器１内の電
極１０と支持体３の間に高周波電源１１から
13.56MHzの高周波電力を印加して支持体上に第
１ブロツキング層を成膜する。
性の支持体３を設置した後、バルブ４を介装した
排気管５に取付けたメカニカルブースターポンプ
と油拡散ポンプ（いずれも図示せず）を作動して
反応容器１内を10-3〜10-4torrの真空にする。同
時に、固定部材２に取付けたヒータ６により支持
体３を100〜400℃の温度に昇温する。つづいて、
ガス供給装置７よりSi原子を含むガス（例えば
SiH4、Si2H6、SiF4等のガス）、第ａ族又は第
Va族を含むドーピングガス、Ｃを含むガス（例
えばCH4、C2H6、C3H8等のガス）、Ｎを含むガ
ス（例えばNH3、N2等のガス）、Ｏを含むガス
（例えばO2、N2O等のガス）等を、目的とする混
合比率でバルブ８が介装されたガス導入管９から
反応容器１内に導入し、0.1〜1torr程度の圧力に
なるように排気系の排気速度を調整し、定常状態
になるまで待つ。ひきつづき、反応容器１内の電
極１０と支持体３の間に高周波電源１１から
13.56MHzの高周波電力を印加して支持体上に第
１ブロツキング層を成膜する。
次いで、一旦高周波電力の印加を停止し、ガス
供給装置７より前述したガスから選ばれた所定の
ガスを反応容器１内に導入し、再度、高周波電力
を印加して第１ブロツキング層上に第２ブロツキ
ング層を成膜する。
供給装置７より前述したガスから選ばれた所定の
ガスを反応容器１内に導入し、再度、高周波電力
を印加して第１ブロツキング層上に第２ブロツキ
ング層を成膜する。
次いで、以下、同様な操作により第２ブロツキ
ング層上に光導電性層、更にその上に表面被覆層
を成膜することにより第２図に示す光導電部材を
造る。なお、第２図中の２１は導電性の支持体、
２２は第１ブロツキング層、２３は光導電性を有
する第２ブロツキング層、２４は光導電性層、２
５は表面被覆層である。なお、ドーピングガスを
マイクロ波等の電磁波で予め励起することにより
ドーピング効率の向上、成膜速度の向上を達成で
きる。
ング層上に光導電性層、更にその上に表面被覆層
を成膜することにより第２図に示す光導電部材を
造る。なお、第２図中の２１は導電性の支持体、
２２は第１ブロツキング層、２３は光導電性を有
する第２ブロツキング層、２４は光導電性層、２
５は表面被覆層である。なお、ドーピングガスを
マイクロ波等の電磁波で予め励起することにより
ドーピング効率の向上、成膜速度の向上を達成で
きる。
次に、本発明の実施例を説明する。
実施例 １
まず、Al製の導電性支持体を真空反応容器に
入れ、反応容器内をメカニカルブースターポンプ
と油回転ポンプにより10-3〜10-4torrの真空にす
ると共に、支持体をヒータにより300℃に昇温し
た。つづいて、反応容器にSiH4を150SCCM、
B2H6をB2H6／SiH4＝１×10-3の割合で、CH4を
15SCCMとなるように導入し、反応圧が0.5torr
となるように排気系の排気速度を調整した。ひき
つづき、反応圧が定常状態になつたら、反応容器
の電極と支持体間に13.56MHzの高周波電力100W
を投入し、この状態を20分間保持して支持体上に
厚さ1.5μｍの第一ブロツキング層を成膜した。
入れ、反応容器内をメカニカルブースターポンプ
と油回転ポンプにより10-3〜10-4torrの真空にす
ると共に、支持体をヒータにより300℃に昇温し
た。つづいて、反応容器にSiH4を150SCCM、
B2H6をB2H6／SiH4＝１×10-3の割合で、CH4を
15SCCMとなるように導入し、反応圧が0.5torr
となるように排気系の排気速度を調整した。ひき
つづき、反応圧が定常状態になつたら、反応容器
の電極と支持体間に13.56MHzの高周波電力100W
を投入し、この状態を20分間保持して支持体上に
厚さ1.5μｍの第一ブロツキング層を成膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態で
SiH4を150SCCM、B2H6をB2H6／SiH4＝１×
10-6の割合で、CH4を15SCCM、200SCCM、
500SCCM、600SCCMに設定して30分間保持し、
第１ブロツキング層上に厚さ3μｍの第２ブロツ
キング層を夫々成膜した。
SiH4を150SCCM、B2H6をB2H6／SiH4＝１×
10-6の割合で、CH4を15SCCM、200SCCM、
500SCCM、600SCCMに設定して30分間保持し、
第１ブロツキング層上に厚さ3μｍの第２ブロツ
キング層を夫々成膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態で
SiH4を150SCCM、B2H6をB2H6／SiH4＝１×
10-6の割合に設定して４時間保持し、４つの第２
ブロツキング層上に厚さ15μｍの光導電性層を
夫々成膜した。
SiH4を150SCCM、B2H6をB2H6／SiH4＝１×
10-6の割合に設定して４時間保持し、４つの第２
ブロツキング層上に厚さ15μｍの光導電性層を
夫々成膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態で
SiH4を150SCCM、CH4を450SCCMに設定して
１分間保持し、各光導電性層上に厚さ0.1μｍの表
面被覆層を成膜して４種の感光体を製造した。
SiH4を150SCCM、CH4を450SCCMに設定して
１分間保持し、各光導電性層上に厚さ0.1μｍの表
面被覆層を成膜して４種の感光体を製造した。
得られた４種の感光体はコロナ放電によるチヤ
ージヤーからドラム（支持体）への流入電流
0.4μC／cm2の条件ではいずれにおいても帯電能が
500V以上であつた。
ージヤーからドラム（支持体）への流入電流
0.4μC／cm2の条件ではいずれにおいても帯電能が
500V以上であつた。
また、各感光体について１万回の繰り返し使用
による残留電位を調べたところ、第３図に示す特
性図となつた。なお、第３図中のＡは第２ブロツ
キング層の成膜時におけるCH4の流量が15SCCM
の感光体の特性線、Ｂは同CH4の流量が
200SCCMの感光体の特性線、Ｃは同CH4の流量
が500SCCMの感光体の特性線、Ｄは同CH4の流
量が600SCCMの特性線である。この第３図から
明らかなように第２ブロツキング層の成膜時にお
けるCH4の流量が500SCCM、600SCCMの感光体
（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場合は使用初期の残留
電位が高いばかりか、繰り返しの使用により残留
電位が著しく増加する。これに対し、第２ブロツ
キング層の成膜時におけるCH4の流量が
15SCCM、200SCCMの感光体（図中の特性線Ａ，
Ｂ）の場合は使用初期での残留電位が著しく低
く、しかも繰り返しの使用においても残留電位は
増加せず、ほぼ一定であつた。こうしたことか
ら、ガラス基板上に第２ブロツキング層を前述し
た条件で夫々成膜し、更にNi−Crの電極を蒸着
して各第２ブロツキング層の暗抵抗と光抵抗を測
定したところ、CH4流量が15SCCMの第２ブロツ
キング層は夫々５×109Ωcm、８×1013Ωcm、CH4
流量が200SCCMの第２ブロツキング層は夫々７
×109Ωcm、４×1013Ωcm、CH4流量が500SCCM
の第２ブロツキング層は夫々３×1014Ωcm、６×
1014Ωcm、CH4流量が600SCCMの第２ブロツキン
グ層は夫々５×1014Ωcm、８×1014Ωcmであり、
CH4流量が15200SCCMの第２ブロツキング層は
暗抵抗、光抵抗の比が103以上と、光導電性を示
すことがわかつた。
による残留電位を調べたところ、第３図に示す特
性図となつた。なお、第３図中のＡは第２ブロツ
キング層の成膜時におけるCH4の流量が15SCCM
の感光体の特性線、Ｂは同CH4の流量が
200SCCMの感光体の特性線、Ｃは同CH4の流量
が500SCCMの感光体の特性線、Ｄは同CH4の流
量が600SCCMの特性線である。この第３図から
明らかなように第２ブロツキング層の成膜時にお
けるCH4の流量が500SCCM、600SCCMの感光体
（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場合は使用初期の残留
電位が高いばかりか、繰り返しの使用により残留
電位が著しく増加する。これに対し、第２ブロツ
キング層の成膜時におけるCH4の流量が
15SCCM、200SCCMの感光体（図中の特性線Ａ，
Ｂ）の場合は使用初期での残留電位が著しく低
く、しかも繰り返しの使用においても残留電位は
増加せず、ほぼ一定であつた。こうしたことか
ら、ガラス基板上に第２ブロツキング層を前述し
た条件で夫々成膜し、更にNi−Crの電極を蒸着
して各第２ブロツキング層の暗抵抗と光抵抗を測
定したところ、CH4流量が15SCCMの第２ブロツ
キング層は夫々５×109Ωcm、８×1013Ωcm、CH4
流量が200SCCMの第２ブロツキング層は夫々７
×109Ωcm、４×1013Ωcm、CH4流量が500SCCM
の第２ブロツキング層は夫々３×1014Ωcm、６×
1014Ωcm、CH4流量が600SCCMの第２ブロツキン
グ層は夫々５×1014Ωcm、８×1014Ωcmであり、
CH4流量が15200SCCMの第２ブロツキング層は
暗抵抗、光抵抗の比が103以上と、光導電性を示
すことがわかつた。
更に、各感光体の１万回繰り返し使用による帯
電能を調べた。その結果、第２ブロツキング層の
成膜時におけるCH4流量が500SCCM、600SCCM
の感光体では初期値（500V）より150〜200V上
昇した。これに対し、第２ブロツキング層が光導
電性を有する感光体では（500V）とほぼ変化せ
ずに繰り返し使用できた。
電能を調べた。その結果、第２ブロツキング層の
成膜時におけるCH4流量が500SCCM、600SCCM
の感光体では初期値（500V）より150〜200V上
昇した。これに対し、第２ブロツキング層が光導
電性を有する感光体では（500V）とほぼ変化せ
ずに繰り返し使用できた。
実施例 ２
第１ブロツキング層、表面被覆層の成膜に際
し、CH4の代りにNH3を用い、かつ第２ブロツ
キング層の成膜に際し、CH4の代りにNH4を
15SCCM、75SCCM、500SCCM、600SCCMに設
定した以外、実施例１と同様な方法により４種の
感光体を製造した。
し、CH4の代りにNH3を用い、かつ第２ブロツ
キング層の成膜に際し、CH4の代りにNH4を
15SCCM、75SCCM、500SCCM、600SCCMに設
定した以外、実施例１と同様な方法により４種の
感光体を製造した。
得られた各感光体について１万回の繰り返し使
用による残留電位を調べたところ、第４図に示す
特性図となつた。なお、第４図中のＡは第２ブロ
ツキング層の成膜時におけるNH3流量が
15SCCMの感光体の特性線、Ｂは同NH3流量が
75SCCMの感光体の特性線、Ｃは同NH3流量が
500SCCMの感光体の特性線、Ｄは同NH3流量が
600SCCMの感光体の特性線、である。この第４
図から明らかなように第２ブロツキング層の成膜
時におけるNH3流量が500SCCM、600SCCMの
感光体（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場合は使用初期
の残留電位が高いばかりか繰り返しの使用により
残留電位が著しく増加する。これに対し、第２ブ
ロツキング層の成膜時におけるNH3流量が
15SCCM、75SCCMの感光体（図中の特性線Ａ，
Ｂ）の場合は使用初期の残留電位が著しく低く、
しかも繰り返しの使用においても残留電位は増加
せず、ほぼ一定であつた。こうしたことから、実
施例１と同様な方法により各第２ブロツキング層
の暗抵抗と光抵抗を測定したところ、NH3流量
が15SCCMの第２ブロツキング層は夫々８×
109Ωcm、５×1013Ωcm、NH3流量が75SCCMの第
２ブロツキング層は夫々１×1010Ωcm、３×
1013Ωcm、NH3流量が500SCCMの第２ブロツキ
ング層は夫々５×1014Ωcm、９×1014Ωcm、NH3
流量が600SCCMの第２ブロツキング層は夫々５
×1014Ωcm、８×1014Ωcmであり、NH3流量が
15SCCM、75SCCMの第２ブロツキング層は光導
電性を示すことがわかつた。
用による残留電位を調べたところ、第４図に示す
特性図となつた。なお、第４図中のＡは第２ブロ
ツキング層の成膜時におけるNH3流量が
15SCCMの感光体の特性線、Ｂは同NH3流量が
75SCCMの感光体の特性線、Ｃは同NH3流量が
500SCCMの感光体の特性線、Ｄは同NH3流量が
600SCCMの感光体の特性線、である。この第４
図から明らかなように第２ブロツキング層の成膜
時におけるNH3流量が500SCCM、600SCCMの
感光体（図中の特性線Ｃ，Ｄ）の場合は使用初期
の残留電位が高いばかりか繰り返しの使用により
残留電位が著しく増加する。これに対し、第２ブ
ロツキング層の成膜時におけるNH3流量が
15SCCM、75SCCMの感光体（図中の特性線Ａ，
Ｂ）の場合は使用初期の残留電位が著しく低く、
しかも繰り返しの使用においても残留電位は増加
せず、ほぼ一定であつた。こうしたことから、実
施例１と同様な方法により各第２ブロツキング層
の暗抵抗と光抵抗を測定したところ、NH3流量
が15SCCMの第２ブロツキング層は夫々８×
109Ωcm、５×1013Ωcm、NH3流量が75SCCMの第
２ブロツキング層は夫々１×1010Ωcm、３×
1013Ωcm、NH3流量が500SCCMの第２ブロツキ
ング層は夫々５×1014Ωcm、９×1014Ωcm、NH3
流量が600SCCMの第２ブロツキング層は夫々５
×1014Ωcm、８×1014Ωcmであり、NH3流量が
15SCCM、75SCCMの第２ブロツキング層は光導
電性を示すことがわかつた。
また、各感光体の１万回繰り返し使用による帯
電能を調べたところ、第２ブロツキング層の成膜
時におけるNH3流量が500SCCM、600SCCMの
感光体では初期値（500V以上）より150〜200V
上昇したのに対し、NH3流量が15SCCM、
75SCCMの感光体では初期値（500V以上）とほ
ぼ変化せずに繰り返し使用できた。
電能を調べたところ、第２ブロツキング層の成膜
時におけるNH3流量が500SCCM、600SCCMの
感光体では初期値（500V以上）より150〜200V
上昇したのに対し、NH3流量が15SCCM、
75SCCMの感光体では初期値（500V以上）とほ
ぼ変化せずに繰り返し使用できた。
実施例 ３
第１ブロツキング層の成膜に際し、CH4の代り
にO2を10SCCMに設定し、かつ第２ブロツキン
グ層の成膜に際し、CH4の代りにO2を10SCCM、
40SCCM、180SCCM、220SCCMに設定した以
外、実施例１と同様な方法により４種の感光体を
製造した。
にO2を10SCCMに設定し、かつ第２ブロツキン
グ層の成膜に際し、CH4の代りにO2を10SCCM、
40SCCM、180SCCM、220SCCMに設定した以
外、実施例１と同様な方法により４種の感光体を
製造した。
得られた各感光体について１万回の繰り返し使
用による残留電位を調べたところ、第５図に示す
特性図となつた。なお、第５図中のＡは第２ブロ
ツキング層の成膜時におけるO2流量が10SCCM
の感光体の特性線、Ｂは同O2流量が20SCCMの
感光体の特性線、Ｃは同O2流量が180SCCMの感
光体の特性線、Ｄは同O2流量が220SCCMの感光
体の特性線、である。この第５図から明らかなよ
うに、第２ブロツキング層の成膜時におけるO2
流量が180SCCM、220SCCMの感光体（図中の特
性線Ｃ，Ｄ）の場合は、使用初期での残留電位が
高いばかりか、繰り返しの使用により残留電位が
著しく増加する。これに対し、第２ブロツキング
層の成膜時におけるO2流量が10SCCM、
40SCCMの感光体（図中の特性線Ａ，Ｂ）の場合
は使用初期での残留電位が著しく低く、しかも繰
り返しの使用においても残留電位は増加せず、ほ
ぼ一定であつた。こうしたことから、実施例１と
同様な方法により各第２ブロツキング層の暗抵抗
と光抵抗を測定したところ、O2流量が10SCCM
の第２ブロツキング層は夫々６×109Ωcm、７×
1013Ωcm、O2流量が40SCCMの第２ブロツキング
層は夫々５×109Ωcm、８×1013Ωcm、O2流量が
180SCCMの第２ブロツキング層は夫々４×1014Ω
cm、７×1014Ωcm、O2流量が220SCCMの第２ブ
ロツキング層は夫々５×1014Ωcm、８×1014Ωcm
であり、O2流量が10SCCM、40SCCMの第２ブ
ロツキング層は光導電性を示すことがわかつた。
用による残留電位を調べたところ、第５図に示す
特性図となつた。なお、第５図中のＡは第２ブロ
ツキング層の成膜時におけるO2流量が10SCCM
の感光体の特性線、Ｂは同O2流量が20SCCMの
感光体の特性線、Ｃは同O2流量が180SCCMの感
光体の特性線、Ｄは同O2流量が220SCCMの感光
体の特性線、である。この第５図から明らかなよ
うに、第２ブロツキング層の成膜時におけるO2
流量が180SCCM、220SCCMの感光体（図中の特
性線Ｃ，Ｄ）の場合は、使用初期での残留電位が
高いばかりか、繰り返しの使用により残留電位が
著しく増加する。これに対し、第２ブロツキング
層の成膜時におけるO2流量が10SCCM、
40SCCMの感光体（図中の特性線Ａ，Ｂ）の場合
は使用初期での残留電位が著しく低く、しかも繰
り返しの使用においても残留電位は増加せず、ほ
ぼ一定であつた。こうしたことから、実施例１と
同様な方法により各第２ブロツキング層の暗抵抗
と光抵抗を測定したところ、O2流量が10SCCM
の第２ブロツキング層は夫々６×109Ωcm、７×
1013Ωcm、O2流量が40SCCMの第２ブロツキング
層は夫々５×109Ωcm、８×1013Ωcm、O2流量が
180SCCMの第２ブロツキング層は夫々４×1014Ω
cm、７×1014Ωcm、O2流量が220SCCMの第２ブ
ロツキング層は夫々５×1014Ωcm、８×1014Ωcm
であり、O2流量が10SCCM、40SCCMの第２ブ
ロツキング層は光導電性を示すことがわかつた。
また、各感光体の１万回繰り返し使用による帯
電能を調べたところ、第２ブロツキング層の成膜
時におけるO2流量が180SCCM、220SCCMの感
光体では初期値（500V以上）より150〜200V上
昇したのに対し、O2流量が10SCCM、40SCCM
の感光体では初期値（500V以上）とほぼ変化せ
ず、繰り返し使用できた。
電能を調べたところ、第２ブロツキング層の成膜
時におけるO2流量が180SCCM、220SCCMの感
光体では初期値（500V以上）より150〜200V上
昇したのに対し、O2流量が10SCCM、40SCCM
の感光体では初期値（500V以上）とほぼ変化せ
ず、繰り返し使用できた。
以上詳述した如く、本発明によれば光照射後の
残留電位の発生を防止できると共に帯電能の優れ
た電子写真感光体等に好適な長寿命の光導電部材
を提供できる。
残留電位の発生を防止できると共に帯電能の優れ
た電子写真感光体等に好適な長寿命の光導電部材
を提供できる。
第１図は本発明の光導電部材の製造に用いられ
るCVD装置の概略図、第２図は本発明の光導電
部材を示す概略断面図、第３図は本発明の実施例
１における各感光体の繰り返し使用回数と残留電
位との関係を示す特性図、第４図は本発明の実施
例２における各感光体の繰り返し使用回数と残留
電位との関係を示す特性図、第５図は本発明の実
施例３における各感光体の繰り返し使用回数と残
留電位との関係を示す特性図である。 １……真空反応容器、３……支持体、６……ヒ
ータ、７……ガス供給装置、１０……電極、１１
……高周波電源。
るCVD装置の概略図、第２図は本発明の光導電
部材を示す概略断面図、第３図は本発明の実施例
１における各感光体の繰り返し使用回数と残留電
位との関係を示す特性図、第４図は本発明の実施
例２における各感光体の繰り返し使用回数と残留
電位との関係を示す特性図、第５図は本発明の実
施例３における各感光体の繰り返し使用回数と残
留電位との関係を示す特性図である。 １……真空反応容器、３……支持体、６……ヒ
ータ、７……ガス供給装置、１０……電極、１１
……高周波電源。
Claims (1)
- １ 支持体上に第１ブロツキング層と、第２ブロ
ツキング層と、光導電性層とを順次積層してなる
光導電部材において、前記第１及び第２ブロツキ
ング層は、いずれもアモルフアスシリコンからな
り、かつＣ、Ｎ及びＯの少なくとも１種を含み、
前記第１ブロツキング層は、第ａ族又は第Va
族の元素を含むｐ型又はｎ型の半導体からなり、
前記第２ブロツキング層は、前記第１ブロツキン
グ層よりも少量の第ａ族又は第Va族の元素を
含むか又は全く含有せず、かつ暗抵抗／明抵抗比
が103以上であることを特徴とする光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220435A JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220435A JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112047A JPS60112047A (ja) | 1985-06-18 |
| JPH0554673B2 true JPH0554673B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=16751062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58220435A Granted JPS60112047A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60112047A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035059B2 (ja) * | 1977-12-22 | 1985-08-12 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| JPS5891684A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Canon Inc | 光導電部材 |
| US4460670A (en) * | 1981-11-26 | 1984-07-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si and C, N or O and dopant |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58220435A patent/JPS60112047A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60112047A (ja) | 1985-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4656110A (en) | Electrophotographic photosensitive member having a photoconductive layer of an amorphous material | |
| JPS59185346A (ja) | 光導電部材 | |
| JPH0554673B2 (ja) | ||
| JPH0535425B2 (ja) | ||
| JPS6194054A (ja) | 光導電部材 | |
| JP2508654B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US4724193A (en) | Photoconductive membrane for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range | |
| JPS639218B2 (ja) | ||
| JPH058420B2 (ja) | ||
| JPS61126559A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61126557A (ja) | 光導電部材 | |
| JPH0616178B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61138958A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61126560A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61177467A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61177465A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS59185343A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61134768A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61138957A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0743543B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS59185344A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61177464A (ja) | 光導電部材 | |
| JP2789100B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0350264B2 (ja) | ||
| JPS6373264A (ja) | 電子写真感光体 |