JPS6035059B2 - 電子写真感光体およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子写真感光体およびその製造方法に関する
。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する光導電材料
としては、Ｓｅ，ＣｄＳ，Ｚｎ○等の無機光導電材料や
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ），トリニトロ
フルオレノン（ＴＮＦ）等の有機光導電材料（ＯＰＣ）
が一般的に使用されている。

而乍ら、これ等の光導電材料を使用する電子写真感光体
に於いては、未だ諾々の解決され得る可き点があって、
ある程度の条件緩和をして、個々の状況に応じて各々適
当な電子写真感光体が使用されているのが実情である。

例えば、Ｓｅを光導電層形成材料とする電子写真感光体
は、Ｓｅ単独では、その分光感度領域が狭いのでＴｅや
Ａｓを添加して分光感度領域を拡げることが計られてい
る。而乍ら、この様な、ＴｅやＡｓを含むＳｅ系光導電
層を有する電子写真感光体は、確かに分光感度領域は改
良されるが、光疲労が大きくなる為に、同一原稿を連続
的に繰返しコピーすると複写画像の画像濃度の低下やバ
ックグランドの汚れ（カブリ）を生じたり、又、引続き
他の原稿をコピーすると前の原稿の画像が残像として複
写される（ゴースト現像）等の欠点を有している。

而も、Ｓｅ、殊にＡｓ，Ｔｅは人体に対して極めて有害
な物質であるので、製造時に於いて、人体への接触がな
い様な製造装置を使用する工夫が必要であって、装置へ
の資本投下が著しく大きい。

更には、製造後、即ち製品であっても、光導電層が露呈
していると、クリーニング等の処理を受ける際、光導電
層表面は直に沼擬される為に、その一部が削り取られて
、現像剤中に混入したり、複写機中に飛散したり、複写
画像中に混入したりして、人体に接触する機会をもたら
すところとなる。又、光導電層表面が露呈していると、
静露潜像の可視化（現像）に際し、液体現像剤を使用す
る場合、その溶剤と接触する為に耐溶剤性（耐液現性）
に優れていることが要求される。

又、Ｓｅ系光導電層は、その表面がコロナ放電に、連続
的に多数回線返し晒されると、層の表面付近が結晶化又
は酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く場合
が少なくない。

こうしたことから、Ｓｅ系光導電層は必ずしも満足でき
るものであるとは言い難い。

これ等の点を改良する為に、Ｓｅ系光導電層の表面を、
所謂保護層や電気絶縁層等と称される表面被覆層で覆う
ことが提案されている。

而乍ら、これ等の改良に関しても、光導電層と表面被覆
層との接着性、電気的援触性及び表面被覆層に要求され
る電気的特性や表面性の点に於いて充分なる解決が成さ
れるとは云い難いのが実情である。

又、別には、Ｓｅ系光導電層は、通常の場合真空蒸着に
よって形成するので、その為の装置には莫大な費用がか
かる。

そして、所望の光導電特性を有する光導電層を再現性良
く得る為には、蒸着温度、蒸着基板温度、真空度、蒸着
速度、冷却速度等の各種の製造パラメーターを厳密に調
整する必要がある。そしてまた、表面被覆層は、光導電
層表面に、フィルム状のものを接着剤を介して貼合する
か、又は表面被覆層形成材料を塗布して形成するもので
あることから、光導電層を形成する装置とは別にそのた
めの装置を設置する必要があり、それにより設備投資は
一層かさむことになる。又、Ｓｅ系光導電層は、電子写
真感光体の光導電層としての高階抵抗を保有しなければ
ならないことから、アモルファス状態に形成されるが、
Ｓｅの結晶化が約６５０Ｃと極めて低い温度で起る為に
、製造後の取扱い中の周囲温度、また使用中の周囲温度
、画像形成プロセス中の他の都材との摺嫁による摩擦熱
等の影響を多分に受けて結晶化現象を起し、階抵抗の低
下を招き易いという耐熱性上の点にも欠点がある。

一方、Ｚｎ○，ＣｄＳ等を光導電層構成材料として使用
する電子写真感光体は、その光導電層が、ＺｎｏやＣｄ
Ｓ等の光導電材料粒子を適当な樹脂結着剤中に均一に分
散して形成されている。

この、所謂バインダー系光導電層を有する電子写真感光
体は、Ｓｅ系光導電層を有する電子写真感光体に較べて
有利に製造できることから、比較的製造コストの低下を
計ることが出来る。即ち、バインダー系光導電層は、Ｚ
ｎ０やＣｄＳ等の粒子と適当な樹脂結着剤とを適当な溶
剤を用いて混練して調合した塗布液を適当な基体上に、
ドクターブレード法、ディッビング法等の塗布方法で塗
布した後固化させるだけで形成することが出来るので、
Ｓｅ系光導電層を有する電子写真感光体に較べ製造装置
にそれ程の資本投下は必要とされず、また、製造法自体
も簡便且つ容易である。而乍ら、バインダー系光導重層
は、基本的に構成材料が光導電材料と樹脂結着剤の二成
分系であり、且つ光導電材料粒子が樹脂結着剤中に均一
に分散されて形成されている特殊性の為に、光導電層の
電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を決定する
パラメータが多く、斯かるパラメーターを厳密に調整し
なければ所望の特性を有する光導電層を再現性良く形成
することが出来ずに歩留りの低下を招き量産性に欠ける
という欠点がある。

又、バインダー系光導電層は分散系という特殊性故に、
層全体がポーラスになっており、その為に温度依存性が
著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化を
来たし、高品質の複写画像が得られなくなる場合が少な
くない。

更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の現像剤の
層中への侵入を招来し、雛型性、クリーニング性が低下
するばかりか使用不能を招く原因ともなり、殊に、液体
現像剤を使用すると毛管現象による促進をうけてそのキ
ャリア一溶剤と共に現像剤が層中に浸透するので上記の
点は著しいものとなるので、Ｓｅ系光導電層の場合と同
様に光導電層表面を表面被覆層で覆うことが必要となる
。而乍ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導電層の
ポーラス性に起因する光導電層表面の凹凸性故に、その
界面が均一にならず、光導電層と表面被覆層との接着性
及び電気的接触性の良好な状態を得る事が仲々困難であ
るという欠点が存する。

又、ＣｄＳを使用する場合には、ＣｄＳ自体の人体への
影響がある為に、製造時及び使用時に於いて、人体に接
触したり、或いは周囲環境下に飛散したりすることのな
い様にする必要がある。

Ｚｎ○を使用する場合には、人体に対する影響は殆んど
ないが、Ｚｎ○バインダー系光導電層は光感度が低く、
分光感度領域が狭い、光疲労が著しい、光応答性が遅い
等の欠点を有している。又、最近注目されているＰＶＫ
やＴＮＦ等の有機光導電材料を使用する電子写真感光体
に於いては、表面が導電処理されたポリエチレンテレフ
タレート等の適当な支持体上にＰＶＫやＴＮＦ等の有機
光導電材料の塗膜を形成するだけで光導電層を形成され
出釆るという製造上に於ける利点及び可操性に長けた電
子写真感光体が製造出来るという利点を有するものであ
るが、他方に於いて、耐湿性、耐コロナイオン性、クリ
ーニング性に欠け、又、光感度が低い、分光感度領域が
狭く且つ短波長側に片寄っている等の欠点を有し、極限
定された範囲でした使途に供されていない。

然も、これ等の有機光導電材料に中には発癖怪物質の疑
いがあるものもある等、人体に対して全く無害であると
いう保証がなされていない。この様に、電子写真感光体
の光導電層形成材料として従来から指摘されている光導
電材料を使用した電子写真感光体は、利点と欠点を併せ
持つ為に、ある程度、製造条件及び使用条件を緩和して
、各々の使途に合う適当な電子写真感光体を各々に選択
して実用に供しているのが実情である。

本発明の目的は、上記の諸点を考慮して完成したもので
あって、取扱い、使用に際して人体に対してはもとより
他の生物に対しても、また周囲環境に対しても悪影響を
及ぼさず無公害にして、耐熱性及び耐湿性に優れ、電子
写真特性が常時安定していて、殆んど使用環境に限定を
受けない全環境型であり、耐光疲労、耐コロナイオン性
に著しく長け 繰返し使用に際しても劣化現象を起さな
い電子写真感光体と、装置を容易にクローズトシステム
化でき、公害問題を発生することのない、前記電子写真
感光体を効率的に製造する方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、濃度は高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を容易に得る事が
出来る電子写真感光体とその製造方法を提供することに
ある。本発明の更に他の目的は、光感度が高く且つ分光
感度領域が略々全可視光城を覆っていて広範囲であって
光応答性も速く、且つ耐摩耗性、クリーニング性、耐溶
剤性に優れた電子写真感光体とその製造方法を提供する
事にある。

本発明の所期の目的は光導電層を主にアモルファスシリ
コン（以後ａ−Ｓｉと略記する）で形成することによっ
て達成される。

ａ−Ｓｉ膜は、開発初期のころは、その製造法や製造条
件によって、その構造が左右される為に種々の電気的特
性・光学的特性を示し、再現性の点に大きな問題を抱え
ていた。

例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパッターリング
法で形成されたａ−Ｓｉ膜は、ボィド等の欠陥を多量に
含んでいて、その為に電気的性質も光学的性質も大きく
影響を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ程注目さ
れてはいず、応用の為の研究開発もなされていなかった
。而乍ら、アモルファスではＰ’ｎ制御が不可能とされ
ていたのが、ａ−Ｓｉに於いて、１９７６辛初頭にアモ
ルファスとしては初めてＰ−ｎ接合が実現し得るという
報告（Ａｐｐ〆ｉｄＰｈｙｓｉｃｓ じｔｔｅｒ；Ｖｏ
そ２８，Ｎｏ．２，１５Ｊａｎｕａび１９７６）が成さ
れて以来、大きな関′Ｄが集められ、以後上記の不純物
のドーピングによってｐ−ｎ接合が得られることに加え
て結晶性シリコン（ｃ−Ｓｉと略記する）では非常に弱
いルミネセンスがａ−Ｓｉ膜では高効率で観測できると
いう観点から、例えば米国特許第４０６４５２１号にみ
られるように主として太陽電池（光起電器）への応用に
研究開発の穂先が向けられて釆ている。そして該米国特
許は、基体にシラン中グロー放電により得たａ−Ｓｉ体
を重ね、その上に金属層と、電極を内包する抗反射層を
有してなる太陽電池を開示している。該米国特許にはま
た、前記ａ−Ｓｉ体について、ひと言、それに水素が存
在すれば良好な電子特性に有利であると思われると記載
されているが、これについてはそれ以上の開示はなく事
実として具体化されたものではない。この様に、これ迄
に報告されているａ−Ｓｉ膜は、太陽電池用として開発
されたものであるので、その電気的特性・光学的特性の
点に於いて、電子写真感光体の光導電層としては使用し
得ないのが実情である。

即ち、太陽電池は、太陽エネルギーを電流の形に変換し
て取り出すので、ＳＮ比が良くて、効率良く電流を取り
出すには、ａ−Ｓｉ膜の抵抗は小さくなければならない
が、余り抵抗が少さ過ぎると光感度が低下し、ＳＮ比が
悪くなるので、その特性の一つとしての抵抗は１び〜１
ぴ○・ｃの程度が要求される。而乍ら、この程度の抵抗
（階抵抗：階所での抵抗）を有するａ−Ｓｉ膜は、電子
写真感光体の光導電層としては、余りにも抵抗（階抵抗
）が低く過ぎて、現在、知られている電子写真法を適用
するのでは全く使用し得ない。

又、電子写真感光体の光導電層形成材料としては、明抵
抗（光照射時の抵抗）が蔭抵抗に較べて２〜４桁程度小
さいことが要求されるが、従来、報告されているａ−Ｓ
ｉ膜では糟々２桁程度であるので、この点に於いても従
来のａ−Ｓ；膜では、その特性を充分満足し得る光導電
層とは成り得なかつた。又、別には、これ迄のａ−Ｓｉ
膜に関する報告では、日音抵抗を増大させると光感度が
低下し、例えば、８音抵抗が」１びｏ○・肌でのａ−Ｓ
ｉ膜では、光抵抗も同程度の値を示すことが示されてい
るが、この点に於いても、従釆のａ−Ｓｉ膜は電子写真
感光体の光導電層とは成り得なかった。

そして、電子写真感光体の光導電層は、上記要件の外に
、静電特性、耐コロナイオン性、耐溶剤性、耐光疲労性
、耐湿性、耐熱性、耐摩耗性、クリーニング性等の要件
を満足するものでなければならない。

ａ−Ｓｉについて報告した文献はいくつか見られるが、
それ等のいずれにも前述の各種要件を満足する電子写真
感光体の光導電層を示唆するところは見当らない。

例えば、Ｊｏｍ船ｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ
ＳｃｉｅｎｃｅＶｏｌ．２５，Ｎｏ．３，ｐｐ．１２
７〜２８（Ｎ笹ｙノＪ皿ｅ １９７７）には、グロ−放
電によるａ−Ｓｊの製法が報告されているが、その製法
及び得られるａ−Ｓｉについての具体的開示は全くなく
、単に得られるａ−Ｓｉが特徴的密度状態と輸送特性を
有する光導電物質たり得ることを記載するにとどまって
いる。

また、ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅｓＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉ
ｏｎｓ Ｖｏｌ．２３，ｐｐ．１５５一１５８（１９７
７）には、ｒｆスパッタ一法で作成した水素化ａ−Ｓｉ
について報告されているが、その内容はそうしたａ−Ｓ
ｊの性状についての試験、その結果の検討であり、その
中でスパッタ一法で作成した水素化ａ−Ｓｉの太陽電池
材料としての使用可能性を示唆し、それが階導電性が非
常に低くしたがって光電池の内部抵抗は非常に高いであ
ろうと推測している程度であり、報告の結論のところで
、“しかしながら水素導入の機能としての光応答の詳細
な挙動は、輸送及び再結合におけるＳｉ−日状態の役割
について新たな問題を提起する。

また、Ｈ−補償ＳｉからＳｉ−日合金に至るまでを含め
て、その物質の変化する原子配列及び構造を注意深く検
討する必要があることは明らかである。これが系統的に
行われるまでは、ここに述べたような試験から導き出さ
れる結論は、それ等が示唆する新たな観点に対しての予
備的なものとして考えるべきであるＪとしているところ
であって、上述した電子写真感光体の光導電層について
は全く触れるところはない。本発明は、ａ−Ｓｉに就て
電子写真感光体の光導電層への応用という観点から総括
的に鋭意究検討を続けた結果ａ−Ｓｉとして分類できる
特定のａ−Ｓｉであれば、電子写真感光体の光導電層形
成材料として充分使用し得るばかりでなく、従釆の電子
写真感光体の光導電層形成材料と較べてみても殆んどの
点に於いて極めて凌駕している事実を見し、出したこと
に基いて完成せしめたものである。

本発明の電子写真感光体の最も代表的な構成例が第１図
に及び第２図に示される。第１図に示される電子写真感
光体１は、支持体２、主にａ−Ｓｉから成る光導電層３
から構成され、光導電層３は像形成面となる自由表面４
を有している。支持体２としては「導電性でも電気絶縁
性であっても良い。

導電性支持体としては、例えば、ステンレス，Ａそ，Ｃ
ｒ，Ｍ〇，Ａｕ，ｌｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁
性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ
カーボネート、セルローズトリアセテート、ポリプロピ
レン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート、
ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理されるのが望ましい。例えば、ガラスであ
れば、ｌｎ２０３，Ｓｎ０２等でその表面が導電処理さ
れ、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルム
であれば、Ａそ，Ａｇ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ａｕ等の金
属で真空蒸着処理し、又は前記金属でラミネート処理し
て、その表面が導電処理される。支持体の形状としては
、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所望
によって、その形状は決定されるが、連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。
支持体の厚さは、所望通りの電子写真感光体が形成され
る様に適宜決定されるが、電子写真感光体として可操性
が要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮
される範囲内であれば、可能な限り薄くされる。而乍ら
、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的
強度等の点から、通常は、１０仏以上とされる。ａ−Ｓ
ｉ系光導電層３は、支持体２上に、グロー放電法、スパ
ッターリング法、イオンィンプランテーション法等によ
って形成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、製造される電子写真感光
体に所望される電子写真特性の要因によって適宜選択さ
れて採用されるが、所望する電子写真特性を有する電子
写真感光体を製造する為の制御が比較的容易である、特
性を制御する為にａ−Ｓｉ層中に不純物を導入するのに
、置換型でｍ族又はＶ族の不純物を導入することが出来
る等の利点からグロー放電法が好適に彩用される。更に
、本発明に於いては、グロ−放電法とスパッターリング
法とを同一系内で併用してａ−Ｓｉ層を形成するのは極
めて有効な方法であって効果的である。ａ−Ｓｉ系光導
電層３は、その時抵抗が、露子写真感光体の光導電層に
要求される値を満足する可く、例えば、日をドーピング
して制御される。

ａ−Ｓｉ系光導電層３への日のドーピングは、光導電層
３を形成する際、装置系内にＳｉＨ４，Ｓｉ２日６等の
化合物又は日２の形で導入した後熱分解、グロー放電分
解等の方法によって、それ等の化合物又は日２を分解し
て、ａ−Ｓｉ層中に、層の成長に併せてドーピングして
も良いし、又、イオンィンプランテーション法でドーピ
ングしても良い。本発明者等の知見によれば、ａ−Ｓｉ
系光導電層３中への日のドーピング量は、形成されたａ
−Ｓｉ層が電子写真感光体の光導電層として適用され得
るか否かを左右する大きな要因の一つであって極めて重
要であることが判明している。

本発明に於いて、形成されるａ−Ｓｊ層が電子写真感光
体の光導電層として充分適用させ得る為には、ａ−Ｓｉ
層中にドーピングされる日の量は通常の場合１０〜４０
ａｔｏｍｉｃ ％好適には１５〜３位ｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

ａ−Ｓｊ層中への日のドーピング量については、数多く
の実験結果から、上記数値範囲外にした場合、例えば、
電子写真感光体の光導電層としては階抵抗が低く過ぎる
、光感度が極めて低い又は場合によっては、光感度が殆
んど認められない、光照射によるキャリア一の増加が小
さい等の事象が認められ、日のドーピング量が上記の数
値範囲内にあるのが必要条件であることを確認した。ａ
−Ｓｉ層中に日をドーピングするには、例えば、グロー
放電法によってａ−Ｓｉ層を形成する場合には、ａ−Ｓ
ｊを形成する出発物質がＳｉ比，Ｓｉ２日６等の水素化
物を使用するので、Ｓｉ比，Ｓｉ２日６等の水素化物が
分解してａ−Ｓｉ層が形成される際、印ま自動的に層中
にドーピングされるが、日の層中へのドーピングを一層
効率良く行なうには、ａ−Ｓｉ層を形成する際に、グロ
ー放電を行なう系内に日２ガスを導入してやれば良い。

スパッターリング法による場合にはＡｒ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガス雰囲気中でＳ
ｉをターゲットとしてスパッターリングを行なう際に日
２ガスを導入してやるか又はＳｉ凡，Ｓｉ２日６等の水
素化桂素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ねて＆
日６，ＰＨ３等のガスを導入してやれば良い。

ａ−Ｓｉ層中にドーピングする日の量を制御するには、
蒸着基板温度又は／及び日をドーピングする為に使用さ
れる出発物質の装置系内へ導入する量を制御してやれば
良い。

更には、ａ−Ｓｉ層を形成した後に、該層を活性化した
水素雰囲気中に晒しても良い。又、この時ａ−Ｓｉ層を
結晶化温度以下で加熱するのも一つの方法である。ａ−
Ｓｉ層は、先にも触れた様に、製造時の不純物のドーピ
ングによって真性にし得、又その伝導性を制御すること
が出来るので、作成した電子写真感光体に静電像を形成
する際の帯電の極性を由ｅ任意に選択し得るという利点
を有する。

この利点は、従来の、例えば、Ｓｅ系光導電層であると
、層を形成する際の、例えば、基板温度、不純物の種類
やそのドーピング量等の製造条件の如何によってもＰ型
か又は精々真性型（ｉ型）が出来る程度であり、而もＰ
型を形成するにも基板温度の制御を厳密に行なう必要が
あるというのに較べて遥かに勝っており好都合である。

ａ−Ｓｉ層中にドーピングされる不純物としては、ａ−
Ｓｉ層をＰ型にするには、周期律表第ｍ族Ａの元素、例
えば、Ｂ，Ａそ，Ｇａ，ｌｎ，Ｔそ，等が好適なものと
して挙げられ、ｎ型にする場合には、周期律表第Ｖ族Ａ
の元素、例えば、Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等が好適な
ものとして挙げられる。これ等の不純物は、ａ−Ｓｉ層
中に含有される量がｐｐｍオーダーであるので、光導電
層を構成する主物質程その公害性に注意を払う必要はな
いが、出来る限り公害性のないものを使用するのが好ま
しい。この様な観点からすれば、形成されるａ−Ｓｉ系
光導電層の電気的・光学的特性を加味して、例えば、Ｂ
，偽，Ｐ，Ｓｂ等が最適である。ａ−Ｓｊ層中にドーピ
ングされる不純物の量は、所望される電気的・光学的特
性に応じて適宜決定されるが、周期律表第ｍ族Ａの不純
物の場合には、通常１０‐６〜１０‐３ａｔｏｍｉｃ％
、好適には１０‐５〜１０‐４ａのｍｉｃ％、周期律表
第Ｖ族Ａの不純物の場合には、通常１０‐８〜１０‐５
ａｔｏｍｉｃ％、好適には１０‐８〜１０‐？ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましい。これ等不純物のａ−Ｓｉ
層中へのドーピング方法は、ａ−Ｓｉ層を形成する際に
採用される製造法によって各々異なるものであって、具
体的には、以降の説明又は実施例に於いて詳述される。
第１図に示される電子写真感光体の如き、ａ−Ｓｉ系光
導電層３が自由表面４を有し、該自由表面４に、静電像
形成の為の帯電処理が施される電子写真感光体に於いて
は、ａ−Ｓｉ系光導電層３と支持体２との間に、静電像
形成の際の帯電処理時に支持体２側からのキャリア一の
注入を阻止する働きのある障壁層を設けるのが一層好ま
しいものである。この様な働きのある障壁層を形成する
材料としては、選択される支持体の種類及び形成される
ａ−Ｓｉ系光導電層の電気的特性に応じて適宜選択され
て適当なものが使用される。その様な障壁層形成材料と
しては、例えば、Ａｕ，ｌｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｍｏ
等であり、支持体としては、例えば、障壁層形成材料が
Ａｕの場合には、Ａそ等が好適なものとして挙げられる
。ａ−Ｓｉ系光導電層の層厚としては、所望される電子
写真特性及び使用条件、例えば、可操性が要求されるか
否か等に応じて適宜決定されるものであるが、通常の場
合５〜８０仏、好適には１０〜７０仏、最適には１０〜
５０仏とされるのが望ましい。

第１図に示す如き、ａ−Ｓｉ系光導電層表面が露呈して
いる層構成の電子写真感光体に於いては、ａ−Ｓｉ膜の
屈折率が約３．３５と比較的大きいので、従来の光導電
層と較べて、露光の際、光導電層表面で光反射が起り易
く、従って、光導電層に吸収される光量の割合が低下し
、光損失率が大きくなる。この光損失率を出来る限り減
少させるには、ａ−Ｓｉ系光導電層上に反射防止層を設
けると良い。反射防止層の形成材料としては、ａ−Ｓｉ
系光導電層に悪影響を与えないこと及び反射防止特性に
優れているという条件の他に、更に電子写真的特性、例
えば、ある程度以上の抵抗を有すること、液体現像法を
採用する場合には、耐溶剤性に優れていること、更には
反射防止層を形成する条件内で、既に形成されているａ
−Ｓｉ系光導電層の特性を低下させない事等の条件が要
求される。

更に又、反射防止を効果的にするには、簡単な光学的計
算から分かる様に反射防止層形成材料を、その屈折率が
、ａ−Ｓｉ層の屈折率と空気の屈折率との間に在る様に
選択すると良い。

又、その層厚は入／４ノｎ又は、その寄数倍とすると良
いが、反射防止層自体の光吸収を考えると＾／４ノｎと
するのが最適である。（但し、ｎはａ−Ｓｊ層の屈折率
、入は露光光の波長である。

）この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚
は、露光光の波長が略々可視光の波長城にあるものとし
て、５０〜１０仇ｈ仏とされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止層形成材料として有効に使用
されるものとしては、例えば、Ｍが２，Ａで２〇３，Ｚ
＾コ２，Ｔｉ〇２，ＺｎＳ，Ｃｅ〇２，ＣｅＦ２，Ｓｉ
０２，Ｓｉ○，Ｔａ２４，ＡそＦ３，洲ａＦ等の無機弗
化物や無機酸化物、或いはポリ塩化ビニル、ポリァミド
樹脂、ポリィミド樹脂、発化ビニリデン、メラミン樹脂
、ヱポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セレロ−ス等の
有機化合物が挙げられる。

第１図に示される電子写真感光体１は、ａ−Ｓｉ系光導
電層３が自由表面４を有する構成のものであるが、ａ−
Ｓｉ系光導電層３表面上には従来のある種の電子写真感
光体の様に、保護層や電気的絶縁層等の表面被覆層を設
けても良い。その様な表面被覆層を有する電子写真感光
体が第２図に示される。第２図に示される電子写真感光
体５は、支持体６上のａ−Ｓｉ系光導重層７上に自由表
面９を備えた表面被覆層８を有する点以外は、構成上に
於いて、第１図に示される電子写真感光体１と本質的に
異なるものではないが、表面被覆層８に要求される特性
は、適用する電子写真プロセスによって各々異なる。

即ち、例えば、特公昭４２−２３９１０号公報、同４３
一２４７４８号公報に記載されている様な電子写真プロ
セスを適用するのであれば、表面被覆層８は、電気的絶
縁性であって、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充
分あって、ある程度以上の厚みがあることが要求される
が、例えばカールソンプロセスの如き電子写真プロセス
を適用するのであれば、静電像形成後の明部の電位は非
常に小さいことが望ましいので表面被覆層８の厚さとし
ては非常に薄いことが要求される。表面被覆層８は、そ
の所望される電気的特性を満足するのに加えて、ａ−Ｓ
ｉ系光導電層に化学的・物理的に悪影響を与えないこと
、ａ−Ｓｉ系光導電層との電気的接触性及び接着性、更
には耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮して形
成される。表面被覆層形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なものは、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール
、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ四発化エチレン、ポ
リ三弗化塩化エチレン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニ
リデン、六弗化プロピレンー四弗化エチレンコポリマ−
、三弗化エチレン−発化ビニＩＪデンコポリマー、ポリ
ブテン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の合成
樹脂、ジアセテート、トリアセテート等のセルロース議
導体等が挙げられる。これ等の合成樹脂又はセルロース
誘導体は、フィルム状とされてａ−Ｓｉ系光導電層上に
貼合されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、ａ
−Ｓｉ系光導電層７に塗布し、腰形成しても良い。表面
被覆層の層厚は、所望される特性に応じて、又、使用さ
れる材質によって適宜決定されるが、通常の場合、０．
５〜７０山程度とされる。殊に表面被覆層が先述した保
護層としての機能が要求される場合には、通常の場合、
１０仏以下とされ、逆に電気的絶縁層としての機能が要
求される場合には、通常の場合１０仏以上とされる。而
乍ら、この保護層と電気的絶縁層とを差別する層厚値は
、使用材料及び適用される電子写真プロセス、電子写真
感光体の構造によって、変動するもので、先の１０仏と
いう値は絶対的なものではない。又、この表面被覆層８
は、先に述べた如き反射防止層としての役目も荷わせれ
ば、その機能が一層拡大されて効果的となる。

次に本発明の電子写真感光体を、グロー放電法及びスパ
ッターリング法によって製造する場合に競て説明する。

第３図は、キヤパシタンスタィプグロー放電法によって
、本発明の電子写真感光体を製造する為のグロ−放電蒸
着装層の模式的説明図である。１０はグロ−放電蒸着槽
であって、内部には、ａ−Ｓｉ系光導電層を形成する為
の基板１１が固定部村１２に固定されており、基板１１
の下部側には、基板１１を加熱する為のヒーター１３が
設置されている。

蒸着槽１０の上部には、高周波電源１４と接続されてい
るキャパシタンスタィプ電極１５，１５′が巻かれてお
り、前記高周波電源１４がＯＮされると前記電極１５，
１５′に高周波が印加されて、蒸着槽１０内にグロー放
電が生起される様になっている。葵着槽１０の上端部に
は、ガス導入管が接続されており、ガスボンベ１６，１
７，１８より各々のボンベ内のガスが必要時に蒸着槽１
０内に導入される様になっている。

１９，２０，２１は各々フローメータであってガスの流
量を検知する為のメー夕であり、又、２２，２３，２４
はバルブ、２５，２６，２７はバルブ、２８は補助バル
ブである。

又、蒸着槽１０の下端部はメインバルブ２９を介して排
気装置（図示されていない）に接続されている。

３０１ま、蒸着槽１０内の真空を被る為のバルブである
。

第３図のグロー放電装置を使用して、基板１１上に所望
特性のａ−Ｓｉ系光導電層を形成するには、先ず、所定
の清浄化処理を施した基板１０を清浄化面を上面にして
固定部材１２に固定する。

基板１１の表面を清浄化するには、通常、実施されてい
る方法、例えば、アメリカ又は酸等による化学的処理法
が採用される。又、ある程度清浄化した後蒸着槽１０内
の所定位置に設置し、その上にａ−Ｓｉ系光導電層を形
成する前にグロー放電処理を行つも良い。この場合、基
板１１の清浄化処理からａ−Ｓｉ系光導電層形成迄同一
系内で真空を破ることなく行うことが出来るので、清浄
化した基板面に汚物や不純物が付着するのを避けること
が出来る。基板１１を固定部材１２に固定したら、メイ
ンバルブ２９を全開して蒸着槽１０内の空気を排気して
、真空度〜／−１０‐キｏｒｒ程度にする。蒸着槽１０
内が所定の真空度に達した後、ヒーター１３を点火して
基板１１を加熱し所定温度に達したら、その温度に保つ
。次に補助バルブ２８を全開し、続いてガスボンベ１６
のバルブ２５及びガスボンベ１７のバルフ２６を全開す
る。

ガスボンベ１６はＡｒガス用であり、ガスボンベ１７は
ａ−Ｓｉを形成する為の原料ガス用であって、例えば、
ＳｉＨ４，Ｓｉ２日６，Ｓｉ４日，。又は、それ等の混
合物等が貯蔵されている。又、ボンベ１８は必要に応じ
てａ−Ｓｉ系光導電層中に導入する不純物を生成する為
の原料ガス用であって、ＰＨ３，Ｐ２比，Ｂ２日６等が
貯蔵されている。その後ガスボンベ１６及び１７の流量
調節バルブ２２，２３を、フローメータ１９及び２０を
見乍ら、徐々に開□し、蒸着槽１０内にＡｒガス及び例
えば、Ｓｉはガス等のａ−Ｓｉ系形成用の原料ガスを導
入する。

この時Ａｒガスは必ずしも要するものではなく、前記原
料ガスのみ導入しても良い。ＡｒガスをＳｉＨ４ガス等
のａ−Ｓｉ形成用の原料ガスに混合して導入する場合、
その量的割合は、所望に従って決定されるが、通常の場
合、Ａｒガスに対して前記原料ガスが１０Ｖｏそ％以上
とされる。尚、Ａｒガスの代りにＨｅガスを使用しても
良い。蒸着槽１０内に、ボンベ１６，１７よりガスが導
入された時点に於いて、メインバルブ２９を調節して、
所定の真空度、通常の場合は、ａ−Ｓｊを形成する為の
原料ガス圧で１０‐２〜＄ｏｒｒに保つ。

次いで、蒸着槽１０外に巻かれたキャパシタンスタィブ
の電極１５，１５に高周波電源１４により所定周波数、
通常の場合は０．２〜３０ＭＨＺの高周波を加えてグロ
ー放電を蒸着槽１０内に起すと、例えば、Ｓｉ比ガスが
分解して、基板１１上にＳｉが蒸着されてａ−Ｓｉ層が
形成される。形成されるａ−Ｓｉ系光導電層中に不純物
を導入する際には、ボンベ１８より不純物生成用のガス
を、ａ−Ｓｉ系光導電層形成時に蒸着槽１０内に導入し
てやれば良い。

この場合、流量調節バルブ２４を適当に調節することに
より、ボンベ１８よりの蒸着槽１０へのガスの導入量を
適切に制御することが出来るので、形成されるａ−Ｓｊ
系光導電層中に導入される不純物の量を任意に制御する
ことが出来る他、更に、ａ−Ｓｉ系光導電層の厚み方向
に不純物の量を変化させることも容易に成し得る。第３
図に示されるグロー放電蒸着装層に於いては、ＲＦ（ｒ
ａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）キヤパシタンスタイプグ
ロー放電法が採用されているが、この他、ＲＦインダク
タンスタィプ、ＤＣ二極タイフ。

等のグロー放電法も本発明に於いて採用される。又、グ
ロー放電の為の電極は、蒸着槽１０の外に設けても良い
し又蒸着槽１０の内に設けても良い。本発明に於いて、
有効とされるグ。一放電を得る為には、電流密度を０．
１〜１仇ｈＡ／のとしたＡＣ又はＤＣ電流とするのが良
く、又、充分なパワーを得る為には３００〜５０００Ｖ
の電圧に調整されるのが良いｏ形成されるａ−Ｓｉ系光
導電層の特性は成長時の基板温度に大きく依存するので
その制御は厳密に行うのが好ましい。

本発明に於いては基板温度を通常は５０〜３５０００、
好適には１００〜２００ｑｏの範囲とすることによって
、電子写真用光導電層として有効な特性を有するａ−Ｓ
ｉ系光導電層が形成される。又、ａ−Ｓｉ層の成長速度
も、ａ−Ｓｉ層の物性を大きく左右する要因であって、
本発明の目的を達成するには通常の場合０．５〜１００
Ａ／ｓｅｃ、好適には１〜５０Ａ／ｓｅｃとされるのが
好ましい。第４図は、スパッタ−リング法によって、本
発明の電子写真感光体を製造する為の装置の一つを示す
模式的説明図である。３１は蒸着槽であって、内部には
、ａ−Ｓｉ系光導電層を形成する為の基板３２が電気絶
縁性の固定部材３３に固定されて所定位置に設置されて
いる。

基板３２の下方には、基板３２を加熱する為のヒーター
３４が配置され、上方には、所定間隔を設けて基板３２
と対向する位置に多結晶又は単結晶シリコンターゲット
３５が配置されている。基板３２とシリコンターゲット
３５間には、高周波電源３６によって、高周波が印加さ
れる様になっている。又、蒸着槽３１には、ボンベ３７
，３８が各々、バルブ３９，４０、フローメータ４１，
４２、流量調節バルブ４３，４４、補助バルブ４５を介
して接続されており、ボンベ３７，３８より必要時に蒸
着槽３１内にガスが導入される様になっている。今、第
４図の装置を用いて、基板３２上にａ−Ｓｉ系光導電層
を形成するには、先ず、蒸着槽３１内の空気を矢印Ｂで
示す様に、適当な排気装置を使用して排気して所定の真
空度にする。

次に、ヒーター３４を点火して基板３２を所定の温度ま
で加熱する。スパッターリング法によってａ−Ｓｉ系光
導電層を形成する場合、この基板３２の加熱温度は、通
常５０〜３５０ｑｏ、好適には１００〜２００こ○とさ
れる。この基板温度は、ａ−Ｓｉ層の成長速度、層の構
造、ボィドの存否等を左右し、形成されたａ−Ｓｉ層の
物を決定する一要素であるので充分なる制御が必要でで
ある。又、基板温度は、ａ−Ｓｉ層の形成時に、一定に
保持しても良いし、又ａ−Ｓｉ層の成長と共に上昇又は
下降又は上下させても良い。例えば、ａ−Ｓｉ層の形成
初期に於いては、比較的低い温度Ｔ，に基板温度を保ち
、ａ−Ｓｉ層がある程度成長したらＴ，よりも高い温度
まで基板温度を上昇させながらａ−Ｓｉ層を形成し、ａ
−Ｓｉ層形成終期には再びＴ２より低い温度ちに基板温
度を下げる等して、ａ−Ｓｉ系光導電層を形成すること
が出来る。こお様にする事によって、ａ−Ｓｉ系光導電
層の電気的・光学的性質を層厚方向に連続的に変化させ
る事が出釆る。又、ａ−Ｓｉは、その層成長速度が、他
の、例えば、Ｓｅ等に較べて遅いので、形成する層厚が
厚くなると層形成初期に形成されたａ−Ｓｉ（基板側に
近いａ−Ｓｉ）は、層形成終了迄の間に、層形成初期の
特性を変移させる恐れが充分考えられるので、層の厚み
方向に一様な特性を有するａ−Ｓｉ層を形成する為には
層形成開始から層形成終了時に渡って基板温度を上昇さ
せ乍ら層形成するのが望ましい。

次に、基板３２が所定の温度に加熱されたことを検知し
た後、メインバルブ４６、補助バルブ４５、バルブ３９
，４０を全開する。

次いでメインバルブ４６及び流量調節バルブ４４を調節
しながらガスボンベ３８より、＆ガスを蒸着槽３１内に
所定の真空度に下がるまで導入し、その真空度に保つ。
続いて、バルブ４３を開いて、ボンベ３７より〜ガスを
蒸着槽３１内に所定の真空度に下がるまで導入し、その
真空度に保つ。

この場合の、日２ガス及びＡｒガスの蒸着槽３１内への
流量は所望する物性のａ−Ｓｉ系光導電層が形成される
様に適宜決定される。例えば、蒸着槽３１内のＡｒと日
２の混合ガスの圧力は真空度で、通常は１０‐３〜１０
‐ｌｔｏｒｒ、好適には５×１０‐３〜３×１０−２の
ｒｒとされる。Ａｒガスは、Ｈｅガス等に代えることも
出来る。蒸着槽３１内に、ボンベ３７，３８より所定の
真空度になるまで、Ａｒガス及び日２ガスが導入された
後、高周波電源３６により、所定の周波数及び電圧で、
基板３２とシリコンターゲット３５間に高周波を印加し
て放電させ、生じたＡｒイオンでシリコンターゲットの
Ｓｉをスパッターリングし、基板３２上にａ−Ｓｉ膜を
形成する。

第４図の設明に於いては、高周波放電によるスパッター
リング法であるが、別に直流放電によるスパッターリン
グ法を採用しても良い。

高周波印加によるスパッターリング法に於いては、その
周波数は本発明の場合、通常０．２〜３０ＭＨ２好適に
は５〜２０ＭＨＺとされ、又、放電電流密度は通常０．
１〜１仇ｈＡ／の、好適には１〜５ｍＡ／のとされるの
が望ましい。又、充分なパワーを得る為には３００〜５
０００Ｖの電圧に調節されるのが良い。スパッターリン
グ法によって、本発明の電子写真感光体を製造する際の
ａ−Ｓｉ層の成長速度は、主に基板温度及び放電条件に
よって決定されるものであって、形成された層の物性を
左右する大きな要因の一つである。本発明の目的を達成
する為のａ−Ｓｉ膜の成長速度は、通常の場合０．５〜
１００Ａ／ｓｅｃ、好適には１〜５０Ａ／ｓｅｃとされ
るのが望ましい。スパッターリング法に於いてもグロー
放電法と同様に不純物のドーピングによって形成される
ａ−Ｓｊ系光導電層をｎ型或いはｐ型に調整することが
出来る。

不純物の導入法は、スパッターリング法に於いてもグロ
ー放電法と同機であって、例えば、ＰＨ３，Ｐ２日４，
ＢＨ６等の如きガス状態でａ−Ｓｉ層形成さ時に蒸着槽
３１内に導入して、ａ−Ｓｉ層中にＰ又はＢを不純物と
してドーピングする。この他、又、形成されたａ−Ｓｉ
層に不純物をイオンプランテーション法によって導入し
ても良い。この場合、ａ−Ｓｊ層の極薄い表面層を特定
の伝導型に容易に制御することが出来るので、例えば、
特公昭４９−６２２３号公報に記載されている如き電子
写真感光体の電荷保持層の形成が極めて容易に出来、又
、その特性を任意に制御出来るので好都合である。以下
、実施例によって本発明を具体的に説明する。

実施例 １ 第３図に示す装置を用い、以下の様にして本発明の電子
写真感光体を作成し、画像形成処理を施して画像出しを
行った。

１％のＮａＯＨなる溶液を用いて表面処理を行い、充分
水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ１肌、大きさ１
０肌×１０ｃｍのアルミニウム基板を用意して、グロー
放電蒸着槽１０内の所定位置にある固定部材１２の所定
位置にヒーター１３とは約１０ｃの程度離して堅固に固
定した。

次いで、メインバルブ２９を全開して蒸着槽１０内の空
気を排気し、約５×１０‐５のｒｒの真空度にした。

その後ヒーター１３を点火してアルミニウム基板を均一
に加熱して１５０ｏ０に上昇させ、その温度に保った。
その後、補助バルブ２８を全開し、引続いてボンベ１６
のバルブ２２，ボンベ１７のバルブ２６を全開した後、
流量調節バルブ２２及び２３を徐々に開いて、ボンベ１
６よりＡｒガスを、ボンベ１７よりＳｉＨ４ガスを蒸着
槽１０内に導入した。この時メインバルブ２９を調節し
て蒸着槽１０内の真空度が約０．７５ｔｏｎに保持され
る様にした。続いて、高周波電源１４のスイッチを○即
こして、電極１ ５，１ ５′間に１３．５８ＭＨＺの
高周波を印加してグロー放電を起し、アルミニウム基板
上にａ−Ｓｉ層を形成した。

この時のグロー放電電流は約８ｈＡ／ので電圧は２００
０Ｖであった。又、この時のａ−Ｓｉ層の成長速度は、
約４Ａ／ｓｅｃであって、１虫時間蒸着を行い、アルミ
ニウム基板上に２０仏厚のａ−Ｓｉ層を形成した。この
様にして作成した電子写真感光体を、蒸着終了後、メイ
ンバルブ２９、バルブ２５，２６、バルブ２２，２３を
閉じ、代りにバルブ３０を開いて蒸着槽１０内の真空を
破り、外部に取り出した。この電子写真感光体に、情中
に於いて電源電圧５５００Ｖでｅコロナ放電をａ−Ｓｉ
系光導電層表面に行い、次いで１５〆収・ｓｅｃの露光
量で画像露光を行って、静電像を形成し、該静電像をカ
スケード法により由荷電されたトナーで現像して転写紙
上に転写・定着したところ解像力が高く極めて鮮明な画
像が得られた。この様な画像形成処理を繰返し、前記電
子写真感光体に施しこの電子写真感光体の耐久性に就て
試験したところ、１万枚目の転写紙上に得られた画像も
極めて良質であって、一枚目の転写紙上の画像と較べて
も何等差違はなく、この電子写真感光体が耐コロナイオ
ン性「耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。

尚、クリーニング性としてはプレードクリーニングを採
用し、ブレードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。次に上記の電子写真感光体に就て、脂中で電源電圧
６０００Ｖで由コロナ放電を施し、次いで１５そ似・ｓ
ｅｃの光量で画像露光を行い、前記のｅコロナ放電を施
して画像出しをした時と同機の条件で画像出しを行った
ところ、得られた転写紙上の画像はｅコロナ帯電の場合
より低下していた。

この実験から、本実施例で得た電子写真感光体には帯電
極性の依存性が認められた。実施例 ２ 実施例１と同様な条件及び手順によって、アルミニゥム
基板上に２０仏厚のａ−Ｓｉ層を形成した後蒸着槽１０
外に取り出し、ａ−Ｓｉ層上にポリカーボネート樹脂を
乾燥後の厚さが１５山となる様に塗布し、電気的絶縁層
を形成して、電子写真感光体とした。

この感光体の絶縁層表面に一次帯電として、電源電圧６
０００Ｖで■コロナ放電を０．本ｅｃ間行ったところ、
由２０００Ｖに帯電した。次に、二次帯電として電源電
圧５５００Ｖでｅコロナ放電を行うと同時に露光量１５
そｕｘ・ｓｅｃで画像露光を行い、次いで感光体表面を
一様に全面照射して静電像を形成した。この静電像をカ
スケード法によってｅに荷電されたトナーで現像し、転
写紙上に転写定着したところ極めて良品質の画像が得ら
れた。実施例 ３実施例１と同様に、第３図に示す装置
を用い。以下の様にして本発明の電子写真感光体を作成
し、画像形成処理を施して画像出しを行った。１％のＮ
ａＯＨなる溶液を用い表面処理を行い、充分水洗し乾燥
させて表面を清浄化した厚さ１肋、大きさ１０弧×１０
ｃｍのアルミニウム基板を用意して、グロー放電蒸着槽
１０内の所定位置にある固定部材１２の所定位置にヒー
ター１３とは約１０ｃｍ程度離して堅固に固定した。

次いで、メインバルブ２９を全開して蒸着槽１０内の空
気を排気し、約５×１０‐５Ｗｒｒの真空度にした。

その後ヒーター１３を点火して、アルミニウム基板を均
一に加熱して１５０ｏｏに上昇させ、この温度に保った
。その後、補助バルブ２８を全開し、引続いてボンベ１
６のバルブ２５，ボンベ１７のバルブ２６を全開した後
、流量調節バルブ２２及び２３を徐々に開いて、ボンベ
１６よりＡ「ガスを、ボンベ１７よりＳｉＨ４ガスを蒸
着槽１０内に導入した。この時、メインバルブ２９を調
節して蒸着槽１０内の真空度が約０．７５のｒｒに保持
される様にした。又、この場合、フローメータ１９及び
２０を注視し乍ら、流量調節バルブ２２及び２３を調節
して、Ｓｉ比ガスの流量がＭガスの流量の１０Ｖｏク％
となる様にした。次に、ボンベ１８のバルブ２７を全開
し、その後、流量調節バルブ２４を徐々に開いて、その
流量がＳｉＨ４ガスの流量の５×１０‐３Ｖｏそ％とな
る様に制御し乍ら蒸着槽１０内に＆日６ガスを導入した
。

この時もメインバルブ２９を調節して蒸着槽１０内の真
空度を０．７５ｔｏｎに保持した。続いて、高周波電源
１４のスイッチをＯＮ‘こして、電極１５，１５′間に
１３．５８ＭＨＺの高周波を印加してグロー放電を起し
、アルミニウム基板上にａ−Ｓｉ層を形成した。この時
のグロー放電電流は約３ｍＡ／ので電圧は１５００Ｖで
あった。又、この場合のａ−Ｓｉ層の成長速度は、約４
Ａ／ｓｅｃにし、１期時間蒸着を行って、アルミニウム
基板上に２０〃厚のａ−Ｓｉ層を形成した。この様にし
て作成した電子写真感光体を、蒸着終了後、メインバル
ブ２９、流量調節バルブ２２，２３、２４，バルブ２５
，２６，２７を閉じ、代りにバルブ３０を開いて蒸着槽
１０内の真空を破り、外部に取り出した。この電子写真
感光体に、階中に於いて電源電圧ｅ５５００Ｖでｅコロ
ナ放電をａ−Ｓｉ系光導電層表面に行い、次いで２０ク
ｕｘ・ｓｅｃの露光量で画像露光を行って、静電像を形
成し、該静電像をカスケード法により由荷電されたトナ
ーで現像して転写紙上に転写・定着したところ極めて鮮
明な画像が得られた。この様な画像形成処理を繰返し、
前記電子写真感光体に施しこの電子写真感光体の耐久性
に就て試験したところ、１万枚目の転写紙上に得られた
画像も極めて良質であって、一枚目の転写紙上の画像と
較べても何等差違はなく、この電子写真感光体が著しく
耐久性に富んでいることが実証された。

尚、クリーニング法としてはプレードクリーニングを採
用し、ブレードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。次に上記電子写真感光体に就て、８音中で、電源電
圧６０００Ｖの■コロナ放電を施し、次いで２０そ似・
ｓｅｃの露光量で画像露光を行って、静電像を形成した
。

この静電像をカスケード法によりｅ荷電されたトナーを
用いて現像し、次に転写紙上に転写・定着したところ極
めて鮮明な画像が得られた。この結果と先の結果から本
実施例で得られた電子写真感光体は、帯電極性に対する
依存性がなく両極性感光体の特性を具備していることが
判った。

実施例 ４ 実施例３に於いて、Ｂ２比ガスの流量をＳｉ比ガスの流
量の５ｘｌｏ‐４ｖｏク％になる様に調整した他は、実
施例３と同様にしてアルミニウム基板上に厚さ２０仏の
ａ−Ｓｉ系光導電層を形成して電子写真感光体とした。

この電子写真感光体に就て、実施例３と同様の条件及び
手順で転写紙上に画像を形成したところ由コロナ放電を
行って画像形成した方がｅコロナ放電を行って画像形成
したよりも、その画質が優れており、極めて鮮明であっ
た。この結果より、本実施例で得られた電子写真感光体
には、帯電極性の依存性が認められた。

而し、その極性依存性は実施例１で得られた電子写真感
光体とは逆であった。実施例 ５ 実施例４と同様な条件及び手順によって、アルミニウム
基板上に２０仏厚のａ−Ｓｉ層を形成した後、蒸着槽１
０外に取り出し、ａ−Ｓｉ層上にボリカーボネィト樹脂
を乾燥後の厚さが１５一となる様に塗布し、電気的絶縁
層を形成して、電子写真感光体を得た。

この感光体の絶縁層表面に一次帯電として、電源電圧６
０００Ｖでｅコロナ放電を０．＄ｅｃ間行ったところ、
由２０００Ｖに帯電した。次に、二次帯電として電源電
圧５５００Ｖで由コロナ放電を行うと同時に露光量１５
そ似・ｓｅｃで画像露光を行い、次いで感光体表面を一
様に全面照射して静電像を形成した。この静電像をカス
ケード法によって由に荷電されたトナーで現像し、転写
紙上に転写定着したところ極めて良質の画像が得られた
。実施例 ６実施例１に於いて、基板温度を下記の第１
表に示す様に種々変化させた以外は、実施例１と全く同
様の条件及び手順によって試料Ｎｏ．■〜■で示される
電子写真感光体を作成し、実施例３と全く同様の画像形
成条件によって、転写紙上に画像形成を行ったところ下
記の第１表に示す如き結果を得た。

第１表に示される結果からも判る様に、本発明の目的を
達成するには、基板温度が５０〜３５００○の範囲でａ
−Ｓｊ層を形成する必要がある。

第１表 ◎＝綾 ○：良 △：実用上使用し得る。

×：不可実施例３に於いて、基板温度を下記の第２表
に示す様に種々変化させた以外は、実施例３と全く同様
の条件及び手順によって試料Ｎｏ■〜■で示される電子
写真感光体を作成し、実施例３と全く同様の画像形成条
件によって、転写紙上に画像形成を行ったところ下記の
第２表に示す如き結果を得た。第２表に示される結果か
らも判かる様に、本実施例の場合に於いても本発明の目
的を達成するには、基板温度が５０〜３５０ｑｏの範囲
でａ−Ｓｉ層を形成する必要がある。

第２表 ◎：優 ○：良 △：実用上使用し得る。

×：不可実施例 ８実施例４に於いて、基板温度を下
記の第３表に示す様に種々変化させた以外は、実施例４
と全く同様の条件及び手順によって試料Ｎｏ．■〜■で
示される電子写真感光体を作成し、実施例４と全く同様
の画像形成条件によって、転写紙上に画像形成を行った
ところ下記の第３表に示す如き結果を得た。

第３表に示される結果からも判かる様に、本実施例の場
合に於いても本発明の目的を達成するには、基板温度が
５０〜３５０ｏｏの範囲でａ−Ｓｉ層を形成する必要が
ある。

第３表 ◎：婆 ○：良 △：実用上使用し得る。

×：不可実施例 ９第３図に示されるグロー放電蒸着
装層内に、肉厚２側で大きさ１５００肌×３０仇奴のア
ルミニウム製シリンダーを回転自在に設置し、該シリン
ダ内より、該シリンダーを加熱し得る様にヒーターを取
り付けた。

次いで、メインバルブ２９を全開して蒸着槽１０内の空
気を排気し、約５ｘｌｏ‐５０ｒｒの真空度にした。

その後ヒーター１３を点火しそれと同時にシリンダーを
毎分３回転の速度で回転させて該シリンダーを均一に加
熱して１５０００に上昇させこの温度に保った。その後
、補助バルブ２８を全開し、引続いてボンベ１６のバル
ブ２５，ボンベ１７のバルブ２６を全開した後、流量調
節バルブ２２及び２３を徐々に開いて、ボンベ１６より
Ａｒガスを、ボンベ１７よりＳｊＨ４ガスを蒸着槽１０
内に導入した。この時メインバルブ２９を調節して蒸着
槽１ ０内の真空度が約０．７５ｔｏｒｒに保持される
様にした。又、Ｓｉはガスの流量がふガスの流量の１仇
ｏ〆％になる様に調整した。次に、ボンベ１８のバルブ
２７を全開した後、フローメータ２１を注視し乍ら流量
調整バルブ２４を徐々に開き、その流量がＳｉＨ４ガス
の流量の１０‐がｏ〆％になる様にして蒸着槽１０内に
＆日６ガスを導入した。

この時にも、メインバルブ２９を調整して蒸着槽１０内
の真空度が約０．７５■ｒｒに保持される様にした。

続いて、高周波電源１４のスイッチをＯＮＩこして、電
極１５，１５′間に１３．５８ＭＨＺの高周波を印加し
てグロー放電を起し、シリンダ一基板上にａ−Ｓｉ層を
形成した。

この時のグロー放電電流は約３ｍＡ／ｃ虎で電圧は１５
００Ｖであった。又、この場合のａ−Ｓｉ層の成長速度
は、約２．５Ａ／ｓｅｃにし、２３時間蒸着を行って、
シリンダー基板上に２０仏厚のａ−Ｓｉ層を形成した。
この様にして作成した電子写真感光体を、蒸着終了後、
メインバルブ２９、・流量調節バルブ２２，２３，２４
、バルブ２５，２６，２７を閉じ、代りにバルブ３０を
開いて蒸着槽１０内の真空を破り、外部に取り出した。
この電子写真感光体に、８音中に於いて電源電圧ｅ５５
００Ｖでｅコロナ放電をａ−Ｓｉ系光導電層表面に行い
、次いで２０そｕｘ・ｓｅｃの露光量で画像露光を行っ
て、静電像を形成し、該静電像をカスケード法により由
帯電されたトナーで現像して転写紙上に転写・定着した
ところ極めて鮮明な画像が得られた。この様な画像形成
処理を繰返し、前記電子写真感光体に施しこの電子写真
感光体の耐久性に就て試験したところ、１万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であって、一枚目の転
写紙上の画像と較べても何等差違はなく、この電子写真
感光体が著しく耐久性に富んでいることが実証された。

尚、クリーニング法としてはプレードクリーニングを採
用し、ブレードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。次に上記の電子写真感光体に就て、８音中で電源電
圧６０００Ｖで由コロナ放電を施し、次いで２０そ肌・
ｓｅｃの光量で画像露光を行い、前記のｅコロナ放電を
施して画像出しをした時と同様の条件で画像出しを行っ
たところ、得られた転写紙上の画像はｅコロナ帯電の場
合より低下していた。

この実験から、本実施例で得た電子写真感光体には帯電
樋性の依存性が認められた。実施例 １０ 実施例３に於いて弦日６ガスの流量をＳｉＨ４ガスの流
量に対して種々変化させて、形成されるａ−Ｓｉ層中に
ドーピングされるＢの量を下記の第４表に示す様に種々
の値に制御した以外は、実施例３と同様の条件及び試料
Ｎｏ．■〜■で示される電子写真感光体を作成した。

これ等を使用して実施例３と同様の画像形成条件によっ
て転写紙上に画像形成を行ったところ第４表に示す如き
の結果を得た。

これ等の結果からも明白に判る様に、実用的にも供され
る電子写真感光体としてはａ−Ｓｉ層中にＢが１０‐６
〜１０‐３ａｔｏｍｉｃ％の範囲の量でドーピングされ
ることが望ましい。第４表 ◎：優 ○：良 ×：不可 実施例１１ 第４図に示す装置を用い、以下の様にして本発明の電子
写真感光体を作成し、画像形成処理を施して画像出しを
行った。

１％のＮａＯＨなる溶液を用いて表面処理を行い、充分
水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ１肋、大きさ１
０ｃの×１０肌のアルミニウム坂上に予め約１０００△
厚にＭｏを蒸着した基板を用意して蒸着槽３１内の所定
位置にある固定部材３３の所定位置にヒーター３４とは
約１０肌程度離して堅固に固定した。

又、純度５ｎｉｎｅの多結晶シリコンターゲット３５か
らは約８．５肌離した。

次いで、蒸着槽３１内の空気を排気し、約１×１０‐６
のｒｒの真空度にした。その後ヒーター３４を点火して
基板を均一に加熱して１５０ｑＣに上昇させ、この温度
に保った。その後補助バルブ４５を全開し、引続いてボ
ンベ３８のバルブ４０，を全開した後、流量調節バルブ
４４を徐々に開いてメインバルブ４６で調節しながらボ
ンベ３８より日２ガスを、蒸着槽３１内の真空度が５．
５ｘｌｏ‐４のｒｒになる様にして蒸着槽３１内に導入
した。続いて、バルブ３９を全開した後、流量調節バル
ブ４３をフローメータ４１を注視し乍ら徐々に開き蒸着
槽３１内の真空度が５×１０‐３ｔｏｎになる様にして
山ガスを蒸着槽３１内に導入した。

その後、高周波電源３６のスイッチをＯＮ‘こして、ア
ルミニウム基板と多結晶シリコンターゲット間に１３．
５８ＭＨＺ、ＩＫＶの高周波を加えて放電を起させ、ア
ルミニウム基板上にａ−Ｓｉ層の形成を開始した。この
時のａ−Ｓｊ層の成長速度は約２ム／ｓｅｃに制御し、
３畑時間連続的に行った。その結果形成されたａ−Ｓｉ
層の厚さは２０仏であつた。この様にして作成した本発
明の電子写真感光体に対して暗中で電源電圧５５００Ｖ
でｅコロナ放電を行い、次いで１５〆ｕｘ・ｓｅｃの光
量で画像露光を行って静電像を形成した。

この静電像をカスケード法により由に荷電されたトナー
を用いて現像を行い、次いで転写紙上に転写定着を行っ
たところ、極めて鮮明で良質な画像が得られた。実施例
２０ 実施例１１に於いて、日２ガスの流量をＡｒガスの流量
に対して種々変化させて、形成されるａ−Ｓｉ層中にド
ーピングされる日の量を下記の第５表に示す様に種々の
値に制御した以外は、実施例１１と同様の条件及び試料
■〜■で示される電子写真感光体を作成した。

これ等を使用して実施例１１と同様の画像形成条件によ
って、転写紙上に画像形成を行ったところ第５表に示す
如きの結果を得た。

これらの結果からも明白に判る様に、実用的にも供され
る露子写真感光体としてはａ−Ｓｉ層中に日が１０〜４
瓜のｍｉｃ５％の範囲の量でドーピングされることが望
ましい。第５表 ◎：優 ０：良 △：実用地濁し得る。

Ｘ：不可実施例 ２１実施例１，３及び４で作成した電
子写真感光体を、各々、温度４０００、湿度９０ＲＨ％
の高温多湿雰囲気中に放置した。

９粥時間経過後、温度２３ｏｏ、湿度５０ＲＨ％の雰囲
気中に取り出してすぐに、各々の感光体の就て各々の実
施例で行た条件及び手順で転写紙上に画像形成を行った
ところ、鮮明で良の画像が得られた。

この結果から本発明の電子写真感光体が耐湿性の点に於
いても極めて優れていることが実証された。実施例 ２
２ 実施例１と全く同様にして作成した電子写真感光体に対
して、脂中に於いて電源電圧６０００Ｖでｅコロナ放電
を行い、次いで２０クｕｘ・ｓｅｃの露光量で画像露光
を行って静電像を形成し、該静電像をィソパラフィン系
炭化水素溶剤に荷電性トナーを分散させた液体現像剤を
使用して現像し、転写紙上に転写定着した。

この様にして得られた転写紙上の画像は、極めて解像度
が高く鮮明であって、高品質であった。更に上記電子写
真感光体の耐溶剤性（耐液現性）を試験する為に上記の
画像形成プロセスを繰返し施し、先の転写紙上の画像と
１万枚目の転写紙上の画像とを比較したところ、差違は
全く見られず本発明の電子写真感光体が耐溶剤性に長け
ているのが実証された。

尚感光体のクリーニング法としては、プレードクリーニ
ング法を適用し、ウレタンゴムを成型したブレードを使
用した。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明の電子写真感光体の好適な
実施態様の一例を示す模式的構成断面図、第３図及び第
４図は本発明の電子写真感光体を製造する為の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １，５…電子写真感光体、２，６…支持体、３，７・・
・光導電層、８…表面被覆層、４，９・・・自由表面、
１０，３１・・・蒸着槽、１４，３６・・・高周波電源
。 富ｌ図 第２図 乗る図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、１０〜４０原子量％の水素を含む、アモ
   ルフアスシリコンで構成され、原子写真法が適用され得
   る暗抵抗と光感度を有する光導電層とを具備する事を特
   徴とする電子写真感光体。 ２ 表面被覆層を更に有する特許請求の範囲第１項に記
   載の電子写真感光体。 ３ 反射防止層を更に有する特許請求の範囲第１項に記
   載の電子写真感光体。 ４ 屈折率が、光導電層の屈折率と空気の屈折率との間
   にある層を更に有する特許請求の範囲第１項に記載の電
   子写真感光体。 ５ 障壁層を更に有する特許請求の範囲第１項に記載の
   電子写真感光体。 ６ 前記光導電層中に不純物が含有されている特許請求
   の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 ７ 前記不純物がｎ型不純物である特許請求の範囲第６
   項に記載の電子写真感光体。 ８ 前記不純物が周期律表第III族Ａに属する元素であ
   る特許請求の範囲第６項に記載の電子写真感光体。 ９ 前記周期律表第III族Ａに属する元素は、Ｂ，Ａｌ
   ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌの中より選択される特許請求の範囲
   第８項に記載の電子写真感光体。 １０ 前記不純物が周期律表第V族Ａに属する元素であ
   る特許請求の範囲第６項に記載の電子写真感光体。 １１ 前記周期律表第V族Ａに属する元素は、Ｎ，Ｐ，
   Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉの中より選択される特許請求の範囲第
   １０項に記載の電子写真感光体。 １２ 前記周期律表第III族Ａに属する元素の含有量が
   １０＾−＾６〜１０＾−＾３原子％である特許請求の範
   囲第６項に記載の電子写真感光体。 １３ 前記周期律表第V族Ａに属する元素の含有量が１
   ０＾−＾８〜１０＾−＾５原子％である特許請求の範囲
   第６項に記載の電子写真感光体。 １４ 前記光導電層の層厚が５〜８０μである特許請求
   の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 １５ 前記反射防止層の層厚がλ／４√（ｎ）又はその
   数倍である特許請求の範囲第３項に記載の電子写真感光
   体（但し、ｎは光導電層の屈折率、λは入射光の波長）
   。 １６ 前記反射防止層の層厚が５０〜６０ｍμである特
   許請求の範囲第３項に記載の電子写真感光体。 １７ 前記表面被覆層の層厚が０．５〜７０μｍである
   特許請求の範囲第２項に記載の電子写真感光体。 １８ 層形成用の支持体が配設され、水素を含む硅素化
   合物のガスが導入されている槽内に、真空度１０＾−＾
   ２〜３ｔｏｒｒの下で、電流密度０．１〜１０ｍＡ／ｃ
   ｍ＾２、電圧３００〜５０００Ｖの放電条件で放電を生
   起し、前記硅素化合物を分解することにより、５０〜３
   ５０℃の温度範囲内に維持されている前記支持体上に、
   １０〜４０原子量％の水素を含む、アモルフアスシリコ
   ンから成る光導電層を形成することを特徴とする電子写
   真感光体の製造方法。 １９ 前記硅素化合物は、ＳｉＨ＿４，Ｓｉ＿２Ｈ＿６
   ，Ｓｉ＿４Ｈ＿１＿０の中から選択される特許請求の範
   囲第１８項に記載の電子写真感光体の製造方法。 ２０ 前記光導電層の形成の際に不純物導入用のガスを
   更に導入する特許請求の範囲第１８項に記載の電子写真
   感光体の製造方法。 ２１ 前記不純物導入用のガスは、ＰＨ＿３，Ｐ＿２Ｈ
   ＿４，Ｂ＿２Ｈ＿６の中から選択される特許請求の範囲
   第２０項に記載の電子写真感光体の製造方法。 ２２ 前記硅素化合物のガスに加えて、不活性ガスを導
   入する特許請求の範囲第１８項に記載の電子写真感光体
   の製造方法。 ２３ 前記不活性ガスは、Ａｒガス、Ｈｅガスのいずれ
   かである特許請求の範囲第２２項に記載の電子写真感光
   体の製造方法。 ２４ 前記光導電層の形成の際に水素ガスを更に導入す
   る特許請求の範囲第１８項に記載の電子写真感光体の製
   造方法。 ２５ 前記光導電層の形成前に予め支持体表面を放電に
   晒す特許請求の範囲第１８項に記載の電子写真感光体の
   製造方法。 ２６ 前記放電が交流放電である特許請求の範囲第１８
   項に記載の電子写真感光体の製造方法。 ２７ 前記放電が直流放電である特許請求の範囲第１８
   項に記載の電子写真感光体の製造方法。 ２８ 層形成用の支持体とシリコンを含むターゲツトが
   配設され、水素導入用のガスが導入されている槽内に、
   真空度１０＾−＾３〜１０＾−＾１ｔｏｒｒの下で、電
   流密度０．１〜１０ｍＡ／ｃｍ＾２、電圧３００〜５０
   ００Ｖの放電条件で放電を生起し、該放電によつて生ず
   るイオンによつて前記ターゲツトをスパツターリングす
   ることにより、５０〜３５０℃の温度範囲内に支持され
   ている前記支持体上に、１０〜４０原子量％の水素を含
   む、アモルフアスシリコンから成る光導電層を形成する
   ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 ２９ 前記不活性ガスがＡｒ，Ｈｅのいずれか一方であ
   る特許請求の範囲第２８項に記載の電子写真感光体の製
   造方法。 ３０ 前記水素導入用のガスが水素ガスである特許請求
   の範囲第２８項に記載の電子写真感光体の製造方法。 ３１ 前記水素導入用のガスが水素化硅素である特許請
   求の範囲第２８項に記載の電子写真感光体の製造方法。 ３２ 前記硅素化合物はＳｉＨ＿４，Ｓｉ＿２Ｈ＿６，
   Ｓｉ＿４Ｈ＿１＿０の中から選択される特許請求の範囲
   第３１項に記載の電子写真感光体の製造方法。３３ 前
   記放電が交流放電である特許請求の範囲第２８項に記載
   の電子写真感光体の製造方法。