JPH0554720A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPH0554720A JPH0554720A JP3337865A JP33786591A JPH0554720A JP H0554720 A JPH0554720 A JP H0554720A JP 3337865 A JP3337865 A JP 3337865A JP 33786591 A JP33786591 A JP 33786591A JP H0554720 A JPH0554720 A JP H0554720A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンデンサ用の磁器組成物の中で低温焼結が
可能な鉛系ペロブスカイト化合物において、誘電率が高
く、誘電率の温度特性が良く、かつ直流バイアス印加時
の容量減小が小さい磁器組成物を提供する。 【構成】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］からな
る３成分系、またはマグネシウム・タングステン酸鉛
［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉ
Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分系に、マンガン・ニオブ酸
ランタン［Ｌａ（Ｍｎ1/ 3Ｎｂ2/3）Ｏ3］またはランタ
ンイオン（Ｌａ3+）またはカルシウムイオン（Ｃａ2+）
を添加する。
可能な鉛系ペロブスカイト化合物において、誘電率が高
く、誘電率の温度特性が良く、かつ直流バイアス印加時
の容量減小が小さい磁器組成物を提供する。 【構成】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］からな
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ランタン［Ｌａ（Ｍｎ1/ 3Ｎｂ2/3）Ｏ3］またはランタ
ンイオン（Ｌａ3+）またはカルシウムイオン（Ｃａ2+）
を添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁器組成物に関し、特に
誘電率が高く、かつ誘電率の温度変化率が小さく１０５
０〜１１００℃以下の温度で焼結できる磁器組成物に関
するものである。
誘電率が高く、かつ誘電率の温度変化率が小さく１０５
０〜１１００℃以下の温度で焼結できる磁器組成物に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電率系磁器組成物として、チ
タン酸バリウム［ＢａＴｉＯ3］系がよく知られてお
り、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］などを添加、置換することにより温度
特性の改善を図っているが、焼結温度が１３００℃以上
の高温であるため積層セラミックコンデンサの内部電極
には白金、パラジウム等の高価な貴金属しか利用できな
かった。またこれらの誘電体の磁器組成物で得られる誘
電率はたかだか８０００程度にすぎず、しかも誘電率を
大きくしようとすれば誘電率の温度変化が大きくなり、
ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性（-30℃〜85℃:+22%,-82%）を
満足する程度にとどまっていた。
タン酸バリウム［ＢａＴｉＯ3］系がよく知られてお
り、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］などを添加、置換することにより温度
特性の改善を図っているが、焼結温度が１３００℃以上
の高温であるため積層セラミックコンデンサの内部電極
には白金、パラジウム等の高価な貴金属しか利用できな
かった。またこれらの誘電体の磁器組成物で得られる誘
電率はたかだか８０００程度にすぎず、しかも誘電率を
大きくしようとすれば誘電率の温度変化が大きくなり、
ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性（-30℃〜85℃:+22%,-82%）を
満足する程度にとどまっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の材料で温度変化
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い
材料として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告されて
いる。例えばマグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］から
なる３成分組成物では室温での誘電率を１００００以上
にすることができる。さらに特開昭５８−１６１９７２
号公報において、マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉ
Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物は、誘電率を１００
００以上と高くすることが可能であることが報告されて
いる。しかしこれらの３成分系では誘電率の温度変化が
大きいという問題点がある。また直流バイアスを印加し
たときの誘電率の減少が大きく、コンデンサとしての適
用範囲が限られていた。本発明では、上記の組成物で高
い誘電率を有しその温度依存性が比較的小さく、かつ直
流バイアス印加時の誘電率の減少が小さい磁器組成物を
提供することを目的とする。
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い
材料として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告されて
いる。例えばマグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］から
なる３成分組成物では室温での誘電率を１００００以上
にすることができる。さらに特開昭５８−１６１９７２
号公報において、マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉ
Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物は、誘電率を１００
００以上と高くすることが可能であることが報告されて
いる。しかしこれらの３成分系では誘電率の温度変化が
大きいという問題点がある。また直流バイアスを印加し
たときの誘電率の減少が大きく、コンデンサとしての適
用範囲が限られていた。本発明では、上記の組成物で高
い誘電率を有しその温度依存性が比較的小さく、かつ直
流バイアス印加時の誘電率の減少が小さい磁器組成物を
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、マグネ
シウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］からなる３成分組成
物を［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3
Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） …（ａ） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５）…（ｂ） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５）…（ｃ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） …（ｄ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） …（ｅ） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） …（ｆ） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） …（ｇ） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてマンガンニオブ
酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を０．０１
〜１０ｍｏｌ％添加することを特徴とする磁器組成物で
ある。
シウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］からなる３成分組成
物を［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3
Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） …（ａ） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５）…（ｂ） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５）…（ｃ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） …（ｄ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） …（ｅ） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） …（ｆ） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） …（ｇ） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてマンガンニオブ
酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を０．０１
〜１０ｍｏｌ％添加することを特徴とする磁器組成物で
ある。
【０００５】本発明の第２は、マグネシウム・タングス
テン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物を［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と
表現したとき、この３成分組成図において、以下の組成
点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１）…（ｈ） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１）…（ｉ） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０）…（ｊ） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０）…（ｋ） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてマンガンニオブ
酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を０．０１
〜１０ｍｏｌ％添加することを特徴とする磁器組成物で
ある。
テン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物を［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と
表現したとき、この３成分組成図において、以下の組成
点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１）…（ｈ） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１）…（ｉ） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０）…（ｊ） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０）…（ｋ） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてマンガンニオブ
酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を０．０１
〜１０ｍｏｌ％添加することを特徴とする磁器組成物で
ある。
【０００６】本発明の第３は、マグネシウム・ニオブ酸
鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ
酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表
現したとき、この３成分組成図において、以下の組成
点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） …（ａ） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５）…（ｂ） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５）…（ｃ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） …（ｄ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） …（ｅ） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） …（ｆ） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） …（ｇ） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛イオン（Ｐｂ2+）をランタン
イオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換するこ
とを特徴とする磁器組成物である。
鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ
酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表
現したとき、この３成分組成図において、以下の組成
点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） …（ａ） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５）…（ｂ） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５）…（ｃ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） …（ｄ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） …（ｅ） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） …（ｆ） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） …（ｇ） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛イオン（Ｐｂ2+）をランタン
イオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換するこ
とを特徴とする磁器組成物である。
【０００７】本発明の第４は、マグネシウム・タングス
テン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物を［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と
表現したとき、この３成分組成図において、以下の組成
点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１）…（ｈ） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１）…（ｉ） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０）…（ｊ） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０）…（ｋ） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛イオン（Ｐｂ2+）をランタン
イオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換するこ
とを特徴とする磁器組成物である。
テン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物を［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と
表現したとき、この３成分組成図において、以下の組成
点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１）…（ｈ） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１）…（ｉ） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０）…（ｊ） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０）…（ｋ） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛イオン（Ｐｂ2+）をランタン
イオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換するこ
とを特徴とする磁器組成物である。
【０００８】本発明の第５は、マグネシウム・タングス
テン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物を［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と
表現したとき、この３成分組成図において、以下の組成
点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１）…（ｈ） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１）…（ｉ） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０）…（ｊ） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０）…（ｋ） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
にある主成分組成物において、Ａサイトの鉛イオン（Ｐ
ｂ2+）をカルシウムイオン（Ｃａ2+）で０．０１〜３０
ｍｏｌ％置換したことを特徴とする磁器組成物である。
テン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］からなる３成分組成物を［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と
表現したとき、この３成分組成図において、以下の組成
点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１）…（ｈ） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１）…（ｉ） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０）…（ｊ） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０）…（ｋ） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
にある主成分組成物において、Ａサイトの鉛イオン（Ｐ
ｂ2+）をカルシウムイオン（Ｃａ2+）で０．０１〜３０
ｍｏｌ％置換したことを特徴とする磁器組成物である。
【０００９】本発明における主成分組成範囲を表す［Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z系の３成分組成図は図１１で表
され、［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y
［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］z系の３成分組成図は図
１２で示される。各図中、（ａ）〜（ｇ）および（ｈ）
〜（ｋ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲
は図の斜線で示す範囲およびその境界線上である。
ｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z系の３成分組成図は図１１で表
され、［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y
［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］z系の３成分組成図は図
１２で示される。各図中、（ａ）〜（ｇ）および（ｈ）
〜（ｋ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲
は図の斜線で示す範囲およびその境界線上である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。請求項１，２の実施例 実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ3）および酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）を使用
し、表１〜表３に示した配合比となるように各々秤量す
る。次に秤量した各材料をボ−ルミル中で湿式混合した
のち７５０〜８００℃で仮焼を行い、この粉末をボ−ル
ミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整
粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱
試料、および直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板試料
を作製した。次にこれらの組成範囲の試料を１０００〜
１１００℃の温度で１時間焼成を行った。焼成した円板
試料の上下面に６００℃で銀電極を焼き付け、デジタル
ＬＣＲメ−タで周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、
室温で容量を測定し、誘電率、および誘電率の温度に対
する変化率を求めた。機械的強度を抗折強度で評価する
ため、焼結した円柱から厚さ（ｔ）０．５ｍｍ、幅
（Ｗ）２ｍｍ、長さ約１３ｍｍの矩形板を１０枚切り出
した。支点間距離（ｌ）を９ｍｍにとり、三点曲げ法で
破壊荷重Ｐm〔ｋｇ〕を測定し、τ＝３Ｐmｌ／２Ｗｔ2
〔ｋｇ／ｃｍ2〕なる式に従い、抗折強度τ〔ｋｇ／ｃ
ｍ2〕を求めた。抗折強度は矩形板試料１０点の平均値
より求めた。
る。請求項１，２の実施例 実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ3）および酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）を使用
し、表１〜表３に示した配合比となるように各々秤量す
る。次に秤量した各材料をボ−ルミル中で湿式混合した
のち７５０〜８００℃で仮焼を行い、この粉末をボ−ル
ミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整
粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱
試料、および直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板試料
を作製した。次にこれらの組成範囲の試料を１０００〜
１１００℃の温度で１時間焼成を行った。焼成した円板
試料の上下面に６００℃で銀電極を焼き付け、デジタル
ＬＣＲメ−タで周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、
室温で容量を測定し、誘電率、および誘電率の温度に対
する変化率を求めた。機械的強度を抗折強度で評価する
ため、焼結した円柱から厚さ（ｔ）０．５ｍｍ、幅
（Ｗ）２ｍｍ、長さ約１３ｍｍの矩形板を１０枚切り出
した。支点間距離（ｌ）を９ｍｍにとり、三点曲げ法で
破壊荷重Ｐm〔ｋｇ〕を測定し、τ＝３Ｐmｌ／２Ｗｔ2
〔ｋｇ／ｃｍ2〕なる式に従い、抗折強度τ〔ｋｇ／ｃ
ｍ2〕を求めた。抗折強度は矩形板試料１０点の平均値
より求めた。
【００１１】このようにして得られた磁器組成物の主成
分［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zの配合比ｘ，ｙ，ｚお
よび副成分添加量と、誘電率、抗折強度、および−３０
℃、８５℃における誘電率の変化率の関係をそれぞれ表
１〜３および表４〜６に示す。なお表中、試料番号に＊
を付したものは本発明の請求範囲に含まれない。また、
誘電率の変化率は、２０℃の誘電率を基準にした値であ
る。また、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3
Ｎｂ1/3）Ｏ3］の効果を明らかにするために、主成分の
配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５，０．３，０．２）
で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎ
ｂ1/3）Ｏ3］の添加量が０および１０ｍｏｌ％における
誘電率の温度特性を図１に示す。
分［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zの配合比ｘ，ｙ，ｚお
よび副成分添加量と、誘電率、抗折強度、および−３０
℃、８５℃における誘電率の変化率の関係をそれぞれ表
１〜３および表４〜６に示す。なお表中、試料番号に＊
を付したものは本発明の請求範囲に含まれない。また、
誘電率の変化率は、２０℃の誘電率を基準にした値であ
る。また、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3
Ｎｂ1/3）Ｏ3］の効果を明らかにするために、主成分の
配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５，０．３，０．２）
で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎ
ｂ1/3）Ｏ3］の添加量が０および１０ｍｏｌ％における
誘電率の温度特性を図１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】
【表３】
【００１５】
【表４】
【００１６】
【表５】
【００１７】
【表６】
【００１８】実施例２ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ
（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）および酸化ラ
ンタン（Ｌａ2Ｏ3）を使用し、表７〜表８に示した配合
比となるように各々秤量する。次に実施例１で示した方
法と同様にして円柱試料と円板試料を作製し、１０００
〜１０５０℃の温度で１時間焼成を行った。実施例１と
同様にして誘電率、温度に対する誘電率の変化率、およ
び抗折強度を求めた。［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］
x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zの
配合比ｘ，ｙ，ｚおよび副成分添加量と、誘電率、抗折
強度、および−３０℃、８５℃における誘電率の変化率
の関係をそれぞれ表７〜８および表９〜１０に示す。な
お表中、試料番号に＊を付したものは本発明の請求範囲
に含まれない。また、誘電率の変化率は、２０℃の誘電
率を基準にした値である。また、マンガンニオブ酸ラン
タン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の効果を明らかに
するために、主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．
２，０．４，０．４）で、マンガンニオブ酸ランタン
［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の添加量が０および１
０ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を図２に示す。
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ
（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）および酸化ラ
ンタン（Ｌａ2Ｏ3）を使用し、表７〜表８に示した配合
比となるように各々秤量する。次に実施例１で示した方
法と同様にして円柱試料と円板試料を作製し、１０００
〜１０５０℃の温度で１時間焼成を行った。実施例１と
同様にして誘電率、温度に対する誘電率の変化率、およ
び抗折強度を求めた。［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］
x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zの
配合比ｘ，ｙ，ｚおよび副成分添加量と、誘電率、抗折
強度、および−３０℃、８５℃における誘電率の変化率
の関係をそれぞれ表７〜８および表９〜１０に示す。な
お表中、試料番号に＊を付したものは本発明の請求範囲
に含まれない。また、誘電率の変化率は、２０℃の誘電
率を基準にした値である。また、マンガンニオブ酸ラン
タン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の効果を明らかに
するために、主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．
２，０．４，０．４）で、マンガンニオブ酸ランタン
［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の添加量が０および１
０ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を図２に示す。
【００１９】
【表７】
【００２０】
【表８】
【００２１】
【表９】
【００２２】
【表１０】
【００２３】表１〜表６からも明らかなように、Ｐｂ
（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−
ＰｂＴｉＯ3よりなる３成分系組成物に、副成分として
マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ
3］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加した本発明の磁器組
成物は、誘電率の温度変化率が小さく、抗折強度が大き
い積層セラミックコンデンサ用磁器組成物として優れた
材料を提供するものである。また、表７〜表１０からも
明らかなように、Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉ
Ｏ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3よりなる３成分系組成
物に、副成分としてマンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ
（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添
加した本発明の磁器組成物は、誘電率の温度変化率が小
さく、抗折強度が大きい積層セラミックコンデンサ用磁
器組成物として優れた材料を提供するものである。
（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−
ＰｂＴｉＯ3よりなる３成分系組成物に、副成分として
マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ
3］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加した本発明の磁器組
成物は、誘電率の温度変化率が小さく、抗折強度が大き
い積層セラミックコンデンサ用磁器組成物として優れた
材料を提供するものである。また、表７〜表１０からも
明らかなように、Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉ
Ｏ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3よりなる３成分系組成
物に、副成分としてマンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ
（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添
加した本発明の磁器組成物は、誘電率の温度変化率が小
さく、抗折強度が大きい積層セラミックコンデンサ用磁
器組成物として優れた材料を提供するものである。
【００２４】実施例３ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zという組成式で表される
主組成において、配合比がｘ＝０．５，ｙ＝０．３，ｚ
＝０．２で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ
2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を１０ｍｏｌ％添加した組成物を選
択し、実施例１で示した方法と同様にして誘電体粉末を
作製した。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散さ
せ、有機バインダと混練してスラリーを作製し、スラリ
ーを通常のドクターブレード法を用いて４０μｍの厚さ
に成膜した。さらに通常のスクリーン印刷法で内部電極
ペーストを印刷し、打ち抜いた後、積層、熱プレスを行
って得た積層体を所定の形状に切断することによってコ
ンデンサのグリーンチップを作製した。グリーンチップ
を所定の温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀
ペーストで外部電極を被着、形成した。以上のようにし
て作製した積層セラミックコンデンサにデジタルマルチ
メータで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加した状態で
室温で容量を測定した。測定結果を図３に示した。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zという組成式で表される
主組成において、配合比がｘ＝０．５，ｙ＝０．３，ｚ
＝０．２で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ
2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を１０ｍｏｌ％添加した組成物を選
択し、実施例１で示した方法と同様にして誘電体粉末を
作製した。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散さ
せ、有機バインダと混練してスラリーを作製し、スラリ
ーを通常のドクターブレード法を用いて４０μｍの厚さ
に成膜した。さらに通常のスクリーン印刷法で内部電極
ペーストを印刷し、打ち抜いた後、積層、熱プレスを行
って得た積層体を所定の形状に切断することによってコ
ンデンサのグリーンチップを作製した。グリーンチップ
を所定の温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀
ペーストで外部電極を被着、形成した。以上のようにし
て作製した積層セラミックコンデンサにデジタルマルチ
メータで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加した状態で
室温で容量を測定した。測定結果を図３に示した。
【００２５】実施例４ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、配合比がｘ＝０．２，ｙ＝０．４，ｚ＝
０．４で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3
Ｎｂ1/3）Ｏ3］を１０ｍｏｌ％添加した組成物を選択
し、実施例１で示した方法と同様にして誘電体粉末を作
製した。さらに実施例３で示した方法と同様にして積層
セラミックコンデンサを作製しコンデンサの直流バイア
ス特性を求め、測定結果を図４に示した。
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、配合比がｘ＝０．２，ｙ＝０．４，ｚ＝
０．４で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3
Ｎｂ1/3）Ｏ3］を１０ｍｏｌ％添加した組成物を選択
し、実施例１で示した方法と同様にして誘電体粉末を作
製した。さらに実施例３で示した方法と同様にして積層
セラミックコンデンサを作製しコンデンサの直流バイア
ス特性を求め、測定結果を図４に示した。
【００２６】比較例１ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zという組成式で表される
主組成において、配合比がｘ＝０．２，ｙ＝０．６，ｚ
＝０．２で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ
2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を添加しない組成物を用いて実施例
３で示した方法でコンデンサを作製し、同様の方法で直
流バイアス印加時の容量を測定した。測定結果を実施例
３の結果と同時に図３に示した。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zという組成式で表される
主組成において、配合比がｘ＝０．２，ｙ＝０．６，ｚ
＝０．２で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ
2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を添加しない組成物を用いて実施例
３で示した方法でコンデンサを作製し、同様の方法で直
流バイアス印加時の容量を測定した。測定結果を実施例
３の結果と同時に図３に示した。
【００２７】比較例２ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、配合比がｘ＝０．３，ｙ＝０．４，ｚ＝
０．３としてＰｂ2+の置換を行わない組成物を用いて実
施例３で示した方法でコンデンサを作製し、同様の方法
で直流バイアス印加時の容量を測定した。測定結果を実
施例４の結果と同時に図４に示した。図３および図４に
示したように、比較例１、２で示した組成の磁器組成物
を用いたコンデンサは直流バイアス印加時の容量減少が
大きい。それに対してマンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ
（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を添加した本発明の磁器組成
物を用いたコンデンサは添加しない組成物を用いたコン
デンサよりも直流バイアス特性が優れていることがわか
る。
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、配合比がｘ＝０．３，ｙ＝０．４，ｚ＝
０．３としてＰｂ2+の置換を行わない組成物を用いて実
施例３で示した方法でコンデンサを作製し、同様の方法
で直流バイアス印加時の容量を測定した。測定結果を実
施例４の結果と同時に図４に示した。図３および図４に
示したように、比較例１、２で示した組成の磁器組成物
を用いたコンデンサは直流バイアス印加時の容量減少が
大きい。それに対してマンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ
（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を添加した本発明の磁器組成
物を用いたコンデンサは添加しない組成物を用いたコン
デンサよりも直流バイアス特性が優れていることがわか
る。
【００２８】請求項３，４の実施例 実施例５ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化ランタ
ン（Ｌａ2Ｏ3）を使用し、表１１〜表１３に示した配合
比となるように各々秤量する。次に秤量した各材料をボ
―ルミル中で湿式混合したのち７５０〜８５０℃で仮焼
を行い、この粉末をボ―ルミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約１６
ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板を作製した。次にこれらの組
成範囲の試料を１０００〜１１００℃の温度で１時間焼
成を行った。焼成した円板試料の上下面に６００℃で銀
電極を焼き付け、デジタルＬＣＲメ―タで周波数１ｋＨ
ｚ、電圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定
し、誘電率、および温度に対する誘電率の変化率を求め
た。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して、
絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして
得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x
［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zの配
合比ｘ、ｙ，ｚおよび置換量と、比抵抗、および−３０
℃、８５℃における誘電率の変化率を表１１〜表１３お
よび表１４〜表１６に示す。なお、表中、試料番号に＊
を付したものは本発明の請求範囲に含まれない。ここ
で、誘電率の変化率は２０℃の誘電率を基準にした値で
ある。また、Ｌａ3+置換の効果を明らかにするために、
主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５，０．３，
０．２）で、Ｌａ3+の置換量が０，１０，３０ｍｏｌ％
における誘電率の温度特性を図５に示す。
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化ランタ
ン（Ｌａ2Ｏ3）を使用し、表１１〜表１３に示した配合
比となるように各々秤量する。次に秤量した各材料をボ
―ルミル中で湿式混合したのち７５０〜８５０℃で仮焼
を行い、この粉末をボ―ルミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約１６
ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板を作製した。次にこれらの組
成範囲の試料を１０００〜１１００℃の温度で１時間焼
成を行った。焼成した円板試料の上下面に６００℃で銀
電極を焼き付け、デジタルＬＣＲメ―タで周波数１ｋＨ
ｚ、電圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定
し、誘電率、および温度に対する誘電率の変化率を求め
た。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して、
絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして
得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x
［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zの配
合比ｘ、ｙ，ｚおよび置換量と、比抵抗、および−３０
℃、８５℃における誘電率の変化率を表１１〜表１３お
よび表１４〜表１６に示す。なお、表中、試料番号に＊
を付したものは本発明の請求範囲に含まれない。ここ
で、誘電率の変化率は２０℃の誘電率を基準にした値で
ある。また、Ｌａ3+置換の効果を明らかにするために、
主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５，０．３，
０．２）で、Ｌａ3+の置換量が０，１０，３０ｍｏｌ％
における誘電率の温度特性を図５に示す。
【００２９】
【表１１】
【００３０】
【表１２】
【００３１】
【表１３】
【００３２】
【表１４】
【００３３】
【表１５】
【００３４】
【表１６】
【００３５】実施例６ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ
（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）および酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）を使用
し、表１７〜表１８に示した配合比となるように各々秤
量する。次に実施例１で示した方法と同様にして円板状
試料を作製し、１０００〜１０５０℃の温度で１時間焼
成を行った。さらに実施例１と同様にして誘電率、誘電
率の温度に対する変化率、誘電損失、比抵抗を求めた。
このようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ1/2
Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］zの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび置換量と、比抵
抗、および−３０℃、８５℃における誘電率の変化率を
表１７〜表１８および表１９〜表２０に示す。また、Ｌ
ａ3+置換の効果を明らかにするために、主組成の配合比
が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．２，０．５，０．３）でＬａ
3+の置換量が０，１０，３０ｍｏｌ％における誘電率の
温度特性を図６に示す。
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ
（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）および酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）を使用
し、表１７〜表１８に示した配合比となるように各々秤
量する。次に実施例１で示した方法と同様にして円板状
試料を作製し、１０００〜１０５０℃の温度で１時間焼
成を行った。さらに実施例１と同様にして誘電率、誘電
率の温度に対する変化率、誘電損失、比抵抗を求めた。
このようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ1/2
Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］zの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび置換量と、比抵
抗、および−３０℃、８５℃における誘電率の変化率を
表１７〜表１８および表１９〜表２０に示す。また、Ｌ
ａ3+置換の効果を明らかにするために、主組成の配合比
が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．２，０．５，０．３）でＬａ
3+の置換量が０，１０，３０ｍｏｌ％における誘電率の
温度特性を図６に示す。
【００３６】
【表１７】
【００３７】
【表１８】
【００３８】
【表１９】
【００３９】
【表２０】
【００４０】表１１〜表１６からも明らかなように、Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
−ＰｂＴｉＯ3よりなる３成分系組成物の鉛イオン（Ｐ
ｂ2+）をランタンイオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍ
ｏｌ％置換した本発明の磁器組成物は、高い比抵抗を保
持し、誘電率の温度変化率の小さな積層セラミックコン
デンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するもので
ある。表１７〜表２０からも明らかなように、Ｐｂ（Ｍ
ｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3よりなる３成分系組成物の鉛イオン（Ｐ
ｂ2+）をランタンイオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍ
ｏｌ％置換した本発明の磁器組成物は、高い比抵抗を保
持し、誘電率の温度変化率の小さな積層セラミックコン
デンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するもので
ある。
ｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
−ＰｂＴｉＯ3よりなる３成分系組成物の鉛イオン（Ｐ
ｂ2+）をランタンイオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍ
ｏｌ％置換した本発明の磁器組成物は、高い比抵抗を保
持し、誘電率の温度変化率の小さな積層セラミックコン
デンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するもので
ある。表１７〜表２０からも明らかなように、Ｐｂ（Ｍ
ｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3よりなる３成分系組成物の鉛イオン（Ｐ
ｂ2+）をランタンイオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍ
ｏｌ％置換した本発明の磁器組成物は、高い比抵抗を保
持し、誘電率の温度変化率の小さな積層セラミックコン
デンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するもので
ある。
【００４１】実施例７ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zという組成式で表される
主組成において、ｘ＝０．５，ｙ＝０．３，ｚ＝０．２
としてＰｂ2+をＬａ3+で１０ｍｏｌ％置換した組成物を
選択し、実施例５で示した方法と同様にして誘電体粉末
を作製した。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散さ
せ、有機バインダと混練してスラリ―を作製し、スラリ
―を通常のドクタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さ
に成膜した。さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極
ペ―ストを印刷し、打ち抜いた後、積層、熱プレスを行
って得た積層体を所定の形状に切断することによってコ
ンデンサのグリ―ンチップを作製した。グリ―ンチップ
を所定の温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀
ペ―ストで外部電極を被着、形成した。以上のようにし
て作製した積層セラミックコンデンサにデジタルマルチ
メ―タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加した状態で
室温で容量を測定した。測定結果を図７に示した。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zという組成式で表される
主組成において、ｘ＝０．５，ｙ＝０．３，ｚ＝０．２
としてＰｂ2+をＬａ3+で１０ｍｏｌ％置換した組成物を
選択し、実施例５で示した方法と同様にして誘電体粉末
を作製した。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散さ
せ、有機バインダと混練してスラリ―を作製し、スラリ
―を通常のドクタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さ
に成膜した。さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極
ペ―ストを印刷し、打ち抜いた後、積層、熱プレスを行
って得た積層体を所定の形状に切断することによってコ
ンデンサのグリ―ンチップを作製した。グリ―ンチップ
を所定の温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀
ペ―ストで外部電極を被着、形成した。以上のようにし
て作製した積層セラミックコンデンサにデジタルマルチ
メ―タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加した状態で
室温で容量を測定した。測定結果を図７に示した。
【００４２】実施例８ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ 3］zという組成式で表される主組
成において、ｘ＝０．２，ｙ＝０．５，ｚ＝０．３とし
てＰｂ2+をＬａ3+で１０ｍｏｌ％置換した組成物を選択
し、実施例５で示した方法と同様にして誘電体粉末を作
製した。さらに実施例７で示した方法と同様にして積層
セラミックコンデンサを作製し、コンデンサの直流バイ
アス特性を求め、測定結果を図８に示した。
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ 3］zという組成式で表される主組
成において、ｘ＝０．２，ｙ＝０．５，ｚ＝０．３とし
てＰｂ2+をＬａ3+で１０ｍｏｌ％置換した組成物を選択
し、実施例５で示した方法と同様にして誘電体粉末を作
製した。さらに実施例７で示した方法と同様にして積層
セラミックコンデンサを作製し、コンデンサの直流バイ
アス特性を求め、測定結果を図８に示した。
【００４３】比較例３ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zという組成式で表される
主組成において、ｘ＝０．２，ｙ＝０．６，ｚ＝０．２
としてＰｂ2+の置換を行わない組成物を用いて実施例７
で示した方法でコンデンサを作製し、同様の方法で直流
バイアス印加時の容量を測定した。測定結果を実施例７
の結果と同時に図７に示した。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zという組成式で表される
主組成において、ｘ＝０．２，ｙ＝０．６，ｚ＝０．２
としてＰｂ2+の置換を行わない組成物を用いて実施例７
で示した方法でコンデンサを作製し、同様の方法で直流
バイアス印加時の容量を測定した。測定結果を実施例７
の結果と同時に図７に示した。
【００４４】比較例４ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、ｘ＝０．３，ｙ＝０．４，ｚ＝０．３とし
てＰｂ2+の置換を行わない組成物を用いて実施例７で示
した方法でコンデンサを作製し、同様の方法で直流バイ
アス印加時の容量を測定した。測定結果を実施例８の結
果と同時に図８に示した。図７および図８に示したよう
に、比較例３，４で示した組成の磁器組成物を用いたコ
ンデンサは直流バイアス印加時の容量減少が大きい。そ
れに対して鉛イオン（Ｐｂ2+）をランタンイオン（Ｌａ
3+）で置換した本発明の磁器組成物を用いたコンデンサ
は鉛イオン（Ｐｂ2+）を置換しない組成物を用いたコン
デンサよりも直流バイアス特性が優れていることがわか
る。
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、ｘ＝０．３，ｙ＝０．４，ｚ＝０．３とし
てＰｂ2+の置換を行わない組成物を用いて実施例７で示
した方法でコンデンサを作製し、同様の方法で直流バイ
アス印加時の容量を測定した。測定結果を実施例８の結
果と同時に図８に示した。図７および図８に示したよう
に、比較例３，４で示した組成の磁器組成物を用いたコ
ンデンサは直流バイアス印加時の容量減少が大きい。そ
れに対して鉛イオン（Ｐｂ2+）をランタンイオン（Ｌａ
3+）で置換した本発明の磁器組成物を用いたコンデンサ
は鉛イオン（Ｐｂ2+）を置換しない組成物を用いたコン
デンサよりも直流バイアス特性が優れていることがわか
る。
【００４５】請求項５の実施例 実施例９ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化タングステン
（ＷＯ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ
（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）および炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）を使用
し、表２１〜表２２に示した配合比となるように各々秤
量した。次に秤量した各材料をボ―ルミル中で湿式混合
したのち８００〜８５０℃で仮焼を行い、この粉末をボ
―ルミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れ
整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板
２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を作製
した。次に本発明の組成範囲の試料を９５０〜１０５０
℃の温度で１時間焼成を行った。焼成した円板の上下面
に６００℃で銀電極を焼き付け、デジタルＬＣＲメ―タ
を用いて周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で
容量と誘電損失を測定し、誘電率および温度に対する誘
電率の変化率を求めた。
（ＷＯ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ
（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）および炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）を使用
し、表２１〜表２２に示した配合比となるように各々秤
量した。次に秤量した各材料をボ―ルミル中で湿式混合
したのち８００〜８５０℃で仮焼を行い、この粉末をボ
―ルミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れ
整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板
２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を作製
した。次に本発明の組成範囲の試料を９５０〜１０５０
℃の温度で１時間焼成を行った。焼成した円板の上下面
に６００℃で銀電極を焼き付け、デジタルＬＣＲメ―タ
を用いて周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で
容量と誘電損失を測定し、誘電率および温度に対する誘
電率の変化率を求めた。
【００４６】このようにして得られた磁器の主成分であ
る［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x ［ＰｂＴｉＯ3］
y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zの配合比ｘ、ｙ、ｚ
およびＣａ2+の置換量と、室温における誘電率、誘電損
失、および−３０℃、８５℃における誘電率の変化率
（２０℃における誘電率を基準）を表２１〜表２４に示
す。なお、表中、試料番号に＊を付したものはＣａ2+置
換量が本発明の特許請求範囲外のものであり、＊＊を付
したものは主組成が特許請求範囲外のものである。また
Ｃａ2+置換の効果を明らかにするために、主組成の配合
比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．２，０．５，０．３）で、
Ｃａ2+の置換量が０，１０，３０ｍｏｌ％における誘電
率の温度特性を図９に示す。表２１〜表２４からも明ら
かなように、［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］−［ＰｂＴ
ｉＯ3］−［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］よりなる３成
分系組成物において、Ｐｂ2+イオンをＣａ2+イオンで
０．０１〜３０ｍｏｌ％置換した本発明の磁器組成物は
高い誘電率を保持し、かつ誘電率の温度による変化が小
さくＥＩＡ規格のＹ５Ｕ特性（−３０℃〜８５℃：＋２
２％，−５６％）、あるいはＹ５Ｔ特性（−３０℃〜８
５℃：＋２２％，−３３％）を満足することが可能であ
る。さらに本発明の磁器組成物は、１０５０℃以下の低
い温度で焼結できるため積層セラミックコンデンサの内
部電極に安価な銀・パラジウム合金を用いることができ
る。
る［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x ［ＰｂＴｉＯ3］
y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zの配合比ｘ、ｙ、ｚ
およびＣａ2+の置換量と、室温における誘電率、誘電損
失、および−３０℃、８５℃における誘電率の変化率
（２０℃における誘電率を基準）を表２１〜表２４に示
す。なお、表中、試料番号に＊を付したものはＣａ2+置
換量が本発明の特許請求範囲外のものであり、＊＊を付
したものは主組成が特許請求範囲外のものである。また
Ｃａ2+置換の効果を明らかにするために、主組成の配合
比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．２，０．５，０．３）で、
Ｃａ2+の置換量が０，１０，３０ｍｏｌ％における誘電
率の温度特性を図９に示す。表２１〜表２４からも明ら
かなように、［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］−［ＰｂＴ
ｉＯ3］−［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］よりなる３成
分系組成物において、Ｐｂ2+イオンをＣａ2+イオンで
０．０１〜３０ｍｏｌ％置換した本発明の磁器組成物は
高い誘電率を保持し、かつ誘電率の温度による変化が小
さくＥＩＡ規格のＹ５Ｕ特性（−３０℃〜８５℃：＋２
２％，−５６％）、あるいはＹ５Ｔ特性（−３０℃〜８
５℃：＋２２％，−３３％）を満足することが可能であ
る。さらに本発明の磁器組成物は、１０５０℃以下の低
い温度で焼結できるため積層セラミックコンデンサの内
部電極に安価な銀・パラジウム合金を用いることができ
る。
【００４７】
【表２１】
【００４８】
【表２２】
【００４９】
【表２３】
【００５０】
【表２４】
【００５１】実施例１０ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、ｘ＝０．３、ｙ＝０．５、ｚ＝０．２とし
てＰｂ2+をＣａ2+で１０ｍｏｌ％置換した組成物を選択
し、実施例９で示した方法と同様にして誘電体粉末を作
製した。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、
有機バインダと混練してスラリ―を作製し、スラリ―を
通常のドクタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さに成
膜した。さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極ペ―
ストを印刷し、打ち抜いた後、積層、熱プレスを行って
得た積層体を所定の形状に切断することによってコンデ
ンサのグリ―ンチップを作製した。グリ―ンチップを所
定の温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀ペ―
ストで外部電極を被着、形成した。以上のようにして作
製した積層セラミックコンデンサにデジタルマルチメ―
タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加した状態で室温
で容量を測定した。測定結果を図１０に示した。
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、ｘ＝０．３、ｙ＝０．５、ｚ＝０．２とし
てＰｂ2+をＣａ2+で１０ｍｏｌ％置換した組成物を選択
し、実施例９で示した方法と同様にして誘電体粉末を作
製した。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、
有機バインダと混練してスラリ―を作製し、スラリ―を
通常のドクタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さに成
膜した。さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極ペ―
ストを印刷し、打ち抜いた後、積層、熱プレスを行って
得た積層体を所定の形状に切断することによってコンデ
ンサのグリ―ンチップを作製した。グリ―ンチップを所
定の温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀ペ―
ストで外部電極を被着、形成した。以上のようにして作
製した積層セラミックコンデンサにデジタルマルチメ―
タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加した状態で室温
で容量を測定した。測定結果を図１０に示した。
【００５２】比較例５ ［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、ｘ＝０．３、ｙ＝０．４、ｚ＝０．３とし
てＰｂ2+の置換を行わない組成物を用いて実施例１０で
示した方法でコンデンサを作製し、同様の方法で直流バ
イアス印加時の容量を測定した。測定結果を実施例１０
の結果と同時に図１０に示した。図１０に示したよう
に、比較例で示した組成の磁器組成物を用いたコンデン
サは直流バイアス印加時の容量減少が大きい。それに対
してＰｂ2+イオンをＣａ2+で置換した本発明の磁器組成
物を用いたコンデンサは、Ｐｂ2+イオンを置換しない組
成物を用いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れ
ていることがわかる。
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］zという組成式で表される主組
成において、ｘ＝０．３、ｙ＝０．４、ｚ＝０．３とし
てＰｂ2+の置換を行わない組成物を用いて実施例１０で
示した方法でコンデンサを作製し、同様の方法で直流バ
イアス印加時の容量を測定した。測定結果を実施例１０
の結果と同時に図１０に示した。図１０に示したよう
に、比較例で示した組成の磁器組成物を用いたコンデン
サは直流バイアス印加時の容量減少が大きい。それに対
してＰｂ2+イオンをＣａ2+で置換した本発明の磁器組成
物を用いたコンデンサは、Ｐｂ2+イオンを置換しない組
成物を用いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れ
ていることがわかる。
【００５３】なお、本発明の主組成の特許請求範囲外の
組成ではキュリ―点が室温よりも著しく低温側、あるい
は高温側に片寄るために室温での誘電率が低くなる、実
用温度範囲での誘電率の温度特性が悪くなるという弊害
が現れる。またマンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ
2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の添加量を特許請求範囲外にする
と、ディプレス効果が大きすぎて容量が小さくなる、あ
るいは抗折強度が低くなるという弊害が現れるためコン
デンサ用の磁器組成物としては適さなくなる。またＬａ
3+の置換量を特許請求範囲外にすると、ディプレス効果
が大きすぎて容量が小さくなる、キュリ―点が室温から
大きく外れて室温での誘電率が小さくなる、あるいは焼
成可能温度が高くなって１０５０〜１１００℃では焼成
不足になり比抵抗が低下するためコンデンサ用の磁器組
成物としては適さなくなる。またＣａ2+の置換量を特許
請求範囲外にすると、ディプレス効果が大きすぎて容量
が小さくなる、キュリ―点が室温から大きく外れて室温
での誘電率が小さくなる、あるいは焼成可能温度が高く
なって１０５０℃では焼成不足になり、比抵抗が低下す
るため、コンデンサ用の磁器組成物としては適さなくな
る。
組成ではキュリ―点が室温よりも著しく低温側、あるい
は高温側に片寄るために室温での誘電率が低くなる、実
用温度範囲での誘電率の温度特性が悪くなるという弊害
が現れる。またマンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ
2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の添加量を特許請求範囲外にする
と、ディプレス効果が大きすぎて容量が小さくなる、あ
るいは抗折強度が低くなるという弊害が現れるためコン
デンサ用の磁器組成物としては適さなくなる。またＬａ
3+の置換量を特許請求範囲外にすると、ディプレス効果
が大きすぎて容量が小さくなる、キュリ―点が室温から
大きく外れて室温での誘電率が小さくなる、あるいは焼
成可能温度が高くなって１０５０〜１１００℃では焼成
不足になり比抵抗が低下するためコンデンサ用の磁器組
成物としては適さなくなる。またＣａ2+の置換量を特許
請求範囲外にすると、ディプレス効果が大きすぎて容量
が小さくなる、キュリ―点が室温から大きく外れて室温
での誘電率が小さくなる、あるいは焼成可能温度が高く
なって１０５０℃では焼成不足になり、比抵抗が低下す
るため、コンデンサ用の磁器組成物としては適さなくな
る。
【００５４】
【発明の効果】本発明の磁器組成物は、マンガンニオブ
酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］、ランタン
イオン（Ｌａ3+）またはカルシウムイオン（Ｃａ2+）を
添加することによって誘電率の温度依存性を小さくする
ことができる。さらに直流バイアス印加時の容量減少が
小さいという優れた特徴がある。したがって誘電率の温
度特性が優れ、かつ信頼性の高い積層セラミックコンデ
ンサを製造することが可能である。また焼成温度が１０
５０〜１１００℃以下であるのでコンデンサの内部電極
に銀リッチの銀−パラジウム合金を用いることができ、
内部電極のコストを低減させることが可能である。さら
に直流バイアス印加時の容量減少が比較的小さいので電
源の平滑用コンデンサのように直流バイアスを印加した
条件で使用される積層セラミックコンデンサにも適用す
ることができる。さらに、マンガンニオブ酸ランタンを
添加した場合には抗折強度が高いという特徴を有し、Ｌ
ａ3+またはＣａ2+を添加した場合には高い比抵抗の値を
もつという特徴を有している。
酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］、ランタン
イオン（Ｌａ3+）またはカルシウムイオン（Ｃａ2+）を
添加することによって誘電率の温度依存性を小さくする
ことができる。さらに直流バイアス印加時の容量減少が
小さいという優れた特徴がある。したがって誘電率の温
度特性が優れ、かつ信頼性の高い積層セラミックコンデ
ンサを製造することが可能である。また焼成温度が１０
５０〜１１００℃以下であるのでコンデンサの内部電極
に銀リッチの銀−パラジウム合金を用いることができ、
内部電極のコストを低減させることが可能である。さら
に直流バイアス印加時の容量減少が比較的小さいので電
源の平滑用コンデンサのように直流バイアスを印加した
条件で使用される積層セラミックコンデンサにも適用す
ることができる。さらに、マンガンニオブ酸ランタンを
添加した場合には抗折強度が高いという特徴を有し、Ｌ
ａ3+またはＣａ2+を添加した場合には高い比抵抗の値を
もつという特徴を有している。
【図１】主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５，
０．３，０．２）で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ
（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の添加量が０，１０ｍｏｌ％
における誘電率の温度特性を示す図である。
０．３，０．２）で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ
（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の添加量が０，１０ｍｏｌ％
における誘電率の温度特性を示す図である。
【図２】主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．２，
０．４，０．４）で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ
（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の添加量が０，１０ｍｏｌ％
における誘電率の温度特性を示す図である。
０．４，０．４）で、マンガンニオブ酸ランタン［Ｌａ
（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］の添加量が０，１０ｍｏｌ％
における誘電率の温度特性を示す図である。
【図３】実施例３、比較例１で測定した直流バイアス印
加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの１層
当たりの直流電界強度に対してプロットした図である。
加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの１層
当たりの直流電界強度に対してプロットした図である。
【図４】実施例４、比較例２で測定した直流バイアス印
加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの１層
当たりの直流電界強度に対してプロットした図である。
加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの１層
当たりの直流電界強度に対してプロットした図である。
【図５】主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５，
０．３，０．２）で、Ｌａ3+の置換量が０，１０，３０
ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図である。
０．３，０．２）で、Ｌａ3+の置換量が０，１０，３０
ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図である。
【図６】主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．２，
０．５，０．３）で、Ｌａ3+の置換量が０，１０，３０
ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図である。
０．５，０．３）で、Ｌａ3+の置換量が０，１０，３０
ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図である。
【図７】実施例７、比較例３で測定した直流バイアス印
加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの１層
当たりの直流電界強度に対してプロットした図である。
加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの１層
当たりの直流電界強度に対してプロットした図である。
【図８】実施例８、比較例４で測定した直流バイアス印
加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの１層
当たりの直流電界強度に対してプロットした図である。
加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの１層
当たりの直流電界強度に対してプロットした図である。
【図９】主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．２，
０．５，０．３）で、Ｃａ2+の置換量が０，１０，３０
ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図である。
０．５，０．３）で、Ｃａ2+の置換量が０，１０，３０
ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図である。
【図１０】実施例１０、比較例５で測定した直流バイア
ス印加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの
１層当たりの直流電界強度に対してプロットした図であ
る。
ス印加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの
１層当たりの直流電界強度に対してプロットした図であ
る。
【図１１】本発明の主成分組成範囲を示すＰｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴ
ｉＯ3３成分組成図である。
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴ
ｉＯ3３成分組成図である。
【図１２】本発明の主成分組成範囲を示すＰｂ（Ｍｇ
1/2Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3３成分組成図である。
1/2Ｗ1/2）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3３成分組成図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］
からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉ
Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、
この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてマンガンニオブ
酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を０．０１
〜１０ｍｏｌ％添加することを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項２】 マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ
（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］お
よびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ
3］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）
Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、
この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてマンガンニオブ
酸ランタン［Ｌａ（Ｍｎ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3］を０．０１
〜１０ｍｏｌ％添加することを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項３】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］
からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉ
Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、
この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛イオン（Ｐｂ2+）をランタン
イオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換するこ
とを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項４】 マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ
（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］お
よびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ
3］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）
Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、
この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物の鉛イオン（Ｐｂ2+）をランタン
イオン（Ｌａ3+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置換するこ
とを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項５】 マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ
（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］お
よびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ
3］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）
Ｏ3］x［ＰｂＴｉＯ3］y［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、
この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１） （ｘ＝０．３９， ｙ＝０．６０， ｚ＝０．０１） （ｘ＝０．０５， ｙ＝０．５５， ｚ＝０．４０） （ｘ＝０．０６， ｙ＝０．２４， ｚ＝０．７０） の各点を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲
にある主成分組成物において、Ａサイトの鉛イオン（Ｐ
ｂ2+）をカルシウムイオン（Ｃａ2+）で０．０１〜３０
ｍｏｌ％置換したことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/865,276 US5219810A (en) | 1991-04-12 | 1992-04-08 | Ceramic composition |
| TW081102781A TW202423B (ja) | 1991-04-12 | 1992-04-10 | |
| KR1019920006087A KR0165557B1 (ko) | 1991-04-12 | 1992-04-11 | 자기 조성물 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10646791 | 1991-04-12 | ||
| JP3-106467 | 1991-04-12 | ||
| JP3-106468 | 1991-04-12 | ||
| JP10646891 | 1991-04-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0554720A true JPH0554720A (ja) | 1993-03-05 |
| JPH0746529B2 JPH0746529B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=26446578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3337865A Expired - Fee Related JPH0746529B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-11-28 | 磁器組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746529B2 (ja) |
| KR (1) | KR0165557B1 (ja) |
| TW (1) | TW202423B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116282950A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-06-23 | 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 | 一种多元光学镀膜材料、制备方法及其应用 |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP3337865A patent/JPH0746529B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-10 TW TW081102781A patent/TW202423B/zh active
- 1992-04-11 KR KR1019920006087A patent/KR0165557B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116282950A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-06-23 | 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 | 一种多元光学镀膜材料、制备方法及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0165557B1 (ko) | 1998-12-15 |
| KR920019702A (ko) | 1992-11-19 |
| TW202423B (ja) | 1993-03-21 |
| JPH0746529B2 (ja) | 1995-05-17 |
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