JPH0610100B2 - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPH0610100B2 JPH0610100B2 JP2014797A JP1479790A JPH0610100B2 JP H0610100 B2 JPH0610100 B2 JP H0610100B2 JP 2014797 A JP2014797 A JP 2014797A JP 1479790 A JP1479790 A JP 1479790A JP H0610100 B2 JPH0610100 B2 JP H0610100B2
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は磁器組成物に関し、特に誘電率および絶縁抵抗
が高く、誘電損失が小さく、かつ1050℃以下の温度で焼
結可能な磁器組成物に関するものである。
が高く、誘電損失が小さく、かつ1050℃以下の温度で焼
結可能な磁器組成物に関するものである。
[従来の技術] 従来、高誘電率系磁器組成物としてチタン酸バリウム
(BaTiO3)系がよく知られており、チタン酸カル
シウム[CaTiO3]、チタン酸鉛[PbTiO3]
などを添加、置換することにより温度特性の改善を図っ
ている。
(BaTiO3)系がよく知られており、チタン酸カル
シウム[CaTiO3]、チタン酸鉛[PbTiO3]
などを添加、置換することにより温度特性の改善を図っ
ている。
[発明が解決しようとする課題] 従来の材料で温度変化率の小さい材料を実現した場合、
得られる誘電率はせいぜい2000程度にすぎず、コンデン
サ用の材料としては小さすぎる。近年、低温で焼結し、
かつ誘電率が高く温度変化率の小さい材料として鉛系複
合ペロブスカイト化合物が報告されている。マグネシウ
ム・ニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]、ニッ
ケル・ニオブ酸鉛[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]およ
びチタン酸鉛[PbTiO3]からなる3成分組成物
は、誘電率が20000以上もあり、温度変化率も比較的小
さいが、1100℃以上の高温でなければ焼結できないとう
欠点がある。また、上記の3成分組成物にマンガン・ニ
オブ酸鉛[Pb(Mn1/3Nb2/3)O3]を添加した組
成物は誘電率が12000以上もあるが、1150℃以上の高温
でなければ焼結できないという欠点がある。
得られる誘電率はせいぜい2000程度にすぎず、コンデン
サ用の材料としては小さすぎる。近年、低温で焼結し、
かつ誘電率が高く温度変化率の小さい材料として鉛系複
合ペロブスカイト化合物が報告されている。マグネシウ
ム・ニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]、ニッ
ケル・ニオブ酸鉛[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]およ
びチタン酸鉛[PbTiO3]からなる3成分組成物
は、誘電率が20000以上もあり、温度変化率も比較的小
さいが、1100℃以上の高温でなければ焼結できないとう
欠点がある。また、上記の3成分組成物にマンガン・ニ
オブ酸鉛[Pb(Mn1/3Nb2/3)O3]を添加した組
成物は誘電率が12000以上もあるが、1150℃以上の高温
でなければ焼結できないという欠点がある。
以上のことから、コンデンサを製造するときに内部電極
として安価な銀・パラジウム合金は使用できない。
として安価な銀・パラジウム合金は使用できない。
本発明は以上述べたような従来の課題を解決するために
なされたもので、上記の3成分組成物の優れた特性を満
足し、かつ1050℃以下で焼結可能な磁器組成物を提供す
ることにある。
なされたもので、上記の3成分組成物の優れた特性を満
足し、かつ1050℃以下で焼結可能な磁器組成物を提供す
ることにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、マグネシウム・ニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3
Nb2/3)O3]、ニッケル・ニオブ酸鉛[Pb(Ni
1/3Nb2/3)O3]およびチタン酸鉛[PbTiO3]
からなる3成分組成物を[Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3]x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTi
O3]z(ただしx+y+z=1.0)と表現したとき、
この3成分組成図において、以下の組成点、 (x=0.10,y=0.70,z=0.20)…(a) (x=0.15,y=0.60,z=0.25)…(b) (x=0.15,y=0.70,z=0.15)…(c) (x=0.40,y=0.35,z=0.25)…(d) (x=0.60,y=0.20,z=0.20)…(e) (x=0.70,y=0.20,z=0.10)…(f) (x=0.50,y=0.40,z=0.10)…(g) の各点を結ぶ線上、およびこの7点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分として銀[Ag]を0.
01〜2.0重量%添加したことを特徴とする磁器組成物、
および上記の主成分組成物に、第1副成分としてマンガ
ン・ニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]を0.01
〜10mol%、第2副成分として銀[Ag]を0.01〜2.0重
量%添加したことを特徴とする磁器組成物、および上記
の主成分組成物に、第1副成分としてマンガン[Mn]
および/またはニオブ[Nb]を主成分に対して0.01〜
3mol%、第2副成分として銀[Ag]を0.01〜2.0重量
%添加したことを特徴とする磁器組成物である。
Nb2/3)O3]、ニッケル・ニオブ酸鉛[Pb(Ni
1/3Nb2/3)O3]およびチタン酸鉛[PbTiO3]
からなる3成分組成物を[Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3]x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTi
O3]z(ただしx+y+z=1.0)と表現したとき、
この3成分組成図において、以下の組成点、 (x=0.10,y=0.70,z=0.20)…(a) (x=0.15,y=0.60,z=0.25)…(b) (x=0.15,y=0.70,z=0.15)…(c) (x=0.40,y=0.35,z=0.25)…(d) (x=0.60,y=0.20,z=0.20)…(e) (x=0.70,y=0.20,z=0.10)…(f) (x=0.50,y=0.40,z=0.10)…(g) の各点を結ぶ線上、およびこの7点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分として銀[Ag]を0.
01〜2.0重量%添加したことを特徴とする磁器組成物、
および上記の主成分組成物に、第1副成分としてマンガ
ン・ニオブ酸鉛[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]を0.01
〜10mol%、第2副成分として銀[Ag]を0.01〜2.0重
量%添加したことを特徴とする磁器組成物、および上記
の主成分組成物に、第1副成分としてマンガン[Mn]
および/またはニオブ[Nb]を主成分に対して0.01〜
3mol%、第2副成分として銀[Ag]を0.01〜2.0重量
%添加したことを特徴とする磁器組成物である。
本発明における主成分組成範囲を表す3成分組成物は第
1図で示される。図中、(a)〜(g)は各組成点を表し、本
発明に含まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲およびそ
の境界線上である。
1図で示される。図中、(a)〜(g)は各組成点を表し、本
発明に含まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲およびそ
の境界線上である。
[実施例] 以下、本発明の実施例について詳細に説明する。実施例
1〜35、比較例1〜19 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化マグネシウム
(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ニッケル
(NiO)、酸化チタン(TiO2)および銀(Ag)
を使用し、第1表に示した配合比となるように各々秤量
する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合し
たのち750〜800℃で仮焼を行い、この粉末をボールミル
で粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整粒後
プレスし、直径約16mm、厚さ約2mmの円板2枚と、直径
約16mm、厚さ約10mmの円柱を作製した。次にこれらの組
成範囲の試料を950〜1100℃の温度で1時間焼成を行っ
た。
1〜35、比較例1〜19 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化マグネシウム
(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ニッケル
(NiO)、酸化チタン(TiO2)および銀(Ag)
を使用し、第1表に示した配合比となるように各々秤量
する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合し
たのち750〜800℃で仮焼を行い、この粉末をボールミル
で粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整粒後
プレスし、直径約16mm、厚さ約2mmの円板2枚と、直径
約16mm、厚さ約10mmの円柱を作製した。次にこれらの組
成範囲の試料を950〜1100℃の温度で1時間焼成を行っ
た。
焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密度を求めた。
次に、円板の上下面に600℃で銀電極を焼き付け、デジ
タルLCRメータで周波数1kHz、電圧1Vr.m.s、室温
で容量と誘電損失を測定し、誘電率を求めた。
次に、円板の上下面に600℃で銀電極を焼き付け、デジ
タルLCRメータで周波数1kHz、電圧1Vr.m.s、室温
で容量と誘電損失を測定し、誘電率を求めた。
次に、絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分間印加して、絶縁
抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして得ら
れた磁器の主成分[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]
zの配合比x、y、zおよび副成分添加量と、密度、誘
電率、誘電損失および比抵抗の関係を第1表に示す。
抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして得ら
れた磁器の主成分[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]
zの配合比x、y、zおよび副成分添加量と、密度、誘
電率、誘電損失および比抵抗の関係を第1表に示す。
第1表からも明らかなように、Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO33成
分系組成物に副成分である銀(Ag)を主成分に対して
0.01〜2.0重量%添加した本発明の磁器組成物は、高い
誘電率、比抵抗を保持し、1000゜℃以下の低い温度で焼
結し、積層セラミックコンデンサ用磁器組成物として優
れた材料を提供するものである。
O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO33成
分系組成物に副成分である銀(Ag)を主成分に対して
0.01〜2.0重量%添加した本発明の磁器組成物は、高い
誘電率、比抵抗を保持し、1000゜℃以下の低い温度で焼
結し、積層セラミックコンデンサ用磁器組成物として優
れた材料を提供するものである。
実施例36〜60、比較例20〜49 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化マグネシウム
(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ニッケル
(NiO)、酸化チタン(TiO2)、炭酸マンガン
(MnCO3)および銀(Ag)を使用し、第2表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合したのち800〜850℃で仮
焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約16m
m、厚さ約2mmの円板2枚と、直径約16mm、厚さ約10mm
の円柱を作製した。次にこれらの組成範囲の試料を1050
〜1200℃の温度で1時間焼成を行った。
(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ニッケル
(NiO)、酸化チタン(TiO2)、炭酸マンガン
(MnCO3)および銀(Ag)を使用し、第2表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合したのち800〜850℃で仮
焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約16m
m、厚さ約2mmの円板2枚と、直径約16mm、厚さ約10mm
の円柱を作製した。次にこれらの組成範囲の試料を1050
〜1200℃の温度で1時間焼成を行った。
焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密度を求めた。
次に、円板の上下面に600℃で銀電極を焼き付け、デジ
タルLCRメータで周波数1kHz、電圧1Vr.m.s、室温
で容量と誘電損失を測定し、誘電率およびその変化率を
求めた。
次に、円板の上下面に600℃で銀電極を焼き付け、デジ
タルLCRメータで周波数1kHz、電圧1Vr.m.s、室温
で容量と誘電損失を測定し、誘電率およびその変化率を
求めた。
次に、絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分間印加して、絶縁
抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして得ら
れた磁器の主成分[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]
zの配合比x、y、zおよび副成分添加量と密度、誘電
率、誘電損失および比抵抗の関係を第2表に示す。
抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして得ら
れた磁器の主成分[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]
zの配合比x、y、zおよび副成分添加量と密度、誘電
率、誘電損失および比抵抗の関係を第2表に示す。
第2表からも明らかなように、Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO33成
分系組成物に第1副成分であるマンガン・ニオブ酸鉛
[Pb(Mn1/3Nb2/3)O3]を0.01〜10mol%、第
2副成分である銀(Ag)を主成分に対して0.01〜2.0
重量%添加した本発明の磁器組成物は、高い誘電率、比
抵抗を保持し、かつ1050℃以下の低い温度で焼結し、積
層セラミックコンデンサ用磁器組成物として優れた材料
を提供するものである。
O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO33成
分系組成物に第1副成分であるマンガン・ニオブ酸鉛
[Pb(Mn1/3Nb2/3)O3]を0.01〜10mol%、第
2副成分である銀(Ag)を主成分に対して0.01〜2.0
重量%添加した本発明の磁器組成物は、高い誘電率、比
抵抗を保持し、かつ1050℃以下の低い温度で焼結し、積
層セラミックコンデンサ用磁器組成物として優れた材料
を提供するものである。
実施例61〜97、比較例50〜104 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化マグネシウム
(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ニッケル
(NiO)、酸化チタン(TiO2)、炭酸マンガン
(MnCO3)および銀(Ag)を使用し、第3表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合したのち800〜850℃で仮
焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約16m
m、厚さ約2mmの円板2枚と、直径約16mm、厚さ約10mm
の円柱を作製した。次にこれらの組成範囲の試料を1050
〜1200℃の温度で1時間焼成を行った。
(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ニッケル
(NiO)、酸化チタン(TiO2)、炭酸マンガン
(MnCO3)および銀(Ag)を使用し、第3表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合したのち800〜850℃で仮
焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約16m
m、厚さ約2mmの円板2枚と、直径約16mm、厚さ約10mm
の円柱を作製した。次にこれらの組成範囲の試料を1050
〜1200℃の温度で1時間焼成を行った。
焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密度を求めた。
次に、円板の上下面に600℃で銀電極を焼き付け、デジ
タルLCRメータで周波数1kHz、電圧1Vr.m.s、室温
で容量と誘電損失を測定し、誘電率を求めた。
次に、円板の上下面に600℃で銀電極を焼き付け、デジ
タルLCRメータで周波数1kHz、電圧1Vr.m.s、室温
で容量と誘電損失を測定し、誘電率を求めた。
次に、絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分間印加して、絶縁
抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして得ら
れた磁器の主成分[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]
zの配合比x、y、zおよび副成分添加量と、密度、誘
電率、誘電損失および比抵抗の関係を第3表に示す。
抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして得ら
れた磁器の主成分[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]
x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y[PbTiO3]
zの配合比x、y、zおよび副成分添加量と、密度、誘
電率、誘電損失および比抵抗の関係を第3表に示す。
第2表からも明らかなように、Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO33成
分系組成物に第1副成分としてマンガン(Mn)、ニオ
ブ(Nb)の中から少なくとも一種以上の元素を主成分
に対して0.02〜3mol%、第2副成分として銀(Ag)
を主成分に対して0.01〜2.0重量%添加した本発明の磁
器組成物は、高い誘電率、比抵抗を保持し、かつ1050℃
以下の低い温度で焼結し、積層セラミックコンデンサ用
磁器組成物として優れた材料を提供するものである。な
お、実施例では、第1副成分としてマンガンまたはニオ
ブを用いたが、この両成分をともに用いても同様の効果
が得られた。
O3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3−PbTiO33成
分系組成物に第1副成分としてマンガン(Mn)、ニオ
ブ(Nb)の中から少なくとも一種以上の元素を主成分
に対して0.02〜3mol%、第2副成分として銀(Ag)
を主成分に対して0.01〜2.0重量%添加した本発明の磁
器組成物は、高い誘電率、比抵抗を保持し、かつ1050℃
以下の低い温度で焼結し、積層セラミックコンデンサ用
磁器組成物として優れた材料を提供するものである。な
お、実施例では、第1副成分としてマンガンまたはニオ
ブを用いたが、この両成分をともに用いても同様の効果
が得られた。
なお、本発明の主成分の範囲以外および副成分添加量以
外では焼結温度が高くなったり、誘電率、比抵抗が低下
し、実用的でないため、前述のように限定される。
外では焼結温度が高くなったり、誘電率、比抵抗が低下
し、実用的でないため、前述のように限定される。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の磁器組成物は誘電率、比
抵抗の値が高く、良好な誘電損失の値を持ち、かつ低い
温度で焼結が可能である。このため、本発明の磁器組成
物を用いれば積層セラミックコンデンサの内部電極に安
価な銀−パラジウムを用いることができる等の効果を有
する。
抵抗の値が高く、良好な誘電損失の値を持ち、かつ低い
温度で焼結が可能である。このため、本発明の磁器組成
物を用いれば積層セラミックコンデンサの内部電極に安
価な銀−パラジウムを用いることができる等の効果を有
する。
第1図は本発明の主成分組成範囲を示す3成分組成物で
ある。
ある。
Claims (3)
- 【請求項1】マグネシウム・ニオブ酸鉛[Pb(Mg
1/3Nb2/3)O3]、ニッケル・ニオブ酸鉛[Pb(N
i1/3Nb2/3)O3]およびチタン酸鉛[PbTi
O3]からなる3成分組成物を[Pb(Mg1/3N
b2/3)O3]x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]
y[PbTiO3]z(ただしx+y+z=1.0)と表
現したとき、この3成分組成図において、以下の組成
点、 (x=0.10,y=0.70,z=0.20) (x=0.15,y=0.60,z=0.25) (x=0.15,y=0.70,z=0.15) (x=0.40,y=0.35,z=0.25) (x=0.60,y=0.20,z=0.20) (x=0.70,y=0.20,z=0.10) (x=0.50,y=0.40,z=0.10) の各点を結ぶ線上、およびこの7点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分として銀[Ag]を0.
01〜2.0重量%添加したことを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項2】マグネシウム・ニオブ酸鉛[Pb(Mg
1/3Nb2/3)O3]、ニッケル・ニオブ酸鉛[Pb(N
i1/3Nb2/3)O3]およびチタン酸鉛[PbTi
O3]からなる3成分組成物を[Pb(Mg1/3N
b2/3)O3]x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]
y[PbTiO3]z(ただしx+y+z=1.0)と表
現したとき、この3成分組成図において、以下の組成
点、 (x=0.10,y=0.70,z=0.20) (x=0.15,y=0.60,z=0.25) (x=0.15,y=0.70,z=0.15) (x=0.40,y=0.35,z=0.25) (x=0.60,y=0.20,z=0.20) (x=0.70,y=0.20,z=0.10) (x=0.50,y=0.40,z=0.10) の各点を結ぶ線上、およびこの7点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、第1副成分としてマンガン・
ニオブ酸鉛[Pb(Mn1/3Nb2/3)O3]を0.01〜10
mol%、第2副成分として銀[Ag]を0.01〜2.0重量%
添加したことを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項3】マグネシウム・ニオブ酸鉛[Pb(Mg
1/3Nb2/3)O3]、ニッケル・ニオブ酸鉛[Pb(N
i1/3Nb2/3)O3]およびチタン酸鉛[PbTi
O3]からなる3成分組成物を[Pb(Mg1/3N
b2/3)O3]x[Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]
y[PbTiO3]z(ただしx+y+z=1.0)と表
現したとき、この3成分組成図において、以下の組成
点、 (x=0.10,y=0.70,z=0.20) (x=0.15,y=0.60,z=0.25) (x=0.15,y=0.70,z=0.15) (x=0.40,y=0.35,z=0.25) (x=0.60,y=0.20,z=0.20) (x=0.70,y=0.20,z=0.10) (x=0.50,y=0.40,z=0.10) の各点を結ぶ線上、およびこの7点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、第1副成分としてマンガン
[Mn]および/またはニオブ[Nb]を主成分に対し
て0.01〜3mol%、第2副成分として銀[Ag]を0.01
〜2.0重量%添加したことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014797A JPH0610100B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014797A JPH0610100B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03223149A JPH03223149A (ja) | 1991-10-02 |
| JPH0610100B2 true JPH0610100B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=11871043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014797A Expired - Fee Related JPH0610100B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610100B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5935485A (en) * | 1996-10-31 | 1999-08-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Piezoelectric material and piezoelectric element |
| CN100449813C (zh) * | 2006-10-24 | 2009-01-07 | 北京科技大学 | 一种功能梯度结构的压电驱动器件及其制备方法 |
| CN114804872A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-29 | 杭州瑞声海洋仪器有限公司 | 一种高居里温度高稳定性偏铌酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法 |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP2014797A patent/JPH0610100B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03223149A (ja) | 1991-10-02 |
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