JPH0555170A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0555170A JPH0555170A JP21492191A JP21492191A JPH0555170A JP H0555170 A JPH0555170 A JP H0555170A JP 21492191 A JP21492191 A JP 21492191A JP 21492191 A JP21492191 A JP 21492191A JP H0555170 A JPH0555170 A JP H0555170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- substrate
- microwave
- electron cyclotron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子サイクロトロン共鳴を用いたプラズマを利
用して基板を処理する装置において、プラズマ発生室を
空洞共振器構造とすることなく、導波管から導入される
マイクロ波を効率良く吸収し、均一に高密度なプラズマ
を生成する。 【構成】プラズマ生成室１内の磁場分布をメインコイル
３ａおよびサブコイル３ｂにより均一にし、均一な平面
状の電子サイクロトロン共鳴点９を形成し、プラズマ発
生室１と基板処理室２とを合わせて一室化し、電子サイ
クロトロン共鳴点９において基板１５のプラズマ処理を
行う構造を有する。
用して基板を処理する装置において、プラズマ発生室を
空洞共振器構造とすることなく、導波管から導入される
マイクロ波を効率良く吸収し、均一に高密度なプラズマ
を生成する。 【構成】プラズマ生成室１内の磁場分布をメインコイル
３ａおよびサブコイル３ｂにより均一にし、均一な平面
状の電子サイクロトロン共鳴点９を形成し、プラズマ発
生室１と基板処理室２とを合わせて一室化し、電子サイ
クロトロン共鳴点９において基板１５のプラズマ処理を
行う構造を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子サイクロトロン共
鳴現象を利用して生成したプラズマを用いて、基板表面
のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行う製造プロセ
スに使用するマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
鳴現象を利用して生成したプラズマを用いて、基板表面
のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行う製造プロセ
スに使用するマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置として、例えば、図
２の正面断面図に示す特開昭５６−１５５５３５号公報
掲載の構造が知られている。このマイクロ波プラズマ処
理装置は、空芯ソレノイドコイル３を用いて所定の強さ
の磁場が印加されたプラズマ発生室１内に、マイクロ波
電源６より導波管５及びマイクロ波導入窓４を経由して
マイクロ波を導入し、電子サイクロトロン共鳴点９にお
いて共鳴現象をおこし、これにより発生したエネルギー
でガス導入口７から導入したガスをプラズマ化し、この
プラズマを前記磁場の作る発散磁界によってプラズマ引
き出し窓１４から基板処理室２に引き出し、そのイオン
衝撃効果によってウェハー設置電極である基板ホルダー
１０上に載置した基板１５をエッチングするものであ
る。
２の正面断面図に示す特開昭５６−１５５５３５号公報
掲載の構造が知られている。このマイクロ波プラズマ処
理装置は、空芯ソレノイドコイル３を用いて所定の強さ
の磁場が印加されたプラズマ発生室１内に、マイクロ波
電源６より導波管５及びマイクロ波導入窓４を経由して
マイクロ波を導入し、電子サイクロトロン共鳴点９にお
いて共鳴現象をおこし、これにより発生したエネルギー
でガス導入口７から導入したガスをプラズマ化し、この
プラズマを前記磁場の作る発散磁界によってプラズマ引
き出し窓１４から基板処理室２に引き出し、そのイオン
衝撃効果によってウェハー設置電極である基板ホルダー
１０上に載置した基板１５をエッチングするものであ
る。
【０００３】この方式では、磁場が不均一であり、その
ため磁場とマイクロ波とが電子サイクロトロン共鳴を行
う部分が局所的である。そこで、マイクロ波のプラズマ
への吸収効率も悪くなり、そのためプラズマ発生室をマ
イクロ波の空洞共振器構造に形成し、マイクロ波を共振
させ、定在波を生じさせることで吸収効率を上げてい
る。
ため磁場とマイクロ波とが電子サイクロトロン共鳴を行
う部分が局所的である。そこで、マイクロ波のプラズマ
への吸収効率も悪くなり、そのためプラズマ発生室をマ
イクロ波の空洞共振器構造に形成し、マイクロ波を共振
させ、定在波を生じさせることで吸収効率を上げてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の装
置では、プラズマ発生室が空洞共振器構造をとるため、
プラズマ発生室の径や長さがマイクロ波の波長により制
限されることになり、装置設計の自由度がないという欠
点があった。
置では、プラズマ発生室が空洞共振器構造をとるため、
プラズマ発生室の径や長さがマイクロ波の波長により制
限されることになり、装置設計の自由度がないという欠
点があった。
【０００５】本発明の目的は前記課題を解決したマイク
ロ波プラズマ処理装置を提供することにある。
ロ波プラズマ処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波プラ
ズマ処理装置は、プラズマ発生室と基板処理室とを合わ
せて一室化し、電子サイクロトロン共鳴点において基板
のプラズマ処理を行う構造を有する。
ズマ処理装置は、プラズマ発生室と基板処理室とを合わ
せて一室化し、電子サイクロトロン共鳴点において基板
のプラズマ処理を行う構造を有する。
【０００７】すなわち、本発明はプラズマ発生室内にお
いて磁場を均一にし、電子サイクロトロン共鳴点を平面
状に形成することによってマイクロ波の吸収効率を増加
させ、その結果、プラズマ発生室を空洞共振器構造にし
なくても、高密度なプラズマを生成することができる。
いて磁場を均一にし、電子サイクロトロン共鳴点を平面
状に形成することによってマイクロ波の吸収効率を増加
させ、その結果、プラズマ発生室を空洞共振器構造にし
なくても、高密度なプラズマを生成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の一実施例の断面図である。本実施
例は、電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを生成
するプラズマ発生室１と、基板処理室２とが互いに隣接
し一室化するように構成されている。このプラズマ発生
室１の直径は、８インチサイズの基板が搬送できる様に
２５０ｍｍになっている。このプラズマ発生室１は空洞
共振器構造にはなっておらず、そのため、高さは１０ｃ
ｍ程度あれば十分であり、小型のプラズマ発生室となっ
ている。
する。図１は本発明の一実施例の断面図である。本実施
例は、電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを生成
するプラズマ発生室１と、基板処理室２とが互いに隣接
し一室化するように構成されている。このプラズマ発生
室１の直径は、８インチサイズの基板が搬送できる様に
２５０ｍｍになっている。このプラズマ発生室１は空洞
共振器構造にはなっておらず、そのため、高さは１０ｃ
ｍ程度あれば十分であり、小型のプラズマ発生室となっ
ている。
【０００９】そして、この小型のプラズマ発生室の外周
には空芯ソレノイドコイル３あるいは永久磁石が周設さ
れている。また、このプラズマ発生室１には、プラズマ
を生成するためのガスを導入するガス導入口７を備える
とともに、石英ガラス、セラミックス等の絶縁膜からな
るマイクロ波導入窓４が設けられている。そして、この
導入窓４を介してマイクロ波電源６から導波管５を通し
て送られてきたマイクロ波８がプラズマ発生室１内に導
入されるようになっている。また、基板処理室２側には
排気口１２が設けてある。
には空芯ソレノイドコイル３あるいは永久磁石が周設さ
れている。また、このプラズマ発生室１には、プラズマ
を生成するためのガスを導入するガス導入口７を備える
とともに、石英ガラス、セラミックス等の絶縁膜からな
るマイクロ波導入窓４が設けられている。そして、この
導入窓４を介してマイクロ波電源６から導波管５を通し
て送られてきたマイクロ波８がプラズマ発生室１内に導
入されるようになっている。また、基板処理室２側には
排気口１２が設けてある。
【００１０】プラズマ発生室１内は、一様な磁場が形成
されており、２．４５ＧＨｚのマイクロ波に対しては、
８７５Ｇ（ガウス）の位置で電子サイクロトロン共鳴を
おこす。従ってプラズマ発生室１内で均一な平面状の８
７５Ｇの等磁場面を形成するために、空芯ソレノイドコ
イルはそれぞれ独立した２つのメインコイル３ａとサブ
コイル３ｂとからなり、この２つのコイルの電流値を制
御することによって磁界を生成している。また、基板１
５への高周波バイアス電源１１をマッチングネットワー
ク１３でコントロールしている。
されており、２．４５ＧＨｚのマイクロ波に対しては、
８７５Ｇ（ガウス）の位置で電子サイクロトロン共鳴を
おこす。従ってプラズマ発生室１内で均一な平面状の８
７５Ｇの等磁場面を形成するために、空芯ソレノイドコ
イルはそれぞれ独立した２つのメインコイル３ａとサブ
コイル３ｂとからなり、この２つのコイルの電流値を制
御することによって磁界を生成している。また、基板１
５への高周波バイアス電源１１をマッチングネットワー
ク１３でコントロールしている。
【００１１】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、マイクロ波
プラズマ処理装置において、プラズマ発生室内に均一な
磁場形成により均一な電子サイクロトロン共鳴点を形成
することによって、プラズマ発生室を空洞共振器構造と
しなくても高密度なプラズマが生成できる。
プラズマ処理装置において、プラズマ発生室内に均一な
磁場形成により均一な電子サイクロトロン共鳴点を形成
することによって、プラズマ発生室を空洞共振器構造と
しなくても高密度なプラズマが生成できる。
【図１】本発明の一実施例を示す正面断面図である。
【図２】従来のマイクロ波プラズマ処理装置の正面断面
図である。
図である。
１ プラズマ発生室 ２ 基板処理室 ３ 空芯ソレノイドコイル ３ａ メインコイル ３ｂ サブコイル ４ マイクロ波導入窓 ５ 導波管 ６ マイクロ波電源 ７ ガス導入口 ８ マイクロ波 ９ 電子サイクロトロン共鳴点 １０ 基板ホルダー １１ 高周波バイアス電源 １２ 排気口 １３ マッチングネットワーク １４ プラズマ引き出し窓 １５ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波により発生する電場とこの電
場に直交する磁場とによって起る電子サイクロトロン共
鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し基板のプラズ
マ処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置において、プ
ラズマ発生室と基板処理室とを合わせて一室化し、電子
サイクロトロン共鳴点において基板のプラズマ処理を行
うことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21492191A JPH0555170A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21492191A JPH0555170A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555170A true JPH0555170A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16663787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21492191A Pending JPH0555170A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555170A (ja) |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21492191A patent/JPH0555170A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920002864B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 그 장치 | |
| KR940008368B1 (ko) | 마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치 | |
| US5173641A (en) | Plasma generating apparatus | |
| JPH06224154A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2631650B2 (ja) | 真空装置 | |
| JP3254069B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| KR930005012B1 (ko) | 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치 | |
| JP2000323463A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| WO2000015867A1 (en) | A method and apparatus for launching microwave energy into a plasma processing chamber | |
| JP2000317303A (ja) | プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法 | |
| JP2567892B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0555170A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2595128B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2709162B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2920852B2 (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
| JP2000174009A (ja) | プラズマ処理装置及び半導体製造装置並びに液晶製造装置 | |
| JPH0221296B2 (ja) | ||
| JP2634910B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH0831443B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3071450B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH09161993A (ja) | ２重コイルを用いた多段コイルを有するプラズマ処理装置及び方法 | |
| JP2000277492A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体製造方法 | |
| JPH04304630A (ja) | マイクロ波プラズマ生成装置 | |
| JP2913121B2 (ja) | Ｅｃｒプラズマ発生装置 | |
| JPH0390577A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 |