JPH0555180A - 大型基板用リフトオフ装置とその調整方法 - Google Patents

大型基板用リフトオフ装置とその調整方法

Info

Publication number
JPH0555180A
JPH0555180A JP21768491A JP21768491A JPH0555180A JP H0555180 A JPH0555180 A JP H0555180A JP 21768491 A JP21768491 A JP 21768491A JP 21768491 A JP21768491 A JP 21768491A JP H0555180 A JPH0555180 A JP H0555180A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lift
tank
sound pressure
substrate
stripping solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP21768491A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazumasa Nomura
和正 野村
Mari Hodate
真理 甫立
Kazuhiro Watanabe
和広 渡辺
Atsuyuki Hoshino
淳之 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP21768491A priority Critical patent/JPH0555180A/ja
Publication of JPH0555180A publication Critical patent/JPH0555180A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセン
ス等を構成するパネル上に薄膜トランジスタを形成する
際に用いられるリフトオフ装置に関し、均一なリフトオ
フ処理が可能で処理能力の高いリフトオフ装置の提供を
目的とする。 【構成】 底に複数の超音波発生器31が所定の間隔で配
設され剥離液33を貯留するリフトオフ槽32と、剥離液33
に浸漬された被処理基板１を水平に保持する基板保持治
具34と、被処理基板１を縦、横、または深さ方向の少な
くとも１方向に揺動せしめる基板揺動機構35を有し、且
つ、リフトオフ槽32内の複数の領域における超音波の音
圧を計測し信号を出力する音圧検出機構４と、リフトオ
フ槽32内の音圧分布を表示する音圧分布表示機構５を具
えてなるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶ディスプレイやエレ
クトロルミネッセンス等を構成するパネルの製造設備に
係り、特にパネル上に駆動用の薄膜トランジスタを形成
する際に用いられるリフトオフ装置に関する。
【０００２】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）駆動型の液晶
ディスプレイやエレクトロルミネッセンスは、マトリク
ス状に配列された数多くの駆動用ＴＦＴが大型のガラス
基板上に形成されており、かかるＴＦＴの中に不良品が
混在しているとその部分のドットが欠けて表示品質を低
下させる。
【０００３】そこでパネル上に駆動用の薄膜トランジス
タを形成する際に用いられるリフトオフ装置において
も、ガラス基板上にレジストを始めとする不要な膜を残
存させることの無い装置の開発が強く要望されている。
【０００４】
【従来の技術】図５はＴＦＴの製造工程の概要を示す
図、図６は従来のリフトオフ装置の主要部を示す斜視図
である。
【０００５】ＴＦＴの製造は先ず図５(a) の如くガラス
基板１上にTiからなるゲート電極11、および行または列
を構成する複数のゲート電極11が接続されるゲートバス
ライン12を形成し、その上に図５(b) の如くプラズマＣ
ＶＤによりSiO2とSiN からなるゲート絶縁膜13、a-Siか
らなる動作半導体層14、SiO2からなる保護層15、a-Siか
らなる密着層16を順次連続成膜する。
【０００６】a-Siからなる密着層16の全面にレジストを
塗布したあとガラス基板１の裏面より露光し、現像する
ことによって図５(c) に示す如くゲート電極11上の領域
を占めるレジストマスク17を形成する。
【０００７】次いで図５(d) の如くレジストマスク17を
マスクとしてエッチングにより密着層16および保護層15
をパターニングし、動作半導体層14の上にｎ+ −a-Siか
らなるコンタクト層18と電極形成用のTi膜19を順次成膜
した後、ガラス基板１を剥離液に浸漬してリフトオフを
行い密着層16上のレジストマスク17を除去する。
【０００８】更に素子領域全体を覆うレジストマスクを
用いてドライエッチングを行ったあと該レジストマスク
を除去することによって、図５(e) の如くTi膜19がパタ
ーニングされてソース電極20とドレイン電極21が形成さ
れ、コンタクト層18および動作半導体層14がパターニン
グされて素子分離されたＴＦＴ２が形成される。
【０００９】上記のＴＦＴの製造においてレジストマス
クを除去する従来のリフトオフ装置３は図６に示す如
く、底面に複数の超音波発生器31が所定の間隔で配設さ
れてなるリフトオフ槽32を具えており、リフトオフ槽32
に貯留された所定量の剥離液33は超音波発生器31によっ
て加振されている。
【００１０】かかる剥離液33の中に浸漬された被処理基
板１を基板保持治具34によって水平に保持すると共に、
基板保持治具34が装着された基板揺動機構35を図示省略
された動力源によりＸＹＺ方向に往復動させることによ
り、被処理基板１は剥離液33中において縦、横、および
深さ方向に揺動しレジストマスクが除去される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】大型の被処理基板をリ
フトオフする装置において剥離液を加振する超音波の音
圧が不均一になると、音圧の大きい領域では全てのレジ
ストマスクが除去されるが音圧の小さい領域ではレジス
トマスクやその他の膜が残り、完成したパネル中に不良
のＴＦＴが介在し画像の表示品質を低下させる原因にな
る。
【００１２】そこで従来のリフトオフ装置では剥離液を
加振する超音波の音圧が不均一になるのを防止する手段
として、超音波発生器の真上において超音波の強さにほ
ぼ比例して剥離液の液面が隆起することを利用して、液
面の隆起量がほぼ均一になるよう剥離液の液量や超音波
発生器の出力レベルを調整している。
【００１３】しかし、目視によって液面の隆起量の差を
検知することは極めて困難でその精度が低く調整に長い
時間を必要とする。しかも音圧の分布は剥離液の液量に
よって左右されるため剥離液の流出に合わせ頻繁に調整
しなければならない。
【００１４】また、従来のリフトオフ装置では被処理基
板の処理枚数が増えるに伴って剥離液が混濁し能力が低
下するため、所定枚数の処理が終わると処理を中断し剥
離液を入替え超音波の音圧を調整しなければならない等
の問題があった。
【００１５】本発明の目的は均一なリフトオフ処理が可
能で処理能力の高いリフトオフ装置を提供することにあ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明になるリフ
トオフ装置を示す模式図である。なお全図を通し同じ対
象物は同一記号で表している。
【００１７】上記課題は底に複数の超音波発生器31が所
定の間隔で配設され剥離液33を貯留するリフトオフ槽32
と、剥離液33に浸漬された被処理基板１を水平に保持す
る基板保持治具34と、被処理基板１を縦、横、または深
さ方向の少なくとも１方向に揺動せしめる基板揺動機構
35を有し、且つ、リフトオフ槽32内の複数の領域におけ
る超音波の音圧を計測し信号を出力する音圧検出機構４
と、リフトオフ槽32内の音圧分布を表示する音圧分布表
示機構５を具えてなる本発明の大型基板用リフトオフ装
置によって達成される。
【００１８】
【作用】図１において底に複数の超音波発生器が所定の
間隔で配設され剥離液を貯留するリフトオフ槽と、剥離
液に浸漬された被処理基板を水平に保持する基板保持治
具と、被処理基板を縦、横、または深さ方向の少なくと
も１方向に揺動せしめる基板揺動機構を有し、且つ、リ
フトオフ槽内の複数の領域における超音波の音圧を計測
し信号を出力する音圧検出機構と、リフトオフ槽内の音
圧分布を表示する音圧分布表示機構を具えてなる本発明
の大型基板用リフトオフ装置によって、リフトオフ槽内
の超音波の音圧分布を短時間で高精度に検出することが
可能になり調整時間が大幅に短縮される。即ち、均一な
リフトオフ処理が可能で処理能力の高いリフトオフ装置
を実現することができる。
【００１９】
【実施例】以下添付図により本発明の実施例について説
明する。なお図２は本発明の一実施例を示す模式図、図
３は本発明の他の実施例を示す側断面図、図４は本発明
の更に他の実施例を示す側断面図である。
【００２０】ＴＦＴの製造においてレジストマスクを除
去する本発明になるリフトオフ装置は図１に示す如く、
底面に複数の超音波発生器31が所定の間隔で配設されて
なるリフトオフ槽32を具えており、リフトオフ槽32に貯
留された所定量の剥離液33は超音波発生器31によって加
振されている。
【００２１】かかる剥離液33の中に浸漬された被処理基
板１を基板保持治具34によって水平に保持すると共に、
基板保持治具34が装着された基板揺動機構35を図示省略
された動力源によりＸＹＺ方向に往復動させることによ
り、被処理基板１は剥離液33中において縦、横、および
深さ方向に揺動しレジストマスクが除去される。
【００２２】また、本発明になるリフトオフ装置は従来
の装置とは異なり前記リフトオフ槽32の他に、リフトオ
フ槽32内の複数の領域における超音波の音圧を計測し信
号を出力する音圧検出機構４と、音圧検出機構４の出力
信号に基づきリフトオフ槽32内の音圧分布を表示する音
圧分布表示機構５を具えている。
【００２３】上記音圧検出機構４は等間隔で配列され先
端が剥離液33に浸漬された複数の音圧センサー41と、音
圧センサー41を保持し配列方向と直交する方向に移動せ
しめる移動機構42と、音圧センサー41の出力信号を音圧
に対応した電圧に変換する複数のアナライザ43とで構成
されている。
【００２４】そして音圧分布表示機構５は前記アナライ
ザ43の出力信号を制御装置51に入力するための入出力ボ
ード52と、入出力ボード52を介して制御装置51に接続さ
れ前記移動機構42を制御するコントローラ53と、制御装
置51に接続されリフトオフ槽32内の音圧分布を表示する
表示装置54とで構成されている。
【００２５】かかるリフトオフ装置において音圧分布表
示機構５の表示装置54に表示された音圧分布に基づい
て、リフトオフ槽32内に貯留された剥離液33の液量、若
しくは超音波発生器31の出力レベルを調整し、リフトオ
フ槽32内の音圧分布を一様にすることによって均一なリ
フトオフ処理が可能になる。
【００２６】しかも剥離液33中の被処理基板１が浸漬さ
れてなる領域における超音波の音圧分布を直接定量的に
表示されるため、リフトオフ槽32内に貯留された剥離液
33の液量、若しくは超音波発生器31の出力レベルを調整
する際の精度が高度化し、調整に要する時間を大幅に短
縮することが可能になる。
【００２７】図２に示す本発明の一実施例は上記リフト
オフ装置における基板揺動機構35を移動機構42として利
用しており、等間隔で配列され先端が剥離液33に浸漬さ
れた複数の音圧センサー41は移動機構42の代わりに、保
持金具44を介して基板保持治具34を装着する基板揺動機
構35によって保持されている。
【００２８】基板揺動機構35のＸＹＺ方向への往復動は
図示省略された制御装置からの指令に基づいて行われて
おり、前記入出力ボード52を介して基板揺動機構35の制
御信号を制御装置51に入力することによって、基板揺動
機構35を利用して複数の音圧センサー41を移動せしめリ
フトオフ槽32内の音圧分布を検出することができる。
【００２９】しかも音圧センサー41は被処理基板１と同
時に移動して剥離液33中の音圧分布を直接定量的に検出
するため、リフトオフ処理中においても音圧分布の変化
を検知して修正することが可能になり、調整に要する時
間を更に短縮すると同時にリフトオフ装置の処理能力を
一層向上させることができる。
【００３０】このように底に複数の超音波発生器が所定
の間隔で配設され剥離液を貯留するリフトオフ槽と、剥
離液に浸漬された被処理基板を水平に保持する基板保持
治具と、被処理基板を縦、横、または深さ方向の少なく
とも１方向に揺動せしめる基板揺動機構を有し、且つ、
リフトオフ槽内の複数の領域における超音波の音圧を計
測し信号を出力する音圧検出機構と、リフトオフ槽内の
音圧分布を表示する音圧分布表示機構を具えてなる本発
明の大型基板用リフトオフ装置によって、リフトオフ槽
内の超音波の音圧分布を短時間で高精度に検出すること
が可能になり調整時間が大幅に短縮される。即ち、均一
なリフトオフ処理が可能で処理能力の高いリフトオフ装
置を実現することができる。
【００３１】またリフトオフ槽内に貯留された剥離液で
繰り返し処理を行う従来のリフトオフ装置では被処理基
板の処理枚数が増えるに伴って、剥離液が混濁し能力が
低下して超音波の音圧分布が一様であっても均一なリフ
トオフ処理が不可能になる。かかる剥離液の混濁を防止
する手段としてフィルタを介して剥離液を循環せしめろ
過する方法がある。しかしリフトオフ処理中に剥離液を
循環せしめると液の表面に波が立ち超音波発生器の出力
が低下する。
【００３２】図３に示す本発明の他の実施例は底面に複
数の超音波発生器31が所定の間隔で配設されてなるリフ
トオフ槽62と、フィルタ63を介してリフトオフ槽62内の
剥離液33を循環せしめるポンプ64を具えており、リフト
オフ槽32に貯留された所定量の剥離液33は超音波発生器
31によって加振されている。
【００３３】そして剥離液循環時の波を消すため基板保
持治具34により保持された被処理基板１を剥離液33に浸
漬した後、例えば厚さが５mm程度で５mm×５mm程度の網
目を有する波消用の網目板61を剥離液33の液面近傍に浸
漬している。なお網目板61を浸漬することにより生じる
超音波発生器31の出力低下は無視できる程小さい。
【００３４】かかる剥離液33の中に浸漬された被処理基
板１を基板保持治具34によって水平に保持すると共に、
基板保持治具34が装着された基板揺動機構35を図示省略
された動力源によりＸＹＺ方向に往復動させることによ
り、被処理基板１は剥離液33中において縦、横、および
深さ方向に揺動しレジストマスクが除去される。
【００３５】このようにリフトオフ槽62内に貯留された
剥離液33の液面近傍に波消用の網目板61を浸漬し、リフ
トオフ処理中に剥離液33の表面に波を立てることなく剥
離液33を循環させろ過することによって、リフトオフ処
理の中断が無くなりリフトオフ装置の処理能力が向上す
ると共に均一なリフトオフ処理が可能になる。
【００３６】また図４に示す本発明の更に他の実施例は
底面に複数の超音波発生器31が所定の間隔で配設されて
なる複数のリフトオフ槽72と、フィルタ63を介してリフ
トオフ槽72内の剥離液33を循環せしめるポンプ64と、各
リフトオフ槽72の剥離液流入口71側にそれぞれ設けられ
た複数のバルブ73を具えている。
【００３７】混濁した剥離液33をろ過する際はそのリフ
トオフ槽72の剥離液流入口71側に設けられたバルブ73を
開放状態にし、フィルタ63を介して循環する剥離液33を
リフトオフ槽72に流入せしめることによって、混濁した
剥離液33はリフトオフ槽72の上縁から横溢しポンプ64に
よって再びフィルタ63に送り込まれる。
【００３８】一方、リフトオフ処理を行う際はそのリフ
トオフ槽72の剥離液流入口71側に設けられたバルブ73を
閉止状態にし、リフトオフ槽72への剥離液33の流入を停
止すると共にコック74を開き剥離液33の液量を調整す
る。そして超音波発生器31を駆動することによってリフ
トオフ槽72内の剥離液33に超音波を印加する。
【００３９】このように複数のリフトオフ槽72を設け１
個のリフトオフ槽72でリフトオフ処理を行っている間
に、他のリフトオフ槽72内の剥離液33をろ過し超音波の
音圧分布を調整するよう構成することによって、リフト
オフ処理の中断が無くなりリフトオフ装置の処理能力が
向上すると共に均一なリフトオフ処理が可能になる。
【００４０】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば均一なリフト
オフ処理が可能で処理能力の高いリフトオフ装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明になるリフトオフ装置を示す模式図で
ある。
【図２】 本発明の一実施例を示す模式図である。
【図３】 本発明の他の実施例を示す側断面図である。
【図４】 本発明の更に他の実施例を示す側断面図であ
る。
【図５】 ＴＦＴの製造工程の概要を示す図である。
【図６】 従来のリフトオフ装置の主要部を示す斜視図
である。
【符号の説明】 １ 被処理基板 ４ 音圧検出機構 ５ 音圧分布表示機構 31 超音波発生器 32 リフトオフ槽 33 剥離液 34 基板保持治具 35 基板揺動機構 41 音圧センサー 42 移動機構 43 アナライザ 44 保持金具 51 制御装置 52 入出力ボード 53 コントローラ 54 表示装置 61 網目板 62 リフトオフ槽 63 フィルタ 64 ポンプ 71 剥離液流入口 72 リフトオフ槽 73 バルブ 74 コック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星野 淳之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 底に複数の超音波発生器(31)が所定の間
    隔で配設され剥離液(33)を貯留するリフトオフ槽(32)
    と、該剥離液(33)に浸漬された被処理基板(1)を水平に
    保持する基板保持治具(34)と、該被処理基板(1) を縦、
    横、または深さ方向の少なくとも１方向に揺動せしめる
    基板揺動機構(35)を有し、 且つ、該リフトオフ槽(32)内の複数の領域における超音
    波の音圧を計測し信号を出力する音圧検出機構(4) と、
    該リフトオフ槽(32)内の音圧分布を表示する音圧分布表
    示機構(5) を具えてなることを特徴とする大型基板用リ
    フトオフ装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の音圧検出機構(4) が等間
    隔に配列され先端が剥離液(33)に浸漬された複数の音圧
    センサー(41)と、該音圧センサー(41)を保持し配列方向
    と直交する方向に移動せしめる移動機構(42)と、該音圧
    センサー(41)の出力信号を音圧に対応した電圧に変換す
    る複数のアナライザ(43)からなり、 音圧分布表示機構(5) が前記アナライザ(43)の出力信号
    を制御装置(51)に入力するための入出力ボード(52)と、
    該入出力ボード(52)を介して該制御装置(51)に接続され
    前記移動機構(42)を制御するコントローラ(53)と、該制
    御装置(51)に接続されリフトオフ槽(32)内の音圧分布を
    表示する表示装置(54)からなることを特徴とする大型基
    板用リフトオフ装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の大型基板用リフトオフ装
    置において音圧分布表示機構(5) の表示内容に基づき、
    リフトオフ槽(32)内に貯留された剥離液(33)の液量、若
    しくは超音波発生器(31)の出力レベルを調整し、該リフ
    トオフ槽(32)内の音圧分布を一様にすることを特徴とし
    たリフトオフ装置の調整方法。
  4. 【請求項４】 底に複数の超音波発生器(31)が所定の間
    隔で配設され剥離液(33)を貯留するリフトオフ槽(62)
    と、被処理基板(1) を該剥離液(33)に浸漬したあと該剥
    離液(33)の液面近傍に浸漬された波消用の網目板(61)
    と、フィルタ(63)を介して該リフトオフ槽(62)内の剥離
    液(33)を循環せしめるポンプ(64)を有し、 リフトオフ処理中に該剥離液(33)をろ過するよう構成さ
    れてなることを特徴とする大型基板用リフトオフ装置。
  5. 【請求項５】 底に複数の超音波発生器(31)が所定の間
    隔で配設され剥離液(33)を貯留する複数のリフトオフ槽
    (72)と、フィルタ(63)を介して該リフトオフ槽(72)内の
    剥離液(33)を循環せしめるポンプ(64)と、各リフトオフ
    槽(72)の剥離液流入口(71)側にそれぞれ設けられた複数
    のバルブ(73)を有し、 該剥離液(33)のろ過に際し該バルブ(73)を開放状態にし
    て該リフトオフ槽(72)に該剥離液(33)を流入せしめ、該
    リフトオフ槽(72)の上縁から横溢した該剥離液(33)を該
    ポンプ(64)によって再び該フィルタ(63)に送り込み、 リフトオフ処理に際し処理を行う該リフトオフ槽(72)の
    該バルブ(73)を閉止状態にすることによって、該剥離液
    (33)の流入を停止するよう構成されてなることを特徴と
    する大型基板用リフトオフ装置。
JP21768491A 1991-08-29 1991-08-29 大型基板用リフトオフ装置とその調整方法 Withdrawn JPH0555180A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21768491A JPH0555180A (ja) 1991-08-29 1991-08-29 大型基板用リフトオフ装置とその調整方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21768491A JPH0555180A (ja) 1991-08-29 1991-08-29 大型基板用リフトオフ装置とその調整方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0555180A true JPH0555180A (ja) 1993-03-05

Family

ID=16708103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21768491A Withdrawn JPH0555180A (ja) 1991-08-29 1991-08-29 大型基板用リフトオフ装置とその調整方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0555180A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337030B1 (en) 1997-02-04 2002-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method
US6391067B2 (en) 1997-02-04 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus
JP2008259998A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Shinka Jitsugyo Kk 超音波洗浄装置及び方法
CN111463172A (zh) * 2019-01-21 2020-07-28 瀚宇彩晶股份有限公司 电子装置的制作方法
KR20210142243A (ko) * 2020-05-18 2021-11-25 성균관대학교산학협력단 리프트 오프 공정 장치
CN117133632A (zh) * 2023-10-26 2023-11-28 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337030B1 (en) 1997-02-04 2002-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method
US6391067B2 (en) 1997-02-04 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus
JP2008259998A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Shinka Jitsugyo Kk 超音波洗浄装置及び方法
CN111463172A (zh) * 2019-01-21 2020-07-28 瀚宇彩晶股份有限公司 电子装置的制作方法
KR20210142243A (ko) * 2020-05-18 2021-11-25 성균관대학교산학협력단 리프트 오프 공정 장치
CN117133632A (zh) * 2023-10-26 2023-11-28 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置
CN117133632B (zh) * 2023-10-26 2024-02-20 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0555180A (ja) 大型基板用リフトオフ装置とその調整方法
KR100678567B1 (ko) 기판처리장치, 도포장치 및 도포방법
US20050024082A1 (en) Display device and method for testing the same
KR100606964B1 (ko) 기판 휨 조절용 지그
JP3500315B2 (ja) 脱気装置及び脱気方法
JP4098449B2 (ja) 液晶装置用基板のラビング方法
US12599925B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101389181B1 (ko) 슬릿 코팅 장치 및 방법
US20070028437A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2003093982A (ja) 液体処理方法、液体処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法
JP2001172764A (ja) スパッタリング方法及びスパッタリング装置
JP2004279753A (ja) 輝点画素の滅点化方法および液晶モジュール
JP7847064B2 (ja) 支援装置、支援方法、基板処理システム、記録媒体、及び、支援プログラム
JP4358781B2 (ja) 半導体装置の製造方法
DE102019209845B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit einer porösen Seite
JP2601829B2 (ja) ウエット処理装置
JP2005129555A (ja) 現像方法及びそれに用いる現像装置
JP4440195B2 (ja) 基板処理装置
KR930001822Y1 (ko) 액정표시소자의 패턴불량 검사장치
JP2601828B2 (ja) ウエット処理装置
JP3651509B2 (ja) 酸化膜のエッチング方法および薄膜トランジスタの製造方法
JP2003188140A (ja) 液体処理方法、液体処理装置、及び電気光学パネル
JPH11149094A (ja) アクティブマトリクス基板の製造方法
JPH01187931A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11253893A (ja) 洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19981112