JPH0555329A - ペレツト外観検査装置 - Google Patents
ペレツト外観検査装置Info
- Publication number
- JPH0555329A JPH0555329A JP3209707A JP20970791A JPH0555329A JP H0555329 A JPH0555329 A JP H0555329A JP 3209707 A JP3209707 A JP 3209707A JP 20970791 A JP20970791 A JP 20970791A JP H0555329 A JPH0555329 A JP H0555329A
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- JP
- Japan
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- rays
- wiring
- defective
- under
- wafer
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】現在外観検査装置では可視光線を用いた比較検
査が行なわれている。しかしながら、可視光線によって
は、Ａｌ配線下、多結晶シリコン下、シリコン基板中の
異物が発見出来ない為、これらによって、Ａｌ配線の断
線が起こったり、しきい値電圧の変動或はリーク電流の
増加が起こり、集積回路の信頼性が低下する。 【構成】本発明の外観検査装置は、Ｘ線発生装置１とＸ
線照射装置２とＸ線検出器３と比較装置４を有する。検
査がＸ線を用いて行なわれる為、Ａｌ配線や多結晶シリ
コン下の異物や、シリコン基板中の異物の検出が可能で
ある。
査が行なわれている。しかしながら、可視光線によって
は、Ａｌ配線下、多結晶シリコン下、シリコン基板中の
異物が発見出来ない為、これらによって、Ａｌ配線の断
線が起こったり、しきい値電圧の変動或はリーク電流の
増加が起こり、集積回路の信頼性が低下する。 【構成】本発明の外観検査装置は、Ｘ線発生装置１とＸ
線照射装置２とＸ線検出器３と比較装置４を有する。検
査がＸ線を用いて行なわれる為、Ａｌ配線や多結晶シリ
コン下の異物や、シリコン基板中の異物の検出が可能で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
ペレットの外観検査装置に関する。
ペレットの外観検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のペレット外観検査装置は、従来人
が行なっていた外観検査を機械が行なう様に自動化した
ものであり、可視光線をウェーハ上のペレットに照射し
た結果をＣＣＤ等の撮像素子にとり込み、電気信号に変
換した後、得られた電気信号の比較により、ペレットの
良否を判定するものである。
が行なっていた外観検査を機械が行なう様に自動化した
ものであり、可視光線をウェーハ上のペレットに照射し
た結果をＣＣＤ等の撮像素子にとり込み、電気信号に変
換した後、得られた電気信号の比較により、ペレットの
良否を判定するものである。
【０００３】良否判定の原理は、相対位置が同じである
３つの異なったペレットの電気信号をそれぞれ比較装置
に入力し、比較装置は、３つの入力信号に差があるかど
うか比較検査し、もし、３者の内、いづれか１つに差が
認められれば差が認められたペレットを多数決判定によ
り、不良と判定するものである。
３つの異なったペレットの電気信号をそれぞれ比較装置
に入力し、比較装置は、３つの入力信号に差があるかど
うか比較検査し、もし、３者の内、いづれか１つに差が
認められれば差が認められたペレットを多数決判定によ
り、不良と判定するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の検査装置では、
可視光線が使用されていた為、Ａｌ配線や多結晶シリコ
ン膜等の下の異物や、シリコン基板中の異物等は、可視
光線が入り込めない為、検査出来ない不具合があった。
これら異物はＡｌ配線を腐触させ切断に至ったり、或は
集積回路のしきい値電圧を変動させたり、ＰＮ接合付近
ではリーク電流を増加させたりすることにより、集積回
路の信頼性を低下させるという問題があった。
可視光線が使用されていた為、Ａｌ配線や多結晶シリコ
ン膜等の下の異物や、シリコン基板中の異物等は、可視
光線が入り込めない為、検査出来ない不具合があった。
これら異物はＡｌ配線を腐触させ切断に至ったり、或は
集積回路のしきい値電圧を変動させたり、ＰＮ接合付近
ではリーク電流を増加させたりすることにより、集積回
路の信頼性を低下させるという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の検査装置は、Ｘ
線を発生する為の装置と、発生したＸ線をウェーハに照
射する為の装置と、ウェーハに照射したＸ線の回折光線
或は透過光線を電気信号に変換するＸ線検出器と、得ら
れた電気信号を比較し、異なっていれば不良と判定する
為の比較装置と、不良判定された場合に、不良ペレット
に不良の為のマーキングを施す装置とを有する。
線を発生する為の装置と、発生したＸ線をウェーハに照
射する為の装置と、ウェーハに照射したＸ線の回折光線
或は透過光線を電気信号に変換するＸ線検出器と、得ら
れた電気信号を比較し、異なっていれば不良と判定する
為の比較装置と、不良判定された場合に、不良ペレット
に不良の為のマーキングを施す装置とを有する。
【０００６】
【作用】検査にＸ線を用いている為、半導体集積回路の
Ａｌ配線下の異物や、多結晶シリコン下の異物、或いは
Ｓｉ基板中の異物を検出出来る。この為、可視光線では
発見出来なかった異物を発見出来、半導体集積回路の信
頼性を向上することができる。
Ａｌ配線下の異物や、多結晶シリコン下の異物、或いは
Ｓｉ基板中の異物を検出出来る。この為、可視光線では
発見出来なかった異物を発見出来、半導体集積回路の信
頼性を向上することができる。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例である。図１（ａ）に於い
て、Ｘ線発生装置１で生成されたＸ線は、Ｘ線照射装置
２により、ウェーハ６上のあらかじめ決められた位置に
照射される。Ｘ線は１０-10ｍ程度の波長を利用する。
ウェーハ６の表面付近で回折をうけたＸ線はＸ線の強度
情報を電気信号に変換するＸ線検出素子３に入射した
後、電気信号に変換され、比較装置４に送られ、信号の
比較が行なわれる。比較は、図１（ｂ）に示される様
に、ウェーハ７上の３つの異なったペレット８の相対的
に同一の位置で反射されたＸ線をそれぞれ異なったＸ線
検出器３で電気信号に変換し、比較装置４に電気信号と
して入力する。比較装置４では多数決の原理に従い、も
し、電気信号に関し、他の２つと異なる信号がある場合
は同信号の信号源となるペレットを特定した後、レザー
マーキング装置５とステージ駆動装置７に信号を送り、
当該不良ペレットにレーザーでマーキングを施す。
る。図１は本発明の一実施例である。図１（ａ）に於い
て、Ｘ線発生装置１で生成されたＸ線は、Ｘ線照射装置
２により、ウェーハ６上のあらかじめ決められた位置に
照射される。Ｘ線は１０-10ｍ程度の波長を利用する。
ウェーハ６の表面付近で回折をうけたＸ線はＸ線の強度
情報を電気信号に変換するＸ線検出素子３に入射した
後、電気信号に変換され、比較装置４に送られ、信号の
比較が行なわれる。比較は、図１（ｂ）に示される様
に、ウェーハ７上の３つの異なったペレット８の相対的
に同一の位置で反射されたＸ線をそれぞれ異なったＸ線
検出器３で電気信号に変換し、比較装置４に電気信号と
して入力する。比較装置４では多数決の原理に従い、も
し、電気信号に関し、他の２つと異なる信号がある場合
は同信号の信号源となるペレットを特定した後、レザー
マーキング装置５とステージ駆動装置７に信号を送り、
当該不良ペレットにレーザーでマーキングを施す。
【０００８】次に本発明第２の実施例を図２に示す。第
１の実施例と異なる点は、第１の実施例がＸ線の回折光
を利用していたのに対し、第２の実施例では透過光を用
いていることである。この他は先の実施例と同じであ
る。透過光を用いることによって、ウェーハ６の表面だ
けでなく、深部の検査をも行なうことが可能である。
１の実施例と異なる点は、第１の実施例がＸ線の回折光
を利用していたのに対し、第２の実施例では透過光を用
いていることである。この他は先の実施例と同じであ
る。透過光を用いることによって、ウェーハ６の表面だ
けでなく、深部の検査をも行なうことが可能である。
【０００９】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のペレット外
観検査装置では、Ｘ線を用いている為、Ａｌ配線や多結
晶シリコン膜等の下の異物やシリコン基板中の異物を検
出できる。この為これら異物により引きおこされるＡｌ
配線の断線、しきい値電圧の変動、リーク電流の増加等
を排除することが出来る為集積回路の信頼性を向上させ
ることが可能である。
観検査装置では、Ｘ線を用いている為、Ａｌ配線や多結
晶シリコン膜等の下の異物やシリコン基板中の異物を検
出できる。この為これら異物により引きおこされるＡｌ
配線の断線、しきい値電圧の変動、リーク電流の増加等
を排除することが出来る為集積回路の信頼性を向上させ
ることが可能である。
【図１】本発明の一実施例のブロック図。
【図２】第２の実施例のブロック図。
１ Ｘ線発生装置 ２ Ｘ線照射装置 ３ Ｘ線検出器 ４ 比較装置 ５ レーザーマーキング装置 ６ ウェーハ ７ ステージ駆動装置
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｘ線を発生する装置と、発生したＸ線を
ウェーハに照射する装置と、ウェーハに照射したＸ線の
回折光線或は透過光を電気信号に変換するＸ線検査器
と、得られた電気信号を比較し、異なっていれば、不良
と判定する為の比較装置と、不良判定された場合に、不
良ペレットに不良の為のマーキングを施す装置とで構成
されることを特徴とするペレット外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209707A JPH0555329A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | ペレツト外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209707A JPH0555329A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | ペレツト外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555329A true JPH0555329A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16577311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3209707A Pending JPH0555329A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | ペレツト外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008304416A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 多結晶シリコン基板の欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| JP2023094962A (ja) * | 2021-12-24 | 2023-07-06 | 東レエンジニアリング株式会社 | ウエーハ外観検査装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533060A (en) * | 1976-06-30 | 1978-01-12 | Hitachi Ltd | Measuring method of impurity concentration distribution |
| JPS63210651A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | Ｘ線断層撮影装置 |
| JPH03135045A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Nec Corp | ウェハー外観比較検査装置 |
-
1991
- 1991-08-22 JP JP3209707A patent/JPH0555329A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533060A (en) * | 1976-06-30 | 1978-01-12 | Hitachi Ltd | Measuring method of impurity concentration distribution |
| JPS63210651A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | Ｘ線断層撮影装置 |
| JPH03135045A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Nec Corp | ウェハー外観比較検査装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008304416A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 多結晶シリコン基板の欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| JP2023094962A (ja) * | 2021-12-24 | 2023-07-06 | 東レエンジニアリング株式会社 | ウエーハ外観検査装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980728 |