JPS6242537Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6242537Y2 JPS6242537Y2 JP1981175369U JP17536981U JPS6242537Y2 JP S6242537 Y2 JPS6242537 Y2 JP S6242537Y2 JP 1981175369 U JP1981175369 U JP 1981175369U JP 17536981 U JP17536981 U JP 17536981U JP S6242537 Y2 JPS6242537 Y2 JP S6242537Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor wafer
- wafer
- photovoltage
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
本考案は、LSI製造工程の初期段階で重要とな
る半導体ウエハの良否を判定する半導体ウエハ検
査装置に関する。
る半導体ウエハの良否を判定する半導体ウエハ検
査装置に関する。
多数の加工工程を必要とするICやLSIの製造に
おける初期段階で、原基板であるウエハの良否を
オンラインで判定し、LSI素子などの歩留まりの
向上をはかることが必要とされている。
おける初期段階で、原基板であるウエハの良否を
オンラインで判定し、LSI素子などの歩留まりの
向上をはかることが必要とされている。
一般に、半導体ウエハの代表的な欠陥の一つで
あるスワール欠陥は少数キヤリアの寿命と密接に
関係することはよく知られている。従つて、ウエ
ハの良否の判定を少数キヤリアの寿命の値で判定
することは良く行なわれている。ところで、少数
キヤリアの寿命の測定には、半導体試料にオーミ
ツク接触を有する電極を取付け、光の単パルスを
照射して光導電現象に関わる出力信号の減衰時間
を測定して行なう方法が標準的である。このよう
な方法としては、日本工業規格（JIS）H0604−
1978に記載されたシリコンの光導電減衰法による
ライフタイム測定方法がある。しかし、この方法
では、ウエハ上に電極を形成することが必要であ
り、その結果、破壊検査となるから、このような
検査方法は抜きとり検査にしか使用できない。一
方、電極を形成することなく非接触で少数キヤリ
アの寿命を測定する一方法としては光の単パルス
で少数キヤリアを注入し、その減衰特性をマイク
ロ波の吸収を用いて検知する方法がある。しかし
ながら、この方法ではマイクロ波装置という高価
な装置が必要なうえ、装置全体が複雑になるとい
う問題点がある。
あるスワール欠陥は少数キヤリアの寿命と密接に
関係することはよく知られている。従つて、ウエ
ハの良否の判定を少数キヤリアの寿命の値で判定
することは良く行なわれている。ところで、少数
キヤリアの寿命の測定には、半導体試料にオーミ
ツク接触を有する電極を取付け、光の単パルスを
照射して光導電現象に関わる出力信号の減衰時間
を測定して行なう方法が標準的である。このよう
な方法としては、日本工業規格（JIS）H0604−
1978に記載されたシリコンの光導電減衰法による
ライフタイム測定方法がある。しかし、この方法
では、ウエハ上に電極を形成することが必要であ
り、その結果、破壊検査となるから、このような
検査方法は抜きとり検査にしか使用できない。一
方、電極を形成することなく非接触で少数キヤリ
アの寿命を測定する一方法としては光の単パルス
で少数キヤリアを注入し、その減衰特性をマイク
ロ波の吸収を用いて検知する方法がある。しかし
ながら、この方法ではマイクロ波装置という高価
な装置が必要なうえ、装置全体が複雑になるとい
う問題点がある。
したがつて、本考案は、半導体デバイスの生産
ラインにおいて、原基板である半導体ウエハの良
否をプロセス開始以前の段階で判定することによ
つて半導体デバイス生産ライン全体の歩留り向上
を計るために、構成が簡単で、かつ、安価な生産
現場向きの半導体ウエハ検査装置を提供すること
を目的とする。
ラインにおいて、原基板である半導体ウエハの良
否をプロセス開始以前の段階で判定することによ
つて半導体デバイス生産ライン全体の歩留り向上
を計るために、構成が簡単で、かつ、安価な生産
現場向きの半導体ウエハ検査装置を提供すること
を目的とする。
上記目的を構成するために本考案においては、
半導体ウエハに断続光を照射し、発生した光電圧
を非接触で検出し、検出された光信号を予め定め
られたしきい値で弁別することによつて半導体ウ
エハの良否を判別するように半導体ウエハ検査装
置を構成したことを特徴としている。
半導体ウエハに断続光を照射し、発生した光電圧
を非接触で検出し、検出された光信号を予め定め
られたしきい値で弁別することによつて半導体ウ
エハの良否を判別するように半導体ウエハ検査装
置を構成したことを特徴としている。
かかる本考案の特徴的な構成により、非破壊、
かつ、オンラインで半導体ウエハの良否を判別で
きるようになり、その結果、半導体ウエハの欠陥
を製造プロセスの初期段階でチエツク可能となる
ため製造ライン全体の歩留向上をはかれるように
なつた。尚、当面対象とする半導体は、酸化膜を
有するＰ型Siウエハ、ｎ型Siウエハ、基板ウエハ
（Ｐ型もしくはｎ型）の表面に薄い接合層がある
Siウエハ基板が主であるが、GeやＧaＡsなどの他
の半導体材料にも適用可能であることは当然であ
る。
かつ、オンラインで半導体ウエハの良否を判別で
きるようになり、その結果、半導体ウエハの欠陥
を製造プロセスの初期段階でチエツク可能となる
ため製造ライン全体の歩留向上をはかれるように
なつた。尚、当面対象とする半導体は、酸化膜を
有するＰ型Siウエハ、ｎ型Siウエハ、基板ウエハ
（Ｐ型もしくはｎ型）の表面に薄い接合層がある
Siウエハ基板が主であるが、GeやＧaＡsなどの他
の半導体材料にも適用可能であることは当然であ
る。
以下、本考案を図面を用いて詳述する。はじめ
に、本考案の原理について述べる。
に、本考案の原理について述べる。
すなわち、本考案は、光起電力効果を利用した
少数キヤリア寿命の測定を応用している。光の照
射によつて発生する、いわゆる光電圧は、半導体
表面、あるいはＰ−ｎ接合、ｎ−ｎ+接合の境界
に内在する比較的に高い電界により、光で発生し
た電子−正孔対が分離されて生じる。代表的な例
として、Ｐ型Siウエハに酸化膜が付いている場合
を取り上げるが、Ｐ−ｎ接合において、基板に対
する接合層の厚さが、接合層の拡散距離よりも十
分小さい時も、同様に取扱うことができる。
少数キヤリア寿命の測定を応用している。光の照
射によつて発生する、いわゆる光電圧は、半導体
表面、あるいはＰ−ｎ接合、ｎ−ｎ+接合の境界
に内在する比較的に高い電界により、光で発生し
た電子−正孔対が分離されて生じる。代表的な例
として、Ｐ型Siウエハに酸化膜が付いている場合
を取り上げるが、Ｐ−ｎ接合において、基板に対
する接合層の厚さが、接合層の拡散距離よりも十
分小さい時も、同様に取扱うことができる。
一般に、光の照射によつて生じる光電流密度Ｊ
は、よく知られているように近似的に次式で表わ
される。
は、よく知られているように近似的に次式で表わ
される。
Ｊ＝αＬ／αＬ＋１Φ０ ……(1)
ここで、α：照射光の半導体中での吸収係数
Ｌ：少数キヤリアの拡散距離
Φ０：単位時間，単位体積当りに吸収さ
れるホトン数 さらに、αＬ≪１となるような光の吸収係数の
小さい波長の光（例えばSiに対しては、波長１μ
ｍの程度の近赤外光）を使用すれば、光電流密度
Ｊは次式で与えられることになる。
れるホトン数 さらに、αＬ≪１となるような光の吸収係数の
小さい波長の光（例えばSiに対しては、波長１μ
ｍの程度の近赤外光）を使用すれば、光電流密度
Ｊは次式で与えられることになる。
Ｊ＝αＬΦ０ ……(2)
上式で、少数キヤリアの拡散距離Ｌは少数キヤ
リアの寿命時間の平方根に比例することはよく知
られている。従つて、何らかの形で光電流密度Ｊ
を検出すれば、本考案の目的とする基板ウエハ内
の少数キヤリア寿命時間を計測することができ
る。
リアの寿命時間の平方根に比例することはよく知
られている。従つて、何らかの形で光電流密度Ｊ
を検出すれば、本考案の目的とする基板ウエハ内
の少数キヤリア寿命時間を計測することができ
る。
一方、光の強度が、周波数でパルス化されて
いるとき、少数キヤリアの拡散距離Ｌは少数キヤ
リアの寿命時間τと拡散定数Ｄとを用いて次式で
表わされる。
いるとき、少数キヤリアの拡散距離Ｌは少数キヤ
リアの寿命時間τと拡散定数Ｄとを用いて次式で
表わされる。
Ｌ＝（Ｄ〓／１＋ｊ２πτ）〓 ……(3)
さて、光電流が求まると、よく知られているよ
うに、接合の両端、つまり、本考案の場合は、ウ
エハの表裏間、に発生する光電圧Ｖpは次式で表
わされる。
うに、接合の両端、つまり、本考案の場合は、ウ
エハの表裏間、に発生する光電圧Ｖpは次式で表
わされる。
Ｖp＝ＫαＺj（Ｄ〓／１＋ｊ２πτ）〓……(4
) ここに、Ｋは定数であり、Ｚjは接合などに内
在するインビーダンスである。ここで、パルス周
波数を≪１／２πτとなるように選べば光電圧Ｖp は次のようになる。
) ここに、Ｋは定数であり、Ｚjは接合などに内
在するインビーダンスである。ここで、パルス周
波数を≪１／２πτとなるように選べば光電圧Ｖp は次のようになる。
Ｖp＝ＫαＺj√〓 ……(5)
即ち、光電圧Ｖpはキヤリアの寿命時間τの平
方根に比例することになり、キヤリア寿命時間τ
と結晶欠陥との相関から、結晶状態を評価できる
ことになる。
方根に比例することになり、キヤリア寿命時間τ
と結晶欠陥との相関から、結晶状態を評価できる
ことになる。
既に述べたように、本考案の目的とするところ
は非破壊検査であるから、ウエハ上に電極を形成
してはならない。従つて、上式(5)に示す光電圧を
非接触的に計測する必要がある。
は非破壊検査であるから、ウエハ上に電極を形成
してはならない。従つて、上式(5)に示す光電圧を
非接触的に計測する必要がある。
そのため、本考案では、光電圧Ｖpを電気的容
量を介して検知する。即ち、光が透過するような
透明電極を光の照射直下のウエハ面に接近させて
配置することにより、光電圧Ｖpを容量的に検知
することができる。なお、光電圧Ｖpが容量的に
検知されるのは、光がパルス化されているためで
あり、本考案の一つの特徴は、従来の直流光の代
りに、パルス光（単パルスではなく、デユテイフ
アクターがほぼ1/2の連続パルスが最適である。）
を利用するというところにある。
量を介して検知する。即ち、光が透過するような
透明電極を光の照射直下のウエハ面に接近させて
配置することにより、光電圧Ｖpを容量的に検知
することができる。なお、光電圧Ｖpが容量的に
検知されるのは、光がパルス化されているためで
あり、本考案の一つの特徴は、従来の直流光の代
りに、パルス光（単パルスではなく、デユテイフ
アクターがほぼ1/2の連続パルスが最適である。）
を利用するというところにある。
次に本考案の具体例について述べる。
第１図に、本考案による半導体ウエハ検査装置
の基本構成を示す。アースされた金属製試料台１
の上には、半導体試料２が設置される。また、試
料台１は、試料２を固定するため、真空チヤツク
（図示せず）機能を有する。試料２の表面から数
百μｍ前後の間隔で、透明電極３をもつガラス板
３′が設置される。パルス電源６で駆動された発
光ダイオード５の光（パルスのくり返し周波数
＝1KHz前後）は、レンズ４によつて透明電極３
を通して試料２の表面上に照射される。発生した
光電圧Ｖpは試料台と兼用の電極１と透明電極３
とから取り出され、同期検波型増幅器７によつて
パルス電源６の出力を参照信号として増幅され
る。その後、信号処理回路８によつて式(5)に示し
た光電圧Ｖpの出力信号が得られるようになつて
いる。このようにして、光の照射点を相対的に試
料（ウエハ）２上で移動させると、ウエハ２の面
内の少数キヤリアの寿命τ、ひいては結晶の優劣
分布状態が検知できる。
の基本構成を示す。アースされた金属製試料台１
の上には、半導体試料２が設置される。また、試
料台１は、試料２を固定するため、真空チヤツク
（図示せず）機能を有する。試料２の表面から数
百μｍ前後の間隔で、透明電極３をもつガラス板
３′が設置される。パルス電源６で駆動された発
光ダイオード５の光（パルスのくり返し周波数
＝1KHz前後）は、レンズ４によつて透明電極３
を通して試料２の表面上に照射される。発生した
光電圧Ｖpは試料台と兼用の電極１と透明電極３
とから取り出され、同期検波型増幅器７によつて
パルス電源６の出力を参照信号として増幅され
る。その後、信号処理回路８によつて式(5)に示し
た光電圧Ｖpの出力信号が得られるようになつて
いる。このようにして、光の照射点を相対的に試
料（ウエハ）２上で移動させると、ウエハ２の面
内の少数キヤリアの寿命τ、ひいては結晶の優劣
分布状態が検知できる。
第２図ａ〜ｄには、生産ラインにおける光電圧
Ｖpの検知部の実施例を示す。試料２は第２図
ｂ，ｄに示すように黒矢印方向に流れている。同
図ａは発光ダイオード（LED）５とレンズ４と
試料２の面上を照射した実施例である。このと
き、透明電極３は、スペーサ３″によつて試料台
１と一定間隔が保たれている。第２図ｃは、
LED５の光を光フアイバ４′で試料２の面上近傍
にまで導き、光電圧Ｖpをとり出すための透明電
極３をフアイバ４′の先端に付けた実施例を示
す。
Ｖpの検知部の実施例を示す。試料２は第２図
ｂ，ｄに示すように黒矢印方向に流れている。同
図ａは発光ダイオード（LED）５とレンズ４と
試料２の面上を照射した実施例である。このと
き、透明電極３は、スペーサ３″によつて試料台
１と一定間隔が保たれている。第２図ｃは、
LED５の光を光フアイバ４′で試料２の面上近傍
にまで導き、光電圧Ｖpをとり出すための透明電
極３をフアイバ４′の先端に付けた実施例を示
す。
第３図ａ，ｂは、光電圧Ｖpの検知部（単純に
言えば透明電極部）下を同図ａの試料ウエハ２が
通過したときの光電圧Ｖpの測定例を示す。同図
ｂの横軸は同図ａの試料２上のＡＢで、光が照
射されている位置に相当し、縦軸は光電圧Ｖpを
表わす。試料２にスワールなどの結晶欠陥がある
と、その部分での少数キヤリアの寿命τは小さく
なり、その結果、光電圧Ｖpも小さく現われ、S1
およびS2で示すように、光電圧Ｖpの分布に凹部
が生じ、欠陥の存在が判定されることになる。
言えば透明電極部）下を同図ａの試料ウエハ２が
通過したときの光電圧Ｖpの測定例を示す。同図
ｂの横軸は同図ａの試料２上のＡＢで、光が照
射されている位置に相当し、縦軸は光電圧Ｖpを
表わす。試料２にスワールなどの結晶欠陥がある
と、その部分での少数キヤリアの寿命τは小さく
なり、その結果、光電圧Ｖpも小さく現われ、S1
およびS2で示すように、光電圧Ｖpの分布に凹部
が生じ、欠陥の存在が判定されることになる。
なお、ウエハ２が90度回転した後のラインにも
適用すれば、ウエハ２を同図ａで示したクロス方
向（ＣＤ方向）にも検査でき、検査の信頼性が
向上することは当然である。
適用すれば、ウエハ２を同図ａで示したクロス方
向（ＣＤ方向）にも検査でき、検査の信頼性が
向上することは当然である。
第３図ｂに示す光電圧Ｖpの変化を、例えば、
信号処理回路８で処理し、その最大値，最小値を
認識せしめ、これに特定のしきい値をセツトする
ことにより、当該ウエハ２が良品か不良品かを判
別することができる。この判別信号をウエハ２の
流路の制御部（図示せず）に加えれば、ウエハ２
の自動選別が可能となる。
信号処理回路８で処理し、その最大値，最小値を
認識せしめ、これに特定のしきい値をセツトする
ことにより、当該ウエハ２が良品か不良品かを判
別することができる。この判別信号をウエハ２の
流路の制御部（図示せず）に加えれば、ウエハ２
の自動選別が可能となる。
なお、光源としてLED５についてのみ述べた
が、半導体レーザ、あるいは、その他のレーザ、
あるいは、適当な光フイルタを有するキヤノンラ
ンプなど一般の光源が適用できることは言うまで
もない。
が、半導体レーザ、あるいは、その他のレーザ、
あるいは、適当な光フイルタを有するキヤノンラ
ンプなど一般の光源が適用できることは言うまで
もない。
又、信号処理部８にマイクロコンピユータを適
用すれば、判別しきい値の入れ替えなどが簡便化
され、操作性が向上することは言うまでもない。
用すれば、判別しきい値の入れ替えなどが簡便化
され、操作性が向上することは言うまでもない。
以上説明したごとく、本考案によれば、生産ラ
インにおける半導体ウエハ基板の検査を、簡便で
安価な装置によつてオンラインで行なうことがで
きる。従つて、製造ラインの初期段階でのチエツ
クが可能となるため、歩留り向上にとつて極めて
有効であり、工業的効果が大である。
インにおける半導体ウエハ基板の検査を、簡便で
安価な装置によつてオンラインで行なうことがで
きる。従つて、製造ラインの初期段階でのチエツ
クが可能となるため、歩留り向上にとつて極めて
有効であり、工業的効果が大である。
第１図は本考案による半導体ウエハ検査装置の
基本構成を示す図、第２図ａ〜ｄは第１図におけ
るセンサ部の実施例を示した図、第３図ａ，ｂは
試料の場所による光電圧の分布測定例を示す図で
ある。 １……試料台（兼電極）、２……試料（ウエ
ハ）、３……透明電極、３′……ガラス基板、３″
……スペーサ、４……レンズ、５……発光ダイオ
ード（LED）、６……パルス電源、７……同期検
波型増幅器、８……信号処理回路。
基本構成を示す図、第２図ａ〜ｄは第１図におけ
るセンサ部の実施例を示した図、第３図ａ，ｂは
試料の場所による光電圧の分布測定例を示す図で
ある。 １……試料台（兼電極）、２……試料（ウエ
ハ）、３……透明電極、３′……ガラス基板、３″
……スペーサ、４……レンズ、５……発光ダイオ
ード（LED）、６……パルス電源、７……同期検
波型増幅器、８……信号処理回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 半導体ウエハに断続光を照射する光照射手段
と、該半導体ウエハに対して隔てて設けられた
透明電極を通過する光の照射によつて該半導体
ウエハ内に生じた光起電力効果による光電圧を
該半導体ウエハに対して容量結合で取出す検出
手段と、該検出された信号を検波する手段と、
該検波された光電圧信号をあらかじめ定められ
たしきい値によつて弁別して該半導体ウエハの
良否を判別する信号処理手段とを備え、かつ上
記断続照射光は、照射光の半導体ウエハ中での
吸収係数をα、少数キヤリアの拡散距離をＬ、
少数キヤリアの寿命時間をτ、照射光のパルス
周波数をとした時、αＬ≪１、および≪
１／２πτを満足する波長の連続パルス光であるこ とを特徴とする半導体ウエハ検査装置。 ２ 実用新案登録請求の範囲第１項において、該
検波手段が、同期検波型増幅器であることを特
徴とする半導体ウエハ検査装置。 ３ 実用新案登録請求の範囲第１項において、該
照射される光が、ほぼ1/2のデユテイフアクタ
ーを有するパルス光であることを特徴とする半
導体ウエハ検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17536981U JPS5881944U (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体ウエハ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17536981U JPS5881944U (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体ウエハ検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881944U JPS5881944U (ja) | 1983-06-03 |
| JPS6242537Y2 true JPS6242537Y2 (ja) | 1987-10-31 |
Family
ID=29967703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17536981U Granted JPS5881944U (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 半導体ウエハ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881944U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3650917B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2005-05-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 表面光電圧による半導体表面評価方法及び装置 |
| US6894519B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-05-17 | Solid State Measurements, Inc. | Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer |
| JP2006073572A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶欠陥検査方法、半導体結晶欠陥検査装置、及びその半導体結晶欠陥検査装置を用いた半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543880A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Takeshi Kizaki | Non-contact measurement of semiconductor carrier concentration and conductivity by capacitance-coupling |
| JPS56155543A (en) * | 1981-04-08 | 1981-12-01 | Hitachi Ltd | Measuring device for semiconductor characteristic |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP17536981U patent/JPS5881944U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5881944U (ja) | 1983-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5025145A (en) | Method and apparatus for determining the minority carrier diffusion length from linear constant photon flux photovoltage measurements | |
| US4599558A (en) | Photovoltaic imaging for large area semiconductors | |
| US4712057A (en) | Method of examining and testing an electric device such as an integrated or printed circuit | |
| KR950010389B1 (ko) | 반도체 결함 검출 방법 | |
| US8941824B2 (en) | Semiconductor inspection method and semiconductor inspection apparatus | |
| KR101913311B1 (ko) | 실리콘 박막 측정 방법, 실리콘 박막 결함 검출 방법, 및 실리콘 박막 결함 검출 장치 | |
| US5177351A (en) | Method and apparatus for determining the minority carrier diffusion length from linear constant photon flux photovoltage measurements | |
| US4464627A (en) | Device for measuring semiconductor characteristics | |
| CA1220559A (en) | Noncontact dynamic tester for integrated circuits | |
| US4433288A (en) | Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length in semiconductors | |
| US4644264A (en) | Photon assisted tunneling testing of passivated integrated circuits | |
| EP0118199A1 (en) | An apparatus for measuring carrier lifetimes in a semiconductor | |
| US5369495A (en) | Semiconductor contaminant sensing system and method | |
| US20080036464A1 (en) | Probes and methods for semiconductor wafer analysis | |
| US4786864A (en) | Photon assisted tunneling testing of passivated integrated circuits | |
| JPS5982742A (ja) | 半導体ウエハのキヤリア寿命を測定する装置 | |
| JPS6242537Y2 (ja) | ||
| CN108646160A (zh) | 窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置和方法 | |
| JPS62283684A (ja) | 光プロ−ブ装置 | |
| CN111398774A (zh) | 硅片少子寿命的测试方法及装置 | |
| JP3650917B2 (ja) | 表面光電圧による半導体表面評価方法及び装置 | |
| JP5333150B2 (ja) | 静電解析方法及び静電解析装置 | |
| JPH0544187B2 (ja) | ||
| JPS58108752A (ja) | 半導体特性測定装置 | |
| JPH0543276B2 (ja) |