JPH055536B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は炭化水素を有用な炭化水素生成物に転
化する触媒反応の技術に関係するものであつて、
さらに詳しくは、疲弊触媒を炭化水素転化反応に
再使用できるようにする疲弊触媒の再生に関す
る。
化する触媒反応の技術に関係するものであつて、
さらに詳しくは、疲弊触媒を炭化水素転化反応に
再使用できるようにする疲弊触媒の再生に関す
る。
本発明は疲弊した、換言すれば、不活性化した
炭化水素転化触媒を再生、すなわち再活性化する
に必要な多段処理工程を行うための装置に関す
る。触媒再生は移動床方式で遂行され、そこでは
触媒がいろいろな処理帯域を通過する。触媒は重
力により再生装置を下向きに通過する。
炭化水素転化触媒を再生、すなわち再活性化する
に必要な多段処理工程を行うための装置に関す
る。触媒再生は移動床方式で遂行され、そこでは
触媒がいろいろな処理帯域を通過する。触媒は重
力により再生装置を下向きに通過する。
触媒は炭化水素転化帯域内にある間に表面に蓄
積したコークを除去するため、熱い酸素含有ガス
流と接触する。コークは主として炭素からなる
が、比較的少量の水素も含有する。コークを除去
するメカニズムは、これを二酸化炭素と水に酸化
することである。燃焼帯域を通過後、触媒は乾燥
帯域に供給されるが、これは燃焼帯域で生成され
た水の内、燃焼ガスで運ばれることなく、触媒に
残つた水を乾燥するためである。水の除去は触媒
に熱い乾燥空気流を通すことで行なわれる。乾燥
触媒は触媒冷却帯域に供給され、ここで触媒は乾
燥空気流と直接接触することで冷却される。冷却
後、触媒は本発明の再生装置から取出される。
積したコークを除去するため、熱い酸素含有ガス
流と接触する。コークは主として炭素からなる
が、比較的少量の水素も含有する。コークを除去
するメカニズムは、これを二酸化炭素と水に酸化
することである。燃焼帯域を通過後、触媒は乾燥
帯域に供給されるが、これは燃焼帯域で生成され
た水の内、燃焼ガスで運ばれることなく、触媒に
残つた水を乾燥するためである。水の除去は触媒
に熱い乾燥空気流を通すことで行なわれる。乾燥
触媒は触媒冷却帯域に供給され、ここで触媒は乾
燥空気流と直接接触することで冷却される。冷却
後、触媒は本発明の再生装置から取出される。
乾燥空気流は再生装置の底部に導入され、触媒
流と向流的に上向きに流れる。この空気流は触媒
との熱交換によつて触媒冷却帯域で加熱され、触
媒冷却帯域の上に位置する加熱コイルによつてさ
らに加熱される。加熱された空気流はその後触媒
乾燥帯域を通つて水を除去し、次いで燃焼帯域の
ガス収集部に入り、ここで燃焼で生じたガス及び
触媒中を通過した不活性ガスと混合される。煙道
ガスと呼ばれるこの混合物は燃焼帯域から抜出さ
れ、その一部は燃焼帯域に循環されてコークを焼
払うために触媒と接触する。循環されない残部は
大気中に排出される。つまり、同じ空気流が触媒
の冷却、乾燥及びコークの燃焼に使用される。炭
化水素の接触改質に使用された触媒を再生する場
合には、以下に記すような付加的な再生工程が必
要になろう。
流と向流的に上向きに流れる。この空気流は触媒
との熱交換によつて触媒冷却帯域で加熱され、触
媒冷却帯域の上に位置する加熱コイルによつてさ
らに加熱される。加熱された空気流はその後触媒
乾燥帯域を通つて水を除去し、次いで燃焼帯域の
ガス収集部に入り、ここで燃焼で生じたガス及び
触媒中を通過した不活性ガスと混合される。煙道
ガスと呼ばれるこの混合物は燃焼帯域から抜出さ
れ、その一部は燃焼帯域に循環されてコークを焼
払うために触媒と接触する。循環されない残部は
大気中に排出される。つまり、同じ空気流が触媒
の冷却、乾燥及びコークの燃焼に使用される。炭
化水素の接触改質に使用された触媒を再生する場
合には、以下に記すような付加的な再生工程が必
要になろう。
本発明の目的の一つは再生された触媒を水冷す
るための別の装置を排除することにある。
るための別の装置を排除することにある。
本発明の別の目的の一つは再生された触媒から
熱を回収してユーテイリテイーコストを節約する
ことにある。
熱を回収してユーテイリテイーコストを節約する
ことにある。
本発明のさらに別の目的は、熱い再生触媒を別
の冷却装置に通す必要性をなくして、再生手続き
の安全性を確保することにある。
の冷却装置に通す必要性をなくして、再生手続き
の安全性を確保することにある。
本発明のさらにまた別の目的は、触媒冷却装置
とこれに付帯するコイルを排除し、再生装置とは
別の大型の空気加熱機を、再生装置ないの小型の
加熱手段に置き換えることにより、主要コストを
減少させることにある。
とこれに付帯するコイルを排除し、再生装置とは
別の大型の空気加熱機を、再生装置ないの小型の
加熱手段に置き換えることにより、主要コストを
減少させることにある。
広義の具体例に於いて、本発明の装置は、燃焼
帯域を形成する円筒形の上部領域と、この上部領
域より直径が小さい領域であつて、下端に触媒の
排出ノズルに備え、触媒乾燥帯域と、空気加熱帯
域と、触媒冷却帯域を備える下部領域を有し、触
媒粒子が重力によつて移動することができる垂直
に配置された容器と、この容器の上部領域まで実
質的に延びる直径が異なる二つの垂直な円筒形ス
クリーンからなり、これを互いに同軸に配置して
触媒床が重力で下降することができる環状帯域を
形成し、その環状帯域を前記容器の下部領域の触
媒乾燥帯域に連通させ、前記二つの垂直な円筒形
スクリーンを前記容器の上部領域と同軸的に配置
して容器の壁と径の大きいスクリーンとの間に、
ガスを分配するための環状空間を形成させた触媒
保持スクリーンと、前記容器に設けた少なくとも
一つの疲弊触媒導入ノズルと、この導入ノズルと
接続され、かつ前記触媒保持スクリーン間で保持
される環状の下降粒子床の上部と連通する少なく
とも一つの内在的な触媒導入管と、前記容器に設
けられ、前記の環状ガス分配空間と連通する少な
くとも一つの再生用ガス導入ノズルと、前記容器
に設けられ、前記の径の小さい触媒保持スクリー
ンに囲まれた円筒形の中央空間と連通する少なく
とも一つの煙道ガス排出ノズルと、前記容器の下
部領域の最上部からなり、前記の環状触媒床と連
通する触媒乾燥帯域と、前記容器の下部領域にあ
る触媒乾燥帯域の直ぐ下に位置し、上向きの流れ
る空気流を加熱するための手段からなる空気加熱
帯域と、前記容器に設けた空気導入ノズルと、こ
の空気導入ノズルと接続された空気分配装置を有
する触媒冷却帯域を、前記空気加熱帯域の直ぐ下
に位置させて前記の空気分配装置を当該冷却帯域
底部の水平面に位置させ、空気が前記水平面に実
質的に均一に分配するようにした触媒冷却帯域を
有する。
帯域を形成する円筒形の上部領域と、この上部領
域より直径が小さい領域であつて、下端に触媒の
排出ノズルに備え、触媒乾燥帯域と、空気加熱帯
域と、触媒冷却帯域を備える下部領域を有し、触
媒粒子が重力によつて移動することができる垂直
に配置された容器と、この容器の上部領域まで実
質的に延びる直径が異なる二つの垂直な円筒形ス
クリーンからなり、これを互いに同軸に配置して
触媒床が重力で下降することができる環状帯域を
形成し、その環状帯域を前記容器の下部領域の触
媒乾燥帯域に連通させ、前記二つの垂直な円筒形
スクリーンを前記容器の上部領域と同軸的に配置
して容器の壁と径の大きいスクリーンとの間に、
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保持スクリーンと、前記容器に設けた少なくとも
一つの疲弊触媒導入ノズルと、この導入ノズルと
接続され、かつ前記触媒保持スクリーン間で保持
される環状の下降粒子床の上部と連通する少なく
とも一つの内在的な触媒導入管と、前記容器に設
けられ、前記の環状ガス分配空間と連通する少な
くとも一つの再生用ガス導入ノズルと、前記容器
に設けられ、前記の径の小さい触媒保持スクリー
ンに囲まれた円筒形の中央空間と連通する少なく
とも一つの煙道ガス排出ノズルと、前記容器の下
部領域の最上部からなり、前記の環状触媒床と連
通する触媒乾燥帯域と、前記容器の下部領域にあ
る触媒乾燥帯域の直ぐ下に位置し、上向きの流れ
る空気流を加熱するための手段からなる空気加熱
帯域と、前記容器に設けた空気導入ノズルと、こ
の空気導入ノズルと接続された空気分配装置を有
する触媒冷却帯域を、前記空気加熱帯域の直ぐ下
に位置させて前記の空気分配装置を当該冷却帯域
底部の水平面に位置させ、空気が前記水平面に実
質的に均一に分配するようにした触媒冷却帯域を
有する。
触媒を再生過程でハロゲン化しなければならな
い場合、本発明の装置は、前記した容器の上部領
域及び触媒保持スクリーンの延長部分からなるハ
ロゲン化帯域を備え、その延長部分は前記燃焼帯
域の下に位置し、触媒保持スクリーンで形成され
る環状空間は前記の触媒乾燥帯域と連通し、さら
に前記のハロゲン化帯域上部域のガス分配用環状
空間の上部に位置して容器側壁と直径の大きいス
クリーンとの間に延び、ガス分配用環状空間に於
ける燃焼帯域とハロゲン化帯域との間のガスの流
れを防止するための水平なガス環状隔壁と、容器
に設けられてハロゲン化帯域のガス分配用環状空
間と連通するハロゲン導入ノズルと、少なくとも
一つのハロゲン排出ノズルと、その排出ノズルと
接続されて直径の小さいスクリーンで囲まれた中
央空間と連通する少なくとも一つのハロゲン排出
導管と、ハロゲン化帯域内の中央空間を上昇する
ガスの一部を前記のハロゲン排出導管に導き、触
媒床を通つてハロゲン化帯域内のガス分配用環状
空間を流れるガスの一部を前記の燃焼帯域の中央
空間に導くための流れ案内手段を備えている。
い場合、本発明の装置は、前記した容器の上部領
域及び触媒保持スクリーンの延長部分からなるハ
ロゲン化帯域を備え、その延長部分は前記燃焼帯
域の下に位置し、触媒保持スクリーンで形成され
る環状空間は前記の触媒乾燥帯域と連通し、さら
に前記のハロゲン化帯域上部域のガス分配用環状
空間の上部に位置して容器側壁と直径の大きいス
クリーンとの間に延び、ガス分配用環状空間に於
ける燃焼帯域とハロゲン化帯域との間のガスの流
れを防止するための水平なガス環状隔壁と、容器
に設けられてハロゲン化帯域のガス分配用環状空
間と連通するハロゲン導入ノズルと、少なくとも
一つのハロゲン排出ノズルと、その排出ノズルと
接続されて直径の小さいスクリーンで囲まれた中
央空間と連通する少なくとも一つのハロゲン排出
導管と、ハロゲン化帯域内の中央空間を上昇する
ガスの一部を前記のハロゲン排出導管に導き、触
媒床を通つてハロゲン化帯域内のガス分配用環状
空間を流れるガスの一部を前記の燃焼帯域の中央
空間に導くための流れ案内手段を備えている。
米国特許第3652231号はある面で本発明の再生
装置と類似する再生装置を示しているが、この装
置は触媒冷却帯域、換言すれば乾燥空気加熱帯域
を有していない。この特許は炭化水素の接触改質
と共に使用可能な連続的触媒再生方法を記載す
る。米国特許第3647680号及び第3692496号も改質
触媒の再生を記載する。
装置と類似する再生装置を示しているが、この装
置は触媒冷却帯域、換言すれば乾燥空気加熱帯域
を有していない。この特許は炭化水素の接触改質
と共に使用可能な連続的触媒再生方法を記載す
る。米国特許第3647680号及び第3692496号も改質
触媒の再生を記載する。
米国特許第3838038号は移動床再生装置が使用
できる炭化水素転化方法の例を列挙し、そのリス
トにはハイドロクラツキング及びその他の水素化
処理方法、異性化、アルキル化及び脱水素化が含
まれている。
できる炭化水素転化方法の例を列挙し、そのリス
トにはハイドロクラツキング及びその他の水素化
処理方法、異性化、アルキル化及び脱水素化が含
まれている。
飽和ノルマルパラフイン、特に分子当り２〜６
の炭素原子を有するパラフインの接触的脱水素化
を記載した米国特許第3978150号は、ハロゲン化
領域を必要としていないものの、前記の米国特許
第3652231号による装置で再生できる触媒を使用
する。本発明の装置で再生可能な他の脱水素化触
媒は、米国特許第4438288号及び第4506032号に記
載されている。
の炭素原子を有するパラフインの接触的脱水素化
を記載した米国特許第3978150号は、ハロゲン化
領域を必要としていないものの、前記の米国特許
第3652231号による装置で再生できる触媒を使用
する。本発明の装置で再生可能な他の脱水素化触
媒は、米国特許第4438288号及び第4506032号に記
載されている。
米国特許第3745112号は本発明の装置で実行さ
れる移動床法で好ましく再生される触媒を記載す
る。
れる移動床法で好ましく再生される触媒を記載す
る。
上に引用した米国特許の幾つか（例えば第
3692496号及び第3367680号）に示されるような移
動床連続触媒再生系を、接触改質に使用された触
媒の再生に利用した場合、乾燥後の触媒を還元帯
域に移送する前に、その触媒を冷却するのが通例
である。この冷却は再生装置（米国特許第
3652231号に示されるような）から取出される触
媒を、冷却容器に通し、冷却容器内に設けたコイ
ルに水を通すことで普通行なわれる。上に引用し
た米国特許第4438288号、第3745112号及び第
4506032号の触媒再生でも、触媒を還元帯域に入
れる前に冷却が必要である。
3692496号及び第3367680号）に示されるような移
動床連続触媒再生系を、接触改質に使用された触
媒の再生に利用した場合、乾燥後の触媒を還元帯
域に移送する前に、その触媒を冷却するのが通例
である。この冷却は再生装置（米国特許第
3652231号に示されるような）から取出される触
媒を、冷却容器に通し、冷却容器内に設けたコイ
ルに水を通すことで普通行なわれる。上に引用し
た米国特許第4438288号、第3745112号及び第
4506032号の触媒再生でも、触媒を還元帯域に入
れる前に冷却が必要である。
第１図〜第３図によつて本発明を説明するが、
図面は本発明を限定するものではない。図面は本
発明を明確に理解する上で必須な要素だけを示し
たものである。先に引用した米国特許第3652231
号、第3647680号及び第3692496号の教示内容はこ
こでも適用でき、これらから詳しい情報を得るこ
とができる。
図面は本発明を限定するものではない。図面は本
発明を明確に理解する上で必須な要素だけを示し
たものである。先に引用した米国特許第3652231
号、第3647680号及び第3692496号の教示内容はこ
こでも適用でき、これらから詳しい情報を得るこ
とができる。
上の米国特許に記載されているように、本発明
の装置で再生される触媒のタイプは、直径約1/32
〜約1/4インチ（0.8〜6.4mm）の球状にあるアル
ミナのような基体を含有する。またこの触媒粒子
は基体に担持された白金及びハロゲンのような各
種の物質を含有する。
の装置で再生される触媒のタイプは、直径約1/32
〜約1/4インチ（0.8〜6.4mm）の球状にあるアル
ミナのような基体を含有する。またこの触媒粒子
は基体に担持された白金及びハロゲンのような各
種の物質を含有する。
第１図に於いて、触媒粒子はノズル３４によつ
て再生容器１に導入される。図には二つの触媒導
入ノズルが示されているが、ノズルは一つでも多
数でもよい。再生容器１の上部領域内には、二つ
の触媒保持スクリーン１６及び１９がある。二つ
の触媒保持スクリーンは円筒形で、それらの中心
軸は再生容器の中心軸上にあつて、再生容器の上
部領域に同軸的に位置している。スクリーン１６
及び１９は環状帯域を形成し、その帯域内を触媒
２６の下降環状カラム又は環状床が重力によつて
移動する（第３図参照）。ノズル３４の延長部分
である触媒導入管は、環状床に触媒を放出する。
触媒スクリーンの開口は触媒粒子が通過できない
大きさにあり、また詰まらない大きさにある。こ
のスクリーンについては米国特許第3652231号の
教示が参考になる。触媒保持スクリーンは容器１
の上部領域全体に伸び、触媒を触媒乾燥帯域８に
運ぶ。
て再生容器１に導入される。図には二つの触媒導
入ノズルが示されているが、ノズルは一つでも多
数でもよい。再生容器１の上部領域内には、二つ
の触媒保持スクリーン１６及び１９がある。二つ
の触媒保持スクリーンは円筒形で、それらの中心
軸は再生容器の中心軸上にあつて、再生容器の上
部領域に同軸的に位置している。スクリーン１６
及び１９は環状帯域を形成し、その帯域内を触媒
２６の下降環状カラム又は環状床が重力によつて
移動する（第３図参照）。ノズル３４の延長部分
である触媒導入管は、環状床に触媒を放出する。
触媒スクリーンの開口は触媒粒子が通過できない
大きさにあり、また詰まらない大きさにある。こ
のスクリーンについては米国特許第3652231号の
教示が参考になる。触媒保持スクリーンは容器１
の上部領域全体に伸び、触媒を触媒乾燥帯域８に
運ぶ。
触媒の回りにガスを分配するのに機能する環状
空間は、触媒保持スクリーン１９と、再生容器１
の上部領域の側壁２８との間に形成される。ガス
は循環ノズル３１から符号１７で示されるこの環
状空間に入る。環状の隔壁２９はガス分配空間１
７と、符号１８で示される小さいガス分配空間を
区切つている。ガスは環状のガス分配空間から、
スクリーン１６及び１９で保持されるところの符
号２６で示される触媒２６を通り、円筒形の中央
空間１３に流れる。中央空間１３の一部はハロゲ
ン導管１４で占められている。
空間は、触媒保持スクリーン１９と、再生容器１
の上部領域の側壁２８との間に形成される。ガス
は循環ノズル３１から符号１７で示されるこの環
状空間に入る。環状の隔壁２９はガス分配空間１
７と、符号１８で示される小さいガス分配空間を
区切つている。ガスは環状のガス分配空間から、
スクリーン１６及び１９で保持されるところの符
号２６で示される触媒２６を通り、円筒形の中央
空間１３に流れる。中央空間１３の一部はハロゲ
ン導管１４で占められている。
容器１の上部領域のうち隔壁２９の上の部分
は、燃焼帯域であつて、ここでコークの燃焼が生
起する。隔壁２９より下の上部領域はハロゲン化
帯域である。ハロゲン化帯域は場合によつて必要
ではなく、隔壁２９、ハロゲン導入ノズル１０、
ハロゲン排出ノズル４０、ハロゲン排出導管１４
は省略できる。ハロゲン含有ガスはハロゲン導入
ノズル１０からこの帯域に入り、触媒床を半径方
向に流れてハロゲン化帯域の中央空間１１に入
る。
は、燃焼帯域であつて、ここでコークの燃焼が生
起する。隔壁２９より下の上部領域はハロゲン化
帯域である。ハロゲン化帯域は場合によつて必要
ではなく、隔壁２９、ハロゲン導入ノズル１０、
ハロゲン排出ノズル４０、ハロゲン排出導管１４
は省略できる。ハロゲン含有ガスはハロゲン導入
ノズル１０からこの帯域に入り、触媒床を半径方
向に流れてハロゲン化帯域の中央空間１１に入
る。
スクリーン１６及び１９は、第１図に示す通
り、上部領域より半径が小さい下部領域まで伸び
る。スクリーン１９の外径は容器の下部領域の内
径より僅かに小さく、スクリーンは下部領域に嵌
合してシールを形成し、これによつて環状の分配
空間内の実質的にすべてのガスは、再生容器の下
部領域にバイパスすることなく、触媒床中に流れ
る。上記のシール手段としては他の手段を利用す
ることもできる。触媒保持スクリーン間の環状帯
域から排出される触媒は、加熱手段を包む触媒ス
クリーン６の下の空間を除く、容器１の下部領域
すべてに充満する。触媒は容器の下部領域を下向
きに移動して、触媒排出ノズル２から取出され
る。つまり、触媒は環状床から触媒乾燥帯域８、
空気加熱帯域９及び触媒冷却帯域７を通過するの
である。
り、上部領域より半径が小さい下部領域まで伸び
る。スクリーン１９の外径は容器の下部領域の内
径より僅かに小さく、スクリーンは下部領域に嵌
合してシールを形成し、これによつて環状の分配
空間内の実質的にすべてのガスは、再生容器の下
部領域にバイパスすることなく、触媒床中に流れ
る。上記のシール手段としては他の手段を利用す
ることもできる。触媒保持スクリーン間の環状帯
域から排出される触媒は、加熱手段を包む触媒ス
クリーン６の下の空間を除く、容器１の下部領域
すべてに充満する。触媒は容器の下部領域を下向
きに移動して、触媒排出ノズル２から取出され
る。つまり、触媒は環状床から触媒乾燥帯域８、
空気加熱帯域９及び触媒冷却帯域７を通過するの
である。
再生容器１のノズル３には、下降触媒に直角な
水平面の各所に空気を分配するための手段４が設
けられ、これによつて空気はすべての触媒と接触
して容器内を均一に上昇する。容器に入る空気は
約100〓（38℃）の温度にあり、乾燥されている
ので、約5ppm（容積）以上の水を含まない。空気
は触媒冷却帯域７で示される部分の触媒粒子間を
上昇し、この間に触媒により約900〓（482℃）に
加熱される。一方、触媒は300〜400〓（149〜204
℃）に冷却される。
水平面の各所に空気を分配するための手段４が設
けられ、これによつて空気はすべての触媒と接触
して容器内を均一に上昇する。容器に入る空気は
約100〓（38℃）の温度にあり、乾燥されている
ので、約5ppm（容積）以上の水を含まない。空気
は触媒冷却帯域７で示される部分の触媒粒子間を
上昇し、この間に触媒により約900〓（482℃）に
加熱される。一方、触媒は300〜400〓（149〜204
℃）に冷却される。
符号９で示される空間には上昇空気を加熱する
別の手段が設けられている。この加熱手段は伝熱
流体を流れるチユーブでも差支えないが、好まし
くは電気抵抗加熱素子である。第２図は符号２５
で示される加熱素子を含む容器１の断面図であ
る。符号２４は加熱素子を有する加熱装置のバラ
ンスを示す。触媒はプレート５及び２３と容器１
の側壁２７で区切られたダウンカマーを通ること
で、加熱手段が設けられている部分を通り過ぎ
る。垂直なプレート５及び２３は側壁２７で形成
される円の弦に沿つて配置され、符号２１及び２
２で示される触媒通路を構成する。加熱手段によ
つて占められる領域の上部は、当該領域への触媒
の侵入を阻止するためにスクリーン６で覆われ
る。実質的にすべての空気は、ダウンカマーの触
媒間を上昇するのに優先して、領域９の加熱手段
部分を通過する。ダウンカマーを上昇する空気の
圧力降下は、加熱手段部分を上昇する空気のそれ
よりかなり大きいからである。加熱帯域を通過し
た後の上昇空気の平均温度は約1000〓（538℃）
である。
別の手段が設けられている。この加熱手段は伝熱
流体を流れるチユーブでも差支えないが、好まし
くは電気抵抗加熱素子である。第２図は符号２５
で示される加熱素子を含む容器１の断面図であ
る。符号２４は加熱素子を有する加熱装置のバラ
ンスを示す。触媒はプレート５及び２３と容器１
の側壁２７で区切られたダウンカマーを通ること
で、加熱手段が設けられている部分を通り過ぎ
る。垂直なプレート５及び２３は側壁２７で形成
される円の弦に沿つて配置され、符号２１及び２
２で示される触媒通路を構成する。加熱手段によ
つて占められる領域の上部は、当該領域への触媒
の侵入を阻止するためにスクリーン６で覆われ
る。実質的にすべての空気は、ダウンカマーの触
媒間を上昇するのに優先して、領域９の加熱手段
部分を通過する。ダウンカマーを上昇する空気の
圧力降下は、加熱手段部分を上昇する空気のそれ
よりかなり大きいからである。加熱帯域を通過し
た後の上昇空気の平均温度は約1000〓（538℃）
である。
この熱い空気は乾燥帯域８で示される部分の触
媒間を上昇し、触媒上の水分を除去する。乾燥帯
域８から容器内を上昇する本質的にすべての空気
は、触媒保持スクリーン１６で包囲され、符号１
１で示される円筒形の中央空間に供給される。次
いでその空気の大部分はハロゲン導管１４に入
り、ハロゲン排出ノズル４０から再生容器の外に
流出する。多くの場合、容器は実質的にすべての
空気が導管１４に入るよう設計される。これは符
号３０で示す導管１４の拡張端のような流れ案内
手段を設けることによつて実現される。ここで
「実質的にすべて」とは中央空間１１に入る空気
の80〜100％を意味する。ガス分配空間１８から
触媒間を通過したハロゲンを含むガスも導管１４
に入る。
媒間を上昇し、触媒上の水分を除去する。乾燥帯
域８から容器内を上昇する本質的にすべての空気
は、触媒保持スクリーン１６で包囲され、符号１
１で示される円筒形の中央空間に供給される。次
いでその空気の大部分はハロゲン導管１４に入
り、ハロゲン排出ノズル４０から再生容器の外に
流出する。多くの場合、容器は実質的にすべての
空気が導管１４に入るよう設計される。これは符
号３０で示す導管１４の拡張端のような流れ案内
手段を設けることによつて実現される。ここで
「実質的にすべて」とは中央空間１１に入る空気
の80〜100％を意味する。ガス分配空間１８から
触媒間を通過したハロゲンを含むガスも導管１４
に入る。
第３図は第１図に示す容器１の断面図である。
ハロゲン導管１４は容器の垂直軸の中心にある。
触媒保持スクリーン１６及び１９は触媒２６の下
降移動床を囲んでいる。環状のガス分配空間１７
のガスは、触媒間を半径方向に流れ、スクリーン
１６及び導管１４で区切られた中央空間１３に入
る。導管１４の内部は符号１２で示される。
ハロゲン導管１４は容器の垂直軸の中心にある。
触媒保持スクリーン１６及び１９は触媒２６の下
降移動床を囲んでいる。環状のガス分配空間１７
のガスは、触媒間を半径方向に流れ、スクリーン
１６及び導管１４で区切られた中央空間１３に入
る。導管１４の内部は符号１２で示される。
ハロゲン導入ノズル１０から入つたハロゲンを
含むガスの一部は、環状の触媒床を通過するが、
中央空間１１に入らずに中央空間１４に入る。ガ
スのこの分割は流れ案内手段３０によつて実現さ
れる。以下に説明する通り、燃焼用酸素を提供す
るのはガスのこの部分である。
含むガスの一部は、環状の触媒床を通過するが、
中央空間１１に入らずに中央空間１４に入る。ガ
スのこの分割は流れ案内手段３０によつて実現さ
れる。以下に説明する通り、燃焼用酸素を提供す
るのはガスのこの部分である。
ノズル４０を通つて容器から出るガスは圧縮さ
れ（図示なし）、ハロゲン導入ノズル１０から再
生容器に循環される。塩素とスチームが循環ガス
に添加され、容器に戻される前に加熱される。こ
のガスは、容器の下部領域から上昇する実質的に
すべての空気からなるので、主成分は空気であ
る。ノズル１０から容器内に入つたガスは隔壁２
９によりハロゲン化帯域に閉じこめられる。ハロ
ゲンを含有するガスは環状空間１８に分配され、
隔壁２９の下に位置する触媒床を半径方向に通過
し、これによつて触媒のハロゲン化が行なわれ
る。そして、このガスは中央空間１１を上昇する
空気と混合され、ハロゲン導管１４に入る。
れ（図示なし）、ハロゲン導入ノズル１０から再
生容器に循環される。塩素とスチームが循環ガス
に添加され、容器に戻される前に加熱される。こ
のガスは、容器の下部領域から上昇する実質的に
すべての空気からなるので、主成分は空気であ
る。ノズル１０から容器内に入つたガスは隔壁２
９によりハロゲン化帯域に閉じこめられる。ハロ
ゲンを含有するガスは環状空間１８に分配され、
隔壁２９の下に位置する触媒床を半径方向に通過
し、これによつて触媒のハロゲン化が行なわれ
る。そして、このガスは中央空間１１を上昇する
空気と混合され、ハロゲン導管１４に入る。
循環ガスはノズル３１から環状のガス分配空間
１７に入り、触媒床を半径方向に通過して導管１
４の外表面とスクリーン１６とで区切られた環状
の中央空間１３に供給される。燃焼帯域の触媒床
を通過するガスは、触媒上の炭素を燃焼するため
の酸素を提供し、導管１４に入らずにハロゲン化
帯域から上昇するガスと混合される。この混合物
が煙道ガスであるが、これはノズル１５から容器
を出る。このガスの一部は、必要に応じてスクラ
バーを経て大気中に排出され、残部は圧縮されて
ノズル３１から容器に戻される。硫黄酸化物等を
除去する必要があれば、循環ガスは容器に戻され
る前にスクラツビングされる。
１７に入り、触媒床を半径方向に通過して導管１
４の外表面とスクリーン１６とで区切られた環状
の中央空間１３に供給される。燃焼帯域の触媒床
を通過するガスは、触媒上の炭素を燃焼するため
の酸素を提供し、導管１４に入らずにハロゲン化
帯域から上昇するガスと混合される。この混合物
が煙道ガスであるが、これはノズル１５から容器
を出る。このガスの一部は、必要に応じてスクラ
バーを経て大気中に排出され、残部は圧縮されて
ノズル３１から容器に戻される。硫黄酸化物等を
除去する必要があれば、循環ガスは容器に戻され
る前にスクラツビングされる。
ガスの流れは次のように要約することができ
る。本発明では二つのガス循環ループがある。ハ
ロゲン化ループでは、空気はノズル４０から出て
ノズル１０に循環される。少量のハロゲンとスチ
ームは空気がノズルに入る前にその空気に添加さ
れる。乾燥帯域を離れる実質的にすべての空気
は、触媒床を通過した空気と混合されてノズル４
０から排出される。ノズル１０に入つた空気の一
部は燃焼帯域に流用される。燃焼帯域に流用され
る空気の量は、再生容器の下部領域を上昇する空
気の量にほぼ等しいと思われる。
る。本発明では二つのガス循環ループがある。ハ
ロゲン化ループでは、空気はノズル４０から出て
ノズル１０に循環される。少量のハロゲンとスチ
ームは空気がノズルに入る前にその空気に添加さ
れる。乾燥帯域を離れる実質的にすべての空気
は、触媒床を通過した空気と混合されてノズル４
０から排出される。ノズル１０に入つた空気の一
部は燃焼帯域に流用される。燃焼帯域に流用され
る空気の量は、再生容器の下部領域を上昇する空
気の量にほぼ等しいと思われる。
煙道ガスループでは、煙道ガスはノズル１５か
ら容器を出て、ノズル３１に循環される。このガ
スはノズル３１に入る前に、スクラバー又は乾燥
機に通すことができる。ハロゲン化帯域からの空
気と煙道ガスループは併合され燃焼用酸素を提供
する。煙道ガスループには物質収支を維持を維持
するために、煙道ガスの大気中への放出がある。
ら容器を出て、ノズル３１に循環される。このガ
スはノズル３１に入る前に、スクラバー又は乾燥
機に通すことができる。ハロゲン化帯域からの空
気と煙道ガスループは併合され燃焼用酸素を提供
する。煙道ガスループには物質収支を維持を維持
するために、煙道ガスの大気中への放出がある。
ハロゲン排出ノズル４０とハロゲン導管１４は
第１図に示すように配置し、煙道ガス排出ノズル
１５内に通す必要はない。二つの排出ノズル間の
ガスの流れを区分することができる別の構成を採
用してもよい。
第１図に示すように配置し、煙道ガス排出ノズル
１５内に通す必要はない。二つの排出ノズル間の
ガスの流れを区分することができる別の構成を採
用してもよい。
触媒再生に関するさらに詳しい情報は、先に引
用した米国特許から得ることができる。もし湿つ
た触媒が還元が行なわれる次の再生工程に供給さ
れると、アルミナ上での白金の再分散は生起しな
いであろう。ある種の触媒は500〓（260℃）以下
に冷却され、充分活性な触媒を得るために還元ガ
スの存在下に再加熱される。
用した米国特許から得ることができる。もし湿つ
た触媒が還元が行なわれる次の再生工程に供給さ
れると、アルミナ上での白金の再分散は生起しな
いであろう。ある種の触媒は500〓（260℃）以下
に冷却され、充分活性な触媒を得るために還元ガ
スの存在下に再加熱される。
以上の説明で使用した温度条件は、本発明のす
べての実施例に適用できるものではなく、またこ
れが本発明を限定するものでもないことに留意す
べきである。例えば、触媒冷却帯域に入る乾燥ガ
スは、約100〜約400〓（38〜204℃）の範囲であ
り、燃焼帯域に入る空気は900〜900〜約1400〓
（482〜760℃）の範囲にある。
べての実施例に適用できるものではなく、またこ
れが本発明を限定するものでもないことに留意す
べきである。例えば、触媒冷却帯域に入る乾燥ガ
スは、約100〜約400〓（38〜204℃）の範囲であ
り、燃焼帯域に入る空気は900〜900〜約1400〓
（482〜760℃）の範囲にある。
第１図は本発明の実施例の概略図であり、第２
図及び第３図は第１図における２−２線及び３−
３線での拡大断面図である。 １：再生容器、２：触媒排出ノズル、３：再生
用ガス導入ノズル、４：ガス分配装置、５：プレ
ート、６：スクリーン、７：触媒冷却帯域、８：
乾燥帯域、９：空気加熱帯域、１０：ハロゲン導
入ノズル、１１，１３：中央空間、１４：ハロゲ
ン導管、１５：煙道ガス排出ノズル、１６，１
９：触媒保持スクリーン、１７，１８：ガス分配
用環状空間、２３：プレート、２４：バランス、
２５：加熱素子、２６：触媒床、２９：環状隔
壁、３０：流れ案内手段、３４：触媒導入ノズ
ル、４０：ハロゲン排出ノズル。
図及び第３図は第１図における２−２線及び３−
３線での拡大断面図である。 １：再生容器、２：触媒排出ノズル、３：再生
用ガス導入ノズル、４：ガス分配装置、５：プレ
ート、６：スクリーン、７：触媒冷却帯域、８：
乾燥帯域、９：空気加熱帯域、１０：ハロゲン導
入ノズル、１１，１３：中央空間、１４：ハロゲ
ン導管、１５：煙道ガス排出ノズル、１６，１
９：触媒保持スクリーン、１７，１８：ガス分配
用環状空間、２３：プレート、２４：バランス、
２５：加熱素子、２６：触媒床、２９：環状隔
壁、３０：流れ案内手段、３４：触媒導入ノズ
ル、４０：ハロゲン排出ノズル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 燃焼帯域を形成する円筒形の上部領域
と、この上部領域より直径が小さい領域であつ
て、下端に触媒の排出ノズルに備えた下部領域
を有し、触媒粒子が重力によつて移動すること
ができる垂直に配置された容器と、 (b) 前記容器の上部領域まで実質的に延びる直径
が異なる二つの垂直な円筒形スクリーンからな
り、これを互いに同軸に配置して触媒床が重力
で下降することができる環状帯域を形成し、そ
の環状帯域を前記容器の下部領域に連通させ、
前記二つの垂直な円筒形スクリーンを前記容器
の上部領域と同軸的に配置して容器の壁と径の
大きいスクリーンとの間に、ガスを分配するた
めの環状空間を形成させた触媒保持スクリーン
と、 (c) 前記容器に設けた少なくとも一つの疲弊触媒
導入ノズルと、この導入ノズルと接続され、か
つ前記触媒保持スクリーン間で保持される環状
の下降粒子床の上部と連通する少なくとも一つ
の内在的な触媒導入管と、 (d) 前記容器に設けられ、前記の環状ガス分配空
間と連通する少なくとも一つの再生用ガスノズ
ルと、 (e) 前記容器に設けられ、前記の径の小さい触媒
保持スクリーンに囲まれた円筒形の中央空間と
連通する少なくとも一つの煙道ガスノズルと、 (f) 前記容器の下部領域の最上部からなり、前記
の環状触媒床と連通する触媒乾燥帯域と、 (g) 前記触媒乾燥帯域の直ぐ下に位置し、上向き
の流れる空気流を加熱するための手段からなる
空気加熱帯域と、 (h) 前記容器に設けた空気導入ノズルと、この空
気導入ノズルと接続された空気分配装置を有す
る触媒冷却帯域を、前記空気加熱帯域の直ぐ下
に位置させて前記の空気分配装置を当該冷却帯
域底部の水平面に位置させ、空位置させ、空気
が前記水平面に実質的に均一に分配するように
した触媒冷却帯域、 を有する炭化水素転化反応に使用して疲弊した触
媒の再生装置。 ２ 前記容器の上部領域及び触媒保持スクリーン
の延長部分からなり、前記の燃焼帯域の下に位置
して触媒保持スクリーンで形成される前記の環状
空間が前記の触媒乾燥帯域と連通するハロゲン化
帯域を有し、さらに (a) 前記ハロゲン化帯域上部域のガス分配用環状
空間の上部に位置して容器即兵器と直径の大き
いスクリーンとの間に延び、ガス分配用環状空
間に於けるハロゲン化帯域と燃焼帯域との間の
ガスの流れを防止するための水平な環状隔壁
と、 (b) 容器に設けられてハロゲン化帯域のガス分配
用環状空間と連通する少なくとも一つのハロゲ
ン導入ノズルと、 (c) 少なくとも一つのハロゲン排出ノズルと、そ
の排出ノズルと接続されて直径の小さいスクリ
ーンで囲まれた中央空間と連通する少なくとも
一つのハロゲン排出導管と、 (d) ハロゲン化帯域内の中央空間を上昇するガス
の一部を前記のハロゲン排出導管に導き、触媒
床を通つてハロゲン化帯域内のガス分配用環状
空間を流れるガスの一部を前記の燃焼帯域内の
中央空間に導くための流れ案内手段、 を備えていることをさらに特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の触媒再生装置。 ３ 前記の空気加熱帯域が少なくとも一つの触媒
通路と、前記乾燥帯域から降下する触媒を前記乾
燥帯域から前記触媒通路に方向付けるための手段
からなることをさらに特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の触媒再生装置。 ４ 前記の空気加熱帯域が二つの触媒ダウンカマ
ーからなり、各ダウンカマーは容器下部領域の側
壁部分とその側壁と弦の関係にある平らな板とで
囲まれ、平らな板は互いに容器の長軸と平行であ
ることをさらに特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の触媒再生装置。 ５ 上昇空気流を加熱するための手段が、前記触
媒ダウンカマーの側板の間の中央空間に位置する
加熱チユーブからなり、その加熱チユーブは前記
側板間に延びて空気の通過は許すが前記中央空間
への触媒の侵入を許さないスクリーンによつて覆
われていることをさらに特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の触媒再生装置。 ６ (a) 疲弊触媒粒子をコーク酸化温度に保持さ
れた燃焼帯域に重力によつて通過させて、その
触媒を酸素含有再生用ガスと接触させ、 (b) 前記の燃焼帯域を離れる触媒を重力によつて
触媒乾燥帯域に通過させて、触媒から水を除去
し、 (c) 前記の触媒乾燥帯域を離れる触媒を重力によ
つて触媒冷却帯域に通過させて、触媒の温度を
低下させ、前記の燃焼帯域、冷却帯域及び乾燥
帯域は同一容器内に収め、 (d) 乾燥した冷たい空気流を前記の触媒冷却帯域
に通して触媒と向流的に接触させて、触媒を冷
却し、空気流自体を加熱し、 (e) 前記の触媒冷却帯域を離れた空気流を、この
触媒冷却帯域と同じ容器に収めた空気加熱帯域
でコーク酸化温度まで加熱し、 (f) 前記の空気加熱帯域を離れる空気流を前記の
触媒乾燥帯域に上向きに通過させ、触媒と向流
的に接触させて触媒から水を除去し、 (g) 前記乾燥帯域を離れる空気流を前記の燃焼帯
域に通過させ、 (h) 触媒冷却帯域から再生され、乾燥され、冷却
された触媒粒子を取出す、 ことを含む炭化水素転化反応で使用された疲弊触
媒の再生方法。
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