JPH0555373A - ウエハクラツキング方法およびその装置 - Google Patents
ウエハクラツキング方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH0555373A JPH0555373A JP21370091A JP21370091A JPH0555373A JP H0555373 A JPH0555373 A JP H0555373A JP 21370091 A JP21370091 A JP 21370091A JP 21370091 A JP21370091 A JP 21370091A JP H0555373 A JPH0555373 A JP H0555373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cutter blade
- cut
- push
- dicing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005336 cracking Methods 0.000 title claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面に対して斜めの結晶方向を有するウェハ
を斜めに切断分離するばあいに、チップにクラックが入
ったり、クラック場所がずれて両方のチップが不良にな
ったりしないで確実に各チップに分離でき、かつ分離作
業を容易に行えるウェハのクラッキング方法およびその
装置を提供する。 【構成】 ウェハの表面にダイヤモンドカッタなどで浅
くダイシング線をいれ、ウェハ裏面の前記ダイシング線
に位置する線上をカッタ刃で突き上げて衝撃を与えてク
ラックさせることにより分離させる。このカッタ刃の突
き上げおよびウェハのダイシング線が順次カッタ刃の位
置と合うようにテーブル移動機構とカッタ突き上げ機構
とで自動的にクラックを行う。
を斜めに切断分離するばあいに、チップにクラックが入
ったり、クラック場所がずれて両方のチップが不良にな
ったりしないで確実に各チップに分離でき、かつ分離作
業を容易に行えるウェハのクラッキング方法およびその
装置を提供する。 【構成】 ウェハの表面にダイヤモンドカッタなどで浅
くダイシング線をいれ、ウェハ裏面の前記ダイシング線
に位置する線上をカッタ刃で突き上げて衝撃を与えてク
ラックさせることにより分離させる。このカッタ刃の突
き上げおよびウェハのダイシング線が順次カッタ刃の位
置と合うようにテーブル移動機構とカッタ突き上げ機構
とで自動的にクラックを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板などウェハか
らチップを切断分離するばあいのウェハクラッキング方
法およびその装置に関する。さらに詳しくは、基板表面
に対して斜めの方向に結晶方向を有するウェハを、その
結晶方向に沿って切断分離するばあいのウェハクラッキ
ング方法およびその装置に関する。
らチップを切断分離するばあいのウェハクラッキング方
法およびその装置に関する。さらに詳しくは、基板表面
に対して斜めの方向に結晶方向を有するウェハを、その
結晶方向に沿って切断分離するばあいのウェハクラッキ
ング方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、たとえば半導体チップは、一枚の
半導体基板であるウェハに、碁盤の目状に同じ回路を形
成し、それを碁盤の目状に切断分離して各チップを形成
している。普通のばあいこの切断を基板に対して垂直に
行えばよいため、ウェハを弾力性のある塩化ビニル系フ
ィルムなどのフィルムに貼着し、ダイヤモンドカッタで
ウェハの厚さ全部を切断したり、ウェハ厚さの３／４位
切断して残りをクラッキングすることにより分離する方
法がとられている。
半導体基板であるウェハに、碁盤の目状に同じ回路を形
成し、それを碁盤の目状に切断分離して各チップを形成
している。普通のばあいこの切断を基板に対して垂直に
行えばよいため、ウェハを弾力性のある塩化ビニル系フ
ィルムなどのフィルムに貼着し、ダイヤモンドカッタで
ウェハの厚さ全部を切断したり、ウェハ厚さの３／４位
切断して残りをクラッキングすることにより分離する方
法がとられている。
【０００３】しかし半導体の種類によってはウェハを構
成している結晶がウェハの表面に対し斜め方向に成長し
ており、その結晶方向に沿って切断分離しなければなら
ないばあいがある。たとえばレーザ発光装置のばあい、
結晶方向が<111> のシリコン半導体基板にアルミ配線し
たウェハをチップ状にしてシリコンサブマウントとし、
そのシリコンサブマウント表面に半導体レーザを載置し
て構成している。このシリコンサブマウントの構造は図
５に側面形状を示すように垂直方向に対して19.5°の角
度を有している。
成している結晶がウェハの表面に対し斜め方向に成長し
ており、その結晶方向に沿って切断分離しなければなら
ないばあいがある。たとえばレーザ発光装置のばあい、
結晶方向が<111> のシリコン半導体基板にアルミ配線し
たウェハをチップ状にしてシリコンサブマウントとし、
そのシリコンサブマウント表面に半導体レーザを載置し
て構成している。このシリコンサブマウントの構造は図
５に側面形状を示すように垂直方向に対して19.5°の角
度を有している。
【０００４】このように垂直方向に対して斜めに切断す
るのは、１μｍ以下の微細精度を必要とするシリコンサ
ブマウントの加工には従来のダイシング機械ではできな
い。
るのは、１μｍ以下の微細精度を必要とするシリコンサ
ブマウントの加工には従来のダイシング機械ではできな
い。
【０００５】従来のこの種のウェハを切断分離する方法
を図６〜８で説明する。すなわち図６はウェハの平面図
で同図の碁盤の目状の線がダイシング線で、図７はその
一部の部分拡大図、図８はウェハをクラッキングする方
法を示す説明図である。これらの図において、１はウェ
ハ、２はハーフダイシングのダイシング線で、３はウェ
ハの裏まで切断したフルダイシング線である。すなわ
ち、ダイシング線３の方向は結晶方向が斜めになってい
ないため、ウェハ１の表面に垂直に切断でき、ダイヤモ
ンドカッタでウェハ１の裏面まで切断しており、ダイシ
ング線２の方向は結晶方向が斜めで、斜めに切断する必
要があるため、ウェハ１の表面のみをダイヤモンドカッ
タで切断しているものである。この表面のみダイシング
した場所を図５に切欠き部2aで示す。５はエキスパンド
テープ、６はタンタル板、７はシリコンゴムシート、８
はクラッキング棒、Ｃはクラッキングの方向である。
を図６〜８で説明する。すなわち図６はウェハの平面図
で同図の碁盤の目状の線がダイシング線で、図７はその
一部の部分拡大図、図８はウェハをクラッキングする方
法を示す説明図である。これらの図において、１はウェ
ハ、２はハーフダイシングのダイシング線で、３はウェ
ハの裏まで切断したフルダイシング線である。すなわ
ち、ダイシング線３の方向は結晶方向が斜めになってい
ないため、ウェハ１の表面に垂直に切断でき、ダイヤモ
ンドカッタでウェハ１の裏面まで切断しており、ダイシ
ング線２の方向は結晶方向が斜めで、斜めに切断する必
要があるため、ウェハ１の表面のみをダイヤモンドカッ
タで切断しているものである。この表面のみダイシング
した場所を図５に切欠き部2aで示す。５はエキスパンド
テープ、６はタンタル板、７はシリコンゴムシート、８
はクラッキング棒、Ｃはクラッキングの方向である。
【０００６】クラッキングするにはまず、エキスパンド
テープ５にウェハ１を貼着し、ダイヤモンドカッタでダ
イシング線３をフルダイシングすると共にダイシング線
２をハーフダイシングする。ついでシリコンゴムシート
７、タンタル板６およびエキスパンドテープ５を一体と
した上に、シリコンサブマウントウェハ１の表側を下に
して貼り、シリコンサブマウントウェハ１のダイシング
線３に対して直角方向（ハーフダイシング線２に平行な
方向）に先端を鋭利にしたクラッキング棒８を手で押え
つけながら、シリコンサブマウントウェハ１をＣの方向
になぞってクラッキングしていた。
テープ５にウェハ１を貼着し、ダイヤモンドカッタでダ
イシング線３をフルダイシングすると共にダイシング線
２をハーフダイシングする。ついでシリコンゴムシート
７、タンタル板６およびエキスパンドテープ５を一体と
した上に、シリコンサブマウントウェハ１の表側を下に
して貼り、シリコンサブマウントウェハ１のダイシング
線３に対して直角方向（ハーフダイシング線２に平行な
方向）に先端を鋭利にしたクラッキング棒８を手で押え
つけながら、シリコンサブマウントウェハ１をＣの方向
になぞってクラッキングしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の手動でクラッキ
ングする方法では作業効率がよくないと共に、クラッキ
ングするときの力のかかり方、またクラッキング棒８の
当る場所が不均一となり、シリコンサブマウントウェハ
１の割れ状態が不均一になり、図９のＰに示すような切
断されないで両方共不良となるアベック不良や割れ不良
Ｑが発生し、割れカスも生じ易いという問題がある。
ングする方法では作業効率がよくないと共に、クラッキ
ングするときの力のかかり方、またクラッキング棒８の
当る場所が不均一となり、シリコンサブマウントウェハ
１の割れ状態が不均一になり、図９のＰに示すような切
断されないで両方共不良となるアベック不良や割れ不良
Ｑが発生し、割れカスも生じ易いという問題がある。
【０００８】本発明はこのような状況に鑑み、ウェハ表
面に対して斜め方向の結晶成長方向を有するウェハを作
業効率よく、不良の発生を防いで確実にクラッキングす
る方法およびその装置を提供することを目的とする。
面に対して斜め方向の結晶成長方向を有するウェハを作
業効率よく、不良の発生を防いで確実にクラッキングす
る方法およびその装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるウェハ表面
に対して斜めに切断分離するウェハクラッキング方法
は、前記ウェハ表面に前記ウェハ表面と垂直に浅くダイ
シングを行い、ついで前記ウェハの裏面から前記ダイシ
ングの線に沿って突き上げ機構によりカッタ刃を突き当
ててクラックすることにより行うものである。
に対して斜めに切断分離するウェハクラッキング方法
は、前記ウェハ表面に前記ウェハ表面と垂直に浅くダイ
シングを行い、ついで前記ウェハの裏面から前記ダイシ
ングの線に沿って突き上げ機構によりカッタ刃を突き当
ててクラックすることにより行うものである。
【００１０】また本発明によるウェハクラッキング装置
は、ガイドに沿って横方向に移動する移動テーブルと、
該移動テーブルを所定ピッチで移動させる移動機構と、
該移動テーブルの上に固定されるウェハ保持部と、該ウ
ェハ保持部に固定されたウェハと、該ウェハの下側に配
置されたカッタ刃と、該カッタ刃を突き上げて前記ウェ
ハに突き当てる突き上げ機構とからなり、前記移動機構
と前記突き上げ機構とを同期させて前記移動と突き上げ
を自動的に作動させる構成としたものである。
は、ガイドに沿って横方向に移動する移動テーブルと、
該移動テーブルを所定ピッチで移動させる移動機構と、
該移動テーブルの上に固定されるウェハ保持部と、該ウ
ェハ保持部に固定されたウェハと、該ウェハの下側に配
置されたカッタ刃と、該カッタ刃を突き上げて前記ウェ
ハに突き当てる突き上げ機構とからなり、前記移動機構
と前記突き上げ機構とを同期させて前記移動と突き上げ
を自動的に作動させる構成としたものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、ウェハから長方形状のチップ
に切断するのに、ウェハ表面に対して垂直に切断できる
辺はダイヤモンドカッタなどでウェハの厚さのほぼ全体
を切断し、垂直でなく斜めに切断する辺については、表
面を浅く切断し、そのウェハの裏面側から表面のダイシ
ング線に沿ってカッタ刃を突き当てるため、ウェハの端
から端まで均一な衝撃力がカッタ刃による細い線でかか
り、表面に入れたダイシング線と呼応して結晶軸に沿っ
たクラックが、表面のダイシング線から裏面に入り、斜
めにクラックする。
に切断するのに、ウェハ表面に対して垂直に切断できる
辺はダイヤモンドカッタなどでウェハの厚さのほぼ全体
を切断し、垂直でなく斜めに切断する辺については、表
面を浅く切断し、そのウェハの裏面側から表面のダイシ
ング線に沿ってカッタ刃を突き当てるため、ウェハの端
から端まで均一な衝撃力がカッタ刃による細い線でかか
り、表面に入れたダイシング線と呼応して結晶軸に沿っ
たクラックが、表面のダイシング線から裏面に入り、斜
めにクラックする。
【００１２】チップの大きさは全部同一であるため、ウ
ェハをチップ間隔ずつずらしてこの突き上げによる衝撃
を繰り返すことによりウェハに碁盤の目状のクラックが
入り分離できる。
ェハをチップ間隔ずつずらしてこの突き上げによる衝撃
を繰り返すことによりウェハに碁盤の目状のクラックが
入り分離できる。
【００１３】
【実施例】つぎに図面に基づいて本発明を説明する。図
１は本発明によるウェハクラッキング装置の概略斜視
図、図２は移動テーブル部分の概略斜視図、図３はウェ
ハ保持部の断面説明図、図４は突き上げ部の概略斜視図
である。これらの図で10は移動テーブル、20はウェハ保
持部、30は突き上げ部、40は枠体で端部に顕微鏡41が取
り付けられている。
１は本発明によるウェハクラッキング装置の概略斜視
図、図２は移動テーブル部分の概略斜視図、図３はウェ
ハ保持部の断面説明図、図４は突き上げ部の概略斜視図
である。これらの図で10は移動テーブル、20はウェハ保
持部、30は突き上げ部、40は枠体で端部に顕微鏡41が取
り付けられている。
【００１４】移動テーブル10は図２に示すように、テー
ブル11がボールネジ12を介してＬＭガイド13に固定さ
れ、ボールネジ12に接続された移動機構14によりボール
ネジ12を介して矢印Ａで示すように左右いずれかの方向
に一定ピッチで移動できるようになっている。この移動
機構14はパルスモータやカップリングなどで構成でき
る。
ブル11がボールネジ12を介してＬＭガイド13に固定さ
れ、ボールネジ12に接続された移動機構14によりボール
ネジ12を介して矢印Ａで示すように左右いずれかの方向
に一定ピッチで移動できるようになっている。この移動
機構14はパルスモータやカップリングなどで構成でき
る。
【００１５】またウェハ保持部20はテーブル11にホルダ
ーガイド26により固着され移動テーブル10の定ピッチの
移動によりウェハ１が定ピッチで移動できるようになっ
ている。ウェハ保持部20でのウェハ１が保持された状態
を図３に断面図で示す。
ーガイド26により固着され移動テーブル10の定ピッチの
移動によりウェハ１が定ピッチで移動できるようになっ
ている。ウェハ保持部20でのウェハ１が保持された状態
を図３に断面図で示す。
【００１６】図３において、１はウェハであり、21はウ
ェハ１の裏面を貼着したエキスパンドテープ、22は透明
樹脂板で、たとえばアクリル板や塩化ビニル板などが用
いられる。これはウェハ１の裏面から突き上げ機構30で
突き上げられるときのウェハ１を保持するための補強板
である。23は透明な弾力性シートでたとえばシリコンゴ
ムシートやウレタンゴムシートなどが用いられる。こら
はウェハ１の裏面から突き上げられたときの衝撃を吸収
し、ウェハ１に不要なクラックが入らないようにするた
めのものである。24はエキスパンドシートで前記透明樹
脂板22と弾力性シート23とを固定してウェハ１の表面に
載置できるようにすると共に、ウェハ１の表面を保護す
るためのもので、この例ではウェハ１の裏面に貼着した
エキスパンドシート21と同材質のものを使用したが、ウ
ェハ１の表面を保護し弾力性を有するもので弾力性シー
ト23と兼用することもできる。これら透明樹脂板22や弾
力性シート23を透明な材質で形成したのは、上側からウ
ェハのダイシング線が見えるようにし、カッタ刃31の位
置と合わせ易くするためである。
ェハ１の裏面を貼着したエキスパンドテープ、22は透明
樹脂板で、たとえばアクリル板や塩化ビニル板などが用
いられる。これはウェハ１の裏面から突き上げ機構30で
突き上げられるときのウェハ１を保持するための補強板
である。23は透明な弾力性シートでたとえばシリコンゴ
ムシートやウレタンゴムシートなどが用いられる。こら
はウェハ１の裏面から突き上げられたときの衝撃を吸収
し、ウェハ１に不要なクラックが入らないようにするた
めのものである。24はエキスパンドシートで前記透明樹
脂板22と弾力性シート23とを固定してウェハ１の表面に
載置できるようにすると共に、ウェハ１の表面を保護す
るためのもので、この例ではウェハ１の裏面に貼着した
エキスパンドシート21と同材質のものを使用したが、ウ
ェハ１の表面を保護し弾力性を有するもので弾力性シー
ト23と兼用することもできる。これら透明樹脂板22や弾
力性シート23を透明な材質で形成したのは、上側からウ
ェハのダイシング線が見えるようにし、カッタ刃31の位
置と合わせ易くするためである。
【００１７】これらをウェハ１の裏面に貼着したエキス
パンドシート21が下側になるようにホールド板25に固定
することによりウェハ保持部20を構成することができ
る。
パンドシート21が下側になるようにホールド板25に固定
することによりウェハ保持部20を構成することができ
る。
【００１８】ウェハ１は予め、エキスパンドシート21に
貼着したのち、ウェハ１の表面に垂直に切断できるダイ
シング線３はほぼウェハ１の裏面までダイヤモンドカッ
タなどで切断し、垂直に切断できないダイシング線２は
ウェハ１の表面のみ僅かの深さダイシングする。このダ
イシング線２のダイシング深さは、余り深いと結晶方向
に沿った切断ができないし、余り浅いと裏面からカッタ
刃による衝撃を与えてもクラックしないため、ウェハの
厚さの１／10〜１／４位の深さにするのが好ましい。
貼着したのち、ウェハ１の表面に垂直に切断できるダイ
シング線３はほぼウェハ１の裏面までダイヤモンドカッ
タなどで切断し、垂直に切断できないダイシング線２は
ウェハ１の表面のみ僅かの深さダイシングする。このダ
イシング線２のダイシング深さは、余り深いと結晶方向
に沿った切断ができないし、余り浅いと裏面からカッタ
刃による衝撃を与えてもクラックしないため、ウェハの
厚さの１／10〜１／４位の深さにするのが好ましい。
【００１９】つぎに突き上げ部30について説明する。突
き上げ部30は図４に概略斜視図を示すようにカッタ刃31
がカッタホルダ32に保持され、このカッタホルダ32はス
ライドブロック33に固定され、突き上げ機構35により矢
印Ｂで示すように上下動する構成になっている。
き上げ部30は図４に概略斜視図を示すようにカッタ刃31
がカッタホルダ32に保持され、このカッタホルダ32はス
ライドブロック33に固定され、突き上げ機構35により矢
印Ｂで示すように上下動する構成になっている。
【００２０】カッタ刃31はウェハ１のハーフダイシング
したダイシング線２の裏面に当るように、ウェハ１の直
径に相当する長さを有し、先端は厚さが10μｍ位の薄い
構造で耐摩耗性のため、表面焼き入れした炭素鋼、超鋼
などの材料で形成する。
したダイシング線２の裏面に当るように、ウェハ１の直
径に相当する長さを有し、先端は厚さが10μｍ位の薄い
構造で耐摩耗性のため、表面焼き入れした炭素鋼、超鋼
などの材料で形成する。
【００２１】突き上げ機構35はスライドブロック33を保
持するブラケット36、エアシリンダー37、エアシリンダ
37中心部の突き上げボタン38および図示してない電磁弁
（方向制御弁）などのエアシリンダ駆動機構からなって
いる。この突き上げボタン38はスライドブロック33の中
心部の真下に位置するように配置され、スライドブロッ
ク33と若干の間隔をなして配置されている。これらは衝
撃力を加えてカッタ刃をウェハ１の裏面に突き当てるた
めである。
持するブラケット36、エアシリンダー37、エアシリンダ
37中心部の突き上げボタン38および図示してない電磁弁
（方向制御弁）などのエアシリンダ駆動機構からなって
いる。この突き上げボタン38はスライドブロック33の中
心部の真下に位置するように配置され、スライドブロッ
ク33と若干の間隔をなして配置されている。これらは衝
撃力を加えてカッタ刃をウェハ１の裏面に突き当てるた
めである。
【００２２】この構成のウェハブレイキング装置で、エ
キスパンドシート21にアルミ配線をしたシリコンサブマ
ウントウェハ１を貼着し、ウェハ１の平面と垂直に切断
できる方向のダイシング線３をウェハ１の厚さ230 μｍ
のほぼ裏面までダイシングし、垂直に切断できない方向
のダイシング線２は約40μｍの深さまでダイシングし
た。この状態でホールド板25に透明樹脂板22、弾力性シ
ート23と共に固着し、テーブル11に固定した。顕微鏡41
でウェハ１のダイシング線２とカッタ刃31の線とが一致
するようにホールド板25の回転とテーブル11の微動調整
により合わせた。ここで、カッタ刃31をウェハのクラッ
クする位置ではなく、表面のダイシング線２に合わせる
のはダイシング部から結晶成長方向に沿ってクラックが
入り易いからである。チップの幅であるダイシング線２
の間隔１mmづつ移動するように移動機構14を調節し、こ
の移動ピッチを突き上げ機構35の突き上げピッチと同期
させた。突き上げ機構35のエアシリンダ37の突き上げ力
は７kgで、パルスモータにより突き上げボタン38を突き
上げた。突き上げボタン38とスライドブロック35との間
隔は約４mm、カッタ刃31とエキスパンドシート21との間
隔も約４mmであり突き上げボタンの突き上げ力より大き
な衝撃力がウェハ１に加わり、ウェハ１は結晶方向に沿
ってきれいにクラックが生じた。
キスパンドシート21にアルミ配線をしたシリコンサブマ
ウントウェハ１を貼着し、ウェハ１の平面と垂直に切断
できる方向のダイシング線３をウェハ１の厚さ230 μｍ
のほぼ裏面までダイシングし、垂直に切断できない方向
のダイシング線２は約40μｍの深さまでダイシングし
た。この状態でホールド板25に透明樹脂板22、弾力性シ
ート23と共に固着し、テーブル11に固定した。顕微鏡41
でウェハ１のダイシング線２とカッタ刃31の線とが一致
するようにホールド板25の回転とテーブル11の微動調整
により合わせた。ここで、カッタ刃31をウェハのクラッ
クする位置ではなく、表面のダイシング線２に合わせる
のはダイシング部から結晶成長方向に沿ってクラックが
入り易いからである。チップの幅であるダイシング線２
の間隔１mmづつ移動するように移動機構14を調節し、こ
の移動ピッチを突き上げ機構35の突き上げピッチと同期
させた。突き上げ機構35のエアシリンダ37の突き上げ力
は７kgで、パルスモータにより突き上げボタン38を突き
上げた。突き上げボタン38とスライドブロック35との間
隔は約４mm、カッタ刃31とエキスパンドシート21との間
隔も約４mmであり突き上げボタンの突き上げ力より大き
な衝撃力がウェハ１に加わり、ウェハ１は結晶方向に沿
ってきれいにクラックが生じた。
【００２３】このクラックの入ったエキスパンドシート
21に貼着されているウェハ１を70℃に加熱して引き延ば
すことによりエキスパンドシート21を拡げると切断部の
間隔が広がり、各チップは分離されて次の工程でピック
アップされ使用される。
21に貼着されているウェハ１を70℃に加熱して引き延ば
すことによりエキスパンドシート21を拡げると切断部の
間隔が広がり、各チップは分離されて次の工程でピック
アップされ使用される。
【００２４】この方法でウェハをクラッキングした結
果、１枚当りの工数（実際に人間が作業する時間）は従
来の20分から２分となり、大幅に縮減することができ、
しかもクラックによる歩留は従来の60％から100 ％と大
幅に向上した。
果、１枚当りの工数（実際に人間が作業する時間）は従
来の20分から２分となり、大幅に縮減することができ、
しかもクラックによる歩留は従来の60％から100 ％と大
幅に向上した。
【００２５】以上説明した例ではシリコンサブマウント
ウェハの例について説明したが、本発明はそれ以外の薄
い基板を斜めに切断するばあいに適用できる。
ウェハの例について説明したが、本発明はそれ以外の薄
い基板を斜めに切断するばあいに適用できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハを斜めに切断するのにウェハ表面に僅かの深さダイ
シングし、その裏面からカッタ刃で突き上げて衝撃によ
りクラックしているため、均一にクラックできると共に
自動化ができる。その結果クラック作業の工数が大幅に
縮減できると共に、歩留が大幅に向上しコスト低下に大
いに寄与する効果がある。
ェハを斜めに切断するのにウェハ表面に僅かの深さダイ
シングし、その裏面からカッタ刃で突き上げて衝撃によ
りクラックしているため、均一にクラックできると共に
自動化ができる。その結果クラック作業の工数が大幅に
縮減できると共に、歩留が大幅に向上しコスト低下に大
いに寄与する効果がある。
【図１】本発明の一実施例であるウェハクラッキング装
置の概略斜視図である。
置の概略斜視図である。
【図２】移動テーブル部分の概略斜視図である。
【図３】ウェハ保持部の断面説明図である。
【図４】突き上げ部の概略斜視図である。
【図５】斜め切断されたシリコンサブマウントの側面図
である。
である。
【図６】ウェハにダイシング線の入った平面図である。
【図７】図６の部分拡大図である。
【図８】従来のウェハクラッキングの方法を説明する図
である。
である。
【図９】従来のウェハクラッキングによる不良の例を示
す平面説明図である。
す平面説明図である。
１ ウェハ 10 移動テーブル 13 ＬＭガイド 14 移動機構 20 ウェハ保持部 31 カッタ刃 35 突き上げ機構
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に対して斜めに結晶方向を有するウ
ェハを前記結晶方向に沿って斜めに切断分離するウェハ
クラッキング方法であって、前記ウェハ表面に前記ウェ
ハ表面と垂直に浅くダイシングを行い、ついで前記ウェ
ハの裏面から前記ダイシングの線に沿って突き上げ機構
によりカッタ刃を突き当ててクラックするウェハクラッ
キング方法。 - 【請求項２】 エキスパンドシートに前記ウェハの裏面
を貼着し、前記ウェハの表面側に透明な弾力性シートを
介して透明樹脂板を配置して前記ウェハを固定し、前記
ウェハの表面側から前記ダイシング線と前記カッタ刃と
の位置合わせをし、前記ウェハ裏面の前記エキスパンド
シートに前記カッタ刃を突き当てる請求項１記載のウェ
ハクラッキング方法。 - 【請求項３】 ガイドに沿って横方向に移動する移動テ
ーブルと、該移動テーブルを所定ピッチで移動させる移
動機構と、該移動テーブルの上に固定されるウェハ保持
部と、該ウェハ保持部に固定されたウェハと、該ウェハ
の下側に配置されたカッタ刃と、該カッタ刃を突き上げ
て前記ウェハに突き当てる突き上げ機構とからなり、前
記移動機構と前記突き上げ機構とを同期させて前記移動
と突き上げを自動的に作動させてなるウェハクラッキン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21370091A JPH0555373A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | ウエハクラツキング方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21370091A JPH0555373A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | ウエハクラツキング方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555373A true JPH0555373A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16643548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21370091A Pending JPH0555373A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | ウエハクラツキング方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555373A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2794284A1 (fr) * | 1999-05-31 | 2000-12-01 | St Microelectronics Sa | Procede et outillage de coupe de produits semiconducteurs |
| JP2014078606A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR102068086B1 (ko) * | 2019-09-06 | 2020-01-20 | (주)지금강이엔지 | 상토매트 자동공급장치용 커팅장치 |
| KR20250164281A (ko) | 2023-03-23 | 2025-11-24 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 단결정 기판의 분단 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546456A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Separating method into semiconductor pellet |
| JPH02301152A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Fujikura Ltd | 半導体基板の劈開方法 |
| JPH03192753A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Sharp Corp | ウエハブレーキング装置 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21370091A patent/JPH0555373A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546456A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Separating method into semiconductor pellet |
| JPH02301152A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Fujikura Ltd | 半導体基板の劈開方法 |
| JPH03192753A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Sharp Corp | ウエハブレーキング装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2794284A1 (fr) * | 1999-05-31 | 2000-12-01 | St Microelectronics Sa | Procede et outillage de coupe de produits semiconducteurs |
| JP2014078606A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR102068086B1 (ko) * | 2019-09-06 | 2020-01-20 | (주)지금강이엔지 | 상토매트 자동공급장치용 커팅장치 |
| KR20250164281A (ko) | 2023-03-23 | 2025-11-24 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 단결정 기판의 분단 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102369760B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| KR102368338B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| US11597039B2 (en) | Wafer producing method and laser processing apparatus | |
| US7134943B2 (en) | Wafer processing method | |
| KR102419485B1 (ko) | 웨이퍼의 박화 방법 | |
| US7507639B2 (en) | Wafer dividing method | |
| US7134942B2 (en) | Wafer processing method | |
| KR20180035689A (ko) | SiC 웨이퍼의 생성 방법 | |
| CN102403204B (zh) | 晶片的加工方法 | |
| CN102097310B (zh) | 光器件晶片的加工方法 | |
| US6593170B2 (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
| KR20180063832A (ko) | SiC 웨이퍼의 생성 방법 | |
| JP6084883B2 (ja) | 円形板状物の分割方法 | |
| JP4874602B2 (ja) | ウエーハの加工方法およびウエーハの加工方法に用いる粘着テープ | |
| JP2005109155A (ja) | 半導体ウェーハの加工方法 | |
| JP2007305687A (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
| CN117832172A (zh) | 晶圆分离方法及晶圆加工装置 | |
| JPH0555373A (ja) | ウエハクラツキング方法およびその装置 | |
| KR102680920B1 (ko) | 피가공물의 절삭 방법 | |
| US4498451A (en) | Cutting articles along known planes | |
| CN1723547A (zh) | 制造单晶半导体晶片的方法及实施该方法的激光加工设备 | |
| JP6887727B2 (ja) | ドレッシングボード及び切削装置 | |
| JPH10209086A (ja) | 板状ワークの割断方法およびその装置 | |
| US12134138B2 (en) | Wafer manufacturing method | |
| JP2019034391A (ja) | 加工方法 |