JPH0555692A

JPH0555692A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JPH0555692A
Application number: JP21551891A
Authority: JP
Inventors: Shoji Hirata; 照二平田; Hironobu Narui; 啓修成井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-08-27
Filing date: 1991-08-27
Publication date: 1993-03-05

Abstract

(57)【要約】【目的】ＳＤＨ型半導体レーザにおいて、リッジの両
側のサイリスタ構成を確実に保持して、リーク電流の低
減化をはかる。【構成】｛１００｝結晶面を主面１Ｓとする第１導電
型の基体１上に、この基体の〈０１１〉結晶軸方向に延
長するリッジ２が形成され、このリッジ２上に気相成長
法により少なくとも第１導電型のクラッド層５と、活性
層６と、第２導電型のクラッド層７と、電流ブロック層
９とが、リッジ２の両端縁から延びて成る｛１１１｝Ｂ
面より成る斜面８ａ及び８ｂが現れるように成長されて
成り、リッジ２の両側面２Ｓ及び両側の溝３底部に、基
体１とは異なる導電型のキャリアを有する半導体層４又
は絶縁型の半導体層を設けて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特に活
性層の横方向において電流狭窄がなされて低しきい値電
流化がはかられた半導体レーザに係わる。

【０００２】

【従来の技術】低しきい値電流Ｉ_thを有する半導体レー
ザとして、１回のエピタキシャル成長作業によって形成
し得るようにしたＳＤＨ（Separated Double Hetero Ju
nction) 半導体レーザが、本出願人による例えば特開昭
61−183987号特許出願、特開平２−174287号特許出願等
において提案されている。

【０００３】このＳＤＨ型半導体レーザは、図４にその
一例の略線的拡大断面図を示すように、先ず第１導電型
例えばｎ型で一主面１Ｓが｛１００｝結晶面の例えば
（１００）結晶面を有する例えばＧａＡｓより成る基体
１のその主面１Ｓに、図４においてその紙面と直交する
〈０１１〉結晶軸方向の例えば〔０１１〕結晶軸方向に
延びる線状のメサ突起即ちリッジ２がその両側を溝３に
挟まれて形成され、このリッジ２上を含んだｎ型基体１
の主面１Ｓ上に、順次通常のＭＯＣＶＤ（有機金属によ
る化学的気相成長）法すなわちメチル系ＭＯＣＶＤ法に
よって、連続的に第１導電型例えばｎ型のクラッド層５
と、低不純物濃度ないしはアンドープの活性層６と、第
２導電型例えばｐ型の第１のクラッド層７と、第１導電
型例えばｎ型の電流ブロック層８と、第２導電型例えば
ｐ型の第２のクラッド層１０と、第２導電型のキャップ
層１１との各半導体層が１回のエピタキシャル成長作業
によって形成されてなる。

【０００４】ここに第１導電型のクラッド層５と第２導
電型の第１及び第２のクラッド層７及び１０と、第１導
電型の電流ブロック層９とは、活性層６に比してバンド
ギャップが大すなわち屈折率が小なる材料より成る。

【０００５】このとき、上述したように基体１の主面１
Ｓの結晶面及びリッジ２の延長する結晶方位を選定し、
更にリッジ２の幅及び高さ、即ちその両側の溝３の深
さ、さらにｎ型のクラッド層５、活性層６、ｐ型の第１
のクラッド層７等の厚さを選定することによって、各層
５、６及び７をリッジ２上と溝３上とにおいて互いに他
と分断するように斜面８ａ及び８ｂによる断層を形成
し、これら斜面８ａ及び８ｂによって分断された断面三
角形状でかつ図４の紙面に直交する方向に延長するエピ
タキシャル成長層２０がリッジ２上に形成されるように
することができる。

【０００６】これは、通常のＭＯＣＶＤ法、即ちメチル
系の有機金属を原料ガスとして行ったＭＯＣＶＤ法によ
る場合、（１１１）Ｂ結晶面が一旦生じてくると、この
面に関してはエピタキシャル成長が生じにくいことを利
用して、断面三角形状のエピタキシャル成長層２０を形
成するものである。そして、この場合電流ブロック層９
は、エピタキシャル成長層２０によってこれを挟んでそ
の両側に分断され、この分断によって生じた両端面が丁
度ストライプ状エピタキシャル成長層２０における分断
されたストライプ状活性層６の両側端面の近傍、即ち斜
面８ａ及び８ｂに臨む端面の近傍に衝合するようになさ
れる。

【０００７】このようにしてリッジ２上のエピタキシャ
ル成長層２０における活性層６が、これより屈折率の小
さい電流ブロック層９によって挟みこまれるように形成
されて横方向の閉じ込めがなされて発光動作領域となる
ようにされ、しかもこの電流ブロック層９の存在によっ
てストライプ状エピタキシャル成長層２０の両外側にお
いては、ｐ型の第２のクラッド層１０と、ブロック層９
と、ｐ型の第１のクラッド層７と、ｎ型のクラッド層５
とによってｐ−ｎ−ｐ−ｎのサイリスタが形成されて、
ここにおける電流が阻止され、これによってこのリッジ
２上のエピタキシャル成長層２０の活性層６に電流が集
中するようになされて、低しきい値電流化をはかるよう
になされている。

【０００８】しかしながら、このような構成とする場
合、図４において矢印ｉ_aで示すように、リッジ２上の
ｎ型のクラッド層５から、斜面８ａ及び８ｂに接する界
面を通じてｎ型の電流ブロック層９からｐ型の第２のク
ラッド層１０へ抜けるリーク電流の通路が形成され、動
作時にリーク電流が流れてしまう。そしてこのリーク電
流が大となる場合には、ｐ型の第２のクラッド層１０、
電流ブロック層９、ｐ型の第１のクラッド層７及びｎ型
のクラッド層５により構成されるサイリスタがオン状態
となってしまい、矢印ｉ_bで示すように大なるリーク電
流が流れてしまう場合があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うなＳＤＨ構成を採る半導体レーザにおいて、リッジ２
両側の溝３内におけるサイリスタ構成を安定に保持し、
サイリスタがオン状態になって大なるリーク電流が発生
することを確実に回避することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明半導体レーザの一
例の略線的拡大断面図を図１に示す。本発明は図１に示
すように、｛１００｝結晶面を主面１Ｓとする第１導電
型の基体１上に、この基体の〈０１１〉結晶軸方向に延
長するリッジ２が形成され、このリッジ２上に気相成長
法により少なくとも第１導電型のクラッド層５と、活性
層６と、第２導電型のクラッド層７と、電流ブロック層
９とが、リッジ２の両端縁から延びて成る｛１１１｝Ｂ
結晶面より成る斜面８ａ及び８ｂが現れるように成長さ
れて成り、リッジ２の両側面２Ｓ及び両側の溝３底部
に、基体１とは異なる導電型のキャリアを有する半導体
層４又は絶縁型の半導体層を設けて構成する。

【００１１】

【作用】上述したように本発明半導体レーザにおいて
は、｛１００｝結晶面を主面１Ｓとする基体１上に、基
体１の〈０１１〉結晶軸方向に延長するリッジ２が形成
されて、この上に気相成長法、即ち通常のメチル系ＭＯ
ＣＶＤ法によって第１導電型のクラッド層５、活性層
６、第２導電型のクラッド層７、電流ブロック層９等を
被着形成するものであるが、このように主面１Ｓの結晶
面及びリッジ２の延長する方向を選定する場合はリッジ
２上において一旦｛１１１｝Ｂ結晶面が生じると、この
｛１１１｝Ｂ結晶面上ではメチル系ＭＯＣＶＤ法による
成長が生じにくいことから、リッジ２上では｛１１１｝
Ｂ結晶面より成る斜面８ａ及び８ｂに両側を挟まれた断
面三角形状となって成長し、各層はリッジ２上と溝３内
とで互いに分断して成長する。従ってこのリッジ２の幅
及び高さ、更には各層５、６及び７の厚さを適切に選定
することによって、リッジ２上においては第１導電型の
クラッド層５、活性層６及び第２導電型のクラッド層７
より成る断面三角形状のエピタキシャル成長層２０が構
成され、一方溝３内の電流ブロック層９が、リッジ２上
の活性層６の両斜面８ａ及び８ｂに臨む両側の近傍に位
置するようになすことができる。図１の例においては、
この活性層６の端面を覆うようになす場合を示してい
る。

【００１２】更に本発明半導体レーザにおいては、リッ
ジ２の両側面２Ｓ及び両側の溝３内を、基体１とは異な
る導電型のキャリアを有する半導体層４又は絶縁型の半
導体層によって囲んで構成することにより、図において
破線矢印ａで示すように、リッジ２上の第１導電型のク
ラッド層５から電流ブロック層９に抜けるリーク電流が
発生して溝３内の第１導電型のクラッド層６、第２導電
型の第１のクラッド層７、電流ブロック層９及び第２導
電型の第２のクラッド層１０より成るサイリスタがオン
状態となっても、基体１、半導体層４、第１導電型のク
ラッド層６及び第２導電型のクラッド層７より成るｐ−
ｎ−ｐ−ｎサイリスタが構成されるため、破線矢印ｂで
示すように、基体１から半導体層４、第１導電型のクラ
ッド層５、第２導電型のクラッド層７へと流れるより大
なるリーク電流が発生することを確実に回避できる。

【００１３】従って、従来に比して大なる動作電流を通
電して、ある程度のリーク電流がリッジ２上において発
生しても、溝３内においてはサイリスタ構成を安定に保
持することができて、より大なるリーク電流の発生を確
実に阻止することができる。

【００１４】

【実施例】実施例１以下図１の断面図と、その理解を容易にするためにその
製造方法を示す図２Ａ〜Ｃの製造工程図を参照して本発
明半導体レーザの一例を詳細に説明する。この場合、Ａ
ｌＧａＡｓ系III −Ｖ族半導体レーザの例を示す。

【００１５】図１において、１はｎ型のＧａＡｓ等より
成る基体で、この基体１の｛１００｝結晶面、例えば
（１００）結晶面より成る主面１Ｓ上に、〈０１１〉結
晶軸、例えば〔０１１〕結晶軸方向に延長するリッジ２
が形成されて成る。このリッジ２の両側面２Ｓ上とこれ
を挟んだ両側の溝３底部には、基体１とは異なる導電型
即ちこの場合ｐ型のＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓ等より
成る半導体層４が被着形成されて成る。そしてこれの上
に、順次第１導電型例えばｎ型のＡｌＧａＡｓ等より成
るクラッド層５、真性のＧａＡｓ等より成る活性層６、
更に第２導電型例えばｐ型のＡｌＧａＡｓ等より成る第
１のクラッド層７とが順次被着されて成り、リッジ２上
においては、この第１導電型のクラッド層５、活性層６
及び第２導電型の第１のクラッド層７とによって｛１１
１｝Ｂ結晶面この場合（１１１）Ｂ結晶面より成る斜面
８ａ及び８ｂによって囲まれた断面三角形状のエピタキ
シャル成長層２０が形成され、溝３内においては、第２
導電型の第１のクラッド層７上に更に例えばｎ型のＡｌ
ＧａＡｓ等より成る電流ブロック層９と第２導電型この
場合ｐ型のＡｌＧａＡｓ等より成る第２のクラッド層１
０、ｐ型のＧａＡｓ等より成るキャップ層１１が順次被
着されて半導体レーザが構成される。

【００１６】このような半導体レーザの製造方法を図２
Ａ〜Ｃを参照して説明する。先ず図２Ａに示すように、
第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓ等より成る基体１の例
えば（１００）結晶面より成る主面１Ｓ上に、例えば
〔０１１〕結晶軸方向、この場合図２Ａの紙面と直交す
る方向に延長するリッジ２２を例えば逆メサ状にエッチ
ング形成する。このエッチングは、図示しないがフォト
リソグラフィ等の適用によって、例えば塩酸系またはア
ンモニア系のウェットエッチング液を用いて行う。そし
てこのリッジ２上を覆って全面的に例えばｐ型のＧａＡ
ｓ、又はＡｌＧａＡｓ等より成る半導体層４を通常のＭ
ＯＣＶＤ法、即ちトリメチルアルミニウム、トリメチル
ガリウム、アルシン等の材料を用いるメチル系ＭＯＣＶ
Ｄ法によりエピタキシャル成長する。この場合、リッジ
２の両側面２Ｓ上には｛０１１｝結晶面より成る面４Ｆ
が自然発生的に生じて、この面４Ｆ上と、溝３底部の
（１００）面に沿う面上とにおいて半導体層４がエピタ
キシャル成長する。一方リッジ２上においては、リッジ
２の両端縁から主面１Ｓに対して約５５°の角度をなす
｛１１１｝Ｂ結晶面この場合（１１１）Ｂ結晶面より成
る斜面８ａ及び８ｂが自然発生的に生じる。

【００１７】これは、通常のメチル系ＭＯＣＶＤ法によ
る場合は、上述の｛１１１｝Ｂ結晶面上においてはエピ
タキシャル成長が生じにくいことから、一旦この｛１１
１｝Ｂ結晶面が生じると、リッジ２上と溝３内とにおい
ては互いに分断してエピタキシャル成長されることに因
る。

【００１８】このようにして、リッジ２の延長する方向
と、基体１の主面１Ｓの結晶面とを選定することによっ
て、リッジ２上と、リッジ２の両側面２Ｓ及び溝３内と
において互いに分断して半導体層４を被着形成すること
ができる。

【００１９】次に図２Ｂに示すように、この半導体層４
上に例えば液状のフォトレジスト２１を塗布して溝３内
の半導体層４上のみを覆うようにして、このフォトレジ
スト２１をマスクとしてエッチングを行って、リッジ２
上の半導体層４のみをエッチング除去する。

【００２０】この後図２Ｃに示すように、通常のＳＤＨ
構造の半導体レーザと同様に、ＡｌＧａＡｓ等より成る
例えばｎ型のクラッド層５、ＧａＡｓ等より成る活性層
６、ＡｌＧａＡｓ等より成る例えばｐ型の第１のクラッ
ド層７を順次メチル系ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャ
ル成長する。このとき、リッジ２の幅と各層５、６及び
７の膜厚を適切に選定することによって、これら各層
５、６及び７がその両側を（１１１）Ｂ結晶面より成る
斜面８ａ及び８ｂに囲まれた断面三角形状のエピタキシ
ャル成長層２０を形成することができる。そして溝３内
においては、ｐ型の第１のクラッド層７の厚さを適切に
選定して、その上面をリッジ２上の活性層６の両斜面８
ａ及び８ｂに臨む端面の下部に位置するようになし、こ
のクラッド層７の上にｎ型のＡｌＧａＡｓ等より成り、
活性層６に比して屈折率が小とされた電流ブロック層９
をエピタキシャル成長してこの電流ブロック層９がこれ
ら活性層６の両端面に衝合するようになす。

【００２１】そして、図１に示すようにこの後ｐ型の第
２のクラッド層１０をエピタキシャル成長する。このと
き両斜面８ａ及び８ｂ上では初期においてはエピタキシ
ャル成長が生じないが、溝３内での成長が進むにつれて
その突き合わせ部において（１１１）Ｂ結晶面以外の面
が生じるため、このｐ型の第２のクラッド層１０がエピ
タキシャル成長層２０上を覆って全面的に成長する。

【００２２】この後図示しないが、キャップ層１１上
と、基体１の裏面とにそれぞれＡｌ等より成る電極を蒸
着、スパッタリング等によって被着して本発明半導体レ
ーザを得ることができる。

【００２３】このような構成とすることによって、リッ
ジ２上のエピタキシャル成長層２０における活性層６の
両斜面８ａ及び８ｂに臨む端面が、これより屈折率の小
さい電流ブロック層９によって挟み込まれて、即ち横方
向の閉じ込めがなされて発光動作領域となるようにされ
て、従来と同様にＳＤＨ型の半導体レーザを得ることが
できる。しかもこの本発明実施例においては、電流ブロ
ック層９の下部において、第２導電型の第１のクラッド
層７、第１導電型のクラッド層５、半導体層４及び基体
１とによるｐ−ｎ−ｐ−ｎのサイリスタ構造が形成され
ここにおける電流が阻止される構成となる。即ちこの場
合リッジ２上の第１導電型のクラッド層５から溝３内の
電流ブロック層９に破線矢印ａで示すリーク電流が発生
して電流ブロック層９がオン状態となっても、上述のサ
イリスタ構造のために破線矢印ｂで示すように基体１か
ら溝３内の各層４、５及び７に抜ける大なるリーク電流
が発生することを確実に回避することができる。

【００２４】従って、従来に比して大なる動作電流を通
電して、ある程度のリーク電流がリッジ２上において発
生しても、溝３内においてはサイリスタ構成を安定に保
持することができて、より大なるリーク電流の発生を確
実に阻止することができる。

【００２５】実施例２図３の略線的拡大断面図を参照して、その理解を容易に
するために製法の一例と共に説明する。図３において、
図１に対応する部分には同一符号を付して重複説明を省
略する。実施例１においては、基体１上のリッジ２の両
側の溝３は、その幅が大とされて実質的に基体１上には
リッジ２が孤立して設けられる場合を説明したが、この
例においてはリッジ２をエッチング形成する際に、両側
の溝３を所要の幅をもってエッチング形成し、この溝３
の両外側、即ち図３において左右にリッジ２と平行に延
長する主面１Ｓを有する段部２２が設けられる場合を示
す。

【００２６】この例においても、ＡｌＧａＡｓ系III −
Ｖ族化合物半導体レーザの例で、ｎ型のＧａＡｓ等より
成る基体１の｛１００｝結晶面例えば（１００）結晶面
より成る主面１上に、フォトリソグラフィ等の適用によ
って、〈０１１〉結晶軸方向の例えば〔０１１〕結晶軸
方向に延長するリッジ２と、これの両側の溝３が所要の
幅をもって例えば塩酸系或いはアンモニア系等のウェッ
トエッチング液を用いてパターニング形成され、溝３の
外部にリッジ２と同様に（１００）結晶面より成る主面
１Ｓを有する段部２２を有して成る場合を示す。

【００２７】この場合においても、リッジ２の両側面２
Ｓ、溝３内更に段部の両即面２２Ｓ上が、基体１とは異
なる導電型即ち例えばｐ型のＧａＡｓ等より成る半導体
層４により囲まれた成る構成で、この半導体層は、上述
の実施例１と同様に通常のメチル系のＭＯＣＶＤ法によ
り全面的にエピタキシャル成長させて、リッジ２と段部
２２上と、溝３内とで分断して成長した後、例えば液状
のフォトレジストを塗布して溝３内のみをマスクして、
リッジ２上と段部２２上のエピタキシャル層のみをエッ
チング除去して形成することができる。

【００２８】そしてこの半導体層４上に、全面的に第１
導電型例えばｎ型のＡｌＧａＡｓ等よりなるクラッド層
５、ＧａＡｓ等より成る活性層６、第２導電型例えばｐ
型のＡｌＧａＡｓ等より成る第２のクラッド層７、ｎ型
のＡｌＧａＡｓ等より成る電流ブロック層９とを順次メ
チル系ＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長し、リッ
ジ２上においては｛１１１｝Ｂ結晶面の例えば（１１
１）Ｂ結晶面より成る斜面８ａ及び８ｂに囲まれた断面
三角形状のエピタキシャル成長層２０を形成する。この
場合、両段部２２上においても、溝３との端縁から延長
する（１１１）Ｂ結晶面より成る斜面８によって、溝２
内とは分断してエピタキシャル成長層３０が形成され
る。

【００２９】そしてこの場合においてもリッジ２及び各
溝３の幅及び高さ（深さ）、各層５、６及び７の厚さを
適切に選定することによって、この上に被着する電流ブ
ロック層９が、エピタキシャル成長層２０の活性層６の
両斜面８ａ及び８ｂに臨む端面を覆うようになることが
できる。

【００３０】そしてこの場合においても、この電流ブロ
ック層９の上にＡｌＧａＡｓ等より成る第２導電型この
場合ｐ型の第２のクラッド層１０と、ｐ型のＧａＡｓ等
より成るキャップ層１１とを順次エピタキシャル成長す
る。実施例１と同様に、第２のクラッド層１０は初期に
おいては斜面８ａ，８ｂ及び８上においては成長しない
が、その成長が進むにつれてその突き合わせ部に（１１
１）Ｂ結晶面以外の面が成長して、全面的に成長され
る。

【００３１】そして図示しないが、このキャップ層１１
上と基体１の裏面上とにそれぞれＡｌ等より成る電極を
蒸着、スパッタリング等により被着して本発明半導体レ
ーザを得ることができる。

【００３２】このような構成とすることによって、溝３
内においては基体１、半導体層４、第１導電型のクラッ
ド層５及び第２導電型のクラッド層７によるｐ−ｎ−ｐ
−ｎサイリスタ構造を得ることができ、基体１からリッ
ジ２上の第１導電型のクラッド層５を通って電流ブロッ
ク層９へ抜けるリーク電流が生じて電流ブロック層９が
オンとなっても、この溝３内において大なるリーク電流
が発生することを確実に回避することができる。

【００３３】従って、従来に比して大なる動作電流を通
電して、ある程度のリーク電流がリッジ２上において発
生しても、溝３内においてはサイリスタ構成を安定に保
持することができて、大なるリーク電流の発生を確実に
阻止することができる。

【００３４】またこの場合、リッジ２の両側に溝３を挟
んで段部２２を設けるいわゆるＷ字型リッジ構成を採る
ため、この段部２２上に形成したエピタキシャル成長層
３０がリッジ２上のエピタキシャル成長層２０と同程度
の高さに被着され、最終的に得るキャップ層１１の表面
は、溝３の形状を追従して形成される凹部を除いてほぼ
平坦面として形成することができる。このように表面が
平坦化される場合は、この半導体レーザの上面をそのま
まヒートシンクに固定させることが可能となるため、従
来のＳＤＨ構成を採る半導体レーザに比して、効率よく
放熱することができるという利点を有する。

【００３５】尚、上述の各例においては、各リッジ２及
び溝３のエッチングに際してそのエッチング液として塩
酸系或いはアンモニア系のウェットエッチングを行い、
リッジ２の幅が主面１Ｓから深くなるに従って徐々に小
となるいわゆる逆メサ状のリッジ２または段部２２を形
成した場合を示したが、例えば硫酸系のウェットエッチ
ング液を用いてリッジ２の幅が主面１Ｓから深くなるに
つれて徐々に大となるいわゆる順メサ型状のリッジ２又
は段部２２を形成する等、種々の構成を採ることができ
る。

【００３６】また、上述の各例においてはリッジ２の両
側及び溝３内に、基体１とは異なる導電型の即ちｐ型の
ＧａＡｓ等より成る半導体層４が被着形成された場合を
示したが、その他この半導体層４としては真性の即ち絶
縁型のＧａＡｓ等により構成しても良い。

【００３７】更にまた上述の各例においてはＡｌＧａＡ
ｓ系のIII −Ｖ族半導体レーザを得る場合を示したが、
本発明半導体レーザはその他ＩｎＰ系の材料を用いるこ
とができ、また各導電型を図示とは逆とする等、種々の
材料構成を採ることができる。

【００３８】

【発明の効果】上述したように本発明半導体レーザにお
いては、ＳＤＨ型構成を採ることによって、活性層６の
両斜面８ａ及び８ｂに臨む端面を、これより屈折率の小
なる電流ブロック層９に覆われて横方向の閉じ込めがな
されると共に、リッジ２の両側面と溝３内とを基体１と
は異なる導電型又は絶縁型の半導体層４で囲む構成とす
ることによって、リッジ２上の第１導電型のクラッド層
５から電流ブロック層９を通じて第２導電型の第２のク
ラッド層１０に抜けるリーク電流が発生してこの電流ブ
ロック層９がオン状態となっても、基体１と半導体層
４、第１導電型のクラッド層５及び第２導電型の第１の
クラッド層７とによるサイリスタ構成によってここにお
ける大なるリーク電流が流れることを回避できる。

【００３９】従って、従来に比して大なる動作電流を通
電して、ある程度のリーク電流がリッジ２上において発
生しても、溝３内においてはサイリスタ構成を安定に保
持することができて、大なるリーク電流の発生を確実に
阻止することができる。

【００４０】また、リッジ２の両側に溝３を挟んで段部
２２を設けるいわゆるＷ字型リッジ構成を採るときは、
上述したようにそのキャップ層上面がほぼ平面化される
ためプレーナ処理が可能となり、例えばこの上面をヒー
トシンクに直接接合することが可能となり、放熱効率の
向上をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明半導体レーザの一例の略線的拡大断面図
である。

【図２】本発明半導体レーザの一例の製造工程図であ
る。

【図３】本発明半導体レーザの他の例の略線的拡大断面
図である。

【図４】従来の半導体レーザの一例の略線的拡大断面図
である。

【符号の説明】

１基体２リッジ２Ｓ側面３溝４半導体層５第１導電型のクラッド層６活性層７第２導電型の第１のクラッド層８斜面８ａ斜面８ｂ斜面９電流ブロック層１０第２導電型の第２のクラッド層１１キャップ層２０エピタキシャル成長層３０エピタキシャル成長層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】｛１００｝結晶面を主面とする基体上
に、この基体の〈０１１〉結晶軸方向に延長するリッジ
が形成され、該リッジ上に気相成長法により少なくとも
第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型のク
ラッド層と、電流ブロック層とが、上記リッジの両端縁
から延びて成る｛１１１｝Ｂ結晶面より成る斜面が現れ
るように成長されて成り、上記リッジの両側面及び両側の溝底部に、上記基体とは
異なる導電型のキャリアを有する半導体層又は絶縁型の
半導体層が設けられて成ることを特徴とする半導体レー
ザ。