JPH055587A - 円筒形加熱装置および半導体製造方法 - Google Patents
円筒形加熱装置および半導体製造方法Info
- Publication number
- JPH055587A JPH055587A JP15491391A JP15491391A JPH055587A JP H055587 A JPH055587 A JP H055587A JP 15491391 A JP15491391 A JP 15491391A JP 15491391 A JP15491391 A JP 15491391A JP H055587 A JPH055587 A JP H055587A
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- Japan
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- heat insulating
- furnace
- reaction tube
- heating furnace
- cylindrical heating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 円筒形加熱装置および半導体製造方法に関
し、加熱炉内の均一温度領域を広げて、特に半導体製造
において、製品の品質、信頼性および生産性を向上させ
ることを目的とする。 【構成】 円筒形加熱炉１の両端に反応管２を支持する
自己封止性断熱性部材３有し、この断熱部材３が、加熱
炉１の軸と一致する軸を有する複数個の円弧形断熱材４
であって、相互に接する端面および反応管に接する円弧
面に弾性断熱層４′を付し、かつ加熱炉１の両端に設置
したハウジング５に沿って加熱炉１の半径方向に移動す
るための駆動部を有するように構成する。
し、加熱炉内の均一温度領域を広げて、特に半導体製造
において、製品の品質、信頼性および生産性を向上させ
ることを目的とする。 【構成】 円筒形加熱炉１の両端に反応管２を支持する
自己封止性断熱性部材３有し、この断熱部材３が、加熱
炉１の軸と一致する軸を有する複数個の円弧形断熱材４
であって、相互に接する端面および反応管に接する円弧
面に弾性断熱層４′を付し、かつ加熱炉１の両端に設置
したハウジング５に沿って加熱炉１の半径方向に移動す
るための駆動部を有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は円筒形加熱装置、特に半
導体製造に有用な加熱装置の熱封止に関する。近年、半
導体装置の高集積化に伴ない、各パラメータの精密な制
御が要求されるようになった。特に化学気相成長および
不純物拡散工程において、反応管内を所定の温度に、し
かも均一に保持することが製品の品質および信頼性の向
上に必要である。それには、両端部における加熱装置と
反応管との熱封止を良好にして、炉の中央部と両端部と
の温度差を少なくし、均一な加熱領域をできるだけ長く
しなければならない。
導体製造に有用な加熱装置の熱封止に関する。近年、半
導体装置の高集積化に伴ない、各パラメータの精密な制
御が要求されるようになった。特に化学気相成長および
不純物拡散工程において、反応管内を所定の温度に、し
かも均一に保持することが製品の品質および信頼性の向
上に必要である。それには、両端部における加熱装置と
反応管との熱封止を良好にして、炉の中央部と両端部と
の温度差を少なくし、均一な加熱領域をできるだけ長く
しなければならない。
【０００２】
【従来の技術】反応管を挿入して加熱する従来の円筒形
加熱炉は、炉の端部における反応管との隙間に石英ウー
ルなどを詰めて外気の流入および炉熱の放出を防いでい
た。しかし、この方法では、反応管の脱着に手間がかか
り、反応管内に不均一な温度分布を発生するので半導体
製品の品質にばらつきを与え、また反応管内の均熱長が
制限されるので、生産性向上の阻害要因となっていた。
加熱炉は、炉の端部における反応管との隙間に石英ウー
ルなどを詰めて外気の流入および炉熱の放出を防いでい
た。しかし、この方法では、反応管の脱着に手間がかか
り、反応管内に不均一な温度分布を発生するので半導体
製品の品質にばらつきを与え、また反応管内の均熱長が
制限されるので、生産性向上の阻害要因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、反応管の着
脱を容易にし、かつ円筒形加熱炉の端部の熱封止を良好
にし、これによって反応管内の均一な温度領域を広げて
製造される半導体の品質および生産性を向上することを
目的とする。
脱を容易にし、かつ円筒形加熱炉の端部の熱封止を良好
にし、これによって反応管内の均一な温度領域を広げて
製造される半導体の品質および生産性を向上することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は、円筒形加熱
炉１の両端に反応管２を支持する自己封止型断熱性部材
３を有し、この断熱性部材３が、加熱炉１の軸と一致す
る軸を有する複数個の円弧形断熱材４であって、相互に
接する端面および反応管に接する円弧面に弾性断熱層
４′を付し、かつ加熱炉１の両端に設置したガイド５に
沿って加熱炉１の半径方向に移動するための駆動部７，
８；９を有することを特徴とする円筒形加熱装置によっ
て解決することができる。
炉１の両端に反応管２を支持する自己封止型断熱性部材
３を有し、この断熱性部材３が、加熱炉１の軸と一致す
る軸を有する複数個の円弧形断熱材４であって、相互に
接する端面および反応管に接する円弧面に弾性断熱層
４′を付し、かつ加熱炉１の両端に設置したガイド５に
沿って加熱炉１の半径方向に移動するための駆動部７，
８；９を有することを特徴とする円筒形加熱装置によっ
て解決することができる。
【０００５】
【作用】図１に概略断面図で示す本発明の実施態様の円
筒形加熱装置１は、端部を封止する円弧形断熱材４が駆
動部の形状記憶合金バネ９によって、加熱炉の半径方向
に移動することができる。従って加熱中に、炉内の温度
を均一にすることができるばかりでなく、反応管の着脱
を容易に行うことができる。特に、半導体製造工程にお
いては、気相成長温度および不純物拡散の温度と常温と
の間で作用する形状記憶合金が開発されれば有利に使用
できるが、当面は、シリンダ７およびピストン８によっ
て断熱材４を駆動すればよい。
筒形加熱装置１は、端部を封止する円弧形断熱材４が駆
動部の形状記憶合金バネ９によって、加熱炉の半径方向
に移動することができる。従って加熱中に、炉内の温度
を均一にすることができるばかりでなく、反応管の着脱
を容易に行うことができる。特に、半導体製造工程にお
いては、気相成長温度および不純物拡散の温度と常温と
の間で作用する形状記憶合金が開発されれば有利に使用
できるが、当面は、シリンダ７およびピストン８によっ
て断熱材４を駆動すればよい。
【０００６】
【実施例】実施例１ 反応炉１は、ハウジング10で囲まれた側壁耐火材11上に
ヒータ12を有し、炉の端部は図２および３に示すよう
に、断熱性部材３を有する。ハウジング10の両端部にガ
イド５があり、ガイド５に挟まれて自己封止型断熱性部
材３が駆動部である形状記憶合金バネ９で支持されてい
る。
ヒータ12を有し、炉の端部は図２および３に示すよう
に、断熱性部材３を有する。ハウジング10の両端部にガ
イド５があり、ガイド５に挟まれて自己封止型断熱性部
材３が駆動部である形状記憶合金バネ９で支持されてい
る。
【０００７】断熱性部材３は４個の円弧形断熱材４であ
って、相互に接する端面および反応管に接する円弧面に
弾性断熱層４′を有し、高温になれば封止を気密にする
ことができ、常温においては反応管との間隔を広げて着
脱を容易にする。
って、相互に接する端面および反応管に接する円弧面に
弾性断熱層４′を有し、高温になれば封止を気密にする
ことができ、常温においては反応管との間隔を広げて着
脱を容易にする。
【０００８】実施例２ 図４および５に示すように、炉の端部に設けた断熱性部
材３が、シリンダ７およびピストン８によって駆動され
ることの他は、例１の装置と同様である。この装置は図
示しない導管から加圧流体をシリンダ７に導入して、ピ
ストン８を駆動し、断熱性部材３を反応炉１の軸に向け
て半径方向に移動することができる。なおガイド５に
は、断熱性詰め物６を入れて、断熱性を確保することが
有利である。
材３が、シリンダ７およびピストン８によって駆動され
ることの他は、例１の装置と同様である。この装置は図
示しない導管から加圧流体をシリンダ７に導入して、ピ
ストン８を駆動し、断熱性部材３を反応炉１の軸に向け
て半径方向に移動することができる。なおガイド５に
は、断熱性詰め物６を入れて、断熱性を確保することが
有利である。
【０００９】実施例３ 図６に示す一体構造型反応炉の代りに、図７に示す分割
構造型に代えたことの他は、例２の装置と同様な円筒形
加熱装置を使用して、半導体基板に化学気相成長膜を形
成した。
構造型に代えたことの他は、例２の装置と同様な円筒形
加熱装置を使用して、半導体基板に化学気相成長膜を形
成した。
【００１０】常法によって、反応管内にウエハを配列
し、反応ガスとして、 SiH4 200ml／min および N2O
1.５ｌ／min を流し、炉の温度を 500℃に保持して、Si
O2膜を形成した。得られた膜は、どのウエハについても
均質であり、また最終製品の品質および信頼性が高く、
しかも均熱長を拡大出来る為１回の成膜枚数を従来より
多くすることができた。
し、反応ガスとして、 SiH4 200ml／min および N2O
1.５ｌ／min を流し、炉の温度を 500℃に保持して、Si
O2膜を形成した。得られた膜は、どのウエハについても
均質であり、また最終製品の品質および信頼性が高く、
しかも均熱長を拡大出来る為１回の成膜枚数を従来より
多くすることができた。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、円筒形加熱装置内の均
一温度範囲領域を広げ、かつ反応管の着脱を容易に行う
ことができ、半導体製造に利用すれば、製品の品質、信
頼性を確保し、作業の簡略化および生産性を向上するこ
とができる。
一温度範囲領域を広げ、かつ反応管の着脱を容易に行う
ことができ、半導体製造に利用すれば、製品の品質、信
頼性を確保し、作業の簡略化および生産性を向上するこ
とができる。
【図１】本発明の実施様態の円筒形加熱装置の概略断面
図である。
図である。
【図２】図１の装置の端部の詳細断面図である。
【図３】図１の装置の端部の切欠け側面図である。
【図４】本発明の他の実施態様の円筒形加熱装置の端部
の詳細断面図である。
の詳細断面図である。
【図５】図４の装置の端部の切欠け側面図である。
【図６】一体構造型円筒形反応炉の端部切欠け斜視図で
ある。
ある。
【図７】分割構造型円筒形反応炉の端部切欠け斜視図で
ある。
ある。
１…円筒形加熱炉 ２…反応管 ３…自己封止型断熱性部材 ４…円弧形断熱材 ４′…弾性断熱層 ５…ハウジング ６…断熱性詰め物兼ガイド ７…シリンダ ８…ピストン ９…形状記憶合金バネ 10…加熱炉外筒 11…側壁耐火材 12…ヒータ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 円筒形加熱炉（１）の両端に反応管
（２）を支持する自己封止型断熱性部材（３）を有し、
この断熱性部材（３）が、加熱炉（１）の軸と一致する
軸を有する複数個の円弧形断熱材（４）であって、相互
に接する端面および反応管に接する円弧面に弾性断熱層
（４′）を付し、かつ加熱炉（１）の両端に設置したガ
イド（５）に沿って加熱炉（１）の半径方向に移動する
ための駆動部（７，８；９）を有することを特徴とする
円筒形加熱装置。 【請求項２】 駆動部が形状記憶合金バネ（９）である
請求項１記載の装置。 【請求項３】 駆動部がシリンダ（７）およびピストン
（８）である請求項１記載の装置。 【請求項４】 請求項３に記載の円筒形加熱装置を使用
して、ウエハの加熱処理を行うことを特徴とする半導体
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15491391A JPH055587A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 円筒形加熱装置および半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15491391A JPH055587A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 円筒形加熱装置および半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055587A true JPH055587A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15594699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15491391A Withdrawn JPH055587A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 円筒形加熱装置および半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055587A (ja) |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP15491391A patent/JPH055587A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |