JPH0556015B2 - - Google Patents
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- JPH0556015B2 JPH0556015B2 JP61255624A JP25562486A JPH0556015B2 JP H0556015 B2 JPH0556015 B2 JP H0556015B2 JP 61255624 A JP61255624 A JP 61255624A JP 25562486 A JP25562486 A JP 25562486A JP H0556015 B2 JPH0556015 B2 JP H0556015B2
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- light
- exposure
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- pulse
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体露光装置に係わり、特に微細パ
ターン解像に適したエキシマレーザを用いた露光
照明装置に関する。
ターン解像に適したエキシマレーザを用いた露光
照明装置に関する。
最近の半導体の高集積化、微細化に伴い、半導
体露光光源としてエキシマレーザ等の遠紫外域の
光をパルス発振するレーザが注目されており、特
開昭57−198631などにその例がある。一方高出力
のスペクトル幅の狭いイジエクシヨンロツクタイ
プのエキシマレーザ光ではビームのモード構成が
単一な横モードであり、強い干渉性をもつ。
体露光光源としてエキシマレーザ等の遠紫外域の
光をパルス発振するレーザが注目されており、特
開昭57−198631などにその例がある。一方高出力
のスペクトル幅の狭いイジエクシヨンロツクタイ
プのエキシマレーザ光ではビームのモード構成が
単一な横モードであり、強い干渉性をもつ。
従つてレーザ光が通過する種々の光学部品の不
完全さのために不規則に乱れた波面が投影像面上
で干渉し、スペツクルと呼ばれる不規則な干渉パ
ターンを生じる。このスペツクルを排除する方法
として特開昭60−230629号公報および特開昭60−
247643号公報に記載のように光路途中に可干渉距
離以上の光路差を生じせしめる光路差生起部材を
挿入する方法とエス．ピー．アイ．イー、174、
デイベロプメント．イン．セミコンダクタ・マイ
クロリゾグラフイIV（1979年）第35頁（SPIE.
Vol.174、Development in Semiconductor
Microlithography IV、1979、pp35）記載のよ
うに、光偏向器でレーザ光を時間的に偏向し、
各々指向性の異なる複数のレーザ光を時間的に重
ねることによりスペツクルの影響を相殺する方法
がある。前者の光路差生起部材は長さの異なる複
数の四角柱プリズム、あるいは光フアイバーを束
ねたものである。しかし、インジエクシヨンロツ
クタイプのエキシマレーザでは可干渉距離が約30
mmあり、各部材によつて生じる光路長の差を各々
30mm以上にするためには光路差生起装置全体の大
きさが非常に大きくなつてしまう。これに対し後
者は装置構成が比較的コンパクトであるという長
所をもつ反面複数のパルスレーザ光で１回の露光
を行なう場合の各パルスレーザ光の感光剤光反応
への寄与については今まで考慮されていなかつ
た。
完全さのために不規則に乱れた波面が投影像面上
で干渉し、スペツクルと呼ばれる不規則な干渉パ
ターンを生じる。このスペツクルを排除する方法
として特開昭60−230629号公報および特開昭60−
247643号公報に記載のように光路途中に可干渉距
離以上の光路差を生じせしめる光路差生起部材を
挿入する方法とエス．ピー．アイ．イー、174、
デイベロプメント．イン．セミコンダクタ・マイ
クロリゾグラフイIV（1979年）第35頁（SPIE.
Vol.174、Development in Semiconductor
Microlithography IV、1979、pp35）記載のよ
うに、光偏向器でレーザ光を時間的に偏向し、
各々指向性の異なる複数のレーザ光を時間的に重
ねることによりスペツクルの影響を相殺する方法
がある。前者の光路差生起部材は長さの異なる複
数の四角柱プリズム、あるいは光フアイバーを束
ねたものである。しかし、インジエクシヨンロツ
クタイプのエキシマレーザでは可干渉距離が約30
mmあり、各部材によつて生じる光路長の差を各々
30mm以上にするためには光路差生起装置全体の大
きさが非常に大きくなつてしまう。これに対し後
者は装置構成が比較的コンパクトであるという長
所をもつ反面複数のパルスレーザ光で１回の露光
を行なう場合の各パルスレーザ光の感光剤光反応
への寄与については今まで考慮されていなかつ
た。
一般に未反応感光剤の光反応による濃度変化は
次式で表すことができる。
次式で表すことができる。
dM／dt＝−kM√ ……(1)
ここに
Ｍ……未反応感光剤濃度
ｔ……光照射時間
ｋ……定数
Ｉ……光強度
ここでＩを一定とすると(1)式より次式が得られ
る。
る。
Ｍ＝Ce−kM√ｔ
ここに
Ｃ……定数
第５図は(2)式を図示したものであり、t1＜t2＜
t3＜t4、t2−t1＝t4−t3においてt3、t4間の未反応
感光剤濃度変化M4−M3はt1、t2間の濃度変化M4
−M3よりも小さいこと、すなわち光照射時間が
経過するにつれ、光反応が鈍くなることがわか
る。従つて複数のパルス光で１回の露光を行なう
場合、現像パターンは初期数パルスの指向性によ
るスペツクルの影響を強く受けることになる。
t3＜t4、t2−t1＝t4−t3においてt3、t4間の未反応
感光剤濃度変化M4−M3はt1、t2間の濃度変化M4
−M3よりも小さいこと、すなわち光照射時間が
経過するにつれ、光反応が鈍くなることがわか
る。従つて複数のパルス光で１回の露光を行なう
場合、現像パターンは初期数パルスの指向性によ
るスペツクルの影響を強く受けることになる。
複数のパルス光で１回の露光を行なう従来技術
においては、感光剤光反応が累積パルス数の増加
に伴つて鈍くなる点について考慮されておらず、
現像パターンが初期数パルス指向性によるスペツ
クルの影響を強く受けるという問題があつた。
においては、感光剤光反応が累積パルス数の増加
に伴つて鈍くなる点について考慮されておらず、
現像パターンが初期数パルス指向性によるスペツ
クルの影響を強く受けるという問題があつた。
本発明の目的は、各レーザパルス光の感光剤光
反応に対する寄与を均一にし、0.5μｍ以下の線幅
を有する微細なパターンを高解像度で焼付けるこ
とができるようにした露光照明装置を提供するに
ある。
反応に対する寄与を均一にし、0.5μｍ以下の線幅
を有する微細なパターンを高解像度で焼付けるこ
とができるようにした露光照明装置を提供するに
ある。
上記目的は、レーザ発振器外部、すなわちレー
ザ光路の途中に光量制御装置を設置し、パルスご
との光量制御を行なうことによつて達成される。
ザ光路の途中に光量制御装置を設置し、パルスご
との光量制御を行なうことによつて達成される。
上記の光量制御装置は露光時間内での感光剤の
感度低下にあわせ、パルスの光量を増加させてい
く。光量の制御にあたつては予め感光剤の累積露
光時間に対する感度低下のデータを調べておき、
このデータを用いて光量制御装置を動作させる。
従つて感光剤が変われば制御の仕方も変える。こ
のような方式をとれば露光中各パルスの感光剤光
反応への寄与を均一にすることができ、現像後の
感光剤へのスペツクルの影響を低減することがで
きる。
感度低下にあわせ、パルスの光量を増加させてい
く。光量の制御にあたつては予め感光剤の累積露
光時間に対する感度低下のデータを調べておき、
このデータを用いて光量制御装置を動作させる。
従つて感光剤が変われば制御の仕方も変える。こ
のような方式をとれば露光中各パルスの感光剤光
反応への寄与を均一にすることができ、現像後の
感光剤へのスペツクルの影響を低減することがで
きる。
以下図面を参照して本発明の実施例について説
明する。第１図は本発明に係る露光照明装置の構
成を示す図である。図中１はパルス化されたレー
ザ光を発生するエキシマレーザ光源、２は本発明
の主要部である光量制御装置、３は露光光学系４
はガラス板上に回路パターンを描画したレチク
ル、５は縮小レンズ、６はウエハ、７は本露光照
明装置全体を制御する制御回路である。エキシマ
レーザ光源１から出射したパルスレーザ光は光量
制御装置２によつて光量を制御された後、露光光
学系３を通過し、レチクル４を一様に照明し、さ
らにレチクル像をウエハ６上に塗布された感光剤
上に結像する。露光照明系３は以下の構成から成
つている。レーザ光源１から出射したレーザ光の
分布には中央部に凹部があるためビーム一様化装
置３１によつて一様化される。ビーム一様化装置
３１は例えば、プリズムによつてビームを４分割
し、それぞれのビームに可干渉距離以上の光路差
を持たせた後ガルバノミラー３０１の近傍で再び
合成することによつて空間的コヒーレンスの低減
およびエネルギー密度分布の一様化を図る装置で
ある。この装置を通過した一様なレーザビームは
集光レンズ３２でＡ点に絞り込まれる。Ａ点に到
る途中にはガルバノミラー３０１があり、レーザ
光をｘ−ｙ平面内で偏向する。Ａ点を前側焦点と
するレンズ３０２は偏向されたレーザ光を受けガ
ルバノミラー３０３の面上にガルバノミラー３０
１の面を結像する様に配置されている。従つてレ
ンズ３０２を通過したレーザ光はほぼ平行光とな
り、ガルバノミラー３０１の偏向角に無関係にガ
ルバノミラー３０３上の同一位置に当たる。ガル
バノミラー３０３はｙ軸を回転軸として振れる。
レンズ３３とレンズ３４はＡ点を開口絞り３５及
び縮小レンズ５の入射瞳５１に結像すると同時
に、ガルバノミラー３０１，３０３とレチクル４
の描画面（下面）を互いに共役な位置関係にして
いる。従つて制御回路７により、エキシマレーザ
光源１のパルス発光のタイミングとガルバノミラ
ー３０１，３０３の偏向のタイミングの同期をと
ることにより、第２図に示すようなパルス光に対
応する瞳５１上の各点５０１にＡ点を結像する。
第３図に示すように瞳５１上の点５０２，５０３
に対応するレチクル上の入射光４０２，４０３の
角度は互いに異なる。従つてこれらの複数のパル
ス光で１回の露光を行なえば個々のパルス光の指
向性によるスペツクルの影響を相殺することがで
きる。
明する。第１図は本発明に係る露光照明装置の構
成を示す図である。図中１はパルス化されたレー
ザ光を発生するエキシマレーザ光源、２は本発明
の主要部である光量制御装置、３は露光光学系４
はガラス板上に回路パターンを描画したレチク
ル、５は縮小レンズ、６はウエハ、７は本露光照
明装置全体を制御する制御回路である。エキシマ
レーザ光源１から出射したパルスレーザ光は光量
制御装置２によつて光量を制御された後、露光光
学系３を通過し、レチクル４を一様に照明し、さ
らにレチクル像をウエハ６上に塗布された感光剤
上に結像する。露光照明系３は以下の構成から成
つている。レーザ光源１から出射したレーザ光の
分布には中央部に凹部があるためビーム一様化装
置３１によつて一様化される。ビーム一様化装置
３１は例えば、プリズムによつてビームを４分割
し、それぞれのビームに可干渉距離以上の光路差
を持たせた後ガルバノミラー３０１の近傍で再び
合成することによつて空間的コヒーレンスの低減
およびエネルギー密度分布の一様化を図る装置で
ある。この装置を通過した一様なレーザビームは
集光レンズ３２でＡ点に絞り込まれる。Ａ点に到
る途中にはガルバノミラー３０１があり、レーザ
光をｘ−ｙ平面内で偏向する。Ａ点を前側焦点と
するレンズ３０２は偏向されたレーザ光を受けガ
ルバノミラー３０３の面上にガルバノミラー３０
１の面を結像する様に配置されている。従つてレ
ンズ３０２を通過したレーザ光はほぼ平行光とな
り、ガルバノミラー３０１の偏向角に無関係にガ
ルバノミラー３０３上の同一位置に当たる。ガル
バノミラー３０３はｙ軸を回転軸として振れる。
レンズ３３とレンズ３４はＡ点を開口絞り３５及
び縮小レンズ５の入射瞳５１に結像すると同時
に、ガルバノミラー３０１，３０３とレチクル４
の描画面（下面）を互いに共役な位置関係にして
いる。従つて制御回路７により、エキシマレーザ
光源１のパルス発光のタイミングとガルバノミラ
ー３０１，３０３の偏向のタイミングの同期をと
ることにより、第２図に示すようなパルス光に対
応する瞳５１上の各点５０１にＡ点を結像する。
第３図に示すように瞳５１上の点５０２，５０３
に対応するレチクル上の入射光４０２，４０３の
角度は互いに異なる。従つてこれらの複数のパル
ス光で１回の露光を行なえば個々のパルス光の指
向性によるスペツクルの影響を相殺することがで
きる。
第４図は第１図の光量制御装置２の実施例を示
す図である。２１１はコリメータレンズ、２１２
はビームエキスパンダ、２１３はＡ／Ｏ変調器、
２１４はＡ／Ｏ変調器を電圧によつて制御するコ
ントローラである。第１図のエキシマレーザ光源
１より射出したレーザビーム２０１はコリメータ
レンズ２１１により縮小されＡ／Ｏ変調器２１３
に入射する。このＡ／Ｏ変調器は石英ガラス等の
媒質に超音波を与えることにより光弾性効果によ
る屈折率変化を生じせしめ、０次光２０２と１次
回折光２０３を射出する。このうち１次回折光２
０３の強度はコントローラ２１４で与えられる電
圧で制御できる。この１次回折光２０３をビーム
エキスパンダ２１２で拡大し、露光照明系３に送
る。
す図である。２１１はコリメータレンズ、２１２
はビームエキスパンダ、２１３はＡ／Ｏ変調器、
２１４はＡ／Ｏ変調器を電圧によつて制御するコ
ントローラである。第１図のエキシマレーザ光源
１より射出したレーザビーム２０１はコリメータ
レンズ２１１により縮小されＡ／Ｏ変調器２１３
に入射する。このＡ／Ｏ変調器は石英ガラス等の
媒質に超音波を与えることにより光弾性効果によ
る屈折率変化を生じせしめ、０次光２０２と１次
回折光２０３を射出する。このうち１次回折光２
０３の強度はコントローラ２１４で与えられる電
圧で制御できる。この１次回折光２０３をビーム
エキスパンダ２１２で拡大し、露光照明系３に送
る。
第５図より光強度Ｉを一定にしたまま上記露光
照明系３により複数パルス露光した場合、現像パ
ターンは初期数パルスの指向性によるスペツクル
の影響を強く受けることになる。そこで未反応感
光剤濃度Ｍの変化が光照射時間ｔに対して線形に
なるようにＩを時間的に制御し、各パルスの光反
応への寄与が均一になるようにする。照射時間ｔ
に対して線形な感光剤濃度Ｍの変化は次式で表わ
すことができる。
照明系３により複数パルス露光した場合、現像パ
ターンは初期数パルスの指向性によるスペツクル
の影響を強く受けることになる。そこで未反応感
光剤濃度Ｍの変化が光照射時間ｔに対して線形に
なるようにＩを時間的に制御し、各パルスの光反
応への寄与が均一になるようにする。照射時間ｔ
に対して線形な感光剤濃度Ｍの変化は次式で表わ
すことができる。
Ｍ＝−pt＋ｑ ……(3)
ただし
ｐ・ｑ＞０、ｔ＞ｑ／ｐ
第６図は(3)式を図示したものである。ここでは
t1＜t2＜t3＜t4、t2−t1＝t4−t3においてM1−M2＝
M3−M4であり、各パルスの光反応への寄与を均
一にすることができる。このような感光剤濃度変
化を得るために照射光強度Ｉを次式によつて制御
する。
t1＜t2＜t3＜t4、t2−t1＝t4−t3においてM1−M2＝
M3−M4であり、各パルスの光反応への寄与を均
一にすることができる。このような感光剤濃度変
化を得るために照射光強度Ｉを次式によつて制御
する。
Ｉ＝１／k2（１／ｔ−ｑ／ｐ）2 ……(4)
ただし
ｔ＜ｑ／ｐ
照射光強度Ｉは前述のように第４図のコントロ
ーラ２４の出力電圧によつて制御できる。第７図
に各パルス光出射時T1，T2…Toでのコントロー
ラ３２の出力電圧を示す。Ａ／Ｏ変調器に対して
第７図のように電圧を与えれば各パルスの感光剤
光反応への寄与を均一にすることができる。
ーラ２４の出力電圧によつて制御できる。第７図
に各パルス光出射時T1，T2…Toでのコントロー
ラ３２の出力電圧を示す。Ａ／Ｏ変調器に対して
第７図のように電圧を与えれば各パルスの感光剤
光反応への寄与を均一にすることができる。
以上第１図、２の光量制御装置は第４図の構成
以外にも第８図のような構成でも良い。第８図２
２１は厚みに傾斜のついたアルミ膜、２２２は合
成石英板、２２３はギヤジヨイント、２２４はパ
ルスモータ、２２５は押し棒である。エキシマレ
ーザ光源１より出射したパルスレーザ光２０４は
アルミ膜２２１および合成石英板によつて構成さ
れるフイルターに入射する。アルミ膜２２１の厚
みは傾斜がついているので合成石英板が移動する
ことによつてパルスレーザ光２０４の入射するア
ルミ膜厚が変化する。レーザ光のアルミ透過率は
膜厚にほぼ反比例するので合成石英板２２２を移
動させることによつて光量を制御することができ
る。押し棒２２５の一端は合成石英板２２２に固
定され、他端はウオームギヤになつており、ギヤ
ジヨイント２２３を介してパルスモータ２２４と
接続されている。従つてパルスモータ２２４を回
転させることによつて合成石英板２２２を移動さ
せることができる。微妙な光量制御を可能にする
ため、上記合成石英板２２２、アルミ膜２２１、
押し棒２２５、ギヤジヨイント２２３、パルスモ
ータ２２４で構成されるユニツトをレーザ光路に
複数段設け、出力パルス光２０５の光量変化が(4)
式で与えられるよう各パルスモータを制御回路７
で制御する。なお上記のユニツト偏光板、ベル
ト、プーリー、およびパルスモータで構成し、複
数段の偏光板の回転角を制御する方法をとつても
良い。
以外にも第８図のような構成でも良い。第８図２
２１は厚みに傾斜のついたアルミ膜、２２２は合
成石英板、２２３はギヤジヨイント、２２４はパ
ルスモータ、２２５は押し棒である。エキシマレ
ーザ光源１より出射したパルスレーザ光２０４は
アルミ膜２２１および合成石英板によつて構成さ
れるフイルターに入射する。アルミ膜２２１の厚
みは傾斜がついているので合成石英板が移動する
ことによつてパルスレーザ光２０４の入射するア
ルミ膜厚が変化する。レーザ光のアルミ透過率は
膜厚にほぼ反比例するので合成石英板２２２を移
動させることによつて光量を制御することができ
る。押し棒２２５の一端は合成石英板２２２に固
定され、他端はウオームギヤになつており、ギヤ
ジヨイント２２３を介してパルスモータ２２４と
接続されている。従つてパルスモータ２２４を回
転させることによつて合成石英板２２２を移動さ
せることができる。微妙な光量制御を可能にする
ため、上記合成石英板２２２、アルミ膜２２１、
押し棒２２５、ギヤジヨイント２２３、パルスモ
ータ２２４で構成されるユニツトをレーザ光路に
複数段設け、出力パルス光２０５の光量変化が(4)
式で与えられるよう各パルスモータを制御回路７
で制御する。なお上記のユニツト偏光板、ベル
ト、プーリー、およびパルスモータで構成し、複
数段の偏光板の回転角を制御する方法をとつても
良い。
以上説明したように本発明によればエキシマレ
ーザ等、パルス発振するレーザを用いた複数パル
ス露光において、各パルスの感光剤光反応への寄
与を均一にできるので、特定のパルスの指向性に
よるスペツクルの影響を強く受けることなく、
各々のパルスのスペツクルの影響を均等に相殺す
ることができ、0.5μｍ或いはそれ以下の線幅のパ
ターンを良好な像質で解像することを可能ならし
める効果がある。
ーザ等、パルス発振するレーザを用いた複数パル
ス露光において、各パルスの感光剤光反応への寄
与を均一にできるので、特定のパルスの指向性に
よるスペツクルの影響を強く受けることなく、
各々のパルスのスペツクルの影響を均等に相殺す
ることができ、0.5μｍ或いはそれ以下の線幅のパ
ターンを良好な像質で解像することを可能ならし
める効果がある。
第１図は本発明の実施例の全体構成図、第２図
は縮小レンズ瞳上のレーザスポツト分布を示す
図、第３図は縮小レンズ結像光学系を示す図、第
４図は本発明主要部である光量制御装置の一実施
例、を示す図、第５図は光量を制御しない場合の
未反応感光剤濃度変化を示す図、第６図は本発明
の一実施例による光量制御を行なつた場合の未反
応感光剤濃度変化を示す図、第７図は本発明の一
実施例の光量制御法を示す図、第８図は光量制御
装置の第４図とは別の実施例を示す図である。 ２……光量制御装置、２１１……コリメータレ
ンズ、２１２……ビームエキスパンダ、２１３…
…Ａ／Ｏ変調器、２１４……Ａ／Ｏ変調器制御コ
ントローラ、２２１……合成石英板、２２２……
傾斜付アルミ膜、２２３……ギヤジヨイント、２
２４……パルスモータ、２２５……押し棒。
は縮小レンズ瞳上のレーザスポツト分布を示す
図、第３図は縮小レンズ結像光学系を示す図、第
４図は本発明主要部である光量制御装置の一実施
例、を示す図、第５図は光量を制御しない場合の
未反応感光剤濃度変化を示す図、第６図は本発明
の一実施例による光量制御を行なつた場合の未反
応感光剤濃度変化を示す図、第７図は本発明の一
実施例の光量制御法を示す図、第８図は光量制御
装置の第４図とは別の実施例を示す図である。 ２……光量制御装置、２１１……コリメータレ
ンズ、２１２……ビームエキスパンダ、２１３…
…Ａ／Ｏ変調器、２１４……Ａ／Ｏ変調器制御コ
ントローラ、２２１……合成石英板、２２２……
傾斜付アルミ膜、２２３……ギヤジヨイント、２
２４……パルスモータ、２２５……押し棒。
Claims (1)
- １ 露光装置において、ウエハへの入射角の異な
る複数のレーザパルス光で照明する照明光学系
と、各レーザパルス光についてウエハ上の感光剤
の光反応への寄与が均一になるようにパルス光量
を制御する光量制御装置を設けたことを特徴とす
る露光照明装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61255624A JPS63110722A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 露光照明装置 |
| DE87115792T DE3785636T2 (de) | 1986-10-29 | 1987-10-27 | Beleuchtungsapparat für Belichtung. |
| EP87115792A EP0265917B1 (en) | 1986-10-29 | 1987-10-27 | Illumination apparatus for exposure |
| US07/113,514 US4819033A (en) | 1986-10-29 | 1987-10-28 | Illumination apparatus for exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61255624A JPS63110722A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 露光照明装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110722A JPS63110722A (ja) | 1988-05-16 |
| JPH0556015B2 true JPH0556015B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=17281337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61255624A Granted JPS63110722A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 露光照明装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4819033A (ja) |
| EP (1) | EP0265917B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63110722A (ja) |
| DE (1) | DE3785636T2 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937619A (en) * | 1986-08-08 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Projection aligner and exposure method |
| US5307207A (en) * | 1988-03-16 | 1994-04-26 | Nikon Corporation | Illuminating optical apparatus |
| JP3200894B2 (ja) * | 1991-03-05 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | 露光方法及びその装置 |
| JP3235078B2 (ja) * | 1993-02-24 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP3296448B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2002-07-02 | 株式会社ニコン | 露光制御方法、走査露光方法、露光制御装置、及びデバイス製造方法 |
| JP3316704B2 (ja) * | 1993-06-10 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 |
| JP3363532B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2003-01-08 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置 |
| US5442184A (en) * | 1993-12-10 | 1995-08-15 | Texas Instruments Incorporated | System and method for semiconductor processing using polarized radiant energy |
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| US5680588A (en) * | 1995-06-06 | 1997-10-21 | International Business Machines Corporation | Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system |
| JPH1070064A (ja) | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US6037967A (en) * | 1996-12-18 | 2000-03-14 | Etec Systems, Inc. | Short wavelength pulsed laser scanner |
| CN1310871A (zh) | 1998-08-20 | 2001-08-29 | 奥宝科技有限公司 | 激光重复率放大器 |
| IL133889A (en) | 2000-01-05 | 2007-03-08 | Orbotech Ltd | Pulse light pattern writer |
| SE519397C2 (sv) | 1998-12-16 | 2003-02-25 | Micronic Laser Systems Ab | System och metod för mikrolitografiskt ritande av högprecisionsmönster |
| US6369888B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for article inspection including speckle reduction |
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| US7453486B2 (en) * | 2000-12-13 | 2008-11-18 | Orbotech Ltd | Pulse light pattern writer |
| US6819490B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-11-16 | Micronic Laser Systems Ab | Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece |
| US6903859B2 (en) | 2001-12-07 | 2005-06-07 | Micronic Laser Systems Ab | Homogenizer |
| CN101203802B (zh) * | 2005-06-20 | 2010-05-19 | 松下电器产业株式会社 | 二维图像显示装置、照明光源及曝光照明装置 |
| DE102006038643B4 (de) * | 2006-08-17 | 2009-06-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
| DE102008009601A1 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
| US9219344B2 (en) * | 2012-01-06 | 2015-12-22 | Calmar Optcom, Inc. | Generating ultrashort laser pulses based on two-stage pulse processing |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57198631A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Ibm | Exposing method and device |
| US4450358A (en) * | 1982-09-22 | 1984-05-22 | Honeywell Inc. | Optical lithographic system |
| US4624551A (en) * | 1983-09-17 | 1986-11-25 | Nippon Kogaku K.K. | Light irradiation control method for projection exposure apparatus |
| US4619508A (en) * | 1984-04-28 | 1986-10-28 | Nippon Kogaku K. K. | Illumination optical arrangement |
| JPS60247643A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-07 | Canon Inc | 光学装置 |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61255624A patent/JPS63110722A/ja active Granted
-
1987
- 1987-10-27 DE DE87115792T patent/DE3785636T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-27 EP EP87115792A patent/EP0265917B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-28 US US07/113,514 patent/US4819033A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63110722A (ja) | 1988-05-16 |
| EP0265917B1 (en) | 1993-04-28 |
| US4819033A (en) | 1989-04-04 |
| DE3785636T2 (de) | 1993-10-14 |
| EP0265917A2 (en) | 1988-05-04 |
| DE3785636D1 (de) | 1993-06-03 |
| EP0265917A3 (en) | 1989-03-22 |
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