JPH0558211B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0558211B2 JPH0558211B2 JP19164185A JP19164185A JPH0558211B2 JP H0558211 B2 JPH0558211 B2 JP H0558211B2 JP 19164185 A JP19164185 A JP 19164185A JP 19164185 A JP19164185 A JP 19164185A JP H0558211 B2 JPH0558211 B2 JP H0558211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- output
- klystron
- valve body
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Details Of Valves (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空電子ビーム管の一種であるク
ライストロン、すなわち空胴共振器によつてビー
ム中の電子に与えられた速度変調が密度変調に変
わり、他の空胴共振器を励振するようにしたもの
で、マイクロ波領域の増幅器として用いる大電力
クライストロン装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention is based on the method in which velocity modulation given to electrons in a beam by a klystron, which is a type of vacuum electron beam tube, or a cavity resonator, is converted into density modulation. This device excites another cavity resonator, and is related to a high-power klystron device used as an amplifier in the microwave region.
第5図は従来の大電力クライストロン装置の正
面図、第6図は出力セラミツク窓部の拡大断面図
である。第5図において、1は電子ビームを発生
させる電子銃、2はマイクロ波電力を増幅する空
胴部、3は入力空胴、4は出力空胴、5は電子銃
1から出力された電子ビームを捕捉するコレクタ
部、6は出力マイクロ波を外部に導出する出力導
波管部、7はこの出力導波管部6の所定位置に設
けられた出力セラミツク窓部、8は出力導波管部
6内を真空状態に維持するためのイオンポンプで
ある。次に、第6図において、9は出力セラミツ
ク窓部7内において、ろう付により真空封止され
た金属円筒10に気密保持されたセラミツク板で
ある。
FIG. 5 is a front view of a conventional high-power klystron device, and FIG. 6 is an enlarged sectional view of the output ceramic window. In FIG. 5, 1 is an electron gun that generates an electron beam, 2 is a cavity that amplifies microwave power, 3 is an input cavity, 4 is an output cavity, and 5 is an electron beam output from the electron gun 1. 6 is an output waveguide section that guides the output microwave to the outside, 7 is an output ceramic window provided at a predetermined position of the output waveguide section 6, and 8 is an output waveguide section. This is an ion pump for maintaining the inside of 6 in a vacuum state. Next, in FIG. 6, reference numeral 9 denotes a ceramic plate that is held airtight within the output ceramic window 7 by a metal cylinder 10 that is vacuum-sealed by brazing.
従来の大電力クライストロン装置は上記のよう
に構成されているので、入力空胴3に供給された
マイクロ波電力は、電子銃1から放出された電子
ビームにより空胴部2内において順次増幅され、
出力空胴4において増幅されたマイクロ波電力が
発生する。次に、このマイクロ波出力は、出力空
胴4内に連通する出力導波管部6および出力セラ
ミツク窓部7を経て外部に取り出される。なお、
この負荷側の出力導波管部6内は高真空状態で使
用されており、出力セラミツク窓部7はクライス
トロン装置内を真空に維持しながらマイクロ波出
力を透過させるわけであるが、この出力セラミツ
ク窓部7にマイクロ波電力が透過すると、内部の
セラミツク円板9と、金属円筒10のろう付部か
ら発生する電子が、このマイクロ波電力の高電界
の影響を受けて加速され、セラミツク円板9に衝
突して二次電子放出あるいはチヤージアツプ現象
を発生させるため、この二次電子がセラミツク円
板9に衝突するいわゆるマルチパルタ作用によつ
てこのセラミツク円板9を加熱させる。しかも、
クライストロン装置の稼働時においては、このセ
ラミツク円板9の両面側が共に真空のため、上述
したマルチパルタ作用はセラミツク円板9の両面
において発生し必然的に透過電力の上限があり、
パルス出力において尖頭出力30MW、平均出力15
〜30kw程度に制限されている。 Since the conventional high-power klystron device is configured as described above, the microwave power supplied to the input cavity 3 is sequentially amplified within the cavity 2 by the electron beam emitted from the electron gun 1.
Amplified microwave power is generated in the output cavity 4. Next, this microwave output is taken out to the outside through an output waveguide section 6 communicating with the output cavity 4 and an output ceramic window section 7. In addition,
The inside of the output waveguide section 6 on the load side is used in a high vacuum state, and the output ceramic window section 7 transmits the microwave output while maintaining the vacuum inside the klystron device. When microwave power passes through the window 7, electrons generated from the internal ceramic disk 9 and the brazed portion of the metal cylinder 10 are accelerated by the high electric field of this microwave power, and the ceramic disk The secondary electrons collide with the ceramic disc 9 to generate a secondary electron emission or a charge up phenomenon, so that the ceramic disc 9 is heated by the so-called multipulta effect in which the secondary electrons collide with the ceramic disc 9. Moreover,
When the klystron device is in operation, both sides of the ceramic disc 9 are in a vacuum, so the multipultor action described above occurs on both sides of the ceramic disc 9, and there is inevitably an upper limit to the transmitted power.
Peak output 30MW in pulse output, average output 15
It is limited to ~30kw.
上述した従来のクライストロン装置において
は、上述した理由によつて出力セラミツク窓部7
の透過電力に制限を受けるため、大電力クライス
トロン装置として使用することができない欠点が
ある。
In the conventional klystron device described above, the output ceramic window portion 7 is
This has the disadvantage that it cannot be used as a high-power klystron device because of the limitation on the transmitted power.
この発明はかかる点に着目してなされたもの
で、クライストロン装置の稼働時に従来のように
マルチパルタ作用によつて加熱されるセラミツク
円板を使用しないようにした大電力クライストロ
ン装置を提供するものである。 This invention has been made in view of this point, and provides a high-power klystron device that does not use a ceramic disk that is heated by multiparter action as in the past when the klystron device is operated. .
この発明にかかるクライストロン装置は、出力
導波管部に、従来の出力セラミツク窓部に代えて
導波管形の耐真空ゲートバルブを装備したもので
ある。
In the klystron device according to the present invention, the output waveguide section is equipped with a waveguide-shaped vacuum-resistant gate valve in place of the conventional output ceramic window section.
この発明においては、クライストロン装置の不
使用時には、出力導波管部に装備した導波管形の
耐真空ゲートバルブを「閉」として管内真空を保
持し、クライストロン装備の使用時には耐真空ゲ
ートバルブを「開」としてマイクロ波出力を円滑
に負荷側に伝送し得るようにしたものである。
In this invention, when the klystron device is not in use, the waveguide-type vacuum-resistant gate valve installed in the output waveguide section is closed to maintain vacuum inside the tube, and when the klystron device is in use, the vacuum-resistant gate valve is closed. It is set as "open" so that the microwave output can be smoothly transmitted to the load side.
第1図〜第4図は何れもこの発明の一実施例を
示すものであるが、上述した従来のもの(第5
図)と同一符号は同一構成部材につきその説明す
る。
1 to 4 each show an embodiment of the present invention, but the conventional one described above (No. 5
The same reference numerals as in the figure) refer to the same constituent members.
第1図はこの発明のクライストロン装置の正面
図、第2図はこの発明にかかる導波管形の耐真空
ゲートバルブの縦断面図、第3図は第2図の−
線における横断面図、第4図は耐真空ゲートバ
ルブの動作説明図である。第1図〜第3図におい
て、11は出力導波管部6の所定位置に装着され
た導波管形の耐真空ゲートバルブで、この耐真空
ゲートバルブ11は次の様に構成されている。 FIG. 1 is a front view of a klystron device according to the present invention, FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of a waveguide-type vacuum-resistant gate valve according to the present invention, and FIG.
FIG. 4, a cross-sectional view taken along the line, is an explanatory diagram of the operation of the vacuum-resistant gate valve. In FIGS. 1 to 3, reference numeral 11 denotes a waveguide-type vacuum-resistant gate valve mounted at a predetermined position of the output waveguide section 6. This vacuum-resistant gate valve 11 is constructed as follows. .
すなわち、第2図および第3図において、11
aは耐真空ゲートバルブ11内に形成されたスラ
イド溝で、このスライド溝11a内には所定位置
に長方形の透穴17を形成したバルブ本体12が
摺動自在に収容されており、このバルブ本体12
の一側に一体に取付けられた駆動ロツド15a
は、耐真空ゲートバルブ11の中空室11bを貫
通してたとえば油圧シリンダ等からなる駆動装置
15に連結されている。16は中空室11b内に
収容され出力導波管部6内と外部を気密にしや断
するための真空ベローズ13,13はスライド溝
11aとバルブ本体12との摺接面を気密に保持
するための真空封止用の金属ガスケツト、15b
は駆動ロツド15aに螺挿されたストツパ用ナツ
ト、14は耐真空ゲートバルブ11内に形成さ
れ、耐真空バルブ11に耐電力特性を与えるため
の1/4波長チヨークである。 That is, in FIGS. 2 and 3, 11
A is a slide groove formed in the vacuum-resistant gate valve 11, and a valve body 12 with a rectangular through hole 17 formed at a predetermined position is slidably accommodated in this slide groove 11a. 12
A drive rod 15a is integrally attached to one side.
passes through the hollow chamber 11b of the vacuum-resistant gate valve 11 and is connected to a drive device 15 comprising, for example, a hydraulic cylinder. 16 is housed in the hollow chamber 11b, and vacuum bellows 13 are used to airtightly separate the inside and outside of the output waveguide section 6. The vacuum bellows 13 are used to keep the sliding surface between the slide groove 11a and the valve body 12 airtight. metal gasket for vacuum sealing, 15b
14 is a stopper nut screwed into the drive rod 15a, and 14 is a 1/4 wavelength choke formed inside the vacuum-resistant gate valve 11 to provide the vacuum-resistant valve 11 with power-resistant characteristics.
この発明のクライストロン装置は上記のように
構成されており、第2図はクライストロン装置の
不使用時に、バルブ本体12と金属ガスケツト1
3,13とによつて出力導波管部6内をしや断
し、クライストロン管内を真空に保持した「閉状
態」を示している。次に、第4図は、クライスト
ロン装置の使用時に駆動装置15により駆動ロツ
ド15aを介してバルブ本体12を移動させ、こ
のバルブ本体の透穴17を出力導波管部6内に対
応させた「開状態」を示しており、出力空胴4に
おいて発生したマイクロ波出力をバルブ本体12
の透穴17を通過させて負荷側に伝送する。ま
た、クライストロン装置が安定して動作するため
に、イオンポンプ8によつて1×10-7Torr以下
の管内真空度に保持するようになされている。 The klystron device of the present invention is constructed as described above, and FIG. 2 shows the valve body 12 and metal gasket 1 when the klystron device is not in use.
3 and 13, the inside of the output waveguide section 6 is cut off, and the inside of the klystron tube is kept in a vacuum, thereby showing a "closed state". Next, FIG. 4 shows that when the klystron device is used, the valve body 12 is moved via the drive rod 15a by the drive device 15, and the through hole 17 of the valve body is made to correspond to the inside of the output waveguide section 6. The microwave output generated in the output cavity 4 is transferred to the valve body 12.
It passes through the through hole 17 and is transmitted to the load side. Further, in order for the klystron device to operate stably, the ion pump 8 maintains the vacuum inside the tube at 1×10 −7 Torr or less.
なお、上述した一実施例においては、第3図に
示すように、方形導波管を使用した導波形の耐真
空ゲートバルブについて述べたが、円形導波管で
あつても同様の効果を奏することができる。ま
た、耐電力特性を向上させるために1/4波長チヨ
ークを複数段に形成してもよい。 In addition, in the above-mentioned embodiment, as shown in FIG. 3, a waveguide-type vacuum-resistant gate valve using a rectangular waveguide was described, but the same effect can be achieved even if a circular waveguide is used. be able to. Furthermore, in order to improve the power durability characteristics, the quarter-wavelength chokes may be formed in multiple stages.
以上述べたように、この発明によれば出力導波
管部に導波管形の真空ゲートバルブを装備するよ
うにしたので、従来の出力セラミツク窓部を用い
たもののように透過電力に制限を受けることがな
く、大電力用のクライストロン装置として極めて
有用である。
As described above, according to the present invention, since the output waveguide section is equipped with a waveguide-shaped vacuum gate valve, there is no limit to the transmitted power as in the conventional output waveguide using a ceramic window section. It is extremely useful as a klystron device for high power.
第1図〜第4図はこの発明の一実施例を示すも
ので、第1図はこの発明にかかるクライストロン
装置の正面図、第2図は導波管形の耐真空ゲート
バルブを示す縦断面図、第3図は第2図の−
線における横断面図、第4図は耐真空ゲートバル
ブの動作説明図である。第5図は従来のクライス
トロン装置を示す正面図、第6図は従来の出力セ
ラミツク窓部の拡大断面図である。
図において、1は電子銃、2は空胴部、6は出
力導波管部、8はイオンポンプ、11aはスライ
ド溝、11は導波管形の耐真空ゲートバルブ、1
2はバルブ本体、13は金属ガスケツト、14は
1/4波長チヨーク、15は駆動装置である。なお、
図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Figures 1 to 4 show an embodiment of the present invention, with Figure 1 being a front view of a klystron device according to the present invention, and Figure 2 being a longitudinal section showing a waveguide type vacuum-resistant gate valve. Figure 3 is the − of Figure 2.
FIG. 4, a cross-sectional view taken along the line, is an explanatory diagram of the operation of the vacuum-resistant gate valve. FIG. 5 is a front view of a conventional klystron device, and FIG. 6 is an enlarged sectional view of a conventional output ceramic window. In the figure, 1 is an electron gun, 2 is a cavity, 6 is an output waveguide, 8 is an ion pump, 11a is a slide groove, 11 is a waveguide-shaped vacuum-resistant gate valve, 1
2 is a valve body, 13 is a metal gasket, 14 is a quarter-wavelength choke, and 15 is a driving device. In addition,
The same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
部内に連通する出力導波管部に、この出力導波管
部内を開閉するバルブ本体を有する導波管形の耐
真空ゲートバルブを設けたことを特徴とするクラ
イストロン装置。 2 出力導波管部内を開閉する透穴を有するバル
ブ本体を摺動自在に収容した耐真空ゲートバルブ
のスライド溝に連通して1/4波長チヨークを形成
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のクライストロン装置。 3 バルブ本体とスライド溝との摺接面に真空封
止用の金属ガスケツトを設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のクライストロン装
置。 4 バルブ本体は、油圧シリンダ等からなる駆動
装置によつて開閉操作するようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のクライストロ
ン装置。[Claims] 1. A waveguide-shaped waveguide having a valve body that opens and closes the inside of the output waveguide section that communicates with the cavity provided between the electron gun and the collector section. A klystron device featuring a vacuum-resistant gate valve. 2. Claims characterized in that a 1/4 wavelength chiyoke is formed in communication with a slide groove of a vacuum-resistant gate valve that slidably accommodates a valve body having a through hole that opens and closes the inside of the output waveguide section. The klystron device according to item 1. 3. The klystron device according to claim 1, characterized in that a metal gasket for vacuum sealing is provided on the sliding contact surface between the valve body and the slide groove. 4. The klystron device according to claim 1, wherein the valve body is opened and closed by a drive device comprising a hydraulic cylinder or the like.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19164185A JPS6252832A (en) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | Klystron device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19164185A JPS6252832A (en) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | Klystron device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252832A JPS6252832A (en) | 1987-03-07 |
| JPH0558211B2 true JPH0558211B2 (en) | 1993-08-26 |
Family
ID=16278033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19164185A Granted JPS6252832A (en) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | Klystron device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6252832A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2612119B2 (en) * | 1991-10-22 | 1997-05-21 | 三菱電機株式会社 | Klystron |
| US9222583B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-12-29 | Cameron International Corporation | Split gate valve |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19164185A patent/JPS6252832A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6252832A (en) | 1987-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2118350C (en) | Electron beam tube arrangements | |
| JPS61118936A (en) | Beam tube having density and speed modulation | |
| JPH0558211B2 (en) | ||
| CA1068002A (en) | Resonant cavity magnetron with choke structure for reducing harmonics in output system | |
| EP0753878A1 (en) | Linear electron beam tubes arrangements | |
| US4027193A (en) | Klystron-resonant cavity accelerator system | |
| US5821693A (en) | Electron beam tubes having a unitary envelope having stepped inner surface | |
| US6984940B2 (en) | Electronic tube with simplified collector | |
| US5323086A (en) | Klystron having a vacuum gate valve disposed in a drift tube | |
| JP3028834B2 (en) | High frequency transmission window structure and method of manufacturing the same | |
| JPS6134219B2 (en) | ||
| US3309631A (en) | High frequency tube coaxial transmission line | |
| US3886384A (en) | Collector electrode | |
| Babu et al. | Design and PIC Simulation of Ka-Band Periodically Loaded High Gain Gyro-Twystron | |
| JPH05129802A (en) | Airtight high frequency window | |
| JPS5818840A (en) | Microwave tube device | |
| JPS5816122Y2 (en) | microwave tube | |
| CA2384908C (en) | Dual-band rf power tube with shared collector and associated method | |
| JPS6223013Y2 (en) | ||
| JPH0112773Y2 (en) | ||
| JPH10125245A (en) | Multi-cavity klystron device | |
| King | A 5%-bandwidth 2.5-MW S-band klystron | |
| JP3035365B2 (en) | Traveling wave tube | |
| JPH0660816A (en) | Multi-cavity klystron | |
| JPH04105701U (en) | airtight high frequency window |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |