JPH0558211B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0558211B2 JPH0558211B2 JP19164185A JP19164185A JPH0558211B2 JP H0558211 B2 JPH0558211 B2 JP H0558211B2 JP 19164185 A JP19164185 A JP 19164185A JP 19164185 A JP19164185 A JP 19164185A JP H0558211 B2 JPH0558211 B2 JP H0558211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- output
- klystron
- valve body
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Details Of Valves (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空電子ビーム管の一種であるク
ライストロン、すなわち空胴共振器によつてビー
ム中の電子に与えられた速度変調が密度変調に変
わり、他の空胴共振器を励振するようにしたもの
で、マイクロ波領域の増幅器として用いる大電力
クライストロン装置に関するものである。
ライストロン、すなわち空胴共振器によつてビー
ム中の電子に与えられた速度変調が密度変調に変
わり、他の空胴共振器を励振するようにしたもの
で、マイクロ波領域の増幅器として用いる大電力
クライストロン装置に関するものである。
第５図は従来の大電力クライストロン装置の正
面図、第６図は出力セラミツク窓部の拡大断面図
である。第５図において、１は電子ビームを発生
させる電子銃、２はマイクロ波電力を増幅する空
胴部、３は入力空胴、４は出力空胴、５は電子銃
１から出力された電子ビームを捕捉するコレクタ
部、６は出力マイクロ波を外部に導出する出力導
波管部、７はこの出力導波管部６の所定位置に設
けられた出力セラミツク窓部、８は出力導波管部
６内を真空状態に維持するためのイオンポンプで
ある。次に、第６図において、９は出力セラミツ
ク窓部７内において、ろう付により真空封止され
た金属円筒１０に気密保持されたセラミツク板で
ある。
面図、第６図は出力セラミツク窓部の拡大断面図
である。第５図において、１は電子ビームを発生
させる電子銃、２はマイクロ波電力を増幅する空
胴部、３は入力空胴、４は出力空胴、５は電子銃
１から出力された電子ビームを捕捉するコレクタ
部、６は出力マイクロ波を外部に導出する出力導
波管部、７はこの出力導波管部６の所定位置に設
けられた出力セラミツク窓部、８は出力導波管部
６内を真空状態に維持するためのイオンポンプで
ある。次に、第６図において、９は出力セラミツ
ク窓部７内において、ろう付により真空封止され
た金属円筒１０に気密保持されたセラミツク板で
ある。
従来の大電力クライストロン装置は上記のよう
に構成されているので、入力空胴３に供給された
マイクロ波電力は、電子銃１から放出された電子
ビームにより空胴部２内において順次増幅され、
出力空胴４において増幅されたマイクロ波電力が
発生する。次に、このマイクロ波出力は、出力空
胴４内に連通する出力導波管部６および出力セラ
ミツク窓部７を経て外部に取り出される。なお、
この負荷側の出力導波管部６内は高真空状態で使
用されており、出力セラミツク窓部７はクライス
トロン装置内を真空に維持しながらマイクロ波出
力を透過させるわけであるが、この出力セラミツ
ク窓部７にマイクロ波電力が透過すると、内部の
セラミツク円板９と、金属円筒１０のろう付部か
ら発生する電子が、このマイクロ波電力の高電界
の影響を受けて加速され、セラミツク円板９に衝
突して二次電子放出あるいはチヤージアツプ現象
を発生させるため、この二次電子がセラミツク円
板９に衝突するいわゆるマルチパルタ作用によつ
てこのセラミツク円板９を加熱させる。しかも、
クライストロン装置の稼働時においては、このセ
ラミツク円板９の両面側が共に真空のため、上述
したマルチパルタ作用はセラミツク円板９の両面
において発生し必然的に透過電力の上限があり、
パルス出力において尖頭出力30MW、平均出力15
〜30kw程度に制限されている。
に構成されているので、入力空胴３に供給された
マイクロ波電力は、電子銃１から放出された電子
ビームにより空胴部２内において順次増幅され、
出力空胴４において増幅されたマイクロ波電力が
発生する。次に、このマイクロ波出力は、出力空
胴４内に連通する出力導波管部６および出力セラ
ミツク窓部７を経て外部に取り出される。なお、
この負荷側の出力導波管部６内は高真空状態で使
用されており、出力セラミツク窓部７はクライス
トロン装置内を真空に維持しながらマイクロ波出
力を透過させるわけであるが、この出力セラミツ
ク窓部７にマイクロ波電力が透過すると、内部の
セラミツク円板９と、金属円筒１０のろう付部か
ら発生する電子が、このマイクロ波電力の高電界
の影響を受けて加速され、セラミツク円板９に衝
突して二次電子放出あるいはチヤージアツプ現象
を発生させるため、この二次電子がセラミツク円
板９に衝突するいわゆるマルチパルタ作用によつ
てこのセラミツク円板９を加熱させる。しかも、
クライストロン装置の稼働時においては、このセ
ラミツク円板９の両面側が共に真空のため、上述
したマルチパルタ作用はセラミツク円板９の両面
において発生し必然的に透過電力の上限があり、
パルス出力において尖頭出力30MW、平均出力15
〜30kw程度に制限されている。
上述した従来のクライストロン装置において
は、上述した理由によつて出力セラミツク窓部７
の透過電力に制限を受けるため、大電力クライス
トロン装置として使用することができない欠点が
ある。
は、上述した理由によつて出力セラミツク窓部７
の透過電力に制限を受けるため、大電力クライス
トロン装置として使用することができない欠点が
ある。
この発明はかかる点に着目してなされたもの
で、クライストロン装置の稼働時に従来のように
マルチパルタ作用によつて加熱されるセラミツク
円板を使用しないようにした大電力クライストロ
ン装置を提供するものである。
で、クライストロン装置の稼働時に従来のように
マルチパルタ作用によつて加熱されるセラミツク
円板を使用しないようにした大電力クライストロ
ン装置を提供するものである。
この発明にかかるクライストロン装置は、出力
導波管部に、従来の出力セラミツク窓部に代えて
導波管形の耐真空ゲートバルブを装備したもので
ある。
導波管部に、従来の出力セラミツク窓部に代えて
導波管形の耐真空ゲートバルブを装備したもので
ある。
この発明においては、クライストロン装置の不
使用時には、出力導波管部に装備した導波管形の
耐真空ゲートバルブを「閉」として管内真空を保
持し、クライストロン装備の使用時には耐真空ゲ
ートバルブを「開」としてマイクロ波出力を円滑
に負荷側に伝送し得るようにしたものである。
使用時には、出力導波管部に装備した導波管形の
耐真空ゲートバルブを「閉」として管内真空を保
持し、クライストロン装備の使用時には耐真空ゲ
ートバルブを「開」としてマイクロ波出力を円滑
に負荷側に伝送し得るようにしたものである。
第１図〜第４図は何れもこの発明の一実施例を
示すものであるが、上述した従来のもの（第５
図）と同一符号は同一構成部材につきその説明す
る。
示すものであるが、上述した従来のもの（第５
図）と同一符号は同一構成部材につきその説明す
る。
第１図はこの発明のクライストロン装置の正面
図、第２図はこの発明にかかる導波管形の耐真空
ゲートバルブの縦断面図、第３図は第２図の−
線における横断面図、第４図は耐真空ゲートバ
ルブの動作説明図である。第１図〜第３図におい
て、１１は出力導波管部６の所定位置に装着され
た導波管形の耐真空ゲートバルブで、この耐真空
ゲートバルブ１１は次の様に構成されている。
図、第２図はこの発明にかかる導波管形の耐真空
ゲートバルブの縦断面図、第３図は第２図の−
線における横断面図、第４図は耐真空ゲートバ
ルブの動作説明図である。第１図〜第３図におい
て、１１は出力導波管部６の所定位置に装着され
た導波管形の耐真空ゲートバルブで、この耐真空
ゲートバルブ１１は次の様に構成されている。
すなわち、第２図および第３図において、１１
ａは耐真空ゲートバルブ１１内に形成されたスラ
イド溝で、このスライド溝１１ａ内には所定位置
に長方形の透穴１７を形成したバルブ本体１２が
摺動自在に収容されており、このバルブ本体１２
の一側に一体に取付けられた駆動ロツド１５ａ
は、耐真空ゲートバルブ１１の中空室１１ｂを貫
通してたとえば油圧シリンダ等からなる駆動装置
１５に連結されている。１６は中空室１１ｂ内に
収容され出力導波管部６内と外部を気密にしや断
するための真空ベローズ１３，１３はスライド溝
１１ａとバルブ本体１２との摺接面を気密に保持
するための真空封止用の金属ガスケツト、１５ｂ
は駆動ロツド１５ａに螺挿されたストツパ用ナツ
ト、１４は耐真空ゲートバルブ１１内に形成さ
れ、耐真空バルブ１１に耐電力特性を与えるため
の1/4波長チヨークである。
ａは耐真空ゲートバルブ１１内に形成されたスラ
イド溝で、このスライド溝１１ａ内には所定位置
に長方形の透穴１７を形成したバルブ本体１２が
摺動自在に収容されており、このバルブ本体１２
の一側に一体に取付けられた駆動ロツド１５ａ
は、耐真空ゲートバルブ１１の中空室１１ｂを貫
通してたとえば油圧シリンダ等からなる駆動装置
１５に連結されている。１６は中空室１１ｂ内に
収容され出力導波管部６内と外部を気密にしや断
するための真空ベローズ１３，１３はスライド溝
１１ａとバルブ本体１２との摺接面を気密に保持
するための真空封止用の金属ガスケツト、１５ｂ
は駆動ロツド１５ａに螺挿されたストツパ用ナツ
ト、１４は耐真空ゲートバルブ１１内に形成さ
れ、耐真空バルブ１１に耐電力特性を与えるため
の1/4波長チヨークである。
この発明のクライストロン装置は上記のように
構成されており、第２図はクライストロン装置の
不使用時に、バルブ本体１２と金属ガスケツト１
３，１３とによつて出力導波管部６内をしや断
し、クライストロン管内を真空に保持した「閉状
態」を示している。次に、第４図は、クライスト
ロン装置の使用時に駆動装置１５により駆動ロツ
ド１５ａを介してバルブ本体１２を移動させ、こ
のバルブ本体の透穴１７を出力導波管部６内に対
応させた「開状態」を示しており、出力空胴４に
おいて発生したマイクロ波出力をバルブ本体１２
の透穴１７を通過させて負荷側に伝送する。ま
た、クライストロン装置が安定して動作するため
に、イオンポンプ８によつて１×10-7Torr以下
の管内真空度に保持するようになされている。
構成されており、第２図はクライストロン装置の
不使用時に、バルブ本体１２と金属ガスケツト１
３，１３とによつて出力導波管部６内をしや断
し、クライストロン管内を真空に保持した「閉状
態」を示している。次に、第４図は、クライスト
ロン装置の使用時に駆動装置１５により駆動ロツ
ド１５ａを介してバルブ本体１２を移動させ、こ
のバルブ本体の透穴１７を出力導波管部６内に対
応させた「開状態」を示しており、出力空胴４に
おいて発生したマイクロ波出力をバルブ本体１２
の透穴１７を通過させて負荷側に伝送する。ま
た、クライストロン装置が安定して動作するため
に、イオンポンプ８によつて１×10-7Torr以下
の管内真空度に保持するようになされている。
なお、上述した一実施例においては、第３図に
示すように、方形導波管を使用した導波形の耐真
空ゲートバルブについて述べたが、円形導波管で
あつても同様の効果を奏することができる。ま
た、耐電力特性を向上させるために1/4波長チヨ
ークを複数段に形成してもよい。
示すように、方形導波管を使用した導波形の耐真
空ゲートバルブについて述べたが、円形導波管で
あつても同様の効果を奏することができる。ま
た、耐電力特性を向上させるために1/4波長チヨ
ークを複数段に形成してもよい。
以上述べたように、この発明によれば出力導波
管部に導波管形の真空ゲートバルブを装備するよ
うにしたので、従来の出力セラミツク窓部を用い
たもののように透過電力に制限を受けることがな
く、大電力用のクライストロン装置として極めて
有用である。
管部に導波管形の真空ゲートバルブを装備するよ
うにしたので、従来の出力セラミツク窓部を用い
たもののように透過電力に制限を受けることがな
く、大電力用のクライストロン装置として極めて
有用である。
第１図〜第４図はこの発明の一実施例を示すも
ので、第１図はこの発明にかかるクライストロン
装置の正面図、第２図は導波管形の耐真空ゲート
バルブを示す縦断面図、第３図は第２図の−
線における横断面図、第４図は耐真空ゲートバル
ブの動作説明図である。第５図は従来のクライス
トロン装置を示す正面図、第６図は従来の出力セ
ラミツク窓部の拡大断面図である。 図において、１は電子銃、２は空胴部、６は出
力導波管部、８はイオンポンプ、１１ａはスライ
ド溝、１１は導波管形の耐真空ゲートバルブ、１
２はバルブ本体、１３は金属ガスケツト、１４は
１／４波長チヨーク、１５は駆動装置である。なお、
図中同一符号は同一または相当部分を示す。
ので、第１図はこの発明にかかるクライストロン
装置の正面図、第２図は導波管形の耐真空ゲート
バルブを示す縦断面図、第３図は第２図の−
線における横断面図、第４図は耐真空ゲートバル
ブの動作説明図である。第５図は従来のクライス
トロン装置を示す正面図、第６図は従来の出力セ
ラミツク窓部の拡大断面図である。 図において、１は電子銃、２は空胴部、６は出
力導波管部、８はイオンポンプ、１１ａはスライ
ド溝、１１は導波管形の耐真空ゲートバルブ、１
２はバルブ本体、１３は金属ガスケツト、１４は
１／４波長チヨーク、１５は駆動装置である。なお、
図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子銃とコレクタ部との間に設けられた空胴
部内に連通する出力導波管部に、この出力導波管
部内を開閉するバルブ本体を有する導波管形の耐
真空ゲートバルブを設けたことを特徴とするクラ
イストロン装置。 ２ 出力導波管部内を開閉する透穴を有するバル
ブ本体を摺動自在に収容した耐真空ゲートバルブ
のスライド溝に連通して1/4波長チヨークを形成
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のクライストロン装置。 ３ バルブ本体とスライド溝との摺接面に真空封
止用の金属ガスケツトを設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のクライストロン装
置。 ４ バルブ本体は、油圧シリンダ等からなる駆動
装置によつて開閉操作するようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のクライストロ
ン装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19164185A JPS6252832A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | クライストロン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19164185A JPS6252832A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | クライストロン装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252832A JPS6252832A (ja) | 1987-03-07 |
| JPH0558211B2 true JPH0558211B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=16278033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19164185A Granted JPS6252832A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | クライストロン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6252832A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2612119B2 (ja) * | 1991-10-22 | 1997-05-21 | 三菱電機株式会社 | クライストロン |
| US9222583B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-12-29 | Cameron International Corporation | Split gate valve |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19164185A patent/JPS6252832A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6252832A (ja) | 1987-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |