JPH0558569B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0558569B2 JPH0558569B2 JP61159212A JP15921286A JPH0558569B2 JP H0558569 B2 JPH0558569 B2 JP H0558569B2 JP 61159212 A JP61159212 A JP 61159212A JP 15921286 A JP15921286 A JP 15921286A JP H0558569 B2 JPH0558569 B2 JP H0558569B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- semiconductor
- metal plate
- substrate
- semiconductor pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は、複数の半導体ペレツトがそれぞれヒ
ートシンクとしての金属板を介して絶縁基板上に
固定され、その絶縁基板上に支持される端子導体
と半導体ペレツト上の電極とが接続され、また絶
縁基板が金属基板上に固着され、半導体ペレツト
が樹脂層により被覆される半導体装置の製造方法
に関する。
ートシンクとしての金属板を介して絶縁基板上に
固定され、その絶縁基板上に支持される端子導体
と半導体ペレツト上の電極とが接続され、また絶
縁基板が金属基板上に固着され、半導体ペレツト
が樹脂層により被覆される半導体装置の製造方法
に関する。
【従来技術とその問題点】
複数の半導体ペレツトから構成される半導体装
置は、ペレツト間の絶縁のために絶縁基板上にペ
レツトを固定する。その場合、ペレツトに発生す
るヒートシヨツクを避けるためにペレツトをヒー
トシンクを介して固定し、さらに絶縁基板を介し
ての放熱のために絶縁基板の反ペレツト側に金属
基板を固着する。第３図はそのような半導体装置
を示し、複数の半導体ペレツト１がヒートシンク
としての銅板２を介してセラミツク基板３の上に
固定される。ペレツト１上の電極は絶縁基板３に
固定された端子導体４と導線５により接続され、
絶縁基板３の下面は放熱板としての銅基板６に固
着されている。セラミツク基板３と銅板２および
放熱銅基板６との接着は、セラミツク基板３に予
めメタライジングを施し、メタライズ金属層と銅
板とをはんだ付けすることにより行う。しかしこ
の場合、絶縁基板３と放熱基板６とは全面で接着
されるので、セラミツクと鋼との熱膨張係数の差
に基づく湾曲あるいはセラミツク板の割れを避け
るために放熱基板６には数mmと厚く、また封止樹
脂層７よりも大きい面積のものを用い、熱膨張係
数の差による応力がうちかつて平坦な状態が維持
されるようにしていた。しかし、この結果半導体
装置は大型になり、重くなるという欠点があつ
た。
置は、ペレツト間の絶縁のために絶縁基板上にペ
レツトを固定する。その場合、ペレツトに発生す
るヒートシヨツクを避けるためにペレツトをヒー
トシンクを介して固定し、さらに絶縁基板を介し
ての放熱のために絶縁基板の反ペレツト側に金属
基板を固着する。第３図はそのような半導体装置
を示し、複数の半導体ペレツト１がヒートシンク
としての銅板２を介してセラミツク基板３の上に
固定される。ペレツト１上の電極は絶縁基板３に
固定された端子導体４と導線５により接続され、
絶縁基板３の下面は放熱板としての銅基板６に固
着されている。セラミツク基板３と銅板２および
放熱銅基板６との接着は、セラミツク基板３に予
めメタライジングを施し、メタライズ金属層と銅
板とをはんだ付けすることにより行う。しかしこ
の場合、絶縁基板３と放熱基板６とは全面で接着
されるので、セラミツクと鋼との熱膨張係数の差
に基づく湾曲あるいはセラミツク板の割れを避け
るために放熱基板６には数mmと厚く、また封止樹
脂層７よりも大きい面積のものを用い、熱膨張係
数の差による応力がうちかつて平坦な状態が維持
されるようにしていた。しかし、この結果半導体
装置は大型になり、重くなるという欠点があつ
た。
本発明は、上記の欠点を除いてセラミツクと銅
との熱膨張係数の差に基づく湾曲あるいはセラミ
ツク板の割れを生ずることなく小形で軽量化され
る半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
との熱膨張係数の差に基づく湾曲あるいはセラミ
ツク板の割れを生ずることなく小形で軽量化され
る半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
本発明は、絶縁基板の一面の所定の領域と他面
のほぼ全面に同じ厚さの金属板を同時に固着し、
その絶縁基板の一面の金属板上に半導体ペレツト
を固着し、半導体ペレツトの電極と端子導体とを
接続したのち、絶縁基板の他面側の金属板の反絶
縁基板側面を露出させ、金属板の側面に接触する
樹脂層によつて半導体ペレツトを覆うもので、絶
縁基板の両面に同じ厚さの金属板を同時に固着す
ることにより絶縁基板が湾曲あるいは割れること
がなく、また他面側の金属板を外部放熱体に密着
させることにより従来と同様の放熱効果が得ら
れ、厚く大きい放熱金属基板を用いる必要がない
ので上述の目的が達成される。
のほぼ全面に同じ厚さの金属板を同時に固着し、
その絶縁基板の一面の金属板上に半導体ペレツト
を固着し、半導体ペレツトの電極と端子導体とを
接続したのち、絶縁基板の他面側の金属板の反絶
縁基板側面を露出させ、金属板の側面に接触する
樹脂層によつて半導体ペレツトを覆うもので、絶
縁基板の両面に同じ厚さの金属板を同時に固着す
ることにより絶縁基板が湾曲あるいは割れること
がなく、また他面側の金属板を外部放熱体に密着
させることにより従来と同様の放熱効果が得ら
れ、厚く大きい放熱金属基板を用いる必要がない
ので上述の目的が達成される。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を
示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付さ
れている。この場合は、予め厚さ約0.5mmのセラ
ミツク基板の両面にメタライジングを施し、厚さ
約１mmの銅板２および８をろう付けする。両面の
ろう付けを同時に行うことによりセラミツク基板
の両面に熱膨張係数差に基づく応力が等しく加わ
りセラミツク基板は湾曲することがない。次いで
上面側の銅板２およびその下のメタライズ層を選
択的にエツチングして除去し、半導体ペレツト１
および端子導体４を支持する領域のみが残るよう
に銅板２のパターニングを行う。この残された銅
板上に複数の半導体ペレツト１および端子導体４
をはんだ付けし、ペレツト１上の電極と端子導体
４とを導線５のボンデイングにより接続する。こ
のあと、図に示すように銅板８の下面を露出させ
それと同一平面を形成する樹脂層７により半導体
ペレツト１を封止することによつて半導体装置が
でき上がる。 第２図は本発明の別の実施例による半導体装置
を示し、絶縁基板３の下面側の銅板８が樹脂層７
より突出するように樹脂成形したもので、この半
導体装置を冷却体へ直接ろう付けして効率の良い
放熱性を得るのに好都合な構造である。
示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付さ
れている。この場合は、予め厚さ約0.5mmのセラ
ミツク基板の両面にメタライジングを施し、厚さ
約１mmの銅板２および８をろう付けする。両面の
ろう付けを同時に行うことによりセラミツク基板
の両面に熱膨張係数差に基づく応力が等しく加わ
りセラミツク基板は湾曲することがない。次いで
上面側の銅板２およびその下のメタライズ層を選
択的にエツチングして除去し、半導体ペレツト１
および端子導体４を支持する領域のみが残るよう
に銅板２のパターニングを行う。この残された銅
板上に複数の半導体ペレツト１および端子導体４
をはんだ付けし、ペレツト１上の電極と端子導体
４とを導線５のボンデイングにより接続する。こ
のあと、図に示すように銅板８の下面を露出させ
それと同一平面を形成する樹脂層７により半導体
ペレツト１を封止することによつて半導体装置が
でき上がる。 第２図は本発明の別の実施例による半導体装置
を示し、絶縁基板３の下面側の銅板８が樹脂層７
より突出するように樹脂成形したもので、この半
導体装置を冷却体へ直接ろう付けして効率の良い
放熱性を得るのに好都合な構造である。
本発明によれば、予め両面に同じ厚さの金属板
を同時に固着した絶縁基板を用い、一方の金属板
を半導体ペレツトとの間のヒートシンクに、他方
の金属板を封止樹脂層と同一面に露出させて外部
放熱体との熱伝導のための接触に利用することに
よつて、絶縁基板の湾曲あるいは割れをなくすと
共に厚く、大きい放熱基板が不必要になり、小形
で軽量の樹脂封止半導体装置を得ることができ
る。
を同時に固着した絶縁基板を用い、一方の金属板
を半導体ペレツトとの間のヒートシンクに、他方
の金属板を封止樹脂層と同一面に露出させて外部
放熱体との熱伝導のための接触に利用することに
よつて、絶縁基板の湾曲あるいは割れをなくすと
共に厚く、大きい放熱基板が不必要になり、小形
で軽量の樹脂封止半導体装置を得ることができ
る。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の
断面図、第３図は従来の半導体装置の断面図、第
２図は本発明の別の実施例による半導体装置の断
面図である。 １：半導体ペレツト、２，８：銅板、３：絶縁
基板、４：端子導体、５：導線、７：樹脂層。
断面図、第３図は従来の半導体装置の断面図、第
２図は本発明の別の実施例による半導体装置の断
面図である。 １：半導体ペレツト、２，８：銅板、３：絶縁
基板、４：端子導体、５：導線、７：樹脂層。
Claims (1)
- １ 複数の半導体ペレツトがそれぞれ金属板を介
して絶縁基板上に固定され、絶縁基板上に支持さ
れる端子導体と半導体ペレツト上の電極とが接続
され、かつ絶縁基板が金属基板上に固着され、半
導体ペレツトが樹脂層により被覆されるものを製
造するに際し、絶縁基板の一面の所定の領域と他
面のほぼ全面に同じ厚さの金属板を同時に固着
し、絶縁基板の一面の金属板上に半導体ペレツト
を固着し、半導体ペレツトの電極と端子導体とを
接続したのち、絶縁基板の他面側の前記金属板の
反絶縁基板側の面を露出させ、前記金属板の側面
に接触する樹脂層によつて半導体ペレツトを覆う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159212A JPS6315430A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159212A JPS6315430A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315430A JPS6315430A (ja) | 1988-01-22 |
| JPH0558569B2 true JPH0558569B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=15688773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61159212A Granted JPS6315430A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315430A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2883787B2 (ja) * | 1993-07-20 | 1999-04-19 | 富士電機株式会社 | パワー半導体装置用基板 |
| US5675181A (en) * | 1995-01-19 | 1997-10-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Zirconia-added alumina substrate with direct bonding of copper |
| KR100765604B1 (ko) | 2004-11-26 | 2007-10-09 | 산요덴키가부시키가이샤 | 회로 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5061717B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2012-10-31 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP61159212A patent/JPS6315430A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6315430A (ja) | 1988-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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