JPH0131689B2 - - Google Patents

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JPH0131689B2
JPH0131689B2 JP56150942A JP15094281A JPH0131689B2 JP H0131689 B2 JPH0131689 B2 JP H0131689B2 JP 56150942 A JP56150942 A JP 56150942A JP 15094281 A JP15094281 A JP 15094281A JP H0131689 B2 JPH0131689 B2 JP H0131689B2
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JP
Japan
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aluminum
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wiring conductor
wire
plating layer
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JP56150942A
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Kimio Yoshioka
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板上に固着された半導体素子への
配線が基板上に設けられた配線導体と半導体素子
チツプの電極との直接の接続ならびに接続導線に
よる接続によつて行われる複合集積回路に関す
る。
複合集積回路の配線導体は、例えばセラミツク
基板に導体を印刷焼成するか、あるいは金属基板
に絶縁して接着された金属箔をエツチングするこ
となどにより形成される。第１図は後者の例を示
し、アルミニウムのような良熱伝導性金属基板１
の上に絶縁性接着剤層２を介して銅箔３を貼着
し、銅箔３の上にアルミニウム線のワイヤボンデ
イングが可能な、例えば金あるいはニツケルのめ
つき層４を設けた後、エツチング法により所望の
配線パターンを形成する。あるいは銅箔３を所望
のパターンにエツチングしたのち、接続に必要な
場所のみに部分めつきを施してもよい。めつき層
４の上にはんだ層５を介して半導体素子チツプ６
を固定し、その上面のアルミニウム電極と別の配
線導体のめつき層４１とをアルミニウムの接続導
線７の超音波振動法によるワイヤボンデイングに
よつて接続する。半導体素子チツプ６がパワート
ランジスタチツプのような放熱量の大きなものの
場合には、めつき層４の上に金属の放熱体８をは
さんでチツプ６をそれぞれはんだ層５を用いて固
着する。そして同様にアルミニウム線７のワイヤ
ボンデイングにより露出した配線導体のめつき層
４１とチツプ６のアルミニウム電極と接続する。
しかしこのような複合集積回路においては、ア
ルミニウム線７を半導体素子チツプ６のアルミニ
ウム電極と銅箔３の上のAuあるいはNiめつき層
４１とにワイヤボンデイングしなければならず、
双方の材質、表面状態が異るため、最適ボンデイ
ングを行うためにはそれぞれのボンデイング条件
を調整する面倒がある。同じ材質にするために銅
箔３の上にAlめつきを施すことは技術的に難し
い。また放熱体８を用いるときは、チツプ６の上
の電極面と配線導体上のめつき層４１の面との間
に段差を生ずるため、アルミニウム線７が放熱体
８の側面に接触して短絡する虞があり、信頼性が
十分でない。
本発明はこのような欠点を除去し、導線による
接続が容易で、信頼性の高い複合集積回路を提供
することを目的とする。
この目的は、半導体素子チツプのアルミニウム
電極が、基板上に設けられた配線導体の上に固着
される補助体の上面とアルミニウム線によつて接
続される複合集積回路であつて、前記補助体はア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金からなり、
配線導体上に固定される側が該アルミニウムある
いはアルミニウム合金の厚さより薄い銅めつきが
されることによつて達成される。
以下、図を引用して本発明の実施例について説
明する。第２図において第１図と共通の部分には
同一の符号が付されている。基板１上の配線パタ
ーンを形成する銅箔３の上にはめつき層４を設け
ず、半導体素子チツプ６は銅箔３に直接はんだ層
５を介して固着される。このチツプ６の上部のア
ルミニウム電極と接続されるべき配線導体の場所
には、補助体９がはんだ層５によつてろう付けさ
れる。補助体９はチツプ６の電極の材料と同種の
アルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる
が、第３図に示すようにアルミニウム板１０の一
面に銅めつき層１１を有する。銅めつき層１１は
めつきで形成されるのでアルミニウム板１０の厚
さより薄いが、容易にめつき層１１の側で銅箔３
とはんだ付けできる。ついで、アルミニウム線７
の超音波振動によるワイヤボンデイングによりチ
ツプ６の上面のアルミニウム電極と補助体９の上
側のアルミニウム面とを接続する。接続部が双方
ともアルミニウムであるので、ボンデイングは同
じ条件で容易に行うことができる。半導体素子の
放熱量が多く、放熱体８を介して配線導体に固着
するときは、素子チツプ６の上部電極と接続され
る配線導体の場所に、放熱体８の厚さに匹適する
厚さの補助体９１をろう付けする。それによりア
ルミニウム線７による接続は、同種の材料に対し
ほぼ同一水平面内において行うことができる。従
つてアルミニウム線７の長さは最短となり、放熱
体８の側面にアルミニウム線が触れる虞がなく、
短絡が起きない。
本発明によれば配線導体の上に高価なAuめつ
きのようなめつき層を設ける必要がなく、接続場
所にのみ補助体を設けるので最小限の材料です
む。また補助体はアルミニウムが主体であるの
で、軽いとともにアルミニウム板１０の側面には
んだが付着しないのでボンデイング面への半田の
はい上がりやフラツクスの付着が生じず、ボンデ
イングが的確に行える。なお、本発明は上述の金
属基板の複合集積回路に限らず、セラミツク基板
に印刷焼成導体により配線するものにて適用でき
る。
以上述べたように、本発明は複合集積回路の基
板上に固定された半導体素子チツプのアルミニウ
ム電極とアルミニウムあるいはアルミニウム合金
の補助体を用いて、同種材料間をアルミニウム線
により接続するものであり、導線の固着が同一条
件でできるため接続作業が容易で信頼性が高く、
また放熱体使用の素子との接続が同一水平面内で
できるような厚さの補助体を用いることもできる
ので短絡の防止が可能であるなど、得られる効果
は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の複合集積回路の一例の要部の断
面図、第２図は本発明の一実施例の要部断面図、
第３図はその補助体の一実施例の断面図である。 １……金属基板、２……絶縁性接着剤層、３…
…銅箔、５……はんだ層、６……半導体素子チツ
プ、７……接続導線、９，９１……補助体、１０
……アルミニウム板、１１……銅めつき層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体素子チツプのアルミニウム電極が、基
    板上に設けられた配線導体の上に固着される補助
    体の上面とアルミニウム線によつて接続される複
    合集積回路であつて、前記補助体はアルミニウム
    あるいはアルミニウム合金からなり、配線導体上
    に固定される側が該アルミニウムあるいはアルミ
    ニウム合金の厚さより薄い銅めつきがされている
    ことを特徴とする複合集積回路。
JP56150942A 1981-09-24 1981-09-24 複合集積回路 Granted JPS5852836A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56150942A JPS5852836A (ja) 1981-09-24 1981-09-24 複合集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56150942A JPS5852836A (ja) 1981-09-24 1981-09-24 複合集積回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5852836A JPS5852836A (ja) 1983-03-29
JPH0131689B2 true JPH0131689B2 (ja) 1989-06-27

Family

ID=15507779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56150942A Granted JPS5852836A (ja) 1981-09-24 1981-09-24 複合集積回路

Country Status (1)

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58151039A (ja) * 1982-03-04 1983-09-08 Denki Kagaku Kogyo Kk 混成集積回路基板
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Family Cites Families (6)

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Also Published As

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JPS5852836A (ja) 1983-03-29

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