JPH0559522B2 - - Google Patents
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、誘電体磁器と少なくとも2つの電極
とから成る単層又は積層構造の磁器コンデンサに
関し、更に詳細には、高い抵抗率及び高い曲げ強
度を有する磁器コンデンサに関する。 〔従来の技術〕 従来、積層磁器コンデンサを製造する際には、
誘電体磁器原料粉末から成るグリーンシート(未
焼結磁器シート)に白金又はパラジウム等の貴金
属の導電性ペーストを所望パターンに印刷し、こ
れを複数枚積み重ねて圧着し、1300℃〜1600℃の
酸化性雰囲気中で焼結させた。これにより、誘電
体磁器と内部電極とが同時に得られる。上述の如
く、貴金属を使用すれば、酸化性雰囲気中で高温
で焼結させても目的とする内部電極を得ることが
出来る。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は
高価であるため、必然的に積層磁器コンデンサが
コスト高になつた。 この種の問題を解決するために、CaZrO3と
MnO2とから成る磁器組成物をコンデンサの誘電
体として使用することが、例えば、特開昭53−
98099号公報に開示されている。ここに開示され
ている誘電体磁器組成物は還元雰囲気中で焼成可
能であるので、ニツケル等の卑金属の酸化が生じ
ない。 ところで、上記のCaZrO3とMnO2とから成る
誘電体磁器組成物は、高温(1350℃〜1380℃)で
焼成しなければならない。このため、グリーンシ
ートにニツケルを主成分とする導電性ペーストを
印刷して焼成すると、たとえ非酸化性雰囲気中で
の焼成であつても、導電性ペースト中のニツケル
粒子が成長しつつ凝集し、ニツケルが玉状に分布
する。また、高温焼成のためにニツケルが誘電体
磁器中に拡散し、誘電体磁器の絶縁劣化が生じ
る。この結果、所望の静電容量、及び絶縁抵抗を
有する磁器コンデンサを得ることが困難であつ
た。 そこで、本件出願人は、特願昭60−270540号に
おいて、上記の問題を解決するために低温(1200
℃以下)で焼成することができる誘電体磁器組成
物を提案した。この組成物は、(CaO)k・(Zr1-x
Tix)O2(但し、k,xは各元素の原子数の割合
を示す数値)から成る基本成分と、Li2O,SiO2,
MO(但し、MOはBaO,MgO,ZnO,SrO及び
CaOの内の少なくとも1種の金属酸化物)とから
成る添加成分とを含む。また、本件出願人は、特
願昭60−270542号において、(SrO)k・(Zr1-x
Tix)O2(但し、k,xは各元素の原子数の割合
を示す数値)から成る基本成分と、Li2O,SiO2,
MO(但し、MOはBaO,MgO,ZnO,SrO及び
CaOの内の少なくとも1種の金属酸化物)とから
成る添加成分とを含む磁器組成物を提案した。こ
れ等の誘電体磁器組成物を使用して温度補償用積
層磁器コンデンサを得る時には、この誘電体磁器
組成物のグリーンシート(未焼結磁器シート)に
ニツケルを主成分とする導電性ペーストを印刷
し、非酸化性雰囲気、1200℃以下の低温で焼成す
る。この様に低温で焼成すれば、ニツケル粒子の
凝集が抑制される。 〔発明が解決しようとする問題点〕 前述の特願昭60−270540号及び特願昭60−
270542号に開示されている誘電体磁器組成物によ
れば、比誘電率εsが30以上、温度係数TCが−800
〜+140ppm/℃、Qが200以上、抵抗率ρが1×
107MΩ・cm以上の実用可能な優れた温度補償用
磁器コンデンサを提供することができる。なお、
後述の試料No.62,89から明らかな如く、上記出願
に従う誘電体磁器の曲げ強度(抗折強度)は約
1300Kg/cm2である。 しかし、更に高い抵抗率ρ、曲げ強度、比誘電
率εs等を有する誘電体磁器が要望されている。誘
電体磁器の抵抗率ρを高くすることができれば、
コンデンサの高耐圧化が可能になる。曲げ強度を
大きくすることができれば、磁器コンデンサの製
造時及び回路基板に自動装着する時における磁器
コンデンサの破損が少なくなる。誘電体磁器の比
誘電率εsを大きくすることができれば、静電容量
の大きい磁器コンデンサを提供することが可能に
なる。また、従来と同じ静電容量を得る場合に
は、比誘電率εsが大きいと、磁器コンデンサの電
極間距離を大きくし、単位厚み当りの電圧を下げ
ることが可能になる。 そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気、
1200℃以下の温度での焼成で得るものであるにも
拘らず、1.0×108MΩ・cm以上の抵抗率と1500
Kg/cm2以上の曲げ強度を有している磁器コンデン
サを提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するための本発明に係わる磁器
コンデンサは、誘電体磁器と、この磁器に接触し
ている少なくとも2つの電極とから成る。上記誘
電体磁器は、100重量部の基本成分と、0.2〜10.0
重量部の添加成分とから成る。基本成分は、 (Ba1-v-wMevMgwO)k(Zr1-x-yTixSiy)O2か
ら成る。但し、式中のMeはSr及びCaの内の少な
くとも1種の元素、vは0.005〜0.980の範囲の数
値、wは0.001〜0.05の範囲の数値、xは0〜0.5
の範囲の数値、yは0.005〜0.100の範囲の数値、
kは0.8〜1.25の範囲の数値を表す。添加成分は
Li2O(酸化リチウム)とSiO2(酸化けい素)と
MO〔但し、MOはBaO(酸化バリウム)、ZnO(酸
化亜鉛)、SrO(酸化ストロンチウム)及びCaO
(酸化カルシウム)の内の少なくとも1種の金属
酸化物〕から成る。添加成分のLi2O,SiO2,
MOの割合は、これ等の三角図において、Li2O
が1モル%、SiO2が80モル%、MOが19モル%の
点Aと、Li2Oが1モル%、SiO2が49モル%、
MOが50モル%の点Bと、Li2Oが25モル%、
SiO2が35モル%、MOが40モル%の点Cと、Li2
Oが50モル%、SiO2が49モル%、MOが1モル%
の点Dと、Li2Oが19モル%、SiO2が80モル%、
MOが1モル%の点Eとを結ぶ5本の直線で囲ま
れた領域内とされている。 〔発明の作用効果〕 上記発明の磁器コンデンサにおける誘電体磁器
を非酸化性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ること
ができる。従つて、ニツケル等の卑金属の導電性
ペーストをグリーンシートに塗布し、グリーンシ
ートと導電性ペーストとを同時に焼成する方法に
よつて磁器コンデンサを製造することが可能にな
る。誘電体磁器の組成を本発明で特定された範囲
にすることによつて、抵抗率ρが1×108MΩ・
cm以上、曲げ強度が1500Kg/cm2以上、比誘電率εs
が34以上、静電容量の温度係数が−1000〜+
40ppm/℃、1MHzにおけるQが5000以上の磁器
コンデンサを提供することができる。 〔実施例〕 次に、本発明の実施例(比較例も含む)につい
て説明する。 第1表の試料No.1のk=1.0,v=0.2(但しSr
=0.1,Ca=0.1)、w=0.01,x=0.2、y=0.01
に従つて決定される組成式 (Ba0.79Me0.2Mg0.01O)1.0(Zr0.79Ti0.2Si0.01)
O2より具体的にはMe0.2=Sr0.1Ca0.1であるので、 (Ba0.79Sr0.1Ca0.1Mg0.01O)1.0(Zr0.79Ti0.2
Si0.01)O2から成る基本成分を得るために、純度
99.0%以上のBaCO3(炭酸バリウム)、SrCO3(炭
酸ストロンチウム)、CaCO3(炭酸カルシウム)、
MgCO3(炭酸マグネシウム)、ZrO2(酸化ジルコ
ニウム)、TiO2(酸化チタン)、SiO2(酸化けい素)
を出発原料として用意し、 BaCO3 527.70g (0.79モル部相当) SrCO3 49.97g (0.1 〃 ) CaCO3 33.85g (0.1 〃 ) MgCO3 2.85g (0.01 〃 ) ZrO2 329.50g (0.79 〃 ) TiO2 54.09g (0.2 〃 ) SiO2 2.04g (0.01 〃 ) をそれぞれ秤量した。なお、この秤量において不
純物は目方に入れなかつた。次に、秤量されたこ
れ等の原料をポツトミルに入れ、更にアルミナボ
ールと水2.5とを入れ、15時間湿式攪拌した後、
攪拌物をステンレスバツトに入れて熱風式乾燥器
で150℃、4時間乾燥した。次に、この乾燥物を
粗粉砕し、この粗粉砕物をトンネル炉にて大気中
で1200℃、2時間仮焼し、上記組成式の基本成分
を得た。 一方、試料No.1の添加成分を得るために Li2O 0.43g ( 1 モル% ) SiO2 68.77g ( 80 〃 ) BaCO3 10.73g (3.8 〃 ) MgO 2.19g (3.8 〃 ) ZnO 4.42g (3.8 〃 ) SrCO3 8.03g (3.8 〃 ) CaCO3 5.44g (3.8 〃 ) を秤量し、これ等にアルコールを300c.c.加え、ポ
リエチレンポツトにてアルミナボールを用いて10
時間攪拌した後、大気中1000℃で2時間仮焼し、
これを300c.c.の水と共にアルミナポツトに入れ、
アルミナボールで15時間粉砕し、しかる後、150
℃で4時間乾燥させてLi2Oが1モル%、SiO2が
80モル%、MOが19モル%(BaO3.8モル%、
MgO3.8モル%、ZnO3.8モル%、SrO3.8モル%、
CaO3.8モル%)の組成の添加成分の粉末を得た。 次に、基本成分の粉末1000g(100重量部)に
対して上記添加成分の粉末10g(1重量部)を加
え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリセ
リン、縮合リン酸塩の水溶液から成る有機バイン
ダを基本成分と添加成分との合計重量に対して15
重量%添加し、更に、50重量%の水を加え、これ
等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原
料のスラリーを作製した。 次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡
し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフイルム上にス
ラリーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフイル
ム上で100℃に加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの
グリーンシート(未焼結磁器シート)を得た。こ
のシートは、長尺なものであるが、これを10cm角
の正方形に打ち抜いて使用する。 一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均
1.5μmのニツケル粉末10gと、エチルセルローズ
0.9gをブチルカルビトール9.1gに溶解させたも
のとを攪拌機に入れ、10時間攪拌することにより
得た。この導電ペーストを長さ14mm、幅7mmのパ
ターンを50個有するスクリーンを介して上記グリ
ーンシートの片面に印刷した後、これを乾燥させ
た。 次に、上記印刷面を上にしてグリーンシートを
2枚積層した。この際、隣接する上下のシートに
おいて、その印刷面がパターンの長手方向に約半
分程ずれるように配置した。更に、この積層物の
上下両面にそれぞれ4枚ずつ厚さ60μmのグリー
ンシートを積層した。次いで、この積層物を約50
℃の温度で厚さ方向に約40トンの荷重を加えて圧
着させた。しかる後、この積層物を格子状に裁断
し、50個の積層体チツプを得た。 次に、この積層体チツプを雰囲気焼成が可能な
炉に入れ、大気雰囲気中で100℃/hの速度で600
℃まで昇温して、有機バインダを燃焼させた。し
かる後、炉の雰囲気を大気からH22体積%+N2
98体積%の雰囲気に変えた。そして、炉を上述の
如き還元性雰囲気とした状態を保つて、積層体チ
ツプの加熱温度を600℃から焼結温度の1150℃ま
で100℃/hの速度で昇温して1150℃(最高温度)
3時間保持した後、100℃/hの速度で600℃まで
降温し、雰囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)に
おきかえて、600℃を30分間保持して酸化処理を
行い、その後、室温まで冷却して焼結体チツプを
得た。 次に、電極が露出する焼結体チツプの側面に亜
鉛とガラスフリツトとビヒクルとから成る導電性
ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で550
℃の温度で15分間焼付け、亜鉛電極層を形成し、
更にこの上に銅を無電解メツキで被着させて、更
にこの上に電気メツキ法でPb−Sn半田層を設け
て、一対の外部電極を形成した。 これにより、第1図に示す如く、誘電体磁器層
1,2,3と、一対の内部電極4,5と、一対の
外部電極6,7から成る積層磁器コンデンサ8が
得られた。なお、このコンデンサ8の誘電体磁器
層2の厚さは0.02mm、内部電極4,5の対向面積
は5mm×5mm=25mm2である。また、焼結後の磁器
層1,2,3の組成は、焼結前の基本成分と添加
成分との混合組成と実質的に同じであり、複合ペ
ロブスカイト(perovskite)型構造の基本成分 {(Ba0.79Sr0.1Ca0.1Mg0.01)O}1.0(Zr0.79Ti0.2
Si0.01)O2の結晶粒子間にLi2O1モル%とSiO280
モル%とBaO3.8モル%とMgO3.8モル%と
ZnO3.8モル%とSrO3.8モル%とCaO3.8モル%と
から成る添加成分が均一に分布したものが得られ
る。 次に、完成した積層磁器コンデンサの比誘電率
εs、温度係数TC,Q、抵抗率ρ、曲げ強度を測
定したところ、第2表の試料No.1に示す如く、εs
は60、TCは−420ppm/℃、Qは8600、ρは2.7
×108MΩ・cm、曲げ強度は1750Kg/cm2であつた。
なお、温度係数TCはコンデンサの通常の使用範
囲でほぼ一定である。 上記諸特性は次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εsは、温度20℃、周波数1MHz、交
流電圧〔実効値〕0.5Vの条件で静電容量を測
定し、この測定値と一対の内部電極4,5の対
向面積25mm2と磁器層2の厚さ0.02mmから計算で
求めた。 (B) 温度係数(TC)は85℃の静電容量(C85)と
20℃の静電容量(C20)とを測定し、C85−C20/C20 ×1/65×106(ppm/℃)で算出した。 (C) Qは温度20℃において、周波数1MHz、電圧
〔実効値〕0.5Vの交流でQメータにより測定し
た。 (D) 抵抗率ρ(MΩ・cm)は、温度20℃において
DC50Vを1分間印加した後に一対の外部電極
6,7間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法
とに基づいて計算で求めた。 (E) 曲げ強度は、第3図に示す如く、支持台10
の一対の突起11,12の上に試料即ち磁器コ
ンデンサ8を置き、ゲージ13を伴なつている
断面形状円形の加圧棒14で磁器コンデンサ8
の中央を押圧し、磁器コンデンサ8が破壊した
時のゲージ13の値(最大荷重)Pを読み取
り、次式によつて算出した。 曲げ強度=3P・L/2b・d2 ここで、Pはゲージ13で読み取つた最大荷
重〔Kg〕であり、Lはレール状に平行に伸びる
一対の突起11,12の相互間隔〔cm〕であ
り、bは試料即ち磁器コンデンサの幅〔cm〕で
あり、dは試料即ち磁器コンデンサの厚み
〔cm〕である。なお、幅b、厚みdは各試料で
異なる値を有するが、例えばbは約0.52cm、d
は約0.04cmである。 以上、試料No.1の作製方法及びその特性につい
て述べたが、その他の試料No.2〜90についても、
基本成分及び添加成分の組成、これ等の割合、及
び還元性雰囲気(非酸化性雰囲気)での焼成温度
を第1表及び第2表に示すように変えた他は、試
料No.1と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを
作製し、同一方法で特性を測定した。 第1表は、それぞれの試料の基本成分 (Ba1-v-wMevMgwO)k(Zr1-x-yTixSiy)O2
(但し、MeはSr,Caのうちの少なくとも一方の
元素)と添加成分との組成を示し、第2表はそれ
ぞれの試料の還元性雰囲気における焼結のための
焼成温度(最高温度)、及び諸特性を示す。なお、
第1表の基本成分の欄のv,w,x,yは上記基
本成分の組成式の各元素の原子数の割合を示す数
値である。添加成分の添加量は基本成分100重量
部に対する重量部で示されている。また、MOの
内容の欄には、BaO,MgO,ZnO,SrO,CaO
の割合がモル%で示されている。
とから成る単層又は積層構造の磁器コンデンサに
関し、更に詳細には、高い抵抗率及び高い曲げ強
度を有する磁器コンデンサに関する。 〔従来の技術〕 従来、積層磁器コンデンサを製造する際には、
誘電体磁器原料粉末から成るグリーンシート(未
焼結磁器シート)に白金又はパラジウム等の貴金
属の導電性ペーストを所望パターンに印刷し、こ
れを複数枚積み重ねて圧着し、1300℃〜1600℃の
酸化性雰囲気中で焼結させた。これにより、誘電
体磁器と内部電極とが同時に得られる。上述の如
く、貴金属を使用すれば、酸化性雰囲気中で高温
で焼結させても目的とする内部電極を得ることが
出来る。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は
高価であるため、必然的に積層磁器コンデンサが
コスト高になつた。 この種の問題を解決するために、CaZrO3と
MnO2とから成る磁器組成物をコンデンサの誘電
体として使用することが、例えば、特開昭53−
98099号公報に開示されている。ここに開示され
ている誘電体磁器組成物は還元雰囲気中で焼成可
能であるので、ニツケル等の卑金属の酸化が生じ
ない。 ところで、上記のCaZrO3とMnO2とから成る
誘電体磁器組成物は、高温(1350℃〜1380℃)で
焼成しなければならない。このため、グリーンシ
ートにニツケルを主成分とする導電性ペーストを
印刷して焼成すると、たとえ非酸化性雰囲気中で
の焼成であつても、導電性ペースト中のニツケル
粒子が成長しつつ凝集し、ニツケルが玉状に分布
する。また、高温焼成のためにニツケルが誘電体
磁器中に拡散し、誘電体磁器の絶縁劣化が生じ
る。この結果、所望の静電容量、及び絶縁抵抗を
有する磁器コンデンサを得ることが困難であつ
た。 そこで、本件出願人は、特願昭60−270540号に
おいて、上記の問題を解決するために低温(1200
℃以下)で焼成することができる誘電体磁器組成
物を提案した。この組成物は、(CaO)k・(Zr1-x
Tix)O2(但し、k,xは各元素の原子数の割合
を示す数値)から成る基本成分と、Li2O,SiO2,
MO(但し、MOはBaO,MgO,ZnO,SrO及び
CaOの内の少なくとも1種の金属酸化物)とから
成る添加成分とを含む。また、本件出願人は、特
願昭60−270542号において、(SrO)k・(Zr1-x
Tix)O2(但し、k,xは各元素の原子数の割合
を示す数値)から成る基本成分と、Li2O,SiO2,
MO(但し、MOはBaO,MgO,ZnO,SrO及び
CaOの内の少なくとも1種の金属酸化物)とから
成る添加成分とを含む磁器組成物を提案した。こ
れ等の誘電体磁器組成物を使用して温度補償用積
層磁器コンデンサを得る時には、この誘電体磁器
組成物のグリーンシート(未焼結磁器シート)に
ニツケルを主成分とする導電性ペーストを印刷
し、非酸化性雰囲気、1200℃以下の低温で焼成す
る。この様に低温で焼成すれば、ニツケル粒子の
凝集が抑制される。 〔発明が解決しようとする問題点〕 前述の特願昭60−270540号及び特願昭60−
270542号に開示されている誘電体磁器組成物によ
れば、比誘電率εsが30以上、温度係数TCが−800
〜+140ppm/℃、Qが200以上、抵抗率ρが1×
107MΩ・cm以上の実用可能な優れた温度補償用
磁器コンデンサを提供することができる。なお、
後述の試料No.62,89から明らかな如く、上記出願
に従う誘電体磁器の曲げ強度(抗折強度)は約
1300Kg/cm2である。 しかし、更に高い抵抗率ρ、曲げ強度、比誘電
率εs等を有する誘電体磁器が要望されている。誘
電体磁器の抵抗率ρを高くすることができれば、
コンデンサの高耐圧化が可能になる。曲げ強度を
大きくすることができれば、磁器コンデンサの製
造時及び回路基板に自動装着する時における磁器
コンデンサの破損が少なくなる。誘電体磁器の比
誘電率εsを大きくすることができれば、静電容量
の大きい磁器コンデンサを提供することが可能に
なる。また、従来と同じ静電容量を得る場合に
は、比誘電率εsが大きいと、磁器コンデンサの電
極間距離を大きくし、単位厚み当りの電圧を下げ
ることが可能になる。 そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気、
1200℃以下の温度での焼成で得るものであるにも
拘らず、1.0×108MΩ・cm以上の抵抗率と1500
Kg/cm2以上の曲げ強度を有している磁器コンデン
サを提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するための本発明に係わる磁器
コンデンサは、誘電体磁器と、この磁器に接触し
ている少なくとも2つの電極とから成る。上記誘
電体磁器は、100重量部の基本成分と、0.2〜10.0
重量部の添加成分とから成る。基本成分は、 (Ba1-v-wMevMgwO)k(Zr1-x-yTixSiy)O2か
ら成る。但し、式中のMeはSr及びCaの内の少な
くとも1種の元素、vは0.005〜0.980の範囲の数
値、wは0.001〜0.05の範囲の数値、xは0〜0.5
の範囲の数値、yは0.005〜0.100の範囲の数値、
kは0.8〜1.25の範囲の数値を表す。添加成分は
Li2O(酸化リチウム)とSiO2(酸化けい素)と
MO〔但し、MOはBaO(酸化バリウム)、ZnO(酸
化亜鉛)、SrO(酸化ストロンチウム)及びCaO
(酸化カルシウム)の内の少なくとも1種の金属
酸化物〕から成る。添加成分のLi2O,SiO2,
MOの割合は、これ等の三角図において、Li2O
が1モル%、SiO2が80モル%、MOが19モル%の
点Aと、Li2Oが1モル%、SiO2が49モル%、
MOが50モル%の点Bと、Li2Oが25モル%、
SiO2が35モル%、MOが40モル%の点Cと、Li2
Oが50モル%、SiO2が49モル%、MOが1モル%
の点Dと、Li2Oが19モル%、SiO2が80モル%、
MOが1モル%の点Eとを結ぶ5本の直線で囲ま
れた領域内とされている。 〔発明の作用効果〕 上記発明の磁器コンデンサにおける誘電体磁器
を非酸化性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ること
ができる。従つて、ニツケル等の卑金属の導電性
ペーストをグリーンシートに塗布し、グリーンシ
ートと導電性ペーストとを同時に焼成する方法に
よつて磁器コンデンサを製造することが可能にな
る。誘電体磁器の組成を本発明で特定された範囲
にすることによつて、抵抗率ρが1×108MΩ・
cm以上、曲げ強度が1500Kg/cm2以上、比誘電率εs
が34以上、静電容量の温度係数が−1000〜+
40ppm/℃、1MHzにおけるQが5000以上の磁器
コンデンサを提供することができる。 〔実施例〕 次に、本発明の実施例(比較例も含む)につい
て説明する。 第1表の試料No.1のk=1.0,v=0.2(但しSr
=0.1,Ca=0.1)、w=0.01,x=0.2、y=0.01
に従つて決定される組成式 (Ba0.79Me0.2Mg0.01O)1.0(Zr0.79Ti0.2Si0.01)
O2より具体的にはMe0.2=Sr0.1Ca0.1であるので、 (Ba0.79Sr0.1Ca0.1Mg0.01O)1.0(Zr0.79Ti0.2
Si0.01)O2から成る基本成分を得るために、純度
99.0%以上のBaCO3(炭酸バリウム)、SrCO3(炭
酸ストロンチウム)、CaCO3(炭酸カルシウム)、
MgCO3(炭酸マグネシウム)、ZrO2(酸化ジルコ
ニウム)、TiO2(酸化チタン)、SiO2(酸化けい素)
を出発原料として用意し、 BaCO3 527.70g (0.79モル部相当) SrCO3 49.97g (0.1 〃 ) CaCO3 33.85g (0.1 〃 ) MgCO3 2.85g (0.01 〃 ) ZrO2 329.50g (0.79 〃 ) TiO2 54.09g (0.2 〃 ) SiO2 2.04g (0.01 〃 ) をそれぞれ秤量した。なお、この秤量において不
純物は目方に入れなかつた。次に、秤量されたこ
れ等の原料をポツトミルに入れ、更にアルミナボ
ールと水2.5とを入れ、15時間湿式攪拌した後、
攪拌物をステンレスバツトに入れて熱風式乾燥器
で150℃、4時間乾燥した。次に、この乾燥物を
粗粉砕し、この粗粉砕物をトンネル炉にて大気中
で1200℃、2時間仮焼し、上記組成式の基本成分
を得た。 一方、試料No.1の添加成分を得るために Li2O 0.43g ( 1 モル% ) SiO2 68.77g ( 80 〃 ) BaCO3 10.73g (3.8 〃 ) MgO 2.19g (3.8 〃 ) ZnO 4.42g (3.8 〃 ) SrCO3 8.03g (3.8 〃 ) CaCO3 5.44g (3.8 〃 ) を秤量し、これ等にアルコールを300c.c.加え、ポ
リエチレンポツトにてアルミナボールを用いて10
時間攪拌した後、大気中1000℃で2時間仮焼し、
これを300c.c.の水と共にアルミナポツトに入れ、
アルミナボールで15時間粉砕し、しかる後、150
℃で4時間乾燥させてLi2Oが1モル%、SiO2が
80モル%、MOが19モル%(BaO3.8モル%、
MgO3.8モル%、ZnO3.8モル%、SrO3.8モル%、
CaO3.8モル%)の組成の添加成分の粉末を得た。 次に、基本成分の粉末1000g(100重量部)に
対して上記添加成分の粉末10g(1重量部)を加
え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリセ
リン、縮合リン酸塩の水溶液から成る有機バイン
ダを基本成分と添加成分との合計重量に対して15
重量%添加し、更に、50重量%の水を加え、これ
等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原
料のスラリーを作製した。 次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡
し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフイルム上にス
ラリーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフイル
ム上で100℃に加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの
グリーンシート(未焼結磁器シート)を得た。こ
のシートは、長尺なものであるが、これを10cm角
の正方形に打ち抜いて使用する。 一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均
1.5μmのニツケル粉末10gと、エチルセルローズ
0.9gをブチルカルビトール9.1gに溶解させたも
のとを攪拌機に入れ、10時間攪拌することにより
得た。この導電ペーストを長さ14mm、幅7mmのパ
ターンを50個有するスクリーンを介して上記グリ
ーンシートの片面に印刷した後、これを乾燥させ
た。 次に、上記印刷面を上にしてグリーンシートを
2枚積層した。この際、隣接する上下のシートに
おいて、その印刷面がパターンの長手方向に約半
分程ずれるように配置した。更に、この積層物の
上下両面にそれぞれ4枚ずつ厚さ60μmのグリー
ンシートを積層した。次いで、この積層物を約50
℃の温度で厚さ方向に約40トンの荷重を加えて圧
着させた。しかる後、この積層物を格子状に裁断
し、50個の積層体チツプを得た。 次に、この積層体チツプを雰囲気焼成が可能な
炉に入れ、大気雰囲気中で100℃/hの速度で600
℃まで昇温して、有機バインダを燃焼させた。し
かる後、炉の雰囲気を大気からH22体積%+N2
98体積%の雰囲気に変えた。そして、炉を上述の
如き還元性雰囲気とした状態を保つて、積層体チ
ツプの加熱温度を600℃から焼結温度の1150℃ま
で100℃/hの速度で昇温して1150℃(最高温度)
3時間保持した後、100℃/hの速度で600℃まで
降温し、雰囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)に
おきかえて、600℃を30分間保持して酸化処理を
行い、その後、室温まで冷却して焼結体チツプを
得た。 次に、電極が露出する焼結体チツプの側面に亜
鉛とガラスフリツトとビヒクルとから成る導電性
ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で550
℃の温度で15分間焼付け、亜鉛電極層を形成し、
更にこの上に銅を無電解メツキで被着させて、更
にこの上に電気メツキ法でPb−Sn半田層を設け
て、一対の外部電極を形成した。 これにより、第1図に示す如く、誘電体磁器層
1,2,3と、一対の内部電極4,5と、一対の
外部電極6,7から成る積層磁器コンデンサ8が
得られた。なお、このコンデンサ8の誘電体磁器
層2の厚さは0.02mm、内部電極4,5の対向面積
は5mm×5mm=25mm2である。また、焼結後の磁器
層1,2,3の組成は、焼結前の基本成分と添加
成分との混合組成と実質的に同じであり、複合ペ
ロブスカイト(perovskite)型構造の基本成分 {(Ba0.79Sr0.1Ca0.1Mg0.01)O}1.0(Zr0.79Ti0.2
Si0.01)O2の結晶粒子間にLi2O1モル%とSiO280
モル%とBaO3.8モル%とMgO3.8モル%と
ZnO3.8モル%とSrO3.8モル%とCaO3.8モル%と
から成る添加成分が均一に分布したものが得られ
る。 次に、完成した積層磁器コンデンサの比誘電率
εs、温度係数TC,Q、抵抗率ρ、曲げ強度を測
定したところ、第2表の試料No.1に示す如く、εs
は60、TCは−420ppm/℃、Qは8600、ρは2.7
×108MΩ・cm、曲げ強度は1750Kg/cm2であつた。
なお、温度係数TCはコンデンサの通常の使用範
囲でほぼ一定である。 上記諸特性は次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εsは、温度20℃、周波数1MHz、交
流電圧〔実効値〕0.5Vの条件で静電容量を測
定し、この測定値と一対の内部電極4,5の対
向面積25mm2と磁器層2の厚さ0.02mmから計算で
求めた。 (B) 温度係数(TC)は85℃の静電容量(C85)と
20℃の静電容量(C20)とを測定し、C85−C20/C20 ×1/65×106(ppm/℃)で算出した。 (C) Qは温度20℃において、周波数1MHz、電圧
〔実効値〕0.5Vの交流でQメータにより測定し
た。 (D) 抵抗率ρ(MΩ・cm)は、温度20℃において
DC50Vを1分間印加した後に一対の外部電極
6,7間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法
とに基づいて計算で求めた。 (E) 曲げ強度は、第3図に示す如く、支持台10
の一対の突起11,12の上に試料即ち磁器コ
ンデンサ8を置き、ゲージ13を伴なつている
断面形状円形の加圧棒14で磁器コンデンサ8
の中央を押圧し、磁器コンデンサ8が破壊した
時のゲージ13の値(最大荷重)Pを読み取
り、次式によつて算出した。 曲げ強度=3P・L/2b・d2 ここで、Pはゲージ13で読み取つた最大荷
重〔Kg〕であり、Lはレール状に平行に伸びる
一対の突起11,12の相互間隔〔cm〕であ
り、bは試料即ち磁器コンデンサの幅〔cm〕で
あり、dは試料即ち磁器コンデンサの厚み
〔cm〕である。なお、幅b、厚みdは各試料で
異なる値を有するが、例えばbは約0.52cm、d
は約0.04cmである。 以上、試料No.1の作製方法及びその特性につい
て述べたが、その他の試料No.2〜90についても、
基本成分及び添加成分の組成、これ等の割合、及
び還元性雰囲気(非酸化性雰囲気)での焼成温度
を第1表及び第2表に示すように変えた他は、試
料No.1と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを
作製し、同一方法で特性を測定した。 第1表は、それぞれの試料の基本成分 (Ba1-v-wMevMgwO)k(Zr1-x-yTixSiy)O2
(但し、MeはSr,Caのうちの少なくとも一方の
元素)と添加成分との組成を示し、第2表はそれ
ぞれの試料の還元性雰囲気における焼結のための
焼成温度(最高温度)、及び諸特性を示す。なお、
第1表の基本成分の欄のv,w,x,yは上記基
本成分の組成式の各元素の原子数の割合を示す数
値である。添加成分の添加量は基本成分100重量
部に対する重量部で示されている。また、MOの
内容の欄には、BaO,MgO,ZnO,SrO,CaO
の割合がモル%で示されている。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば次の
変形例が可能なものである。 (a) 基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲で微量のMnO2(好ましくは0.05〜0.1重量
%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい。また、その他の物質を必要に応じて添
加してもよい。 (b) 出発原料を、実施例で示したもの以外の酸化
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよ
い。 (c) 焼成時の非酸化性雰囲気での処理の後の酸化
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温
度よりも低い温度(好ましくは500℃〜1000℃
の範囲)としてもよい。即ち、ニツケル等の電
極と磁器の酸化とを考慮して種々変更すること
が可能である。 (d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることが出来る。ニツケルを
内部電極とする場合には、1050℃〜1200℃の範
囲でニツケル粒子の凝集がほとんど生じない。 (e) 焼結を中性雰囲気で行つてもよい。 (f) 積層磁器コンデンサ以外の一般的な磁器コン
デンサにも勿論適用可能である。
明はこれに限定されるものではなく、例えば次の
変形例が可能なものである。 (a) 基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲で微量のMnO2(好ましくは0.05〜0.1重量
%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい。また、その他の物質を必要に応じて添
加してもよい。 (b) 出発原料を、実施例で示したもの以外の酸化
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよ
い。 (c) 焼成時の非酸化性雰囲気での処理の後の酸化
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温
度よりも低い温度(好ましくは500℃〜1000℃
の範囲)としてもよい。即ち、ニツケル等の電
極と磁器の酸化とを考慮して種々変更すること
が可能である。 (d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることが出来る。ニツケルを
内部電極とする場合には、1050℃〜1200℃の範
囲でニツケル粒子の凝集がほとんど生じない。 (e) 焼結を中性雰囲気で行つてもよい。 (f) 積層磁器コンデンサ以外の一般的な磁器コン
デンサにも勿論適用可能である。
第1図は本発明の実施例に係わる積層型磁器コ
ンデンサを示す断面図、第2図は添加成分の組成
範囲を示す三角図、第3図は曲げ強度を測定する
装置の概略図である。 1,2,3……磁器層、4,5……内部電極。
ンデンサを示す断面図、第2図は添加成分の組成
範囲を示す三角図、第3図は曲げ強度を測定する
装置の概略図である。 1,2,3……磁器層、4,5……内部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 誘電体磁器と、前記磁器に接触している少な
くとも2つの電極とから成る磁器コンデンサにお
いて、 前記磁器が、100重量部の基本成分と、0.2〜
10.0重量部の添加成分とから成り、 前記基本成分が、 (Ba1-v-wMevMgwO)k(Zr1-x-yTixSiy)O2
(但し、式中のMeはSr及びCaの内の少なくとも
1種の元素、 vは0.005〜0.980の範囲の数値、 wは0.001〜0.05の範囲の数値、 xは0〜0.5の範囲の数値 yは0.005〜0.100の範囲の数値、 kは0.8〜1.25の範囲の数値を表す。)であり、 前記添加成分がLi2OとSiO2とMO(但し、MO
はBaO,MgO,ZnO,SrO及びCaOの内の少な
くとも1種の金属酸化物)との組成を示す三角図
における、 前記Li2Oが1モル%、前記SiO2が80モル%、
前記MOが19モル%の点Aと、 前記Li2Oが1モル%、前記SiO2が49モル%、
前記MOが50モル%の点Bと、 前記Li2Oが25モル%、前記SiO2が35モル%、
前記MOが40モル%の点Cと、 前記Li2Oが50モル%、前記SiO2が49モル%、
前記MOが1モル%の点Dと、 前記Li2Oが19モル%、前記SiO2が80モル%、
前記MOが1モル%の点Eと を順に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内のもので
あることを特徴とする磁器コンデンサ。 2 前記電極は、前記磁器の中に埋められたもの
である特許請求の範囲第1項記載の磁器コンデン
サ。 3 前記電極は、卑金属で形成されたものである
特許請求の範囲第1項記載の磁器コンデンサ。 4 前記卑金属はニツケルである特許請求の範囲
第3項記載の磁器コンデンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115363A JPS63281308A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 磁器コンデンサ |
| EP88106683A EP0290859B1 (en) | 1987-05-12 | 1988-04-26 | Low temperature sintered ceramic capacitor having a high resistivity and bending strength, and method of manufacture |
| DE8888106683T DE3868133D1 (de) | 1987-05-12 | 1988-04-26 | Bei niedriger temperatur gesinterter keramischer kondensator mit hohem widerstand und hoher biegefestigkeit und verfahren zu seiner herstellung. |
| US07/187,732 US4809130A (en) | 1987-05-12 | 1988-04-29 | Low temperature sintered ceramic capacitor having a high resistivity and bending strength, and method of manufacture |
| KR1019880005491A KR910003214B1 (ko) | 1987-05-12 | 1988-05-12 | 자기콘덴서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115363A JPS63281308A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281308A JPS63281308A (ja) | 1988-11-17 |
| JPH0559522B2 true JPH0559522B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=14660670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62115363A Granted JPS63281308A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 磁器コンデンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4809130A (ja) |
| EP (1) | EP0290859B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63281308A (ja) |
| KR (1) | KR910003214B1 (ja) |
| DE (1) | DE3868133D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07175747A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Hiroo Mine | データ伝送用標準化インターフェースを利用した外部信号入力方法と信号出力方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0821257B2 (ja) * | 1988-07-28 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JPH02228017A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH02228015A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH02228019A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| DE69016619T2 (de) * | 1989-11-16 | 1995-10-05 | Taiyo Yuden Kk | Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung. |
| TW242191B (ja) * | 1991-06-05 | 1995-03-01 | Taiyo Yuden Kk | |
| US20130127174A1 (en) * | 2013-01-15 | 2013-05-23 | Duncan G. Cumming | Method for Generating Tidal Energy Utilizing the Scalar Gravitational Potential of Celestial Bodies |
| CN110323061B (zh) | 2019-07-10 | 2024-05-31 | 南方科技大学 | 具有多种烧制模式的三维模组 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5398099A (en) * | 1977-02-07 | 1978-08-26 | Murata Manufacturing Co | Nonnreducction type dielectric ceramic composition for temperature compensation |
| DE3475063D1 (en) * | 1983-11-30 | 1988-12-15 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sinterable ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| JPS62131415A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62131413A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62157606A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1987
- 1987-05-12 JP JP62115363A patent/JPS63281308A/ja active Granted
-
1988
- 1988-04-26 EP EP88106683A patent/EP0290859B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-26 DE DE8888106683T patent/DE3868133D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-04-29 US US07/187,732 patent/US4809130A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-12 KR KR1019880005491A patent/KR910003214B1/ko not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07175747A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Hiroo Mine | データ伝送用標準化インターフェースを利用した外部信号入力方法と信号出力方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4809130A (en) | 1989-02-28 |
| EP0290859B1 (en) | 1992-01-29 |
| KR880014602A (ko) | 1988-12-24 |
| JPS63281308A (ja) | 1988-11-17 |
| KR910003214B1 (ko) | 1991-05-22 |
| EP0290859A2 (en) | 1988-11-17 |
| EP0290859A3 (en) | 1989-11-29 |
| DE3868133D1 (de) | 1992-03-12 |
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