JPH02228019A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02228019A JPH02228019A JP1048873A JP4887389A JPH02228019A JP H02228019 A JPH02228019 A JP H02228019A JP 1048873 A JP1048873 A JP 1048873A JP 4887389 A JP4887389 A JP 4887389A JP H02228019 A JPH02228019 A JP H02228019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- sio
- point
- parts
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 25
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 24
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 15
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 8
- 229910002976 CaZrO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 7
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018091 Li 2 S Inorganic materials 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000012257 stirred material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical group [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、誘電体磁器と少なくとも2つの電極とから成
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
[従来の技術]
従来、積層磁器コンデンサを製造する際には、誘電体磁
器原石粉末から成る°グリーンシート(未焼結磁器シー
ト)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペースト
を所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着
し、1300℃〜1600℃の酸化性雰囲気中で焼結さ
せた。これにより、誘電体磁器と内部電極とが同時に得
られる。
器原石粉末から成る°グリーンシート(未焼結磁器シー
ト)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペースト
を所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着
し、1300℃〜1600℃の酸化性雰囲気中で焼結さ
せた。これにより、誘電体磁器と内部電極とが同時に得
られる。
上述の々口<、貴金属を使用すれば、酸化性雰囲気中で
高温で焼結させても目的とする内部電極を得ることがで
きる。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価であ
るため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になっ
た。
高温で焼結させても目的とする内部電極を得ることがで
きる。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価であ
るため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になっ
た。
上述の問題を解決することができるものとして、本件出
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (B a k−x M x ) OkT I O2(但
し、MはMg及びZnの内の少なくとも1種)から成る
基本成分と、Li OとS I O2とから成る添加
成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (B a k−x M x ) OkT I O2(但
し、MはMg及びZnの内の少なくとも1種)から成る
基本成分と、Li OとS I O2とから成る添加
成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特公昭61−14608号公報には、上記の特公
昭61−14607号公報のL i20と5XO2の代
りに、Li2OとSiO2とMO(但し、MOはBaO
1CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とから成る
添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
昭61−14607号公報のL i20と5XO2の代
りに、Li2OとSiO2とMO(但し、MOはBaO
1CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とから成る
添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特公昭61−14609号公報には、(Bak−
x□MxLy)okTi02 (但し、MはMg及びZ
nの少なくとも1種、LはSr及びCaの内の少なくと
も1種)から成る基本成分とL 120と・5tO7と
から成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
x□MxLy)okTi02 (但し、MはMg及びZ
nの少なくとも1種、LはSr及びCaの内の少なくと
も1種)から成る基本成分とL 120と・5tO7と
から成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
また、特公昭61−14610号公報には、上記の特公
昭61−14609号公報におけるし120とSiO2
の代りに、L L 20とSiO2とMO(但し、MO
はBad、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)と
から成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
昭61−14609号公報におけるし120とSiO2
の代りに、L L 20とSiO2とMO(但し、MO
はBad、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)と
から成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
また、特公昭61−14611号公報には、(r3ak
、M、)OkTi02 (但し、MはMg、Zn、S
r及びCaの少なくとも1種)から成る基本成分と、B
OとS10゜とから成る添加成分とを含む誘電体磁器
組成物が開示されている。
、M、)OkTi02 (但し、MはMg、Zn、S
r及びCaの少なくとも1種)から成る基本成分と、B
OとS10゜とから成る添加成分とを含む誘電体磁器
組成物が開示されている。
また、特公昭62−1595号公報には、(Bak−x
Mx)OkTI02 (但し、MはMg、Zn、Sr及
びCaの内の少なくとも1種)から成る基本成分と、B
2O3とMO(但しMOはBaO1Mg05ZnO,S
rO及びCaOの少なくとも1種)とから成る添加成分
とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
Mx)OkTI02 (但し、MはMg、Zn、Sr及
びCaの内の少なくとも1種)から成る基本成分と、B
2O3とMO(但しMOはBaO1Mg05ZnO,S
rO及びCaOの少なくとも1種)とから成る添加成分
とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特公昭62−1596号公報には、上記の特公昭
62−1595号公報の8203とMOの代りに、B
OとSiO2とMO(但しM0はBaOlMgO,Zn
O1SrO及びCaOの内の少なくとも1種)とから成
る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている
。
62−1595号公報の8203とMOの代りに、B
OとSiO2とMO(但しM0はBaOlMgO,Zn
O1SrO及びCaOの内の少なくとも1種)とから成
る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている
。
これらに開示されている誘電体磁器組成物は、還元性雰
囲気1200°C以下の条件の焼成で得ることができ、
比誘電率が2000以上、静電容量め温度変化率が一2
5℃〜+85℃で±10%の範囲にすることができるも
のである。
囲気1200°C以下の条件の焼成で得ることができ、
比誘電率が2000以上、静電容量め温度変化率が一2
5℃〜+85℃で±10%の範囲にすることができるも
のである。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、近年の電子回路の高密度化に伴い、積層コン
デンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
デンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気、1200°
C以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高
い誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の
温度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデ
ンサ及びその製造方法を提供することにある。
C以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高
い誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の
温度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデ
ンサ及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段」
上記目的を達成するための本発明は、誘を体磁器と、前
記磁器に接触している少なくとも2つの電極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器がZoo、0重量部
の基本成分と、0.2〜5゜0重量部の添加成分とから
成り、前記基本成分が、(1−α)((Bak−x−、
t、、M、)OkTiO2) + a Ca Z r
Os (但し、LはMg、Znの内の少なくとも1種
の金属、MはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、
αは0.005〜0.04、kは1.00〜1.05、
X及びyは、0<x<0110、 o<y≦0.15 0.01≦x+y≦0.10を満足す る数fB)であり、前記添加成分がLi2Oが20と5
t02とMO(但し、MOはBaOBaO35rO1C
aO1及びZnOの内の少なくとも1種の金属酸化物)
から成り、且つ前記L l 20と前記S10□と前記
MOとの組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図
における前記L i 20が1モル%、前記5IO2が
80モル%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記
Li2Oが20が1モル%、前記SiO2が39モル%
、前記MOが60モル%の点(B)と、前記Li2Oが
20が30モル%、前記SiO2が30モル%、前記M
Oが40モル%の点(C)とこ前記Li2Oが゜0が5
0モル%、前記S iO2が50モル%、前記MOが0
モル%の点(D)と、前記L 120が20モル%、前
記SiO2が80モル%、前記MOが0モル%の点(E
)とを順に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内のものであ
るコンデンサに係わるものである。なお、基本成分を示
す組成式において、k−x−y、X、y、には勿論それ
ぞれの元素の原子数を示し、<1−a)とαは組成式の
第1項の(B a k−x−yLxM、)OkTi02
と第2項のCa Z r O3との割合をモルで示すも
のであり、Baはバリウム、0は酸素、Tiはチタン、
Caはカルシウム、Zrはジルコニウム、Mgはマグネ
シウム、Znは亜鉛、Srはストロンチウムである。添
加成分におけるL l 20は酸化リチウム、5IO2
は酸化けい素、BaOは酸化バリウム、SrOは酸化ス
トロンチウム、CaOは酸化カルシウム、MgOは酸化
マグネシウム、ZnOは酸化亜鉛である。
記磁器に接触している少なくとも2つの電極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器がZoo、0重量部
の基本成分と、0.2〜5゜0重量部の添加成分とから
成り、前記基本成分が、(1−α)((Bak−x−、
t、、M、)OkTiO2) + a Ca Z r
Os (但し、LはMg、Znの内の少なくとも1種
の金属、MはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、
αは0.005〜0.04、kは1.00〜1.05、
X及びyは、0<x<0110、 o<y≦0.15 0.01≦x+y≦0.10を満足す る数fB)であり、前記添加成分がLi2Oが20と5
t02とMO(但し、MOはBaOBaO35rO1C
aO1及びZnOの内の少なくとも1種の金属酸化物)
から成り、且つ前記L l 20と前記S10□と前記
MOとの組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図
における前記L i 20が1モル%、前記5IO2が
80モル%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記
Li2Oが20が1モル%、前記SiO2が39モル%
、前記MOが60モル%の点(B)と、前記Li2Oが
20が30モル%、前記SiO2が30モル%、前記M
Oが40モル%の点(C)とこ前記Li2Oが゜0が5
0モル%、前記S iO2が50モル%、前記MOが0
モル%の点(D)と、前記L 120が20モル%、前
記SiO2が80モル%、前記MOが0モル%の点(E
)とを順に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内のものであ
るコンデンサに係わるものである。なお、基本成分を示
す組成式において、k−x−y、X、y、には勿論それ
ぞれの元素の原子数を示し、<1−a)とαは組成式の
第1項の(B a k−x−yLxM、)OkTi02
と第2項のCa Z r O3との割合をモルで示すも
のであり、Baはバリウム、0は酸素、Tiはチタン、
Caはカルシウム、Zrはジルコニウム、Mgはマグネ
シウム、Znは亜鉛、Srはストロンチウムである。添
加成分におけるL l 20は酸化リチウム、5IO2
は酸化けい素、BaOは酸化バリウム、SrOは酸化ス
トロンチウム、CaOは酸化カルシウム、MgOは酸化
マグネシウム、ZnOは酸化亜鉛である。
製造方法に係わる発明は、上記の基本成分と添加成分と
の混合物を用意する工程と、少なくとも2つの電極部分
を有する前記混合物の成形物を作る工程と、前記電極部
分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼成する工程
と、前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理
する工程とを含む磁器コンデンサの製造方法に係わるも
のである。
の混合物を用意する工程と、少なくとも2つの電極部分
を有する前記混合物の成形物を作る工程と、前記電極部
分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼成する工程
と、前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理
する工程とを含む磁器コンデンサの製造方法に係わるも
のである。
[作用効果]
上記発明の磁器コンデンサにおける誘電体磁器を非酸化
性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ることができる。
性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ることができる。
従って、ニラゲル等の卑金属の導電性ペーストをグリー
ンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる。誘電体磁器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が3000以
上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρがl
X106MΩ・C1以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が一55℃〜125℃で一15%〜+15%(25
℃を基準)、−25℃〜85℃で一10%〜+10%(
20℃を基準)の範囲に収まる誘を体磁器を備えたコン
デンサを提供することができる。
ンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる。誘電体磁器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が3000以
上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρがl
X106MΩ・C1以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が一55℃〜125℃で一15%〜+15%(25
℃を基準)、−25℃〜85℃で一10%〜+10%(
20℃を基準)の範囲に収まる誘を体磁器を備えたコン
デンサを提供することができる。
[実施例]
次に、本発明に従う実施例及び比較例について説明する
。
。
まず、本発明に従う基本成分の組成式
%式%
2)+αCaZrO3における第1項の(Bak−、、
L、M、)OTiO2(以下第1基本成分に と呼ぶ)を第1表の試料No、 1のに−x−y、)c
、y、にの枕に示す割合で得るため、換言すれば、(B
a L M O,940,050,03)01.02”02−更C:
詳細には、LO,05=Mg O,03ZnO,02で
あり、MO,03=CaO,03であるので、 (Ba0.94Mg O,03znO,02°a0.0
3)01.02T102を得るなめに、純度99.0%
以上のBa CO3(炭酸バリウム1Mgo(酸化マグ
ネシウム)、Zn0(酸化亜鉛) 、Ca COs (
炭酸カルシウム及びTi02(M化チタン)を用意し、
不純物を目方に入れないで BaC0:1025.83g<0.94モル部相当) MgO: 6.69g(0,03モル部相当)ZnO
: 9.02g (0,02モル部相当)CaCO:1
6.61g(0,033モル部相 当) TiO2:441.86g(1モル部相当)を
秤量した。
L、M、)OTiO2(以下第1基本成分に と呼ぶ)を第1表の試料No、 1のに−x−y、)c
、y、にの枕に示す割合で得るため、換言すれば、(B
a L M O,940,050,03)01.02”02−更C:
詳細には、LO,05=Mg O,03ZnO,02で
あり、MO,03=CaO,03であるので、 (Ba0.94Mg O,03znO,02°a0.0
3)01.02T102を得るなめに、純度99.0%
以上のBa CO3(炭酸バリウム1Mgo(酸化マグ
ネシウム)、Zn0(酸化亜鉛) 、Ca COs (
炭酸カルシウム及びTi02(M化チタン)を用意し、
不純物を目方に入れないで BaC0:1025.83g<0.94モル部相当) MgO: 6.69g(0,03モル部相当)ZnO
: 9.02g (0,02モル部相当)CaCO:1
6.61g(0,033モル部相 当) TiO2:441.86g(1モル部相当)を
秤量した。
次に、秤量されたこれ等の原料をポットミル(pot
mi!l)に入れ、更にアルミナボールと水2゜51と
を入れ、15時時間式撹拌した後、撹拌物をステンレス
ポットに入れて熱風式乾燥器で150℃、4時間乾燥し
た0次にこの乾燥物を徂粉砕し、この粗粉砕物をトンネ
ル炉にて大気中で1200℃、2時間仮焼し、上記組成
式の基本成分を得た。
mi!l)に入れ、更にアルミナボールと水2゜51と
を入れ、15時時間式撹拌した後、撹拌物をステンレス
ポットに入れて熱風式乾燥器で150℃、4時間乾燥し
た0次にこの乾燥物を徂粉砕し、この粗粉砕物をトンネ
ル炉にて大気中で1200℃、2時間仮焼し、上記組成
式の基本成分を得た。
また、基本成分の組成式の第2項のCaZrO3(以下
、第2基本成分と呼ぶ)を得るために、Ca CO3(
炭酸カルシウム)とZrO2(M化ジルコニウム)とが
等モルとなる様に前者を448.96g、後者を551
.04gそれぞれ秤量し、これ等を混合し、乾燥し、粉
砕した後に、約1250℃で2時間大気中で仮焼した。
、第2基本成分と呼ぶ)を得るために、Ca CO3(
炭酸カルシウム)とZrO2(M化ジルコニウム)とが
等モルとなる様に前者を448.96g、後者を551
.04gそれぞれ秤量し、これ等を混合し、乾燥し、粉
砕した後に、約1250℃で2時間大気中で仮焼した。
つぎに、第1表の試料No、 1に示すように1−αが
0.98モル、αが0.02モルとなるように、98モ
ル部(984,24g)の第1基本成分(Ba0.94
Mg0.032nO,02°a0.03) 01.02
”lO2の粉末と、2モル部<15.76g>の第2基
本成分(CaZr03 )の粉末とを混合して1000
gの基本成分を得た。
0.98モル、αが0.02モルとなるように、98モ
ル部(984,24g)の第1基本成分(Ba0.94
Mg0.032nO,02°a0.03) 01.02
”lO2の粉末と、2モル部<15.76g>の第2基
本成分(CaZr03 )の粉末とを混合して1000
gの基本成分を得た。
一方、第1表の試料klの添加成分を得るために、L
120を0.44g <Lセフ1部ンと、5t02を7
0.99g (80モル部)と、B ac。
120を0.44g <Lセフ1部ンと、5t02を7
0.99g (80モル部)と、B ac。
3を11.10g <3.8モル部)と、CaCO3を
14.70g (9,5モル部)と、MgOを3.40
g (5,7モル部)をそれぞれ秤量し、この混合物に
アルコールを300cc加え、ポリエチレンポットにて
アルミナボールを用いて10時間撹拌した後、大気中1
000℃で2時間仮焼成し、これを300ccの水と共
にアルミナポットに入れ、アルミナボールで15時間粉
砕し、しかる後、150℃で4時間乾燥させてLi2O
が1モル%、SiO2が80モル%、MOが19モル%
(BaO3,8モル%+Ca09.5モル%+Mg0
5.7モル%)の組成の添加成分の粉末を得た。なお、
MOの内容であるBaOとCaOとMgOとの割合は第
1表に示すように20モル%、50モル%、30モル%
となる。
14.70g (9,5モル部)と、MgOを3.40
g (5,7モル部)をそれぞれ秤量し、この混合物に
アルコールを300cc加え、ポリエチレンポットにて
アルミナボールを用いて10時間撹拌した後、大気中1
000℃で2時間仮焼成し、これを300ccの水と共
にアルミナポットに入れ、アルミナボールで15時間粉
砕し、しかる後、150℃で4時間乾燥させてLi2O
が1モル%、SiO2が80モル%、MOが19モル%
(BaO3,8モル%+Ca09.5モル%+Mg0
5.7モル%)の組成の添加成分の粉末を得た。なお、
MOの内容であるBaOとCaOとMgOとの割合は第
1表に示すように20モル%、50モル%、30モル%
となる。
次に、100重量部(1000g>の基本成分に2重量
部(20g>の添加成分を添加し、更に、アクリル酸エ
ステルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の水溶液か
ら成る有機バインダを基本成分と添加成分との合計重量
に対して15重1%添加し、更に、50重量%の水を加
え、これ等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器
原料のスラリーを作製した。
部(20g>の添加成分を添加し、更に、アクリル酸エ
ステルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の水溶液か
ら成る有機バインダを基本成分と添加成分との合計重量
に対して15重1%添加し、更に、50重量%の水を加
え、これ等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器
原料のスラリーを作製した。
次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡し、この
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる#膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100’C
に加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シー
トを得た。このシートは長尺なものであるが、これを1
0cn角の正方形に裁断して使用する。
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる#膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100’C
に加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シー
トを得た。このシートは長尺なものであるが、これを1
0cn角の正方形に裁断して使用する。
一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均1.5μ
mのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0,9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ14關、幅7■のパターンを50個有
するスクリーンを介して上記未焼結磁器シートの片側に
印刷した後、これを乾燥させた。
mのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0,9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ14關、幅7■のパターンを50個有
するスクリーンを介して上記未焼結磁器シートの片側に
印刷した後、これを乾燥させた。
次に、上記印刷面を上にして未焼結磁器シートを2枚積
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長手方向に約手分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した0次いで
、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に約40トン
の荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を格
子状に裁断し、50個のm層チップを得た。
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長手方向に約手分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した0次いで
、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に約40トン
の荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を格
子状に裁断し、50個のm層チップを得た。
次に、この積層体を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、大気
雰囲気中で100℃/hの速度で600℃まで昇温して
、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気を
大気からF■2(2体積%)十N2 (98体積%)の
雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気
とした状態を保って、積層体加熱温度を600℃から焼
結温度の1150℃まで、100℃/hの速度で昇温し
て1150゛C(最高温度)を3時間保持した後、10
0℃/hの速度で600℃まで降温し、雰囲気を大気雰
囲気(酸化性雰囲気)におきかえて、600℃を30分
間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して
積層焼結体チップを作製した。
雰囲気中で100℃/hの速度で600℃まで昇温して
、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気を
大気からF■2(2体積%)十N2 (98体積%)の
雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気
とした状態を保って、積層体加熱温度を600℃から焼
結温度の1150℃まで、100℃/hの速度で昇温し
て1150゛C(最高温度)を3時間保持した後、10
0℃/hの速度で600℃まで降温し、雰囲気を大気雰
囲気(酸化性雰囲気)におきかえて、600℃を30分
間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して
積層焼結体チップを作製した。
次に、第1図に示す積層磁器コンデンサ10を得るため
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部電極14とか
ら成る積層焼結体チップ15に一対の外部電極16を形
成した。なお、外部型f#A16は、電極が露出する焼
結体チップ15の側面に亜鉛とガラスフリット(gla
s frit)とビヒクル(vehlcle)とから
成る導電性ペース1−を塗布して乾燥し、これを大気中
で550°Cの温度で15分間焼付け、亜鉛電極層18
を形成し、更にこの上に無電解メツキで法で銅層2゜を
形成し、更にこの上に電気メツキ法でpb−sn半田層
22を設けたものから成る。
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部電極14とか
ら成る積層焼結体チップ15に一対の外部電極16を形
成した。なお、外部型f#A16は、電極が露出する焼
結体チップ15の側面に亜鉛とガラスフリット(gla
s frit)とビヒクル(vehlcle)とから
成る導電性ペース1−を塗布して乾燥し、これを大気中
で550°Cの温度で15分間焼付け、亜鉛電極層18
を形成し、更にこの上に無電解メツキで法で銅層2゜を
形成し、更にこの上に電気メツキ法でpb−sn半田層
22を設けたものから成る。
このコンデンサ10の誘電体磁器層12の厚さは0.0
2w、一対の内部電i!ff114の対向面積は5市・
X5111+=25wa2である。なお、焼、結後の磁
器層12の組成は、焼結前の基本成分と添加成分との混
合組成と実質的に同じである。
2w、一対の内部電i!ff114の対向面積は5市・
X5111+=25wa2である。なお、焼、結後の磁
器層12の組成は、焼結前の基本成分と添加成分との混
合組成と実質的に同じである。
次に、コンデンサ10の電気特性を測定し、その平均値
を求めたところ、第2表に示す如く、比誘電率ε、が3
710.tanδが1.1%、抵抗率ρが3.4x10
6MQ・cn、25℃5℃ノミW 容量を基準にした一
55℃及び+125℃の静電容iの変化率ΔC、ΔC1
゜5が−10,8%、+4.2%、20℃の静電容量を
基準にした一25℃、±85℃の静電容量の変化率ΔC
、ΔC85は−6,4%、−5,1%であった。
を求めたところ、第2表に示す如く、比誘電率ε、が3
710.tanδが1.1%、抵抗率ρが3.4x10
6MQ・cn、25℃5℃ノミW 容量を基準にした一
55℃及び+125℃の静電容iの変化率ΔC、ΔC1
゜5が−10,8%、+4.2%、20℃の静電容量を
基準にした一25℃、±85℃の静電容量の変化率ΔC
、ΔC85は−6,4%、−5,1%であった。
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
(A) 比誘電率ε、は、温度20℃、周波数1kH
z、$圧(実効値>i、ovの条件で静電容量を測定し
、この測定値一対の内部′r4極14の対向面積25聞
2と一対の内部電極14間の磁器層12の厚さ0.02
mから計算で求めた。
z、$圧(実効値>i、ovの条件で静電容量を測定し
、この測定値一対の内部′r4極14の対向面積25聞
2と一対の内部電極14間の磁器層12の厚さ0.02
mから計算で求めた。
(B) 誘電体損失tanδ(%)は比誘電率と同一
条件で測定した。
条件で測定した。
(C) 抵抗率ρ(MO・c+g)は、温度20℃に
おいてDClooVを1分間印加した後に一対の外部電
w116間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。
おいてDClooVを1分間印加した後に一対の外部電
w116間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。
CD) 静電容量の温度特性は、恒温槽の中に試料を
入れ、−55℃、−25℃、0°C1+20℃、25℃
、+40℃、+60℃、+85℃、+105℃、+12
5℃の各温度において、周波数1kHz、電圧(実効!
>1.OVの東庄で静電容量を測定し、20℃及び25
℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求め
ることによって得た。
入れ、−55℃、−25℃、0°C1+20℃、25℃
、+40℃、+60℃、+85℃、+105℃、+12
5℃の各温度において、周波数1kHz、電圧(実効!
>1.OVの東庄で静電容量を測定し、20℃及び25
℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求め
ることによって得た。
以上、試料NQIの作製方法及びその特性について述べ
たが、試料社2〜79についても、基本成分及び添加成
分の組成、これ等の割合、及び還元性雰囲気での焼成温
度を第1表及び第2表に示すように変えた他は、試料1
1QIと全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作製し
、同一方法で電気的特性を測定した。
たが、試料社2〜79についても、基本成分及び添加成
分の組成、これ等の割合、及び還元性雰囲気での焼成温
度を第1表及び第2表に示すように変えた他は、試料1
1QIと全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作製し
、同一方法で電気的特性を測定した。
第1表は、それぞれの試料の基本成分と添加成分との組
成を示し、第2表はそれぞれの試料の焼成温度、及び電
気的特性を示す、なお、第1表の基本成分の欄の1−α
、αは第1基本成分と第2基本成分の割合をモルで示し
、k−x−y、x、kは組成式の各元素の原子数、即ち
Tiの原子数を1とした場合の各元素の原子数の割合を
示す。
成を示し、第2表はそれぞれの試料の焼成温度、及び電
気的特性を示す、なお、第1表の基本成分の欄の1−α
、αは第1基本成分と第2基本成分の割合をモルで示し
、k−x−y、x、kは組成式の各元素の原子数、即ち
Tiの原子数を1とした場合の各元素の原子数の割合を
示す。
Xの欄のMg、Znは、−数式のLの内容を示し、また
yの欄のCa、Srは一般式のMの内容を示し、これ等
の潤にはこれ等の原子数が示され、これ等の合計の欄に
はこれ等の合計[(x、y値)が示されている。添加成
分の添加量は基本成分100重量部に対する重量部で示
されている。添加成分のMOの内容の枕には、Bad、
MgO12nO1SrO1CaOの割合がモル%で示さ
れている。第2表において、静電容量の温度特性は、2
5℃の静電容量を基準にした一55℃及び+125℃の
ut容量変化率をΔC(%)Δc1□5 (%)、20
℃の静電容量を基準にした一25℃及び+85℃の静電
容量変化率をΔC−(%)、ΔC(%)で示されている
。
yの欄のCa、Srは一般式のMの内容を示し、これ等
の潤にはこれ等の原子数が示され、これ等の合計の欄に
はこれ等の合計[(x、y値)が示されている。添加成
分の添加量は基本成分100重量部に対する重量部で示
されている。添加成分のMOの内容の枕には、Bad、
MgO12nO1SrO1CaOの割合がモル%で示さ
れている。第2表において、静電容量の温度特性は、2
5℃の静電容量を基準にした一55℃及び+125℃の
ut容量変化率をΔC(%)Δc1□5 (%)、20
℃の静電容量を基準にした一25℃及び+85℃の静電
容量変化率をΔC−(%)、ΔC(%)で示されている
。
第1表及び第2表から明らかな如く、本発明に従う試料
では、非酸化性雰囲気、1200℃以下の焼成で、比誘
電率ε、が3000以上、誘電体損失tanδが2.5
%以下、抵抗率ρがlX106MΩ・cllu上、静電
容量の温度変化率ΔC−55及びΔC125が一15%
〜+15%、ΔC−25及びΔC85は一10%〜+1
0%の範囲となり、所望特性のコンデンサを得ることが
出来る。一方、試料N11111〜16.24.29.
30.35.36.41.42.46.47.51.5
2.62.63.64.68.69.70.74.75
.79、では本発明の目的を達成することができない。
では、非酸化性雰囲気、1200℃以下の焼成で、比誘
電率ε、が3000以上、誘電体損失tanδが2.5
%以下、抵抗率ρがlX106MΩ・cllu上、静電
容量の温度変化率ΔC−55及びΔC125が一15%
〜+15%、ΔC−25及びΔC85は一10%〜+1
0%の範囲となり、所望特性のコンデンサを得ることが
出来る。一方、試料N11111〜16.24.29.
30.35.36.41.42.46.47.51.5
2.62.63.64.68.69.70.74.75
.79、では本発明の目的を達成することができない。
従って、これ等は本発明の範囲外のものである。
第2表にはΔC、ΔC、ΔC−25、ΔC85のみが示
されているが、本発明の範囲に属する試料の一25℃〜
+85℃の範囲の種々の静電容量の変化率ΔCは、−1
0%〜+10%の範囲に収まり、また、−55℃〜+1
25℃の範囲の種々の静電容量の変化率ΔCは、−15
%〜+15%の範囲に収まっている。
されているが、本発明の範囲に属する試料の一25℃〜
+85℃の範囲の種々の静電容量の変化率ΔCは、−1
0%〜+10%の範囲に収まり、また、−55℃〜+1
25℃の範囲の種々の静電容量の変化率ΔCは、−15
%〜+15%の範囲に収まっている。
次に、組成の限定理由について述べる。
添加成分の添加量が零の場合には、試料NQ 24.3
0.36から明らかな如く、焼成温度が1250℃であ
っても緻密な焼結体が得られないが、試料NQ25.3
1.37に示す如く、添加量が100重量部の基本成分
に対して0.2重量部の場合には、1160〜1190
℃の焼成で所望の電気的特性を有する焼結体が得られる
。従って、添加成分の下限は0.2fi量部である。一
方、試料N029.35.41に示す如く、添加量が7
重量部の場合には、ε が3000未溝となり、更にΔ
CあるいはΔC85が一10%〜+10%の範回外とな
るか、又はΔC−55あるいはΔC125が15%〜+
15%の範囲外となるが、試INα28.34.40に
示す如く、添加量が5重量部の場合には所望特性を得る
ことができる。従って、添加量の上限は5重量部である
。
0.36から明らかな如く、焼成温度が1250℃であ
っても緻密な焼結体が得られないが、試料NQ25.3
1.37に示す如く、添加量が100重量部の基本成分
に対して0.2重量部の場合には、1160〜1190
℃の焼成で所望の電気的特性を有する焼結体が得られる
。従って、添加成分の下限は0.2fi量部である。一
方、試料N029.35.41に示す如く、添加量が7
重量部の場合には、ε が3000未溝となり、更にΔ
CあるいはΔC85が一10%〜+10%の範回外とな
るか、又はΔC−55あるいはΔC125が15%〜+
15%の範囲外となるが、試INα28.34.40に
示す如く、添加量が5重量部の場合には所望特性を得る
ことができる。従って、添加量の上限は5重量部である
。
x+yの値が、試料懇52.64に示す如く、零の場合
には、ΔC−25が一10%〜+10%の範囲外、ΔC
−55が一15%〜+15%の範囲外となるが、試料N
G53〜56.65に示ず如く、x+yの値が0,01
の場合には、所望の電気的特性を得ることができる。従
って、x+yの値の下限は0.01である。一方、試料
に62.63.69に示す如く、x±yの値が0.12
の場合には、ΔC85が一10%〜+10%の範囲外と
なるが、試料Nα59〜61.67に示す如く、x+y
の値が0.10の場合には、所望の電気的特性を得るこ
とができる。従って、x+yの値の上限は0.10であ
る。試料Nα68に示ず如く、yの値が0.6の場合、
x+yの値が0.10であってもΔC85が一10%〜
+10%の範囲外となるが、試料嵩59.67に示す如
くyの値が0.05の場合には、所望の電気的特性を得
ることができる。
には、ΔC−25が一10%〜+10%の範囲外、ΔC
−55が一15%〜+15%の範囲外となるが、試料N
G53〜56.65に示ず如く、x+yの値が0,01
の場合には、所望の電気的特性を得ることができる。従
って、x+yの値の下限は0.01である。一方、試料
に62.63.69に示す如く、x±yの値が0.12
の場合には、ΔC85が一10%〜+10%の範囲外と
なるが、試料Nα59〜61.67に示す如く、x+y
の値が0.10の場合には、所望の電気的特性を得るこ
とができる。従って、x+yの値の上限は0.10であ
る。試料Nα68に示ず如く、yの値が0.6の場合、
x+yの値が0.10であってもΔC85が一10%〜
+10%の範囲外となるが、試料嵩59.67に示す如
くyの値が0.05の場合には、所望の電気的特性を得
ることができる。
従ってyの上限は0.05である。Xの範囲はX+yの
範囲からyを差し引いた範囲である。なお、し成分のM
gとZnとはほぼ同様に働き、これ等から選択された1
つを使用しても、又は複数を使用しても同様な結果が得
られる0M成分のCa、Srはほぼ同様に働き、これ等
から選択された1つを使用しても、又は複数を使用ても
同様な結果が得られる。
範囲からyを差し引いた範囲である。なお、し成分のM
gとZnとはほぼ同様に働き、これ等から選択された1
つを使用しても、又は複数を使用しても同様な結果が得
られる0M成分のCa、Srはほぼ同様に働き、これ等
から選択された1つを使用しても、又は複数を使用ても
同様な結果が得られる。
αの値が、試料順42.47に示す如く、零の場合には
、ΔCが−10%〜+10%の範囲外、ΔC−55が一
15%〜+15%の範囲外となるが、試料NQ43.4
8に示す如く、αの値が0゜005の場合には、所望の
電気的特性を得ることができる。従って、αの値の下限
は0.005である。一方、試料11Q46.51に示
ず如く、αの値が0.05の場合には、ΔC85が一1
0%〜+10%の範囲外となるが、試料Nα45.50
に示ず如く、αの値が0.04の場合には所望の電気的
特性を得ることができる。従って、αの値の上限は0.
04である。
、ΔCが−10%〜+10%の範囲外、ΔC−55が一
15%〜+15%の範囲外となるが、試料NQ43.4
8に示す如く、αの値が0゜005の場合には、所望の
電気的特性を得ることができる。従って、αの値の下限
は0.005である。一方、試料11Q46.51に示
ず如く、αの値が0.05の場合には、ΔC85が一1
0%〜+10%の範囲外となるが、試料Nα45.50
に示ず如く、αの値が0.04の場合には所望の電気的
特性を得ることができる。従って、αの値の上限は0.
04である。
kの値が、試料NQ70.75に示す如く、0゜98の
場合には、ρがI×106MΩ・C11未満となり、大
幅に低くなるが、試料Nα71.76に示ず如く、kの
値がi、ooの場合には、所望の電気的特性が得られる
。従って、kの値の下限は1゜00である。一方、kの
値が、試料NQ74.79に示す如く、1.07の場合
には緻密な焼結体が得られないが、試料N073.78
に示す如く、kの値が1.05の場合には所望の電気的
特性が得られる。従って、kの値の上限は1.05であ
る。
場合には、ρがI×106MΩ・C11未満となり、大
幅に低くなるが、試料Nα71.76に示ず如く、kの
値がi、ooの場合には、所望の電気的特性が得られる
。従って、kの値の下限は1゜00である。一方、kの
値が、試料NQ74.79に示す如く、1.07の場合
には緻密な焼結体が得られないが、試料N073.78
に示す如く、kの値が1.05の場合には所望の電気的
特性が得られる。従って、kの値の上限は1.05であ
る。
゛添加成分の好ましい組成は、第2図の1120S i
O2M Oの組成比を示す三角図に基づいて決定するこ
とができる。三角図の第1の点(A)は、試料N0.1
のLi Oが1モル%、S iO2が80モル%、M
Oが19モル%の組成を示し、第2の点(B)は、試料
No、 2のL 120が1モル%、5i02が39モ
ル%、MOが60モル%の組成を示し、第3の点(C)
は、試料NQ 3のLi2Oが30モル%、S 102
が30モル%、MOが40モル%の組成を示し、第4の
点(D)は、試料相4のLi Oが50モル%、S
iO2が50モル%、MOが0モル%の組成を示し、第
5の点(E)は、試料No、 5のL i20が20モ
ル%、SiO2が80モル%、MOが0モル%の組成を
示ず。
O2M Oの組成比を示す三角図に基づいて決定するこ
とができる。三角図の第1の点(A)は、試料N0.1
のLi Oが1モル%、S iO2が80モル%、M
Oが19モル%の組成を示し、第2の点(B)は、試料
No、 2のL 120が1モル%、5i02が39モ
ル%、MOが60モル%の組成を示し、第3の点(C)
は、試料NQ 3のLi2Oが30モル%、S 102
が30モル%、MOが40モル%の組成を示し、第4の
点(D)は、試料相4のLi Oが50モル%、S
iO2が50モル%、MOが0モル%の組成を示し、第
5の点(E)は、試料No、 5のL i20が20モ
ル%、SiO2が80モル%、MOが0モル%の組成を
示ず。
本発明の範囲に属する試料の添加成分の組成は三角図の
第1〜5の点<A)〜(E)を順に結ぶ5本の直線で囲
まれた領域内の組成になっている。
第1〜5の点<A)〜(E)を順に結ぶ5本の直線で囲
まれた領域内の組成になっている。
この領域内の組成とすれば、所望の電気的特性を得るこ
とができる。一方、試料順11〜16のように、添加成
分の組成が本発明で特定した範囲外となれば、緻密な焼
結体を得ることができない。
とができる。一方、試料順11〜16のように、添加成
分の組成が本発明で特定した範囲外となれば、緻密な焼
結体を得ることができない。
なお、MO酸成分例えば試料NQ17〜21に示ず如(
BaO1MgO1ZnO2SrO,CaOのいずれか1
つであってもよいし、又は他の試料で示すように適当な
比率としてもよい。
BaO1MgO1ZnO2SrO,CaOのいずれか1
つであってもよいし、又は他の試料で示すように適当な
比率としてもよい。
[変形例]
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
(a) 基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲でwj、itのMn07(好ましくは0.05〜0
.1重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい、また、その他の物質を必要に応じて添加しても
よい。
範囲でwj、itのMn07(好ましくは0.05〜0
.1重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい、また、その他の物質を必要に応じて添加しても
よい。
(b) 出発原料を、実施例で示したちの以外の酸化
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
(c) 焼成時の非酸化性雰囲気での処理の後の酸化
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温度より
も低い温度(好ましくは500℃〜1000℃の範囲)
としてもよい、即ち、ニッケル等の?4極と磁器の酸化
とを考慮して種々変更することが可能である。
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温度より
も低い温度(好ましくは500℃〜1000℃の範囲)
としてもよい、即ち、ニッケル等の?4極と磁器の酸化
とを考慮して種々変更することが可能である。
(d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることができる。ニッケルを内部電極
とする場合には、1050℃〜1200℃の範囲でニッ
ケル粒子のa集がほとんど生じない。
考慮して種々変えることができる。ニッケルを内部電極
とする場合には、1050℃〜1200℃の範囲でニッ
ケル粒子のa集がほとんど生じない。
(e) 焼結を中性雰囲気で行ってもよい。
(f) 積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層の磁
器コンデンサにも勿論適用可能である。
器コンデンサにも勿論適用可能である。
第1図は本発明の実施例に係わる積層型磁器コンデンサ
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図である。 12・・・磁器層、14・・・内部電極、16・・・外
部電極。
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図である。 12・・・磁器層、14・・・内部電極、16・・・外
部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1] 誘電体磁器と、前記磁器に接触している少なく
とも2つの電極とから成る磁器コンデンサにおいて、 前記磁器が100.0重量部の基本成分と、0.2〜5
.0重量部の添加成分とから成り、前記基本成分が、 (1−α){(Ba_k_−_x_−_yL_xM_y
)O_kTiO_2}+αCaZrO_3 (但し、LはMg、Znの内の少なくとも1種の金属、
MはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、 αは0.005〜0.04、 kは1.00〜1.05、 x及びyは0<x<0.10 0<y≦0.05 0.01≦x+y≦0.10を満足 する数値)であり、 前記添加成分がLi_2OとSiO_2とMO(但し、
MOはBaO、SrO、CaO、MgO及びZnOの内
の少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前記L
i_2Oと前記SiO_2と前記MOとの組成範囲がこ
れ等の組成をモル%で示す三角図における 前記Li_2Oが1モル%、前記SiO_2が80モル
%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記Li_2
Oが1モル%、前記SiO_2が39モル%、前記MO
が60モル%の点(B)と、前記Li_2Oが30モル
%、前記SiO_2が30モル%、前記MOが40モル
%の点(C)と、前記Li_2Oが50モル%、前記S
iO_2が50モル%、前記MOが0モル%の点(D)
と、前記Li_2Oが20モル%、前記SiO_2が8
0モル%、前記MOが0モル%の点(E)と、を順に結
ぶ5本の直線で囲まれた領域内のものであることを特徴
とするコンデンサ。 [2]100.0重量部の基本成分と、0.2〜5.0
重量部の添加成分とから成り、前記基本成分が、 (1−α){Ba_k_−_x_−_yL_xM_y)
O_kTiO_2)+αCaZrO_3 (但し、LはMg、Znの内の少なくとも1種の金属、
MはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、αは0.
005〜0.04、kは1.00〜1.05、x及びy
は、 0<x<0.10、 0<y≦0.05、 0.01≦x+y≦0.10を満足す る数値)であり、前記添加成分がLi_2OとSiO_
2とMO(但し、MOはBaO、SrO、CaO、Mg
O及びZnOの内の少なくとも1種の金属酸化物)から
成り、且つ前記Li_2Oと前記SiO_2と前記MO
との組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図にお
ける前記Li_2Oが1モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記Li
_2Oが1モル%、前記SiO_2が39モル%、前記
MOが60モル%の点(B)と、前記Li_2Oが30
モル%、前記SiO_2が30モル%、前記MOが40
モル%の点(C)と、前記Li_2Oが50モル%、前
記SiO_2が50モル%、前記MOが0モル%の点(
D)と、前記Li_2Oが20モル%、前記SiO_2
が80モル%、前記MOが0モル%の点(E)とを順に
結ぶ5本の直線で囲まれた領域内のものであることを特
徴とする混合物を用意する工程と、少なくとも2つの電
極部分を有する前記混合物の成形物を作る工程と、 前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼
成する工程と、 前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理する
工程と を含む磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048873A JPH02228019A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| US07/482,654 US4999736A (en) | 1989-02-28 | 1990-02-21 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
| DE69009525T DE69009525T2 (de) | 1989-02-28 | 1990-02-26 | Festdielektrikumkondensator und Herstellungsverfahren. |
| EP90103690A EP0385340B1 (en) | 1989-02-28 | 1990-02-26 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
| KR1019900002477A KR930002633B1 (ko) | 1989-02-28 | 1990-02-27 | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048873A JPH02228019A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228019A true JPH02228019A (ja) | 1990-09-11 |
| JPH0524656B2 JPH0524656B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=12815409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1048873A Granted JPH02228019A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4999736A (ja) |
| EP (1) | EP0385340B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02228019A (ja) |
| KR (1) | KR930002633B1 (ja) |
| DE (1) | DE69009525T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144871A (en) * | 1989-12-08 | 1992-09-08 | Mitsubishi Denki K.K. | Numerically controlled screw cutting method for fine screw surface finishing |
| JPH065460A (ja) * | 1991-03-16 | 1994-01-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0425970B1 (en) * | 1989-10-31 | 1994-05-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
| US5051864A (en) * | 1989-10-31 | 1991-09-24 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
| US5089933A (en) * | 1989-12-04 | 1992-02-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
| US5103369A (en) * | 1989-12-04 | 1992-04-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Solid dielectric capacitor |
| US5807642A (en) * | 1995-11-20 | 1998-09-15 | Xue; Liang An | Solid oxide fuel cell stacks with barium and strontium ceramic bodies |
| US6676935B2 (en) | 1995-06-27 | 2004-01-13 | Cell Genesys, Inc. | Tissue specific adenoviral vectors |
| US5646080A (en) * | 1995-11-20 | 1997-07-08 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric stable at high temperature |
| JP3344314B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2002-11-11 | 株式会社村田製作所 | パルス発生用コンデンサ |
| US6084745A (en) * | 1998-08-24 | 2000-07-04 | Seagate Technology, Inc | Peltier junction cold trap for the reduction of head stiction |
| US20130127174A1 (en) * | 2013-01-15 | 2013-05-23 | Duncan G. Cumming | Method for Generating Tidal Energy Utilizing the Scalar Gravitational Potential of Celestial Bodies |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0155365B1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-02-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| DE3476993D1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-04-13 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sintered ceramic materials for use in soliddielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| JPS60118666A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| DE3475063D1 (en) * | 1983-11-30 | 1988-12-15 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sinterable ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| US4988468A (en) * | 1987-01-08 | 1991-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing non-reducible dielectric ceramic composition |
| JPS63281308A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1048873A patent/JPH02228019A/ja active Granted
-
1990
- 1990-02-21 US US07/482,654 patent/US4999736A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-26 DE DE69009525T patent/DE69009525T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-26 EP EP90103690A patent/EP0385340B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-27 KR KR1019900002477A patent/KR930002633B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5144871A (en) * | 1989-12-08 | 1992-09-08 | Mitsubishi Denki K.K. | Numerically controlled screw cutting method for fine screw surface finishing |
| JPH065460A (ja) * | 1991-03-16 | 1994-01-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69009525T2 (de) | 1995-01-12 |
| KR900013549A (ko) | 1990-09-06 |
| EP0385340B1 (en) | 1994-06-08 |
| EP0385340A2 (en) | 1990-09-05 |
| DE69009525D1 (de) | 1994-07-14 |
| KR930002633B1 (ko) | 1993-04-06 |
| EP0385340A3 (en) | 1990-10-03 |
| JPH0524656B2 (ja) | 1993-04-08 |
| US4999736A (en) | 1991-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0355002B2 (ja) | ||
| KR930002633B1 (ko) | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JPH0552604B2 (ja) | ||
| JPH02228018A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| KR930002629B1 (ko) | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| KR930004742B1 (ko) | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| KR930002631B1 (ko) | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JPH02228016A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| KR930004746B1 (ko) | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| KR930002628B1 (ko) | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JPH03222311A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03159108A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03278423A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0234551A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03145113A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0234550A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03145112A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03159110A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03278416A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03177010A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03171711A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03171715A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03278413A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03145114A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH03171713A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |