JPH0559557A - 光cvd装置 - Google Patents
光cvd装置Info
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- JPH0559557A JPH0559557A JP21575791A JP21575791A JPH0559557A JP H0559557 A JPH0559557 A JP H0559557A JP 21575791 A JP21575791 A JP 21575791A JP 21575791 A JP21575791 A JP 21575791A JP H0559557 A JPH0559557 A JP H0559557A
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- JP
- Japan
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- film forming
- optical system
- substrate
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光源からのエネルギー損失を低減した光CV
D装置を提供する。 【構成】 基板保持部4を備えた成膜容器1と、前記成
膜容器1内の材料ガスに膜形成エネルギーを供給する光
源3Aと、前記光源3Aからの出射光線束を平行な励起
光線束に成形する光学系3Bとからなる光CVD装置で
あって、前記光学系3Bを光軸Pに沿って配置した複数
のレンズで構成し、終端のレンズを前記成膜容器1に固
定設置して入射窓1Aを構成するとともに、前記基板4
Cの膜形成面と前記励起光線束とのなす角度を変更する
角度変更手段7を設けて構成する。
D装置を提供する。 【構成】 基板保持部4を備えた成膜容器1と、前記成
膜容器1内の材料ガスに膜形成エネルギーを供給する光
源3Aと、前記光源3Aからの出射光線束を平行な励起
光線束に成形する光学系3Bとからなる光CVD装置で
あって、前記光学系3Bを光軸Pに沿って配置した複数
のレンズで構成し、終端のレンズを前記成膜容器1に固
定設置して入射窓1Aを構成するとともに、前記基板4
Cの膜形成面と前記励起光線束とのなす角度を変更する
角度変更手段7を設けて構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板保持部を備えた成
膜容器と、前記成膜容器内の材料ガスに膜形成エネルギ
ーを供給する光源と、前記光源からの出射光線束を平行
な励起光線束に成形する光学系とからなる光CVD装置
に関する。
膜容器と、前記成膜容器内の材料ガスに膜形成エネルギ
ーを供給する光源と、前記光源からの出射光線束を平行
な励起光線束に成形する光学系とからなる光CVD装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光CVD装置は、図3に示すよう
に、基板の膜形成面が上向きとなるように水平配置され
た基板保持部に対して、基板保持部の側方に励起光線束
用の入射窓に平板ガラスを取付けた成膜容器と、光源か
らの出射光線束を励起光線束に成形する光学系とを別々
に備え、その光学系からの光線束を、入射窓に入射可能
となるように両者を配置してあった。
に、基板の膜形成面が上向きとなるように水平配置され
た基板保持部に対して、基板保持部の側方に励起光線束
用の入射窓に平板ガラスを取付けた成膜容器と、光源か
らの出射光線束を励起光線束に成形する光学系とを別々
に備え、その光学系からの光線束を、入射窓に入射可能
となるように両者を配置してあった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、成膜にあた
っては、励起光線束の伝播方向下流でのエネルギー低下
に起因して下流側に配置された基板の膜厚が上流側に配
置された基板の膜厚よりも薄くなることを回避すべく、
励起光線束の伝播経路を下流側ほど基板に近づけるよう
に光学系の光路を調整する必要があった。更に、光源か
ら出射した光線束の光エネルギーは、前記光学系を構成
する複数のレンズである程度減衰しており、さらに入射
窓での減衰をも引き起こすことは、光エネルギーの膜形
成エネルギーへの変換効率が低下することにつながるの
で好ましくない。本発明の目的は上述した従来欠点を解
消する点にある。
っては、励起光線束の伝播方向下流でのエネルギー低下
に起因して下流側に配置された基板の膜厚が上流側に配
置された基板の膜厚よりも薄くなることを回避すべく、
励起光線束の伝播経路を下流側ほど基板に近づけるよう
に光学系の光路を調整する必要があった。更に、光源か
ら出射した光線束の光エネルギーは、前記光学系を構成
する複数のレンズである程度減衰しており、さらに入射
窓での減衰をも引き起こすことは、光エネルギーの膜形
成エネルギーへの変換効率が低下することにつながるの
で好ましくない。本発明の目的は上述した従来欠点を解
消する点にある。
【0004】
【課題を解決するための手段】よって、この目的を達成
するため、本発明による光CVD装置の特徴構成は、光
学系を光軸に沿って配置した複数のレンズで構成し、終
端のレンズを成膜容器に固定設置して入射窓を構成する
とともに、基板の膜形成面と励起光線束とのなす角度を
変更する角度変更手段を設けてあることにある。
するため、本発明による光CVD装置の特徴構成は、光
学系を光軸に沿って配置した複数のレンズで構成し、終
端のレンズを成膜容器に固定設置して入射窓を構成する
とともに、基板の膜形成面と励起光線束とのなす角度を
変更する角度変更手段を設けてあることにある。
【0005】
【作用】本願発明の特徴構成においては、光学系を構成
する複数のレンズのうち終端のレンズを前記成膜容器に
固設して入射窓を構成することで、光学系以外の光学素
子で光エネルギーが減衰することを低減し、光エネルギ
ーの膜形成エネルギーへの変換効率が向上する。角度変
更手段により、励起光線束が基板の膜形成面とのなす角
度を変更することで、励起光線束の伝播方向に沿って配
置された基板上に形成される膜厚を均一にできるように
管理維持される。ここで、角度変更手段は、例えば入射
した励起光線束に対して基板保持部を傾斜させたり、光
学系の光軸を基板保持部に対して傾斜させることで実現
できる。尚、終端のレンズを成膜容器に固設して入射窓
を構成してあるので、光軸の傾斜に対して終端のレンズ
は相対的に傾くことになるが、終端のレンズを成膜容器
に対して揺動自在に取り付ける場合に比べて入射窓の気
密度を容易に維持することを可能としながらも、終端レ
ンズの中心点に対して光軸を傾斜させることで励起光線
束の歪みを最少に抑えることができる。
する複数のレンズのうち終端のレンズを前記成膜容器に
固設して入射窓を構成することで、光学系以外の光学素
子で光エネルギーが減衰することを低減し、光エネルギ
ーの膜形成エネルギーへの変換効率が向上する。角度変
更手段により、励起光線束が基板の膜形成面とのなす角
度を変更することで、励起光線束の伝播方向に沿って配
置された基板上に形成される膜厚を均一にできるように
管理維持される。ここで、角度変更手段は、例えば入射
した励起光線束に対して基板保持部を傾斜させたり、光
学系の光軸を基板保持部に対して傾斜させることで実現
できる。尚、終端のレンズを成膜容器に固設して入射窓
を構成してあるので、光軸の傾斜に対して終端のレンズ
は相対的に傾くことになるが、終端のレンズを成膜容器
に対して揺動自在に取り付ける場合に比べて入射窓の気
密度を容易に維持することを可能としながらも、終端レ
ンズの中心点に対して光軸を傾斜させることで励起光線
束の歪みを最少に抑えることができる。
【0006】
【発明の効果】本発明によれば、基板に形成される膜厚
の偏りやばらつきを低減しながらも処理効率のよい光C
VD装置を提供できるようになった。
の偏りやばらつきを低減しながらも処理効率のよい光C
VD装置を提供できるようになった。
【0007】
【実施例】以下実施例を説明する。図1に示すように、
成膜容器1と、その成膜容器1内にシリコンウェハでな
る基板4Cを上向姿勢で複数枚保持する基板保持部4
と、前記成膜容器1に材料ガスを供給するガス供給装置
2と、前記成膜容器1内で前記材料ガスに膜形成エネル
ギーを供給する励起光線束を出射する光源3A及び光学
系3Bと、前記成膜容器1内を真空吸引する真空吸引手
段6とから光CVD装置を構成してある。前記基板保持
部4は、水平設置された保持部本体4Aに基板加熱手段
としてのヒータ4Bを内装して構成してある。前記光源
3Aは、波長が193nmのArFレーザで構成してあ
る。前記光学系3Bは、断面が8×25mm角で放射状
に出力される前記光源3Aからの出力光線束を、断面が
2×125mm角の水平方向に幅広で垂直方向に薄い平
行光線束に成形する複数のレンズで構成してあり、さら
に詳細には光軸P上に前記出力光線束を水平方向に幅広
に拡散させた後に幅広の平行光線束に成形する2枚のシ
リンドリカルレンズL1,L2と、レンズL2の出力光
線束を垂直方向に収束させた後に平行光線束に成形する
レンズL3,L4とを配置して構成してある。前記光学
系3Bにより成形された光線束は励起光線束として前記
成膜容器1の下端部に形成した入射窓1Aから入射し
て、前記基板保持部4の上方空間を基板4C表面に対し
て概略平行なる経路に沿って通過する。前記入射窓1A
は、前記成膜容器1内を真空維持すべく前記光学系3B
の終端のレンズL4をパッキンを介して固定設置してあ
る。前記ガス供給装置2からの材料ガスは、SiH4と
NH3の混合ガスで、前記成膜容器1の上部に形成され
た流入口1Bから流入させる。前記真空吸引手段6にて
真空維持された前記成膜容器1内に前記材料ガスSiH
4とNH3を流入させ、励起光線束を照射すると、材料ガ
スSiH4とNH3が解離して、ヒータ4Bで加熱された
シリコンウェハ上にSiNを組成とする薄膜が生成され
る。ここで、前記入射窓1Aから入射した励起光線束の
伝播方向下流では、上流でエネルギーを消費しているた
めに、材料ガスに与えるエネルギーの不足に起因して膜
厚が薄くなる傾向があるので、励起光線束が伝播方向下
流ほど基板4Cに近づくように励起光線束の前記光軸P
と前記基板4C表面との成す角度を可変設定する角度変
更手段7を設けてある。前記角度変更手段7は、前記光
軸Pを前記光学系3B終端のレンズL4の中心を軸心と
して上下に揺動するモータ駆動方式の揺動機構7Aで構
成してある。
成膜容器1と、その成膜容器1内にシリコンウェハでな
る基板4Cを上向姿勢で複数枚保持する基板保持部4
と、前記成膜容器1に材料ガスを供給するガス供給装置
2と、前記成膜容器1内で前記材料ガスに膜形成エネル
ギーを供給する励起光線束を出射する光源3A及び光学
系3Bと、前記成膜容器1内を真空吸引する真空吸引手
段6とから光CVD装置を構成してある。前記基板保持
部4は、水平設置された保持部本体4Aに基板加熱手段
としてのヒータ4Bを内装して構成してある。前記光源
3Aは、波長が193nmのArFレーザで構成してあ
る。前記光学系3Bは、断面が8×25mm角で放射状
に出力される前記光源3Aからの出力光線束を、断面が
2×125mm角の水平方向に幅広で垂直方向に薄い平
行光線束に成形する複数のレンズで構成してあり、さら
に詳細には光軸P上に前記出力光線束を水平方向に幅広
に拡散させた後に幅広の平行光線束に成形する2枚のシ
リンドリカルレンズL1,L2と、レンズL2の出力光
線束を垂直方向に収束させた後に平行光線束に成形する
レンズL3,L4とを配置して構成してある。前記光学
系3Bにより成形された光線束は励起光線束として前記
成膜容器1の下端部に形成した入射窓1Aから入射し
て、前記基板保持部4の上方空間を基板4C表面に対し
て概略平行なる経路に沿って通過する。前記入射窓1A
は、前記成膜容器1内を真空維持すべく前記光学系3B
の終端のレンズL4をパッキンを介して固定設置してあ
る。前記ガス供給装置2からの材料ガスは、SiH4と
NH3の混合ガスで、前記成膜容器1の上部に形成され
た流入口1Bから流入させる。前記真空吸引手段6にて
真空維持された前記成膜容器1内に前記材料ガスSiH
4とNH3を流入させ、励起光線束を照射すると、材料ガ
スSiH4とNH3が解離して、ヒータ4Bで加熱された
シリコンウェハ上にSiNを組成とする薄膜が生成され
る。ここで、前記入射窓1Aから入射した励起光線束の
伝播方向下流では、上流でエネルギーを消費しているた
めに、材料ガスに与えるエネルギーの不足に起因して膜
厚が薄くなる傾向があるので、励起光線束が伝播方向下
流ほど基板4Cに近づくように励起光線束の前記光軸P
と前記基板4C表面との成す角度を可変設定する角度変
更手段7を設けてある。前記角度変更手段7は、前記光
軸Pを前記光学系3B終端のレンズL4の中心を軸心と
して上下に揺動するモータ駆動方式の揺動機構7Aで構
成してある。
【0008】以下、本発明の別実施例を説明する。材料
ガスの種類や、基板種類、さらにはレーザの種類は上述
の実施例に限定するものではなく生成すべき薄膜種類に
応じて適宜設定することができる。先の実施例では、角
度変更手段7を前記基板4Cに対して前記光軸Pを傾斜
させる揺動機構7Aで構成してあるが、角度変更手段7
は前記基板保持部4を前記光軸Pに対して傾斜させる揺
動機構7Bで構成してもよいし、揺動機構7A,7Bを
兼用して構成してもよい。
ガスの種類や、基板種類、さらにはレーザの種類は上述
の実施例に限定するものではなく生成すべき薄膜種類に
応じて適宜設定することができる。先の実施例では、角
度変更手段7を前記基板4Cに対して前記光軸Pを傾斜
させる揺動機構7Aで構成してあるが、角度変更手段7
は前記基板保持部4を前記光軸Pに対して傾斜させる揺
動機構7Bで構成してもよいし、揺動機構7A,7Bを
兼用して構成してもよい。
【0009】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にする為に符号を記すが、該記入により本発明は添
付図面の構成に限定されるものではない。
便利にする為に符号を記すが、該記入により本発明は添
付図面の構成に限定されるものではない。
【図1】光CVD装置の概略構成図
【図2】要部の斜視図
【図3】従来例を示す光CVD装置の概略構成図
1 成膜容器 2 ガス供給装置 3A 光源 3B 光学系 4 基板保持部 4C 基板 7 角度変更手段 P 光軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/3205
Claims (1)
- 【請求項1】 基板保持部(4)を備えた成膜容器
(1)と、前記成膜容器(1)内の材料ガスに膜形成エ
ネルギーを供給する光源(3A)と、前記光源(3A)
からの出射光線束を平行な励起光線束に成形する光学系
(3B)とからなる光CVD装置であって、 前記光学系(3B)を光軸(P)に沿って配置した複数
のレンズ(L1),…,(L4)で構成し、終端のレンズ
(L4)を前記成膜容器(1)に固定設置して入射窓
(1A)を構成するとともに、前記基板(4C)の膜形
成面と前記励起光線束とのなす角度を変更する角度変更
手段(7)を設けてある光CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21575791A JPH0559557A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 光cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21575791A JPH0559557A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 光cvd装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559557A true JPH0559557A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16677727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21575791A Pending JPH0559557A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 光cvd装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0559557A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831348A (en) * | 1996-06-03 | 1998-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Secondary circuit device for wireless transmit-receive system and induction coil for wireless transmit-receive system |
| US7181179B2 (en) | 2000-05-30 | 2007-02-20 | Seiko Epson Corporation | Hand-held electronic device |
| US7782040B2 (en) | 2006-06-07 | 2010-08-24 | Felica Networks, Inc. | Information processing terminal and received voltage controlling method |
-
1991
- 1991-08-28 JP JP21575791A patent/JPH0559557A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831348A (en) * | 1996-06-03 | 1998-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Secondary circuit device for wireless transmit-receive system and induction coil for wireless transmit-receive system |
| US7181179B2 (en) | 2000-05-30 | 2007-02-20 | Seiko Epson Corporation | Hand-held electronic device |
| US7782040B2 (en) | 2006-06-07 | 2010-08-24 | Felica Networks, Inc. | Information processing terminal and received voltage controlling method |
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