JPH0149004B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0149004B2 JPH0149004B2 JP10290084A JP10290084A JPH0149004B2 JP H0149004 B2 JPH0149004 B2 JP H0149004B2 JP 10290084 A JP10290084 A JP 10290084A JP 10290084 A JP10290084 A JP 10290084A JP H0149004 B2 JPH0149004 B2 JP H0149004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reaction
- reaction chamber
- chamber
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
『発明の利用分野』
本発明は光励起化学気相反応により薄膜形成を
行う装置であつて、大面積の被形成面に均一に量
産性の優れた被膜を光照射室にオイル等をコート
することなく形成するCVD（気相反応）装置に関
する。
行う装置であつて、大面積の被形成面に均一に量
産性の優れた被膜を光照射室にオイル等をコート
することなく形成するCVD（気相反応）装置に関
する。
『従来技術』
気相反応による薄膜形成技術として光エネルギ
により反応性気体を活性にさせる光CVD法が知
られている。この方法は従来の熱CVD法または
プラズマCVD法に比べ低温での被膜形成が可能
であるに加えて、被形成面に損傷を与えないとい
う点で優れたものである。
により反応性気体を活性にさせる光CVD法が知
られている。この方法は従来の熱CVD法または
プラズマCVD法に比べ低温での被膜形成が可能
であるに加えて、被形成面に損傷を与えないとい
う点で優れたものである。
しかしかかる光CVD法を実施するに際し、そ
の一例を第１図に示すが、反応室２内に保持され
た基板１、その基板の加熱手段３、さらに基板に
照射する低圧水銀灯９とを有している。ドーピン
グ系７には反応性気体の励起用の水銀バブラ２１
および排気系８にはロータリーポンプを具備して
いる。ドーピング系よりの反応性気体例えばジシ
ランが反応室２に導入され、アモルフアス珪素を
基板（基板温度250℃）上に形成するに際し、反
応室の紫外光透光用の石英窓にも同時に多量に珪
素膜が形成されてしまう。このためこの窓への被
膜形成を防ぐため、この窓にフオンブリンオイル
２０を薄くコートしている。
の一例を第１図に示すが、反応室２内に保持され
た基板１、その基板の加熱手段３、さらに基板に
照射する低圧水銀灯９とを有している。ドーピン
グ系７には反応性気体の励起用の水銀バブラ２１
および排気系８にはロータリーポンプを具備して
いる。ドーピング系よりの反応性気体例えばジシ
ランが反応室２に導入され、アモルフアス珪素を
基板（基板温度250℃）上に形成するに際し、反
応室の紫外光透光用の石英窓にも同時に多量に珪
素膜が形成されてしまう。このためこの窓への被
膜形成を防ぐため、この窓にフオンブリンオイル
２０を薄くコートしている。
しかしこのオイルは窓への被膜形成を防ぐ作用
を有しつつも、同時にオイルの被膜内への混入の
可能性を有する。オイルのコートの程度がきわめ
て定性的である。
を有しつつも、同時にオイルの被膜内への混入の
可能性を有する。オイルのコートの程度がきわめ
て定性的である。
低圧水銀灯が大気圧に保持されているため、こ
の水銀灯と石英室との間の大気により紫外光特に
185nｍの短紫外光が吸収されてしまう。
の水銀灯と石英室との間の大気により紫外光特に
185nｍの短紫外光が吸収されてしまう。
大面積の基板の形成に対し大きな窓とするとそ
の室が真空に対し破損しやすい等の欠点を有して
いる。
の室が真空に対し破損しやすい等の欠点を有して
いる。
このためその対策として特開昭59−68923「薄膜
形成技術」にみられるごとく、拡散炉方式があ
る。この形成装置においてはフオンブリンオイル
の代わりに内側より不活性気体を窓内壁に噴射し
たものである。するとこの気体により石英の内壁
への反応生成物の付着を防ぐことができるとして
いる。しかしこの場合、ガスの供給等反応炉内の
圧力の変化によりきわめて微妙であり、かつこの
不活性気体を反応炉中に多量に流さなければなら
ないため、反応性気体が不活性気体により希釈さ
れてしまうという欠点を有する。
形成技術」にみられるごとく、拡散炉方式があ
る。この形成装置においてはフオンブリンオイル
の代わりに内側より不活性気体を窓内壁に噴射し
たものである。するとこの気体により石英の内壁
への反応生成物の付着を防ぐことができるとして
いる。しかしこの場合、ガスの供給等反応炉内の
圧力の変化によりきわめて微妙であり、かつこの
不活性気体を反応炉中に多量に流さなければなら
ないため、反応性気体が不活性気体により希釈さ
れてしまうという欠点を有する。
『問題を解決するための手段』
本発明はこれらの問題を解決するため、窓に相
当する部分をスリツト（巾１mm以下一般には0.3
±0.05mm長さ５〜50cm）として、このスリツトを
群として多数平行に設けることによつて、窓を穴
（棒状穴即ちスリツト）にしたものである。その
結果、窓への生成物の付着は「窓ガラスがない」
ため本質的に起こり得ないという特長を有する。
当する部分をスリツト（巾１mm以下一般には0.3
±0.05mm長さ５〜50cm）として、このスリツトを
群として多数平行に設けることによつて、窓を穴
（棒状穴即ちスリツト）にしたものである。その
結果、窓への生成物の付着は「窓ガラスがない」
ため本質的に起こり得ないという特長を有する。
さらに低圧水銀灯のある光源室を真空（0.1〜
10torr）とし、ここでの185nｍの紫外光の吸収損
失を少なくした。この結果として反応室への供給
を紫外光をレンズで集光し、この集光部にスリツ
トを配設せしめることにより十分行わしめたもの
である。
10torr）とし、ここでの185nｍの紫外光の吸収損
失を少なくした。この結果として反応室への供給
を紫外光をレンズで集光し、この集光部にスリツ
トを配設せしめることにより十分行わしめたもの
である。
さらにかかる第２図に示す構造の装置において
は反応後において固体生成物を構成しない気体例
えばN2O、NH3、N2H4等を光源室内に供給し、
ここで十分励起し分解した気体をスリツトより反
応室内へ噴射供給することを可能とした。そして
被形成面近くで２種類の気体の混合反応を行うこ
とができるという他の特長を有する。
は反応後において固体生成物を構成しない気体例
えばN2O、NH3、N2H4等を光源室内に供給し、
ここで十分励起し分解した気体をスリツトより反
応室内へ噴射供給することを可能とした。そして
被形成面近くで２種類の気体の混合反応を行うこ
とができるという他の特長を有する。
『作 用』
これらの特性のため、窓への反応性気体の付着
およびそれに伴う反応室への透過紫外光量の減少
を完全に防ぐことができた。
およびそれに伴う反応室への透過紫外光量の減少
を完全に防ぐことができた。
また紫外光源、レンズ、スリツトの対を複数個
をスダレ状に配設することにより、大面積例えば
30cm×30cmの基板上に被膜を何等の支障もなく形
成させることができるようになつた。
をスダレ状に配設することにより、大面積例えば
30cm×30cmの基板上に被膜を何等の支障もなく形
成させることができるようになつた。
『実施例』
以下本発明を第２図に示した実施例により、そ
の詳細を記す。
の詳細を記す。
第２図において、被形成面を有する基板１は反
応室２内のヒータ３に近接して設けられている。
反応室２と光源室５は概略同一真空度で排気系８
の真空引きにより保持されている。予備室４には
基板１′を有し、反応室とゲート弁６により仕切
られている。
応室２内のヒータ３に近接して設けられている。
反応室２と光源室５は概略同一真空度で排気系８
の真空引きにより保持されている。予備室４には
基板１′を有し、反応室とゲート弁６により仕切
られている。
ドーピング系は、３１〜３３の反応後固体生成
分になる反応性気体が反応室２へ供給され、３
４，３５の反応後固体にならない反応性気体また
は不活性気体が光源室５へ供給される。この気体
は反応中スリツトをへて反応室に至り反応し不純
物が排気８される。
分になる反応性気体が反応室２へ供給され、３
４，３５の反応後固体にならない反応性気体また
は不活性気体が光源室５へ供給される。この気体
は反応中スリツトをへて反応室に至り反応し不純
物が排気８される。
光源等は低圧水銀灯９と裏面の放物面の反射鏡
集光用石英レンズ１０、このレンズにより集光し
た焦点の位置にスリツトを有するステンレス板１
４を配設させている。
集光用石英レンズ１０、このレンズにより集光し
た焦点の位置にスリツトを有するステンレス板１
４を配設させている。
さらに紫外光は広がり被形成面に隣のスリツト
からの光を互いに重ねあいながら均一の光源が照
射されるようにしている。
からの光を互いに重ねあいながら均一の光源が照
射されるようにしている。
ヒータは反応室の上側に位置して「デイポジツ
シヨン・アツプ」方式とし、フレークが被形成面
に付着してピンホールの原因を作ることを避け
た。
シヨン・アツプ」方式とし、フレークが被形成面
に付着してピンホールの原因を作ることを避け
た。
加えてヒータの熱が水銀灯を加熱し、水銀灯の
昇温による発光波長の長波長化を避けた。排気系
は圧力制御バルブ１７、ターボ分子ポンプ１８、
ロータリーポンプ１９よりなり、オイルの逆流を
ターボ分子ポンプ１８により防いでいる。予備室
も同様の機構としている。
昇温による発光波長の長波長化を避けた。排気系
は圧力制御バルブ１７、ターボ分子ポンプ１８、
ロータリーポンプ１９よりなり、オイルの逆流を
ターボ分子ポンプ１８により防いでいる。予備室
も同様の機構としている。
図面において、さらにスリツトを有するステン
レス板と基板１との間に高周波電源１３より同時
に高周波エネルギを保持できるようにしている。
レス板と基板１との間に高周波電源１３より同時
に高周波エネルギを保持できるようにしている。
すると光励起のみならずプラズマCVDまたは
光励起とプラズマ反応とを同時に行うCVD装置
として具備させることができた。
光励起とプラズマ反応とを同時に行うCVD装置
として具備させることができた。
反応室はステンレスであり、光源室を真空引き
をした。その結果、従来例に示される如く、大面
積の照射用に石英室を大きくすると圧力的に耐え
られないという欠点を本発明は有していない。即
ち紫外光源も真空下に保持された光源室と反応室
とを囲んだステンレス容器内に真空に保持されて
いる。このため30cm×30cmの大きさではなく40cm
×120cmの大きさの基板をも何等の工業的な問題
なく作ることができる。
をした。その結果、従来例に示される如く、大面
積の照射用に石英室を大きくすると圧力的に耐え
られないという欠点を本発明は有していない。即
ち紫外光源も真空下に保持された光源室と反応室
とを囲んだステンレス容器内に真空に保持されて
いる。このため30cm×30cmの大きさではなく40cm
×120cmの大きさの基板をも何等の工業的な問題
なく作ることができる。
図面の場合の被形成基板は30cm×30cmであり、
紫外光源は、低圧水銀灯（185nｍ、2547nｍの波
長を発光する発光長40cm、圧力80ｍＷ／cm2、ラン
プ電力400W）ランプ数10本である。スリツト巾
0.3mm、長さ350mm、スリツト間隔30mm、計400mm
巾のステンレス基板１４を用いた。基板の温度は
室温〜500℃にまでの所定の温度とした。
紫外光源は、低圧水銀灯（185nｍ、2547nｍの波
長を発光する発光長40cm、圧力80ｍＷ／cm2、ラン
プ電力400W）ランプ数10本である。スリツト巾
0.3mm、長さ350mm、スリツト間隔30mm、計400mm
巾のステンレス基板１４を用いた。基板の温度は
室温〜500℃にまでの所定の温度とした。
実験例 １
シリコン窒化膜の形成例
反応性気体としてアンモニアを３５より30c.c.／
分、ジシランを３３より８c.c.／分で供給し、基板
温度250℃とした。基板は30cm×30cmのガラス板
である。反応炉内圧力は1.5torrとした。30分の
反応で1200Åの膜厚が形成された。その被膜形成
速度は40Å／分であつて水銀の蒸着等を用いた励
起を行わず直接光励起である。被膜の５点のばら
つきは±５％以内に入つていた。
分、ジシランを３３より８c.c.／分で供給し、基板
温度250℃とした。基板は30cm×30cmのガラス板
である。反応炉内圧力は1.5torrとした。30分の
反応で1200Åの膜厚が形成された。その被膜形成
速度は40Å／分であつて水銀の蒸着等を用いた励
起を行わず直接光励起である。被膜の５点のばら
つきは±５％以内に入つていた。
実験例 ２
アモルフアスシリコン膜の形成例
ジシラン（Si2H6）を３３より供給した。３４
よりクリプトンを供給した。また３５よりヘリユ
ームを供給した。クリプトンは圧力励起等により
被形成面に2000Åの膜厚を60分間のデイポジツシ
ヨンで形成させることができた。
よりクリプトンを供給した。また３５よりヘリユ
ームを供給した。クリプトンは圧力励起等により
被形成面に2000Åの膜厚を60分間のデイポジツシ
ヨンで形成させることができた。
基板温度は250℃、圧力1.5torrとした。
実験例 ３
酸化珪素膜の形成例
ジシラン（Si2H6）を３３より８c.c.／分で供給
した。
した。
３５よりN2Oを30c.c.／分で供給した。すると、
N2Oは光源室を十分N2と活性酸素とに分解し、
反応室に供給され酸化膜を4000Åの厚さに作るこ
とができた。被膜形成速度は250Å／分を得るこ
とができた。
N2Oは光源室を十分N2と活性酸素とに分解し、
反応室に供給され酸化膜を4000Åの厚さに作るこ
とができた。被膜形成速度は250Å／分を得るこ
とができた。
実験例 ４
アモルフアスシリコンを光プラズマ気相法で形
成する方法 実験例３と同一とし、かつ13.56MHzの高周波
エネルギを１３より10W／（30cm×30cm）に加え
た。すると同じジシランの供給であるにもかかわ
らず被膜は2500Åと20分で得ることができた。被
膜成長速度として170Å／分を得ることができた。
成する方法 実験例３と同一とし、かつ13.56MHzの高周波
エネルギを１３より10W／（30cm×30cm）に加え
た。すると同じジシランの供給であるにもかかわ
らず被膜は2500Åと20分で得ることができた。被
膜成長速度として170Å／分を得ることができた。
『効 果』
本発明は以上の説明より明らかなごとく、大面
積の基板上に被膜を形成するにあたり、スリツト
を用いた窓なし装置で形成したものである。この
ため同一反応炉内にフオンブリンオイルを窓にコ
ートする必要もなくなり、またこの結果プラズマ
気相反応を同時に行うことができるようになつ
た。
積の基板上に被膜を形成するにあたり、スリツト
を用いた窓なし装置で形成したものである。この
ため同一反応炉内にフオンブリンオイルを窓にコ
ートする必要もなくなり、またこの結果プラズマ
気相反応を同時に行うことができるようになつ
た。
なお本発明は珪素および酸化珪素においてその
実験例を示したが、それ以外にＭ（CH3）o即ちＭ
としてAl、Ga、In、Ｂを用いてもよい。また鉄、
ニツケル、コバルトのカルボニル化物を反応性気
体として用い、鉄、ニツケル、コバルトまたはそ
の化合物の被膜を形成することは有効である。
実験例を示したが、それ以外にＭ（CH3）o即ちＭ
としてAl、Ga、In、Ｂを用いてもよい。また鉄、
ニツケル、コバルトのカルボニル化物を反応性気
体として用い、鉄、ニツケル、コバルトまたはそ
の化合物の被膜を形成することは有効である。
前記した実験例においてドーバントを同時に添
加できる。また光源として低圧水銀灯ではなくエ
キシマレーザ（波長100〜400nｍ）、アルゴンレ
ーザ、窒素レーザ等をもちいてもよいことは言う
までもない。
加できる。また光源として低圧水銀灯ではなくエ
キシマレーザ（波長100〜400nｍ）、アルゴンレ
ーザ、窒素レーザ等をもちいてもよいことは言う
までもない。
第１図は従来の光CVD装置の概略を示す。第
２図は本発明による薄膜形成装置の概略を示す。 ２……反応室、３……基板加熱部、７……ドー
ピング系、８……排気系、９……光源。
２図は本発明による薄膜形成装置の概略を示す。 ２……反応室、３……基板加熱部、７……ドー
ピング系、８……排気系、９……光源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光励起熱化学反応を用いた薄膜形成装置にお
いて、光源室に配設された棒状発光源と、シリン
ドリカルレンズと、該レンズによつて集光された
位置に設けられたスリツトと、前記集光後反応室
内に分散した光が照射される被形成面を有する加
熱された基板とを有し、前記光源室より前記反応
室に反応後固体が生成されない気体を供給する手
段と、前記反応室に反応後固体が生成される反応
性気体とを供給する手段と、前記反応室より不要
気体の排気手段とを具備することを特徴とする薄
膜形成装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、棒状光源と
シリンドリカルレンズと、該レンズによつて集光
された位置に設けられたスリツトとが複数個配設
され被形成面に光励起用光が照射されたことを特
徴とする薄膜形成装置。 ３ 特許請求の範囲第１項において、被形成面は
照射光に対向して配設されたことを特徴とする薄
膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10290084A JPS60245217A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10290084A JPS60245217A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245217A JPS60245217A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0149004B2 true JPH0149004B2 (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14339732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10290084A Granted JPS60245217A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993004210A1 (fr) * | 1991-08-19 | 1993-03-04 | Tadahiro Ohmi | Procede de formation d'un film d'oxyde |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| EP0254651B1 (en) * | 1986-06-28 | 1991-09-04 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for chemical vapor deposition |
| KR910003742B1 (ko) * | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
| US5427824A (en) * | 1986-09-09 | 1995-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD apparatus |
| US4919077A (en) * | 1986-12-27 | 1990-04-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus |
| US4913929A (en) * | 1987-04-21 | 1990-04-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use |
| JPS63283122A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜作製装置 |
| EP0310347B1 (en) * | 1987-09-30 | 1992-11-25 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Thin film forming apparatus |
| US5215588A (en) * | 1992-01-17 | 1993-06-01 | Amtech Systems, Inc. | Photo-CVD system |
| JP4666427B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2011-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 石英ウインドウ及び熱処理装置 |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10290084A patent/JPS60245217A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993004210A1 (fr) * | 1991-08-19 | 1993-03-04 | Tadahiro Ohmi | Procede de formation d'un film d'oxyde |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60245217A (ja) | 1985-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6150265A (en) | Apparatus for forming materials | |
| JP2635021B2 (ja) | 堆積膜形成法及びこれに用いる装置 | |
| US5232749A (en) | Formation of self-limiting films by photoemission induced vapor deposition | |
| JPH0752718B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0149004B2 (ja) | ||
| US20020066720A1 (en) | Fabrication method of erbium-doped silicon nano-size dots | |
| JPH1098032A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| KR850001974B1 (ko) | 광화학적 증착방법 및 장치 | |
| US6281122B1 (en) | Method for forming materials | |
| US4719122A (en) | CVD method and apparatus for forming a film | |
| JPS60260125A (ja) | 半導体基板の選択的加工方法 | |
| JPS6118125A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS6118124A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS6118123A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0689455B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2814998B2 (ja) | 半導体素子膜の形成方法およびその形成装置 | |
| JPH0128830B2 (ja) | ||
| JPS6156279A (ja) | 成膜方法 | |
| JPS6246515A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPS59224118A (ja) | 光化学気相反応法 | |
| JP3363613B2 (ja) | 化合物半導体基板への絶縁膜の低温形成方法 | |
| JPS6240377A (ja) | 窒化アンチモンの作製方法 | |
| JPS6156278A (ja) | 成膜方法 | |
| JPS6328865A (ja) | 硬質炭素膜製造装置 | |
| JPH0544818B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |