JPH0560647B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0560647B2 JPH0560647B2 JP20152185A JP20152185A JPH0560647B2 JP H0560647 B2 JPH0560647 B2 JP H0560647B2 JP 20152185 A JP20152185 A JP 20152185A JP 20152185 A JP20152185 A JP 20152185A JP H0560647 B2 JPH0560647 B2 JP H0560647B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal growth
- molecular beam
- sample
- substrate
- cryopanel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 8
- 238000001073 sample cooling Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は分子線エピタキシー装置（以下、
MBE装置と略す）に関するものである。
MBE装置と略す）に関するものである。
MBE装置としては、例えば、高橋 清「新し
いエピタキシヤル成長法」電気学会誌、Vol.95、
No.２（昭和50年２月）のP.9〜10に記載されている
ような、真空雰囲気下で分子線源から分子線を放
射し、真空雰囲気内に設置された基板の被膜形成
面に分子線によりエピタキシヤル膜を形成させる
装置が知られている。また、結晶成長のプロセス
条件の一つに基板を加熱することがあることは良
く知られているところであり、その加熱温度の条
件は、例えば、「分子線エピタキシー技術」高橋
清編著、昭和59年１月、工業調査会発行、
P.72、特公昭55−901号公報、特公昭55−16451号
公報、特公昭55−16452号公報に示されている。
しかし、高温に加熱されているため、結晶成長が
終了した後に、真空中で放置冷却のため基板を取
出すことが可能となるまでに長時間を要し、装置
の実稼率が低くなつているが、基板の冷却に関す
る配慮がなされていない。
いエピタキシヤル成長法」電気学会誌、Vol.95、
No.２（昭和50年２月）のP.9〜10に記載されている
ような、真空雰囲気下で分子線源から分子線を放
射し、真空雰囲気内に設置された基板の被膜形成
面に分子線によりエピタキシヤル膜を形成させる
装置が知られている。また、結晶成長のプロセス
条件の一つに基板を加熱することがあることは良
く知られているところであり、その加熱温度の条
件は、例えば、「分子線エピタキシー技術」高橋
清編著、昭和59年１月、工業調査会発行、
P.72、特公昭55−901号公報、特公昭55−16451号
公報、特公昭55−16452号公報に示されている。
しかし、高温に加熱されているため、結晶成長が
終了した後に、真空中で放置冷却のため基板を取
出すことが可能となるまでに長時間を要し、装置
の実稼率が低くなつているが、基板の冷却に関す
る配慮がなされていない。
本発明の目的は、結晶成長終了後の試料の冷却
時間を短縮して高スループツト化を図ることがで
きるMBE装置を提供することにある。
時間を短縮して高スループツト化を図ることがで
きるMBE装置を提供することにある。
本発明は、結晶成長室と、該結晶成長室に内設
された試料支持手段と、該手段の試料支持面に向
けて分子線を放射する分子線源と、前記試料支持
手段の試料支持面に対向可能に移動自在に設けら
れた試料冷却手段とを具備したことを特徴とする
もので、試料冷却手段の吸熱機能により結晶成長
終了後の試料の冷却速度を向上させることで、該
試料の冷却時間を短縮して高スループツト化を図
るようにしたものである。
された試料支持手段と、該手段の試料支持面に向
けて分子線を放射する分子線源と、前記試料支持
手段の試料支持面に対向可能に移動自在に設けら
れた試料冷却手段とを具備したことを特徴とする
もので、試料冷却手段の吸熱機能により結晶成長
終了後の試料の冷却速度を向上させることで、該
試料の冷却時間を短縮して高スループツト化を図
るようにしたものである。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図によ
り説明する。
り説明する。
第１図で、MBE装置を構成する結晶成長室
（排気系は図示省略）１０には、分子線源２０が、
この場合、内設されている。また、結晶成長室１
０には、試料支持手段であるホルダ３０が内設さ
れている。
（排気系は図示省略）１０には、分子線源２０が、
この場合、内設されている。また、結晶成長室１
０には、試料支持手段であるホルダ３０が内設さ
れている。
結晶成長の手順の概要を説明しておく。分子線
源２０の噴出口をシヤツタ２１で覆い、試料であ
る基板４０をホルダ３０で試料設置面に設置する
と結晶成長室１０内を所定の圧力まで排気し、分
子線源２０並びにホルダ３０のヒータに通電し、
それぞれ所定の温度まで加熱する。条件が整つた
とき、シヤツタ２１を開き分子線を基板４０に向
けて放射させ、所定の膜厚まで成長させたとこ
ろ、シヤツタ２１を閉じ、分子線源２０並びにホ
ルダ３０のヒータの通電を停止してそれぞれ常温
になるまで放置するのが基本的な工程である。こ
こで、図示されていないが、結晶成長室１０に隣
接して準備室を設け、結晶成長室１０内を大気開
放せずに基板４０を交換する方法を採用するのが
一般的となつている。これにより、結晶成長が終
了すると同時に基板４０を交換して、連続して結
晶成長が可能となるが、基板４０を冷却の時間を
短縮することが必要となる。そこで、第１図、第
２図に示すように、試料冷却手段であるクライオ
パネル５０を移動自在に設けるようにした。すな
わち、パイプ５１を２本、フランジ５３を気密に
貫通させパイプ５１の真空側の一端をクライオパ
ネル５０に気密に接合し、大気側の一方の一端を
液体窒素、液体ヘリウム等の冷媒供給手段（図示
省略）に連結し、他の一方の一端は開放のままと
し空気抜き口とした。さらに、フランジ５３を伸
縮自在のベローズ５２を介して結晶成長室１０に
気密に連結し、フランジ５３の大気側に移動手段
５５を設け、結晶成長中は、分子線源２０と基板
４０とが対向するように退避させておき、結晶成
長が終了すると、基板４０が分子線源２０から隠
れる位置までクライオパネル５０を移動させ、近
接して対向するようにした。更には、クライオパ
ネル５０に分子線が当り、クライオパネル５０に
膜生成が起り冷却効率が低下することを防止する
ために防着カバー５４を設けた。
源２０の噴出口をシヤツタ２１で覆い、試料であ
る基板４０をホルダ３０で試料設置面に設置する
と結晶成長室１０内を所定の圧力まで排気し、分
子線源２０並びにホルダ３０のヒータに通電し、
それぞれ所定の温度まで加熱する。条件が整つた
とき、シヤツタ２１を開き分子線を基板４０に向
けて放射させ、所定の膜厚まで成長させたとこ
ろ、シヤツタ２１を閉じ、分子線源２０並びにホ
ルダ３０のヒータの通電を停止してそれぞれ常温
になるまで放置するのが基本的な工程である。こ
こで、図示されていないが、結晶成長室１０に隣
接して準備室を設け、結晶成長室１０内を大気開
放せずに基板４０を交換する方法を採用するのが
一般的となつている。これにより、結晶成長が終
了すると同時に基板４０を交換して、連続して結
晶成長が可能となるが、基板４０を冷却の時間を
短縮することが必要となる。そこで、第１図、第
２図に示すように、試料冷却手段であるクライオ
パネル５０を移動自在に設けるようにした。すな
わち、パイプ５１を２本、フランジ５３を気密に
貫通させパイプ５１の真空側の一端をクライオパ
ネル５０に気密に接合し、大気側の一方の一端を
液体窒素、液体ヘリウム等の冷媒供給手段（図示
省略）に連結し、他の一方の一端は開放のままと
し空気抜き口とした。さらに、フランジ５３を伸
縮自在のベローズ５２を介して結晶成長室１０に
気密に連結し、フランジ５３の大気側に移動手段
５５を設け、結晶成長中は、分子線源２０と基板
４０とが対向するように退避させておき、結晶成
長が終了すると、基板４０が分子線源２０から隠
れる位置までクライオパネル５０を移動させ、近
接して対向するようにした。更には、クライオパ
ネル５０に分子線が当り、クライオパネル５０に
膜生成が起り冷却効率が低下することを防止する
ために防着カバー５４を設けた。
本実施例では、次のような効果が得られる。
(1) クライオパネルの吸熱機能により結晶成長後
の基板の冷却速度を向上できるので、該基板の
冷却時間を短縮でき高スループツト化を図るこ
とができる。
の基板の冷却速度を向上できるので、該基板の
冷却時間を短縮でき高スループツト化を図るこ
とができる。
(2) 防着カバーによりクライオパネルでの膜生成
を防止できるので、該クライオパネルでの吸熱
機能の低下を防止できる。
を防止できるので、該クライオパネルでの吸熱
機能の低下を防止できる。
なお、本実施例に限らず、結晶成長中に該成長
を阻害しない位置に退避し結晶成長終了後は基板
の結晶成長面に近接して対向するようにクライオ
パネルを移動可能に設ければ良い。
を阻害しない位置に退避し結晶成長終了後は基板
の結晶成長面に近接して対向するようにクライオ
パネルを移動可能に設ければ良い。
本発明によれば、結晶成長終了後の試料の冷却
速度を向上させるので、結晶成長終了後の試料の
冷却時間を短縮でき高スループツト化を図ること
ができるという効果がある。
速度を向上させるので、結晶成長終了後の試料の
冷却時間を短縮でき高スループツト化を図ること
ができるという効果がある。
第１図は本発明の分子線エピタキシー装置の一
実施例を示す断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線
矢視図である。 １０……結晶成長室、２０……分子線源、３０
……ホルダ、４０……基板、５０……クライオパ
ネル、５１……パイプ、５２……ベローズ、５３
……フランジ、５５……移動手段。
実施例を示す断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線
矢視図である。 １０……結晶成長室、２０……分子線源、３０
……ホルダ、４０……基板、５０……クライオパ
ネル、５１……パイプ、５２……ベローズ、５３
……フランジ、５５……移動手段。
Claims (1)
- １ 結晶成長室と、該結晶成長室に内設された試
料支持手段と、該手段の試料支持面に向けて分子
線を放射する分子線源と、前記試料支持手段の試
料支持面に対向可能に移動自在に設けられた試料
冷却手段とを具備したことを特徴とする分子線エ
ピタキシー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20152185A JPS6262512A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20152185A JPS6262512A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262512A JPS6262512A (ja) | 1987-03-19 |
| JPH0560647B2 true JPH0560647B2 (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=16442423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20152185A Granted JPS6262512A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262512A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290923A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長装置 |
| JP2000082661A (ja) | 1998-07-02 | 2000-03-21 | Toshiba Corp | 加熱装置，加熱装置の評価法及びパタ―ン形成方法 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20152185A patent/JPS6262512A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6262512A (ja) | 1987-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8196619B2 (en) | Load lock apparatus, processing system and substrate processing method | |
| EP0733130A1 (en) | Apparatus for heating or cooling wafers | |
| JPH0560647B2 (ja) | ||
| JPS61227169A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP3023967B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| CN103243382A (zh) | 一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置和方法 | |
| JPH043495Y2 (ja) | ||
| JPH072617Y2 (ja) | Ｐｂｎルツボの均一加熱機構 | |
| JPS6329743Y2 (ja) | ||
| JPS6074517A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS6211961Y2 (ja) | ||
| JPH04246822A (ja) | イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法 | |
| JPS6173334A (ja) | 処理装置 | |
| JP2508687Y2 (ja) | 熱処理炉 | |
| JPS59152296A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法 | |
| JPH053107B2 (ja) | ||
| JPS63297558A (ja) | ウエハ保持装置 | |
| JPH04162712A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2002367915A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH03186338A (ja) | バルブ装置 | |
| JPH06151325A (ja) | 割型炉 | |
| JPS5842225A (ja) | 外熱形の横型半導体気相成長装置 | |
| JPH03275591A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPS6192396A (ja) | 極低温容器 | |
| JP2851828B2 (ja) | 薄膜形成用分子線源熱遮断装置 |