JPH056141A - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
Ｅｌ表示装置Info
- Publication number
- JPH056141A JPH056141A JP3156575A JP15657591A JPH056141A JP H056141 A JPH056141 A JP H056141A JP 3156575 A JP3156575 A JP 3156575A JP 15657591 A JP15657591 A JP 15657591A JP H056141 A JPH056141 A JP H056141A
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- Japan
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- thin film
- display device
- film
- oxide
- electrode
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造プロセスにおける工程を減らし、さらに
長期にわたり発光特性の安定なＥＬ表示装置を提供す
る。 【構成】 ガラス基板８上に順次積層された透明電極
７、第１誘電体薄膜６、蛍光体薄膜５、第２誘電体薄膜
４、背面電極２の上に、背面電極２と同じ材料の金属薄
膜３形成し、それを陽極酸化することにより酸化物薄膜
（バックパッシベーション膜）１を形成したＥＬ表示装
置。
長期にわたり発光特性の安定なＥＬ表示装置を提供す
る。 【構成】 ガラス基板８上に順次積層された透明電極
７、第１誘電体薄膜６、蛍光体薄膜５、第２誘電体薄膜
４、背面電極２の上に、背面電極２と同じ材料の金属薄
膜３形成し、それを陽極酸化することにより酸化物薄膜
（バックパッシベーション膜）１を形成したＥＬ表示装
置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型で表示の視認性が
優れ、ＯＡ機器などの端末ディスプレイとして最適であ
るＥＬ表示装置に関するものである。
優れ、ＯＡ機器などの端末ディスプレイとして最適であ
るＥＬ表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＥＬ素子をＸ−Ｙマトリックス
構成にした薄膜ＥＬ表示装置が知られている。一般に、
このＥＬ表示装置は第１誘電体層／蛍光体層／第２誘電
体層の積層薄膜の両面に水平方向電極群と垂直方向電極
群とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群
に接続された給電線により、切り換え装置を通して信号
を加えて、両電極の交点部分の蛍光体層を発光させ（こ
の交点の発光部分面を絵素と称する）、発光した絵素の
組合せによって文字、記号、図形などを表示させるもの
である。
構成にした薄膜ＥＬ表示装置が知られている。一般に、
このＥＬ表示装置は第１誘電体層／蛍光体層／第２誘電
体層の積層薄膜の両面に水平方向電極群と垂直方向電極
群とを互いに直交するように配置し、それぞれの電極群
に接続された給電線により、切り換え装置を通して信号
を加えて、両電極の交点部分の蛍光体層を発光させ（こ
の交点の発光部分面を絵素と称する）、発光した絵素の
組合せによって文字、記号、図形などを表示させるもの
である。
【０００３】上記ＥＬ表示装置は通常ガラス製の透光性
基板上に、スズをドープした酸化インジウム（以下ＩＴ
Ｏと略称する）からなる透明な平行電極群を形成し、そ
の上に第１誘電体層、蛍光体層、第２誘電体層を順次形
成し、さらにその上に、一般にＡｌ金属からなる背面平
行電極群を前記透明電極群に直交する配置で積層して作
製する。
基板上に、スズをドープした酸化インジウム（以下ＩＴ
Ｏと略称する）からなる透明な平行電極群を形成し、そ
の上に第１誘電体層、蛍光体層、第２誘電体層を順次形
成し、さらにその上に、一般にＡｌ金属からなる背面平
行電極群を前記透明電極群に直交する配置で積層して作
製する。
【０００４】また、ＥＬ表示装置を湿気から保護し、薄
膜層間剥離を防止することによる長寿命化を目的として
パッシベーションを、絶縁油やゼオライトでの封止、も
しくはＡｌ2Ｏ3膜のような化学的に安定な薄膜で覆うと
いった構成で行なっている。
膜層間剥離を防止することによる長寿命化を目的として
パッシベーションを、絶縁油やゼオライトでの封止、も
しくはＡｌ2Ｏ3膜のような化学的に安定な薄膜で覆うと
いった構成で行なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、パッシベーションを行なうにあたり、さ
らにＥＬ表示装置に加工を行ったり、またパッシベーシ
ョン膜を真空装置にて製膜しなければならない等、製造
プロセスにおいて工程が多くなるといった課題を有して
いた。
来の構成では、パッシベーションを行なうにあたり、さ
らにＥＬ表示装置に加工を行ったり、またパッシベーシ
ョン膜を真空装置にて製膜しなければならない等、製造
プロセスにおいて工程が多くなるといった課題を有して
いた。
【０００６】本発明は上記従来のＥＬ表示装置の課題を
解決するもので、耐環境性に優れ、化学的に安定な酸化
物によるバックパッシベーション膜で覆われたＥＬ表示
装置を提供することを目的とする。
解決するもので、耐環境性に優れ、化学的に安定な酸化
物によるバックパッシベーション膜で覆われたＥＬ表示
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、背面電極と同じ材料の金属薄膜を最外表面に積層
し、その金属薄膜を酸化して得られた酸化物薄膜をバッ
クパッシベーション膜とするものである。
は、背面電極と同じ材料の金属薄膜を最外表面に積層
し、その金属薄膜を酸化して得られた酸化物薄膜をバッ
クパッシベーション膜とするものである。
【０００８】
【作用】本発明は、上記構成により製造プロセスにおけ
る工程を減らし、しかも耐環境性に優れ、化学的に安定
な酸化物薄膜によるバックパッシベーション膜で覆われ
たＥＬ表示装置を形成することができる。
る工程を減らし、しかも耐環境性に優れ、化学的に安定
な酸化物薄膜によるバックパッシベーション膜で覆われ
たＥＬ表示装置を形成することができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例における酸化物薄
膜によるバックパッシベーション膜を用いたＥＬ表示装
置の基本構成断面図である。同図において、１は酸化物
薄膜（バックパッシベーション膜）、２は背面電極、３
は背面電極と同じ材料の金属薄膜、４は第２誘電体薄
膜、５は蛍光体薄膜、６は第１誘電体薄膜、７は透明電
極、８はガラス基板である。
膜によるバックパッシベーション膜を用いたＥＬ表示装
置の基本構成断面図である。同図において、１は酸化物
薄膜（バックパッシベーション膜）、２は背面電極、３
は背面電極と同じ材料の金属薄膜、４は第２誘電体薄
膜、５は蛍光体薄膜、６は第１誘電体薄膜、７は透明電
極、８はガラス基板である。
【００１１】図１に示すように、ガラス基板８上に合金
ターゲットを用いてＩＴＯ薄膜を直流スパッタ法で形成
し、ホトリソグラフィ技術によりストライプ状に加工
し、透明電極７とした。第１誘電体薄膜６はＳiＯＮと
し、Ｓiターゲットを用いて窒素と一酸化窒素の混合ガ
ス中で、反応性スパッタ法により２００ｎｍの厚さに形
成した。その上にＥＢ蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎを用いた蛍
光体薄膜５を４５０ｎｍの厚さに形成した。発光センタ
ーのＭｎの含量は０．８原子％にした。蛍光体薄膜５形
成後、輝度アップのために真空雰囲気中で５５０℃、１
時間の熱処理を行なった。つぎに第２誘電体薄膜４を蛍
光体薄膜５の上に２００〜４００ｎｍの厚さに形成し
た。薄膜材料、及び製膜方法は第１誘電体薄膜６の時と
同じである。そして背面電極２としてＡｌをＥＢ蒸着法
で付け、その後、ホトリソグラフィ技術でＩＴＯ電極と
直交するストライプ状に加工して薄膜ＥＬ表示装置を完
成した。
ターゲットを用いてＩＴＯ薄膜を直流スパッタ法で形成
し、ホトリソグラフィ技術によりストライプ状に加工
し、透明電極７とした。第１誘電体薄膜６はＳiＯＮと
し、Ｓiターゲットを用いて窒素と一酸化窒素の混合ガ
ス中で、反応性スパッタ法により２００ｎｍの厚さに形
成した。その上にＥＢ蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎを用いた蛍
光体薄膜５を４５０ｎｍの厚さに形成した。発光センタ
ーのＭｎの含量は０．８原子％にした。蛍光体薄膜５形
成後、輝度アップのために真空雰囲気中で５５０℃、１
時間の熱処理を行なった。つぎに第２誘電体薄膜４を蛍
光体薄膜５の上に２００〜４００ｎｍの厚さに形成し
た。薄膜材料、及び製膜方法は第１誘電体薄膜６の時と
同じである。そして背面電極２としてＡｌをＥＢ蒸着法
で付け、その後、ホトリソグラフィ技術でＩＴＯ電極と
直交するストライプ状に加工して薄膜ＥＬ表示装置を完
成した。
【００１２】さらに、背面電極２を含む最外表面上に、
ＥＬ表示装置を覆い隠すように背面電極２と同じ材料の
金属薄膜（Ａｌ）３を製膜する。そしてこの金属薄膜３
（Ａｌ）のみをすべて陽極酸化することにより酸化物薄
膜（Ａｌ2Ｏ3）を得、バックパッシベーション膜１とし
た。陽極酸化にはｐＨ＝６〜７の中性の化成液（例えば
３％ほう酸アンモニウム水溶液：エチレングリコール＝
１：９）を用いており、ウォーターバスによって溶液温
度を５０℃に保ち、一定電流のもとで陽極酸化を行な
う。中性の化成液を用いることによりバリヤータイプの
Ａｌ2Ｏ3膜を得ることができる。また陽極酸化の方法と
しては、酸素雰囲気中におけるプラズマ陽極酸化でもよ
い。これにより図１に示すような構造の、酸化物薄膜
（Ａｌ2Ｏ3）によるバックパッシベーション膜１により
保護されたＥＬ表示装置を製造することができる。
ＥＬ表示装置を覆い隠すように背面電極２と同じ材料の
金属薄膜（Ａｌ）３を製膜する。そしてこの金属薄膜３
（Ａｌ）のみをすべて陽極酸化することにより酸化物薄
膜（Ａｌ2Ｏ3）を得、バックパッシベーション膜１とし
た。陽極酸化にはｐＨ＝６〜７の中性の化成液（例えば
３％ほう酸アンモニウム水溶液：エチレングリコール＝
１：９）を用いており、ウォーターバスによって溶液温
度を５０℃に保ち、一定電流のもとで陽極酸化を行な
う。中性の化成液を用いることによりバリヤータイプの
Ａｌ2Ｏ3膜を得ることができる。また陽極酸化の方法と
しては、酸素雰囲気中におけるプラズマ陽極酸化でもよ
い。これにより図１に示すような構造の、酸化物薄膜
（Ａｌ2Ｏ3）によるバックパッシベーション膜１により
保護されたＥＬ表示装置を製造することができる。
【００１３】この方法によって製膜された酸化物薄膜
は、緻密であり膜厚班が無い等優れた特性を有してい
る。さらにＡｌ2Ｏ3は化学的にも非常に安定な薄膜であ
る。このような酸化物薄膜によるバックパッシベーショ
ン膜１を用いることにより、ＥＬ表示装置の湿気による
特性の劣化を防ぐことができる。この効果は普遍的なも
のであり、バックパッシベーション膜１に用いられる酸
化物薄膜を、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2といった、陽極酸化によ
って製膜が可能な材料とすることにより、同様の効果を
示す優れたＥＬ表示装置が実現できる。
は、緻密であり膜厚班が無い等優れた特性を有してい
る。さらにＡｌ2Ｏ3は化学的にも非常に安定な薄膜であ
る。このような酸化物薄膜によるバックパッシベーショ
ン膜１を用いることにより、ＥＬ表示装置の湿気による
特性の劣化を防ぐことができる。この効果は普遍的なも
のであり、バックパッシベーション膜１に用いられる酸
化物薄膜を、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2といった、陽極酸化によ
って製膜が可能な材料とすることにより、同様の効果を
示す優れたＥＬ表示装置が実現できる。
【００１４】さらに、図１に示すようなバックパッシベ
ーション膜１を用いたＥＬ表示装置を製造して動作を確
認した。蛍光体薄膜には硫化物を用いたＥＬ表示装置を
製造した。上記のような酸化物薄膜によるバックパッシ
ベーション膜を用いることにより、図２に示すような長
時間駆動においても、従来の方法のパッシベーションに
よるＥＬ表示装置と変わらない安定な特性を示すＥＬ表
示装置ができた。
ーション膜１を用いたＥＬ表示装置を製造して動作を確
認した。蛍光体薄膜には硫化物を用いたＥＬ表示装置を
製造した。上記のような酸化物薄膜によるバックパッシ
ベーション膜を用いることにより、図２に示すような長
時間駆動においても、従来の方法のパッシベーションに
よるＥＬ表示装置と変わらない安定な特性を示すＥＬ表
示装置ができた。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、バックパッシベ
ーション膜に背面電極と同じ材料の金属薄膜の酸化物を
用いることにより、簡単なプロセスによって化学的に安
定なバックパッシベーション膜が得られ、湿気による薄
膜層間剥離を防止し、長期にわたり発光特性が安定な優
れたＥＬ表示装置を実現できるものである。
ーション膜に背面電極と同じ材料の金属薄膜の酸化物を
用いることにより、簡単なプロセスによって化学的に安
定なバックパッシベーション膜が得られ、湿気による薄
膜層間剥離を防止し、長期にわたり発光特性が安定な優
れたＥＬ表示装置を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例における、酸化物薄膜による
バックパッシベーション膜を用いたＥＬ表示装置の断面
図である。
バックパッシベーション膜を用いたＥＬ表示装置の断面
図である。
【図２】本発明の一実施例におけるＥＬ表示装置の動作
説明のための寿命特性の図である。
説明のための寿命特性の図である。
１ 酸化物薄膜（バックパッシベーション膜）
２ 背面電極
３ 背面電極と同じ材料の金属薄膜
４ 第２誘電体薄膜
５ 蛍光体薄膜
６ 第１誘電体薄膜
７ 透明電極
８ ガラス基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 松岡 富造
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板上に順次積層された透明電
極、第１誘電体層、蛍光体層、第２誘電体層、背面電極
の上に、更にバックパッシベーション膜が形成されたＥ
Ｌ表示装置であって、前記バックパッシベーション膜
は、前記背面電極と同じ材料の金属薄膜を積層し、その
金属薄膜を酸化して生成された酸化物薄膜であることを
特徴とするＥＬ表示装置。 - 【請求項２】 金属薄膜を酸化した酸化物薄膜は、陽極
酸化膜であることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示
装置。 - 【請求項３】 陽極酸化膜はアルミニウム、タンタル、
チタンの酸化膜であることを特徴とする請求項２記載の
ＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156575A JPH056141A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156575A JPH056141A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Ｅｌ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056141A true JPH056141A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15630763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3156575A Pending JPH056141A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | Ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056141A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447499B1 (ko) * | 2002-05-07 | 2004-09-07 | 주식회사 엘리아테크 | 유기 전계 발광 디스플레이 및 그의 제조방법 |
| JP2013115084A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Rohm Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP2014063748A (ja) * | 2002-12-19 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3156575A patent/JPH056141A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447499B1 (ko) * | 2002-05-07 | 2004-09-07 | 주식회사 엘리아테크 | 유기 전계 발광 디스플레이 및 그의 제조방법 |
| JP2014063748A (ja) * | 2002-12-19 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2013115084A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Rohm Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
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