JPH0693256A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH0693256A JPH0693256A JP4242434A JP24243492A JPH0693256A JP H0693256 A JPH0693256 A JP H0693256A JP 4242434 A JP4242434 A JP 4242434A JP 24243492 A JP24243492 A JP 24243492A JP H0693256 A JPH0693256 A JP H0693256A
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- Japan
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- light emitting
- thin film
- layer
- organic thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光安定性と発光効率に優れる有機薄膜発光素
子を得る。 【構成】絶縁性基板１上に正極２と金属薄膜層３を順次
積層する。
子を得る。 【構成】絶縁性基板１上に正極２と金属薄膜層３を順次
積層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は有機薄膜発光素子の正
極に係り、特に正極の表面平滑性が良好で、発光安定
性、発光効率に優れる有機薄膜発光素子に関する。
極に係り、特に正極の表面平滑性が良好で、発光安定
性、発光効率に優れる有機薄膜発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
【０００３】特に、電極／正孔注入層／発光層／電極か
らなる積層型において、発光剤にトリス（８−ヒドロキ
シキノリン）アルミニウムを、正孔注入剤に１，１’−
ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノフェニル）シクロヘキ
サンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で１０
００ｃｄ／ｃｍ2 以上の輝度が得られたという報告がな
されて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.Lett.
51,913,(1987))。
らなる積層型において、発光剤にトリス（８−ヒドロキ
シキノリン）アルミニウムを、正孔注入剤に１，１’−
ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノフェニル）シクロヘキ
サンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電圧で１０
００ｃｄ／ｃｍ2 以上の輝度が得られたという報告がな
されて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.Lett.
51,913,(1987))。
【０００４】図５は従来の有機薄膜発光素子の一例を示
す断面図である。絶縁性基板１の上に正極２、正孔注入
層４、発光層５、負極７が順次積層される。正孔注入
層、発光層は有機物質を用いて成膜される。
す断面図である。絶縁性基板１の上に正極２、正孔注入
層４、発光層５、負極７が順次積層される。正孔注入
層、発光層は有機物質を用いて成膜される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の有
機薄膜発光素子においては絶縁性透明基板上の正極の表
面平滑性が悪いために正極上に形成される有機層に膜質
の低下や界面の乱れが発生し有機薄膜発光素子の発光安
定性や発光効率が阻害されるという問題があった。
機薄膜発光素子においては絶縁性透明基板上の正極の表
面平滑性が悪いために正極上に形成される有機層に膜質
の低下や界面の乱れが発生し有機薄膜発光素子の発光安
定性や発光効率が阻害されるという問題があった。
【０００６】この発明は上述の点に鑑みてなされ、その
目的は正極の表面平滑性を向上させることにより発光安
定性と発光効率に優れる有機薄膜発光素子を提供するこ
とにある。
目的は正極の表面平滑性を向上させることにより発光安
定性と発光効率に優れる有機薄膜発光素子を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば透明積層体と、発光層と、負極とを有し、透明積
層体は絶縁性透明基板上に正極と金属薄膜層とが順次積
層されてなり、透明積層体の金属薄膜層と負極の間には
発光層が挟持されてなり、発光層は有機物質の膜である
とすることにより達成される。
よれば透明積層体と、発光層と、負極とを有し、透明積
層体は絶縁性透明基板上に正極と金属薄膜層とが順次積
層されてなり、透明積層体の金属薄膜層と負極の間には
発光層が挟持されてなり、発光層は有機物質の膜である
とすることにより達成される。
【０００８】
【作用】金属薄膜層を設けることにより、正極の表面が
平坦化し、均一な膜厚の有機層が形成されて電界の局所
集中や結晶化が抑制され、その結果正極の導電性や光透
過率に影響をあたえることなく有機薄膜発光素子の発光
安定性や発光効率が向上する。
平坦化し、均一な膜厚の有機層が形成されて電界の局所
集中や結晶化が抑制され、その結果正極の導電性や光透
過率に影響をあたえることなく有機薄膜発光素子の発光
安定性や発光効率が向上する。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光
素子を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実施
例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図３は
この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。
素子を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実施
例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図３は
この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。
【００１０】図４はこの発明のさらに異なる実施例に係
る有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁性基
板、２は正極、３は金属薄膜層、４は正孔注入層、５は
発光層、６は電子注入層、７は負極、８は電源である。
絶縁性基板１は素子の支持体でガラス，樹脂等の透明な
材料を用いる。正極２はインジウムスズ酸化物（ＩＴ
Ｏ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜やポリピロ
ール等の導電性高分子からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−
ム蒸着、スパッタ法または電解重合法、化学重合法によ
り形成する。該正極２は、透明性を持たせるために、５
０〜３００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
る有機薄膜発光素子を示す断面図である。１は絶縁性基
板、２は正極、３は金属薄膜層、４は正孔注入層、５は
発光層、６は電子注入層、７は負極、８は電源である。
絶縁性基板１は素子の支持体でガラス，樹脂等の透明な
材料を用いる。正極２はインジウムスズ酸化物（ＩＴ
Ｏ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜やポリピロ
ール等の導電性高分子からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−
ム蒸着、スパッタ法または電解重合法、化学重合法によ
り形成する。該正極２は、透明性を持たせるために、５
０〜３００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
【００１１】金属薄膜層３は正極２上に抵抗加熱蒸着、
電子ビ−ム蒸着、スパッタ法により形成する。金属薄膜
層３の材料としては正孔の注入性、正極への密着性の観
点から白金、金、銀、ニッケル、銅およびこれらを含有
する合金が適当である。金属薄膜層の厚さは正極２の表
面平均粗さ以上であり、発光中心波長の透過率を８０％
以上に維持できることが望ましい。
電子ビ−ム蒸着、スパッタ法により形成する。金属薄膜
層３の材料としては正孔の注入性、正極への密着性の観
点から白金、金、銀、ニッケル、銅およびこれらを含有
する合金が適当である。金属薄膜層の厚さは正極２の表
面平均粗さ以上であり、発光中心波長の透過率を８０％
以上に維持できることが望ましい。
【００１２】正孔注入層４は正孔を効率良く輸送し、且
つ注入することが必要で発光した光の発光極大波長領域
においてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方
法としてスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗
加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一
般的である。膜厚は２００ないし５０００Åであり、好
適には３００ないし８００Åである。正孔注入物質とし
ては化学式（Ｉ−１）ないし化学式（Ｉ−７）に示すよ
うな有機物質またはその誘導体のうち少なくともその一
種類を成分とする。代表的な正孔注入物質が以下に示さ
れる。
つ注入することが必要で発光した光の発光極大波長領域
においてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方
法としてスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗
加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一
般的である。膜厚は２００ないし５０００Åであり、好
適には３００ないし８００Åである。正孔注入物質とし
ては化学式（Ｉ−１）ないし化学式（Ｉ−７）に示すよ
うな有機物質またはその誘導体のうち少なくともその一
種類を成分とする。代表的な正孔注入物質が以下に示さ
れる。
【００１３】
【化１】
【００１４】発光層５は正孔注入層または正極から注入
された正孔と、負極または電子注入層より注入された電
子の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピ
ンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電
子ビ−ム蒸着、分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸
着、分子線エピタキシが好ましい。膜厚は２００ないし
５０００Åであるが好適には３００ないし８００Åであ
る。発光物質としては化学式（II−１）ないし化学式
（II−５）に示すような有機物質またはその誘導体のう
ち少なくともその一種類を成分とする。
された正孔と、負極または電子注入層より注入された電
子の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピ
ンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電
子ビ−ム蒸着、分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸
着、分子線エピタキシが好ましい。膜厚は２００ないし
５０００Åであるが好適には３００ないし８００Åであ
る。発光物質としては化学式（II−１）ないし化学式
（II−５）に示すような有機物質またはその誘導体のう
ち少なくともその一種類を成分とする。
【００１５】
【化２】
【００１６】電子注入層６は電子を効率良く発光層に注
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、
分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸着、分子線エピ
タキシが一般的である。膜厚は２００ないし５０００Å
であるが好適には３００ないし８００Åである。電子注
入物質としては化学式（III −１）ないし化学式（III
−３）に示すような有機物質またはその誘導体のうち少
なくともその一種類を成分とする。
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、
分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸着、分子線エピ
タキシが一般的である。膜厚は２００ないし５０００Å
であるが好適には３００ないし８００Åである。電子注
入物質としては化学式（III −１）ないし化学式（III
−３）に示すような有機物質またはその誘導体のうち少
なくともその一種類を成分とする。
【００１７】
【化３】
【００１８】負極７は電子を効率良く有機層に注入する
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，電
子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極７用材料
としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，
Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用いられる。 実施例１ 膜厚約１０００ÅのＩＴＯを設けた厚さ１．１ｍｍのガ
ラス基板上に、図１に示すように白金，金，銀または銅
を電子ビーム蒸着法により１０ｎｍ成膜した。次に正孔
注入層は化学式（Ｉ−１）に示す物質を用いて成膜し
た。発光層には化学式（II−１）に示す物質を用いて成
膜した。負極としてＭｇ−Ｓｃ合金（９：１の重量比
率）を電子ビーム蒸着法により作成した。以上の成膜は
１〜５×１０ -5Ｐａの真空度を維持して行った。
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，電
子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極７用材料
としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，
Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用いられる。 実施例１ 膜厚約１０００ÅのＩＴＯを設けた厚さ１．１ｍｍのガ
ラス基板上に、図１に示すように白金，金，銀または銅
を電子ビーム蒸着法により１０ｎｍ成膜した。次に正孔
注入層は化学式（Ｉ−１）に示す物質を用いて成膜し
た。発光層には化学式（II−１）に示す物質を用いて成
膜した。負極としてＭｇ−Ｓｃ合金（９：１の重量比
率）を電子ビーム蒸着法により作成した。以上の成膜は
１〜５×１０ -5Ｐａの真空度を維持して行った。
【００１９】得られた有機薄膜発光素子に直流電圧を印
加して連続駆動した。電圧は初期輝度が２００ｃｄ／ｍ
2 となるように調整した。初期の発光効率と輝度が初期
の１／２になるまでの連続発光時間を輝度半減寿命と定
義した。結果が表１に示される。 比較例１ 金属薄膜層がない他は実施例１と同様にして有機薄膜発
光素子を作成した。
加して連続駆動した。電圧は初期輝度が２００ｃｄ／ｍ
2 となるように調整した。初期の発光効率と輝度が初期
の１／２になるまでの連続発光時間を輝度半減寿命と定
義した。結果が表１に示される。 比較例１ 金属薄膜層がない他は実施例１と同様にして有機薄膜発
光素子を作成した。
【００２０】
【表１】 本実施例の有機薄膜発光素子は比較例１に比し、初期発
光効率が最大３．７倍、輝度半減寿命が最大５．９倍と
なった。 実施例２ 膜厚約１０００ÅのＩＴＯを設けた厚さ１．１ｍｍのガ
ラス基板上に、図２に示すように白金，金，銀または銅
を電子ビーム蒸着法により１０ｎｍ成膜した。発光層は
化学式（II−１）に示す物質を用いて成膜した。負極と
してＭｇ−Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を電子ビーム
蒸着法により作成した。以上の成膜は１〜５×１０-5Ｐ
ａの真空度を維持して行った。
光効率が最大３．７倍、輝度半減寿命が最大５．９倍と
なった。 実施例２ 膜厚約１０００ÅのＩＴＯを設けた厚さ１．１ｍｍのガ
ラス基板上に、図２に示すように白金，金，銀または銅
を電子ビーム蒸着法により１０ｎｍ成膜した。発光層は
化学式（II−１）に示す物質を用いて成膜した。負極と
してＭｇ−Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を電子ビーム
蒸着法により作成した。以上の成膜は１〜５×１０-5Ｐ
ａの真空度を維持して行った。
【００２１】得られた有機薄膜発光素子に直流電圧を印
加して連続駆動した。電圧は初期輝度が２００ｃｄ／ｍ
2 となるように調整した。初期の発光効率と輝度が初期
の１／２になるまでの連続発光時間を輝度半減寿命と定
義した。結果が表２に示される。 比較例２ 金属薄膜層がない他は実施例２と同様にして有機薄膜発
光素子を作成した。
加して連続駆動した。電圧は初期輝度が２００ｃｄ／ｍ
2 となるように調整した。初期の発光効率と輝度が初期
の１／２になるまでの連続発光時間を輝度半減寿命と定
義した。結果が表２に示される。 比較例２ 金属薄膜層がない他は実施例２と同様にして有機薄膜発
光素子を作成した。
【００２２】
【表２】 本実施例の有機薄膜発光素子は比較例２に比し、初期発
光効率が最大３．４倍、輝度半減寿命が最大５．２倍と
なった。 実施例３ 膜厚約１０００ÅのＩＴＯを設けた厚さ１．１ｍｍのガ
ラス基板上に、図３に示すように白金，金，銀または銅
を電子ビーム蒸着法により１０ｎｍ成膜した。発光層は
化学式（II−１）に示す物質を用いて成膜した。電子注
入層は化学式（III −１）に示す物質を用いて成膜し
た。負極としてＭｇ−Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を
電子ビーム蒸着法により作成した。以上の成膜は１〜５
×１０-5Ｐａの真空度を維持して行った。
光効率が最大３．４倍、輝度半減寿命が最大５．２倍と
なった。 実施例３ 膜厚約１０００ÅのＩＴＯを設けた厚さ１．１ｍｍのガ
ラス基板上に、図３に示すように白金，金，銀または銅
を電子ビーム蒸着法により１０ｎｍ成膜した。発光層は
化学式（II−１）に示す物質を用いて成膜した。電子注
入層は化学式（III −１）に示す物質を用いて成膜し
た。負極としてＭｇ−Ｓｃ合金（９：１の重量比率）を
電子ビーム蒸着法により作成した。以上の成膜は１〜５
×１０-5Ｐａの真空度を維持して行った。
【００２３】得られた有機薄膜発光素子に直流電圧を印
加して連続駆動した。電圧は初期輝度が２００ｃｄ／ｍ
2 となるように調整した。初期の発光効率と輝度が初期
の１／２になるまでの連続発光時間を輝度半減寿命と定
義した。 比較例３ 金属薄膜層がない他は実施例３と同様にして有機薄膜発
光素子を作成した。
加して連続駆動した。電圧は初期輝度が２００ｃｄ／ｍ
2 となるように調整した。初期の発光効率と輝度が初期
の１／２になるまでの連続発光時間を輝度半減寿命と定
義した。 比較例３ 金属薄膜層がない他は実施例３と同様にして有機薄膜発
光素子を作成した。
【００２４】結果が表３に示される。
【００２５】
【表３】 本実施例の有機薄膜発光素子は比較例３に比し、初期発
光効率が最大１．６倍、輝度半減寿命が最大３．０倍と
なった。 実施例４ 膜厚約１０００ÅのＩＴＯを設けた厚さ１．１ｍｍのガ
ラス基板上に、図４に示すように白金，金，銀または銅
を電子ビーム蒸着法により１０ｎｍ成膜した。次に正孔
注入層は化学式（Ｉ−１）に示す物質を用いて成膜し
た。発光層は化学式（II−１）に示す物質を用いて成膜
した。電子注入層は化学式（III −１）に示す物質を用
いて成膜した。負極としてＭｇ−Ｓｃ合金（９：１の重
量比率）を電子ビーム蒸着法により作成した。以上の成
膜は１〜５×１０-5Ｐａの真空度を維持して行った。
光効率が最大１．６倍、輝度半減寿命が最大３．０倍と
なった。 実施例４ 膜厚約１０００ÅのＩＴＯを設けた厚さ１．１ｍｍのガ
ラス基板上に、図４に示すように白金，金，銀または銅
を電子ビーム蒸着法により１０ｎｍ成膜した。次に正孔
注入層は化学式（Ｉ−１）に示す物質を用いて成膜し
た。発光層は化学式（II−１）に示す物質を用いて成膜
した。電子注入層は化学式（III −１）に示す物質を用
いて成膜した。負極としてＭｇ−Ｓｃ合金（９：１の重
量比率）を電子ビーム蒸着法により作成した。以上の成
膜は１〜５×１０-5Ｐａの真空度を維持して行った。
【００２６】得られた有機薄膜発光素子に直流電圧を印
加して連続駆動した。電圧は初期輝度が２００ｃｄ／ｍ
2 となるように調整した。初期の発光効率と輝度が初期
の１／２になるまでの連続発光時間を輝度半減寿命と定
義した。 比較例４ 金属薄膜層がない他は実施例４と同様にして有機薄膜発
光素子を作成した。
加して連続駆動した。電圧は初期輝度が２００ｃｄ／ｍ
2 となるように調整した。初期の発光効率と輝度が初期
の１／２になるまでの連続発光時間を輝度半減寿命と定
義した。 比較例４ 金属薄膜層がない他は実施例４と同様にして有機薄膜発
光素子を作成した。
【００２７】結果が表４に示される。
【００２８】
【表４】 本実施例の有機薄膜発光素子は比較例４に比し、初期発
光効率が最大３．５倍、輝度半減寿命が最大４．３倍と
なった。
光効率が最大３．５倍、輝度半減寿命が最大４．３倍と
なった。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば透明積層体と、発光層
と、負極とを有し、透明積層体は絶縁性基板上に正極と
金属薄膜層とが順次積層されてなり、 透明積層体の金
属薄膜層と負極の間には発光層が挟持されてなり、発光
層は有機物質の膜であるとするので、金属薄膜層を設け
ることにより、正極の表面が平坦化し、均一な膜厚の有
機層が形成されて電界の局所集中や結晶化が抑制され、
その結果正極の導電性や光透過率に影響をあたえること
なく発光安定性や発光効率の向上した有機薄膜発光素子
が得られる。
と、負極とを有し、透明積層体は絶縁性基板上に正極と
金属薄膜層とが順次積層されてなり、 透明積層体の金
属薄膜層と負極の間には発光層が挟持されてなり、発光
層は有機物質の膜であるとするので、金属薄膜層を設け
ることにより、正極の表面が平坦化し、均一な膜厚の有
機層が形成されて電界の局所集中や結晶化が抑制され、
その結果正極の導電性や光透過率に影響をあたえること
なく発光安定性や発光効率の向上した有機薄膜発光素子
が得られる。
【図１】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図
す断面図
【図２】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図
子を示す断面図
【図３】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図
発光素子を示す断面図
【図４】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図
発光素子を示す断面図
【図５】従来の有機薄膜発光素子を示す断面図
１ 絶縁性基板 ２ 正極 ３ 金属薄膜層 ４ 正孔注入層 ５ 発光層 ６ 電子注入層 ７ 負極 ８ 電源
Claims (5)
- 【請求項１】透明積層体と、発光層と、負極とを有し、 透明積層体は絶縁性基板上に正極と金属薄膜層とが順次
積層されてなり、透明積層体の金属薄膜層と負極の間に
は発光層が挟持されてなり、 発光層は有機物質の膜であることを特徴とする有機薄膜
発光素子。 - 【請求項２】請求項１記載の有機薄膜発光素子におい
て、正極はインジウムスズ酸化物からなることを特徴と
する有機薄膜発光素子。 - 【請求項３】請求項１記載の有機薄膜発光素子におい
て、金属薄膜層は白金からなることを特徴とする有機薄
膜発光素子。 - 【請求項４】請求項１記載の有機薄膜発光素子におい
て、金属薄膜層と発光層の間には正孔注入層が設けられ
ることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項５】請求項１記載の有機薄膜発光素子におい
て、発光層と負極の間には電子注入層が設けられること
を特徴とする有機薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4242434A JPH0693256A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4242434A JPH0693256A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0693256A true JPH0693256A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=17089041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4242434A Pending JPH0693256A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693256A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2726692A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-10 | Thomson Csf | Diode electroluminescente a base de polymere reticule et polymere greffe electroluminescent |
| EP0892587A3 (en) * | 1997-07-16 | 1999-09-29 | TDK Corporation | Organic EL device and method for production thereof |
| JP2002237382A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-23 | Stanley Electric Co Ltd | 有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JP2003115393A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、画像表示装置 |
| US6596134B2 (en) * | 1994-12-13 | 2003-07-22 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating transparent contacts for organic devices |
| CN101894922A (zh) * | 2010-06-29 | 2010-11-24 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 有机发光器件、其复合阳极及其制作方法 |
| JP2013532363A (ja) * | 2010-06-18 | 2013-08-15 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 制御された放射を有する透明発光デバイス |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4242434A patent/JPH0693256A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2726692A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-10 | Thomson Csf | Diode electroluminescente a base de polymere reticule et polymere greffe electroluminescent |
| EP0712171A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-15 | Thomson-Csf | Diode électroluminescente à base de polymère réticulé et polymère greffé électroluminescent |
| US6596134B2 (en) * | 1994-12-13 | 2003-07-22 | The Trustees Of Princeton University | Method of fabricating transparent contacts for organic devices |
| EP0892587A3 (en) * | 1997-07-16 | 1999-09-29 | TDK Corporation | Organic EL device and method for production thereof |
| US6597109B1 (en) | 1997-07-16 | 2003-07-22 | Tdk Corporation | Organic EL device and method for production thereof |
| JP2002237382A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-23 | Stanley Electric Co Ltd | 有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JP2003115393A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、画像表示装置 |
| JP2013532363A (ja) * | 2010-06-18 | 2013-08-15 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 制御された放射を有する透明発光デバイス |
| CN101894922A (zh) * | 2010-06-29 | 2010-11-24 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 有机发光器件、其复合阳极及其制作方法 |
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