JPH0562796A - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
- Publication number
- JPH0562796A JPH0562796A JP3224019A JP22401991A JPH0562796A JP H0562796 A JPH0562796 A JP H0562796A JP 3224019 A JP3224019 A JP 3224019A JP 22401991 A JP22401991 A JP 22401991A JP H0562796 A JPH0562796 A JP H0562796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- plasma
- generation chamber
- plasma generation
- waveguide
- Prior art date
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- Pending
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- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な密度のプラズマを生成し、均一な速度
で試料表面を処理することができるマイクロ波プラズマ
装置を提供すること。 【構成】 プラズマ生成室11にマイクロ波を導くマイ
クロ波導波管14を備え、プラズマ生成室11の周囲に
は電磁コイル18が配設されたマイクロ波プラズマ装置
において、プラズマ生成室11がマイクロ波透過可能な
材料を用いて形成される一方、マイクロ波導波管14の
一端は、マイクロ波発振器に接続され、その他端は、プ
ラズマ生成室11を囲繞するように形成され、プラズマ
生成室11を囲繞したマイクロ波導波管14部分には誘
電体13が充填されているマイクロ波プラズマ装置。
で試料表面を処理することができるマイクロ波プラズマ
装置を提供すること。 【構成】 プラズマ生成室11にマイクロ波を導くマイ
クロ波導波管14を備え、プラズマ生成室11の周囲に
は電磁コイル18が配設されたマイクロ波プラズマ装置
において、プラズマ生成室11がマイクロ波透過可能な
材料を用いて形成される一方、マイクロ波導波管14の
一端は、マイクロ波発振器に接続され、その他端は、プ
ラズマ生成室11を囲繞するように形成され、プラズマ
生成室11を囲繞したマイクロ波導波管14部分には誘
電体13が充填されているマイクロ波プラズマ装置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ装
置、より詳細にはプラズマ生成室にマイクロ波を導くマ
イクロ波導波管を備え、前記プラズマ生成室の周囲には
電磁コイルが配設されたマイクロ波プラズマ装置に関す
る。
置、より詳細にはプラズマ生成室にマイクロ波を導くマ
イクロ波導波管を備え、前記プラズマ生成室の周囲には
電磁コイルが配設されたマイクロ波プラズマ装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】電子サイクロトロン共鳴(以下ECRと
記す)励起によりプラズマを発生させる方法は、低ガス
圧力で電離度の高いプラズマを生成でき、イオンエネル
ギの広範な選択が可能であり、また大きなイオン電流が
とれ、イオン流の指向性及び均一性に優れる等の利点を
有している。このため、高周波半導体素子等の製造にお
ける薄膜形成やエッチング等のプロセスには欠かせない
ものとして、盛んに研究開発が進められている。
記す)励起によりプラズマを発生させる方法は、低ガス
圧力で電離度の高いプラズマを生成でき、イオンエネル
ギの広範な選択が可能であり、また大きなイオン電流が
とれ、イオン流の指向性及び均一性に優れる等の利点を
有している。このため、高周波半導体素子等の製造にお
ける薄膜形成やエッチング等のプロセスには欠かせない
ものとして、盛んに研究開発が進められている。
【0003】図3は従来のマイクロ波プラズマ装置の一
例としてのエッチング装置を模式的に示した断面図であ
り、図中41はプラズマ生成室を示している。プラズマ
生成室41は、内部に冷却水路41aが形成された円筒
形状をなす周壁41bと、上部壁41cと、下部壁41
dとにより仕切られて構成されており、上部壁41cの
略中央にはマイクロ波導入口42が形成されている。マ
イクロ波導入口42は、その上部に配設されたマイクロ
波導入窓43によって封止されており、マイクロ波導入
口42には、このマイクロ波導入窓43を介して導波管
44の下端が接続されている。導波管44の上端は、図
示しないマイクロ波発振器に接続され、マイクロ波発振
器で発生したマイクロ波は、導波管44及びマイクロ波
導入窓43を介してプラズマ生成室41内へ導かれるよ
うになっている。さらに、上部壁41cにはガス供給管
45が接続されており、プラズマ生成室41及び導波管
44の下端側にわたってその周りには、プラズマ生成室
41と略同心状に励磁コイル48が配設されている。
例としてのエッチング装置を模式的に示した断面図であ
り、図中41はプラズマ生成室を示している。プラズマ
生成室41は、内部に冷却水路41aが形成された円筒
形状をなす周壁41bと、上部壁41cと、下部壁41
dとにより仕切られて構成されており、上部壁41cの
略中央にはマイクロ波導入口42が形成されている。マ
イクロ波導入口42は、その上部に配設されたマイクロ
波導入窓43によって封止されており、マイクロ波導入
口42には、このマイクロ波導入窓43を介して導波管
44の下端が接続されている。導波管44の上端は、図
示しないマイクロ波発振器に接続され、マイクロ波発振
器で発生したマイクロ波は、導波管44及びマイクロ波
導入窓43を介してプラズマ生成室41内へ導かれるよ
うになっている。さらに、上部壁41cにはガス供給管
45が接続されており、プラズマ生成室41及び導波管
44の下端側にわたってその周りには、プラズマ生成室
41と略同心状に励磁コイル48が配設されている。
【0004】一方、プラズマ生成室41の下部壁41d
には、プラズマ引き出し窓46が形成されており、プラ
ズマ引き出し窓46の下方にはプラズマ引き出し窓46
によりプラズマ生成室41と連通する試料室47が配設
されている。試料室47のプラズマ引き出し窓46に対
向する箇所には、試料Sを静電チャック等により保持す
る試料台49が配設され、試料室47の下部壁には、図
示しない排気装置に接続される排気口50が形成されて
いる。
には、プラズマ引き出し窓46が形成されており、プラ
ズマ引き出し窓46の下方にはプラズマ引き出し窓46
によりプラズマ生成室41と連通する試料室47が配設
されている。試料室47のプラズマ引き出し窓46に対
向する箇所には、試料Sを静電チャック等により保持す
る試料台49が配設され、試料室47の下部壁には、図
示しない排気装置に接続される排気口50が形成されて
いる。
【0005】このように構成されているマイクロ波プラ
ズマ装置を用いて試料Sにエッチング処理を施す場合
は、まずプラズマ生成室41及び試料室47内を所要の
真空度に設定し、次いでプラズマ生成室41内にガス供
給管45を通じて所要のガスを供給した後、励磁コイル
48で磁界を形成しつつ導波管44よりプラズマ生成室
41内にマイクロ波を導入する。するとプラズマ生成室
41を空洞共振器としてガスが共鳴励起され、プラズマ
生成室41内でプラズマが発生する。発生したプラズマ
は、励磁コイル45によって形成された試料室47側に
向かうに従い磁束密度が低下している発散磁界により、
試料室47内の試料S周辺に投射され、これにより試料
S表面にエッチングが施される。
ズマ装置を用いて試料Sにエッチング処理を施す場合
は、まずプラズマ生成室41及び試料室47内を所要の
真空度に設定し、次いでプラズマ生成室41内にガス供
給管45を通じて所要のガスを供給した後、励磁コイル
48で磁界を形成しつつ導波管44よりプラズマ生成室
41内にマイクロ波を導入する。するとプラズマ生成室
41を空洞共振器としてガスが共鳴励起され、プラズマ
生成室41内でプラズマが発生する。発生したプラズマ
は、励磁コイル45によって形成された試料室47側に
向かうに従い磁束密度が低下している発散磁界により、
試料室47内の試料S周辺に投射され、これにより試料
S表面にエッチングが施される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したマイクロ波プ
ラズマ装置において、励磁コイル48により発散磁界が
形成され、荷電粒子は磁力線に沿って運動し、エッチン
グや成膜に寄与するプラズマ中のイオンが試料Sに入射
する。しかしながら、プラズマ生成室41へのマイクロ
波導入部となるマイクロ波導入口42がプラズマ生成室
41の中央上方部に局在しており、しかもプラズマ引き
出し窓46もプラズマ生成室41の中央下方部に形成さ
れていることから試料S表面でのプラズマ密度の分布が
試料S中心部で高くなり、プラズマ密度の高い中心部が
処理速度においても速く、均一に成膜されないあるいは
エッチングという課題があった。
ラズマ装置において、励磁コイル48により発散磁界が
形成され、荷電粒子は磁力線に沿って運動し、エッチン
グや成膜に寄与するプラズマ中のイオンが試料Sに入射
する。しかしながら、プラズマ生成室41へのマイクロ
波導入部となるマイクロ波導入口42がプラズマ生成室
41の中央上方部に局在しており、しかもプラズマ引き
出し窓46もプラズマ生成室41の中央下方部に形成さ
れていることから試料S表面でのプラズマ密度の分布が
試料S中心部で高くなり、プラズマ密度の高い中心部が
処理速度においても速く、均一に成膜されないあるいは
エッチングという課題があった。
【0007】本発明は上記した課題に鑑みなされたもの
であり、プラズマを試料表面Sに均一に分布させること
ができ、従ってプラズマによる試料表面におけるの処理
速度を均一にすることができ、優れた形状のエッチング
あるいは均一な成膜を行なうことが可能なマイクロ波プ
ラズマ装置を提供することを目的としている。
であり、プラズマを試料表面Sに均一に分布させること
ができ、従ってプラズマによる試料表面におけるの処理
速度を均一にすることができ、優れた形状のエッチング
あるいは均一な成膜を行なうことが可能なマイクロ波プ
ラズマ装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために本発明に係るマイクロ波プラズマ装置は、プラズ
マ生成室にマイクロ波を導くマイクロ波導波管を備え、
前記プラズマ生成室の周囲には電磁コイルが配設された
マイクロ波プラズマ装置において、前記プラズマ生成室
がマイクロ波透過可能な材料を用いて形成される一方、
前記マイクロ波導波管の一端は、マイクロ波発振器に接
続され、その他端は、前記プラズマ生成室を囲繞するよ
うに形成され、該プラズマ生成室を囲繞したマイクロ波
導波管部分には誘電体が充填されていることを特徴とし
ている。
ために本発明に係るマイクロ波プラズマ装置は、プラズ
マ生成室にマイクロ波を導くマイクロ波導波管を備え、
前記プラズマ生成室の周囲には電磁コイルが配設された
マイクロ波プラズマ装置において、前記プラズマ生成室
がマイクロ波透過可能な材料を用いて形成される一方、
前記マイクロ波導波管の一端は、マイクロ波発振器に接
続され、その他端は、前記プラズマ生成室を囲繞するよ
うに形成され、該プラズマ生成室を囲繞したマイクロ波
導波管部分には誘電体が充填されていることを特徴とし
ている。
【0009】
【作用】上記した装置によれば、プラズマ生成室にマイ
クロ波を導くマイクロ波導波管を備え、前記プラズマ生
成室の周囲には電磁コイルが配設されたマイクロ波プラ
ズマ装置において、前記プラズマ生成室がマイクロ波透
過可能な材料を用いて形成される一方、前記マイクロ波
導波管の一端は、マイクロ波発振器に接続され、その他
端は、前記プラズマ生成室を囲繞するように形成され、
該プラズマ生成室を囲繞したマイクロ波導波管部分には
誘電体が充填されているので、マイクロ波が前記マイク
ロ波導波管先端部に充填された前記誘電体から、前記プ
ラズマ生成室内のほぼ全域にわたって導入され、該プラ
ズマ生成室において均一な密度をプラズマが発生し、発
生したプラズマは磁界により試料へと導かれる。従っ
て、試料全表面に密度が均一なプラズマが到達すること
となり、エッチングあるいは膜形成が均一速度で行なわ
れる。
クロ波を導くマイクロ波導波管を備え、前記プラズマ生
成室の周囲には電磁コイルが配設されたマイクロ波プラ
ズマ装置において、前記プラズマ生成室がマイクロ波透
過可能な材料を用いて形成される一方、前記マイクロ波
導波管の一端は、マイクロ波発振器に接続され、その他
端は、前記プラズマ生成室を囲繞するように形成され、
該プラズマ生成室を囲繞したマイクロ波導波管部分には
誘電体が充填されているので、マイクロ波が前記マイク
ロ波導波管先端部に充填された前記誘電体から、前記プ
ラズマ生成室内のほぼ全域にわたって導入され、該プラ
ズマ生成室において均一な密度をプラズマが発生し、発
生したプラズマは磁界により試料へと導かれる。従っ
て、試料全表面に密度が均一なプラズマが到達すること
となり、エッチングあるいは膜形成が均一速度で行なわ
れる。
【0010】
【実施例】以下、本発明に係るマイクロ波プラズマ装置
の実施例を図面に基づいて説明する。
の実施例を図面に基づいて説明する。
【0011】図1は本発明に係るマイクロ波プラズマ装
置の一実施例を模式的に示した断面図であり、図中11
は平面視円形状に形成されたプラズマ生成室を示してお
り、プラズマ生成室11は、マイクロ波透過可能な石英
製ベルジャー12により形成されている。マイクロ波導
波管14の一端は図示しないマイクロ波発振器に接続さ
れており、その他端は、石英製ベルジャー12を囲むよ
うに配設されている。この石英ベルジャー12を囲んで
いるマイクロ波導波管14部分にはテフロン製の誘電体
13が充填されている。誘電体13はある程度の厚み
(例えば20mm程度)があれば誘電体線路として十分
であり、また誘電体13の厚みを薄くしたりあるいは誘
電体13を途中でなくすことにより、誘電体13からプ
ラズマ生成室11へのマイクロ波の放射具合を調整する
ことができる。また誘電体13の上端面は斜めにカット
された形態となっており、このように傾斜面13aが形
成されていることによりマイクロ波発振器からのマイク
ロ波の反射を減らすことができる。そしてマイクロ波発
振器で発生したマイクロ波は、マイクロ波導波管14及
び誘電体13を介し、石英製ベルジャー12を透過して
プラズマ生成室11内へ導かれるようになっている。
置の一実施例を模式的に示した断面図であり、図中11
は平面視円形状に形成されたプラズマ生成室を示してお
り、プラズマ生成室11は、マイクロ波透過可能な石英
製ベルジャー12により形成されている。マイクロ波導
波管14の一端は図示しないマイクロ波発振器に接続さ
れており、その他端は、石英製ベルジャー12を囲むよ
うに配設されている。この石英ベルジャー12を囲んで
いるマイクロ波導波管14部分にはテフロン製の誘電体
13が充填されている。誘電体13はある程度の厚み
(例えば20mm程度)があれば誘電体線路として十分
であり、また誘電体13の厚みを薄くしたりあるいは誘
電体13を途中でなくすことにより、誘電体13からプ
ラズマ生成室11へのマイクロ波の放射具合を調整する
ことができる。また誘電体13の上端面は斜めにカット
された形態となっており、このように傾斜面13aが形
成されていることによりマイクロ波発振器からのマイク
ロ波の反射を減らすことができる。そしてマイクロ波発
振器で発生したマイクロ波は、マイクロ波導波管14及
び誘電体13を介し、石英製ベルジャー12を透過して
プラズマ生成室11内へ導かれるようになっている。
【0012】プラズマ生成室11の下部には、プラズマ
引き出し窓11aを介してプラズマ生成室11と連通す
る試料室17が配設されている。
引き出し窓11aを介してプラズマ生成室11と連通す
る試料室17が配設されている。
【0013】また、試料室17の略中央のプラズマ引き
出し窓11aと対向する箇所には、試料Sを静電チャッ
ク等により保持する試料台19が配設されており、試料
台19の両側には排気口20が形成されている。
出し窓11aと対向する箇所には、試料Sを静電チャッ
ク等により保持する試料台19が配設されており、試料
台19の両側には排気口20が形成されている。
【0014】一方、プラズマ生成室11及びマイクロ波
導波管14の下端部近傍周りには、プラズマ生成室11
と略同心状に電磁コイル18が配設されている。
導波管14の下端部近傍周りには、プラズマ生成室11
と略同心状に電磁コイル18が配設されている。
【0015】このように構成されたマイクロ波プラズマ
装置においては、試料台19に試料Sを載置した後、プ
ラズマ生成室11及び試料室17内を所要の真空度に設
定し、次いでプラズマ生成室11内に図示しないガス供
給管を通じて所要のガスを供給する。そして電磁コイル
18に直流電流を通流する。マイクロ波導波管14、誘
電体13を介してプラズマ生成室11にマイクロ波を導
き、プラズマ生成室11にプラズマを発生させる。一
方、電磁コイル18への通流によりプラズマ生成室11
のほぼ全域にわたって下向きの磁界が一様に形成され、
この発散磁界によりプラズマは試料Sに対して均一な密
度で注がれる。
装置においては、試料台19に試料Sを載置した後、プ
ラズマ生成室11及び試料室17内を所要の真空度に設
定し、次いでプラズマ生成室11内に図示しないガス供
給管を通じて所要のガスを供給する。そして電磁コイル
18に直流電流を通流する。マイクロ波導波管14、誘
電体13を介してプラズマ生成室11にマイクロ波を導
き、プラズマ生成室11にプラズマを発生させる。一
方、電磁コイル18への通流によりプラズマ生成室11
のほぼ全域にわたって下向きの磁界が一様に形成され、
この発散磁界によりプラズマは試料Sに対して均一な密
度で注がれる。
【0016】このように磁界を形成しつつ、マイクロ波
導波管14よりプラズマ生成室11内にマイクロ波を導
入すると、プラズマ生成室11を空洞共振器としてガス
が共鳴励起され、プラズマ生成室11内の広い領域にお
いて効率良くプラズマが発生する。また誘電体13によ
りマイクロ波は、プラズマ生成室11内に均一密度で供
給されるため、プラズマ生成室11内の略全域において
プラズマが均一に発生することとなり、プラズマ中のイ
オンが試料Sに対して均一密度で入射し、試料S表面に
均一速度で処理が行なわれることとなる。
導波管14よりプラズマ生成室11内にマイクロ波を導
入すると、プラズマ生成室11を空洞共振器としてガス
が共鳴励起され、プラズマ生成室11内の広い領域にお
いて効率良くプラズマが発生する。また誘電体13によ
りマイクロ波は、プラズマ生成室11内に均一密度で供
給されるため、プラズマ生成室11内の略全域において
プラズマが均一に発生することとなり、プラズマ中のイ
オンが試料Sに対して均一密度で入射し、試料S表面に
均一速度で処理が行なわれることとなる。
【0017】図2は本発明に係るマイクロ波プラズマ装
置の別の実施例を模式的に示した断面図であり、図中2
1は半球形状に形成されたプラズマ生成室を示してい
る。プラズマ生成室21は、マイクロ波透過可能な石英
製ベルジャー22により形成されており、石英製ベルジ
ャー22を囲むようにしてマイクロ波導波管24の一端
部が配設されている。このマイクロ波導波管24の一端
部にはテフロン製の誘電体23が充填され誘電体23の
マイクロ波発振器側端面は傾斜面23aとなっている。
またマイクロ波導波管24の右端は図示しないマイクロ
波発振器に接続されている。そしてマイクロ波発振器で
発生したマイクロ波はマイクロ波導波管24及び誘電体
23を介し、石英製ベルジャー22を透過してプラズマ
生成室21内へ導かれるようになっている。
置の別の実施例を模式的に示した断面図であり、図中2
1は半球形状に形成されたプラズマ生成室を示してい
る。プラズマ生成室21は、マイクロ波透過可能な石英
製ベルジャー22により形成されており、石英製ベルジ
ャー22を囲むようにしてマイクロ波導波管24の一端
部が配設されている。このマイクロ波導波管24の一端
部にはテフロン製の誘電体23が充填され誘電体23の
マイクロ波発振器側端面は傾斜面23aとなっている。
またマイクロ波導波管24の右端は図示しないマイクロ
波発振器に接続されている。そしてマイクロ波発振器で
発生したマイクロ波はマイクロ波導波管24及び誘電体
23を介し、石英製ベルジャー22を透過してプラズマ
生成室21内へ導かれるようになっている。
【0018】プラズマ生成室21の下部には、プラズマ
生成室21と連通する試料室27が配設されている。
生成室21と連通する試料室27が配設されている。
【0019】また、試料室27の略中央に位置する箇所
には、試料Sを静電チェック等により保持する試料台1
9が配設されており、試料台19の下方には排気口30
が形成されている。
には、試料Sを静電チェック等により保持する試料台1
9が配設されており、試料台19の下方には排気口30
が形成されている。
【0020】一方、プラズマ生成室21及びマイクロ波
導波管24の下端部近傍周りには、プラズマ生成室21
と略同心状に電磁コイル28が配設されている。
導波管24の下端部近傍周りには、プラズマ生成室21
と略同心状に電磁コイル28が配設されている。
【0021】図2に示した実施例のものにおいても図1
に示した実施例のものと同様の作用効果を得ることがで
きる。
に示した実施例のものと同様の作用効果を得ることがで
きる。
【0022】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明に係るマイクロ波プラズマ装置にあっては、プラズマ
生成室にマイクロ波を導くマイクロ波導波管を備え、前
記プラズマ生成室の周囲には電磁コイルが配設されたマ
イクロ波プラズマ装置において、前記プラズマ生成室が
マイクロ波透過可能な材料を用いて形成される一方、前
記マイクロ波導波管の一端は、マイクロ波発振器に接続
され、その他端は、前記プラズマ生成室を囲繞するよう
に形成され、該プラズマ生成室を囲繞したマイクロ波導
波管部分には誘電体が充填されているので、マイクロ波
が前記マイクロ波導波管及び前記誘電体を介して、前記
プラズマ生成室内のほぼ全域にわたって導入され、該プ
ラズマ生成室内に均一な密度でプラズマを発生させる。
従って、試料表面にプラズマが均一に供給されることと
なり、試料表面を均一速度で処理することができる。
明に係るマイクロ波プラズマ装置にあっては、プラズマ
生成室にマイクロ波を導くマイクロ波導波管を備え、前
記プラズマ生成室の周囲には電磁コイルが配設されたマ
イクロ波プラズマ装置において、前記プラズマ生成室が
マイクロ波透過可能な材料を用いて形成される一方、前
記マイクロ波導波管の一端は、マイクロ波発振器に接続
され、その他端は、前記プラズマ生成室を囲繞するよう
に形成され、該プラズマ生成室を囲繞したマイクロ波導
波管部分には誘電体が充填されているので、マイクロ波
が前記マイクロ波導波管及び前記誘電体を介して、前記
プラズマ生成室内のほぼ全域にわたって導入され、該プ
ラズマ生成室内に均一な密度でプラズマを発生させる。
従って、試料表面にプラズマが均一に供給されることと
なり、試料表面を均一速度で処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るマイクロ波プラズマ装置の一実施
例を摸式的に示した断面図である。
例を摸式的に示した断面図である。
【図2】本発明に係るマイクロ波プラズマ装置の別の実
施例を摸式的に示した断面図である。
施例を摸式的に示した断面図である。
【図3】従来のマイクロ波プラズマ装置の一例を概略的
に示した断面図である。
に示した断面図である。
11、21 プラズマ生成室 12、22 石英製ベルジャー 13、23 誘電体 14、24 マイクロ波導波管 18、28 電磁コイル
Claims (1)
- 【請求項1】 プラズマ生成室にマイクロ波を導くマイ
クロ波導波管を備え、前記プラズマ生成室の周囲には電
磁コイルが配設されたマイクロ波プラズマ装置におい
て、前記プラズマ生成室がマイクロ波透過可能な材料を
用いて形成される一方、前記マイクロ波導波管の一端
は、マイクロ波発振器に接続され、その他端は、前記プ
ラズマ生成室を囲繞するように形成され、該プラズマ生
成室を囲繞したマイクロ波導波管部分には誘電体が充填
されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224019A JPH0562796A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224019A JPH0562796A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562796A true JPH0562796A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16807315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3224019A Pending JPH0562796A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562796A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491649B2 (en) | 1998-12-11 | 2009-02-17 | Surface Technology Systems Plc | Plasma processing apparatus |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP3224019A patent/JPH0562796A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491649B2 (en) | 1998-12-11 | 2009-02-17 | Surface Technology Systems Plc | Plasma processing apparatus |
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