JPH0582477A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0582477A JPH0582477A JP3240897A JP24089791A JPH0582477A JP H0582477 A JPH0582477 A JP H0582477A JP 3240897 A JP3240897 A JP 3240897A JP 24089791 A JP24089791 A JP 24089791A JP H0582477 A JPH0582477 A JP H0582477A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer mounting
- dielectric
- plasma
- mounting electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】プラズマ処理装置において、ウェハ載置用電極
５のウェハ載置部に誘電体５ａを埋設した。そして、ウ
ェハ６上に生成されるプラズマの密度分布に応じて、埋
設する誘電体５ａの厚みを場所ごとに変化させるように
構成した。 【効果】ウェハ上に入射するイオンのエネルギーを、場
所ごとに調整することができるので、ウェハ上に生成さ
れるプラズマが不均一な密度分布を有する場合でも、ウ
ェハを均一にエッチング処理できるという効果がある。
５のウェハ載置部に誘電体５ａを埋設した。そして、ウ
ェハ６上に生成されるプラズマの密度分布に応じて、埋
設する誘電体５ａの厚みを場所ごとに変化させるように
構成した。 【効果】ウェハ上に入射するイオンのエネルギーを、場
所ごとに調整することができるので、ウェハ上に生成さ
れるプラズマが不均一な密度分布を有する場合でも、ウ
ェハを均一にエッチング処理できるという効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置は、たとえば、特開平２−１
６７３２号公報に記載のように、ウェハ載置用電極のウ
ェハ載置部は、アルミニウム等の金属で構成されてい
た。
６７３２号公報に記載のように、ウェハ載置用電極のウ
ェハ載置部は、アルミニウム等の金属で構成されてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、ウェ
ハ上に生成されたプラズマの密度分布の点について、配
慮がされていなかった。すなわち、ウェハ載置用電極の
ウェハ載置部が、アルミニウム等の金属で構成された場
合、ウェハ上には、ほぼ均一なイオンシースが形成され
る。このイオンシース中の電界で加速された均一なエネ
ルギーを有するイオンによりウェハが処理されるため、
プラズマ密度分布がウェハの処理速度分布となる。従っ
て、プラズマ密度分布が不均一な場合、均一にウェハが
処理できないという問題があった。
ハ上に生成されたプラズマの密度分布の点について、配
慮がされていなかった。すなわち、ウェハ載置用電極の
ウェハ載置部が、アルミニウム等の金属で構成された場
合、ウェハ上には、ほぼ均一なイオンシースが形成され
る。このイオンシース中の電界で加速された均一なエネ
ルギーを有するイオンによりウェハが処理されるため、
プラズマ密度分布がウェハの処理速度分布となる。従っ
て、プラズマ密度分布が不均一な場合、均一にウェハが
処理できないという問題があった。
【０００４】本発明は、プラズマ密度分布が不均一な場
合でも、均一にウェハを処理することが可能なプラズマ
処理装置を提供することを目的とする。
合でも、均一にウェハを処理することが可能なプラズマ
処理装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、ウェハ載置用電極のウェハ載置部に誘電体を設けた
ものである。また、ウェハ上に生成されるプラズマの密
度分布に応じて、誘電体の厚みを場所ごとに変化させて
設けたものである。
に、ウェハ載置用電極のウェハ載置部に誘電体を設けた
ものである。また、ウェハ上に生成されるプラズマの密
度分布に応じて、誘電体の厚みを場所ごとに変化させて
設けたものである。
【０００６】
【作用】ウェハ載置用電極のウェハ載置部に、場所ごと
に厚みを変化させて誘電体を設けると、ウェハ載置用電
極に高周波電圧を印加した場合、ウェハ上に生成される
イオンシースの厚さは、ウェハ面上で分布を有するよう
になる。イオンはイオンシース中の電界で加速され、イ
オンシースの厚さにほぼ比例したエネルギーを有してウ
ェハと衝突し、ウェハを処理する。従って、ウェハ上に
生成されたプラズマの密度の高い場所では、イオンシー
スの厚みが小さくなるようにし、ウェハと衝突するイオ
ンのエネルギーを小さくすれば、ウェハ上で均一な処理
が可能である。
に厚みを変化させて誘電体を設けると、ウェハ載置用電
極に高周波電圧を印加した場合、ウェハ上に生成される
イオンシースの厚さは、ウェハ面上で分布を有するよう
になる。イオンはイオンシース中の電界で加速され、イ
オンシースの厚さにほぼ比例したエネルギーを有してウ
ェハと衝突し、ウェハを処理する。従って、ウェハ上に
生成されたプラズマの密度の高い場所では、イオンシー
スの厚みが小さくなるようにし、ウェハと衝突するイオ
ンのエネルギーを小さくすれば、ウェハ上で均一な処理
が可能である。
【０００７】ウェハ載置用電極のウェハ載置部に設ける
誘電体の厚みが大きいほど、イオンシースの厚みは小さ
くなるので、ウェハ上に生成されるプラズマの密度が高
い場所ほど誘電体の厚みが大きくなるように、ウェハ載
置用電極のウェハ載置部に誘電体を設ければ、プラズマ
密度の分布に不均一が生じていても、均一なウェハ処理
が可能である。
誘電体の厚みが大きいほど、イオンシースの厚みは小さ
くなるので、ウェハ上に生成されるプラズマの密度が高
い場所ほど誘電体の厚みが大きくなるように、ウェハ載
置用電極のウェハ載置部に誘電体を設ければ、プラズマ
密度の分布に不均一が生じていても、均一なウェハ処理
が可能である。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明の一実施例である有磁場マ
イクロ波エッチング装置を示す。容器１ａおよび石英放
電管１ｂで区画された処理室１の内部を真空排気装置
（図示省略）により減圧した後、ガス供給装置（図示省
略）によりエッチングガスを処理室１内に導入し、所望
の圧力に調整する。また、処理室１は、コイル２により
生成される磁場領域内にある。マグネトロン３より発し
た、たとえば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波は導波管４
ａ，４ｂ内を伝播し、石英放電管１ｂを透過して処理室
１内に入射される。このマイクロ波によって生成された
プラズマにより、ウェハ載置用電極５に載置された被処
理材であるウェハ６がエッチング処理される。また、ウ
ェハ６のエッチング形状を制御するため、ウェハ載置用
電極５には高周波電源７が整合器８を介して接続され、
高周波電圧が印加されている。
イクロ波エッチング装置を示す。容器１ａおよび石英放
電管１ｂで区画された処理室１の内部を真空排気装置
（図示省略）により減圧した後、ガス供給装置（図示省
略）によりエッチングガスを処理室１内に導入し、所望
の圧力に調整する。また、処理室１は、コイル２により
生成される磁場領域内にある。マグネトロン３より発し
た、たとえば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波は導波管４
ａ，４ｂ内を伝播し、石英放電管１ｂを透過して処理室
１内に入射される。このマイクロ波によって生成された
プラズマにより、ウェハ載置用電極５に載置された被処
理材であるウェハ６がエッチング処理される。また、ウ
ェハ６のエッチング形状を制御するため、ウェハ載置用
電極５には高周波電源７が整合器８を介して接続され、
高周波電圧が印加されている。
【００１０】ウェハ載置用電極５は、大部分アルミニウ
ム等の金属で構成されているが、ウェハ載置部にはたと
えば、アルミナセラミックスの誘電体５ａが埋設されて
いる。誘電体５ａの厚みは、ウェハ６上に生成されるプ
ラズマの密度分布に応じて、場所ごとに変化させてい
る。本実施例の場合、プラズマ密度は中心部が最も高
く、ウェハ６の外周部に向かうにつれて減少しているた
め、埋設した誘電体５ａの厚みは中心部で最も厚く、ウ
ェハ６の外周部に向かうにつれて薄くなるように設けら
れている。従って、ウェハ載置用電極５に高周波電圧を
印加すると、ウェハ６上のイオンシースの厚さは中心部
で最も薄く、ウェハ６の外周部に向かうにつれて厚くな
る。イオンはイオンシース中の電界で加速されるため、
イオンシースの厚みにほぼ比例したエネルギーを有して
ウェハ６に衝突し、ウェハ６をエッチング処理する。つ
まり、プラズマ密度の大きい中心部ではイオンのエネル
ギーを相対的に小さくし、プラズマ密度の小さいウェハ
６の外周部ではイオンのエネルギーを相対的に大きくす
ることができるので、ウェハ６を均一にエッチング処理
することができる。
ム等の金属で構成されているが、ウェハ載置部にはたと
えば、アルミナセラミックスの誘電体５ａが埋設されて
いる。誘電体５ａの厚みは、ウェハ６上に生成されるプ
ラズマの密度分布に応じて、場所ごとに変化させてい
る。本実施例の場合、プラズマ密度は中心部が最も高
く、ウェハ６の外周部に向かうにつれて減少しているた
め、埋設した誘電体５ａの厚みは中心部で最も厚く、ウ
ェハ６の外周部に向かうにつれて薄くなるように設けら
れている。従って、ウェハ載置用電極５に高周波電圧を
印加すると、ウェハ６上のイオンシースの厚さは中心部
で最も薄く、ウェハ６の外周部に向かうにつれて厚くな
る。イオンはイオンシース中の電界で加速されるため、
イオンシースの厚みにほぼ比例したエネルギーを有して
ウェハ６に衝突し、ウェハ６をエッチング処理する。つ
まり、プラズマ密度の大きい中心部ではイオンのエネル
ギーを相対的に小さくし、プラズマ密度の小さいウェハ
６の外周部ではイオンのエネルギーを相対的に大きくす
ることができるので、ウェハ６を均一にエッチング処理
することができる。
【００１１】本実施例によれば、ウェハ載置用電極５の
ウェハ載置部に誘電体５ａを埋設することにより、ウェ
ハ６上に入射するイオンのエネルギーを場所ごとに調整
することができるので、ウェハ６上に生成されるプラズ
マが不均一な密度分布を有する場合でも、ウェハ６を均
一にエッチング処理できるという効果がある。
ウェハ載置部に誘電体５ａを埋設することにより、ウェ
ハ６上に入射するイオンのエネルギーを場所ごとに調整
することができるので、ウェハ６上に生成されるプラズ
マが不均一な密度分布を有する場合でも、ウェハ６を均
一にエッチング処理できるという効果がある。
【００１２】本実施例では、誘電体５ａとしてアルミナ
セラミックスを用いたが、その他、石英、ＳｉＣ等を用
いても同様の効果が得られる。
セラミックスを用いたが、その他、石英、ＳｉＣ等を用
いても同様の効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハ上に入射するイ
オンのエネルギーを場所ごとに調整することができるの
で、ウェハ上に生成されるプラズマが不均一な密度分布
を有する場合でも、ウェハを均一にエッチング処理でき
るという効果がある。
オンのエネルギーを場所ごとに調整することができるの
で、ウェハ上に生成されるプラズマが不均一な密度分布
を有する場合でも、ウェハを均一にエッチング処理でき
るという効果がある。
【図１】本発明の一実施例である有磁場マイクロ波エッ
チング装置の処理部の縦断面図である。
チング装置の処理部の縦断面図である。
１…処理室、１ａ…容器、１ｂ…石英放電管、２…コイ
ル、３…マグネトロン、４…導波管、５…ウェハ載置用
電極、５ａ…誘電体、６…ウェハ、７…高周波電源、８
…整合器。
ル、３…マグネトロン、４…導波管、５…ウェハ載置用
電極、５ａ…誘電体、６…ウェハ、７…高周波電源、８
…整合器。
Claims (2)
- 【請求項１】プラズマ発生装置と減圧可能な処理室とガ
ス供給装置と真空排気装置とウェハ載置用電極と高周波
電源より成るプラズマ処理装置において、ウェハ載置用
電極のウェハ載置部に誘電体を設けたことを特徴とする
プラズマ処理装置。 - 【請求項２】ウェハ載置用電極のウェハ載置部に設けた
誘電体の厚みを、ウェハ載置面上で変化させたことを特
徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240897A JPH0582477A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240897A JPH0582477A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582477A true JPH0582477A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17066312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240897A Pending JPH0582477A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582477A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165907A (en) * | 1996-05-20 | 2000-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
| JP2013016818A (ja) * | 2005-09-30 | 2013-01-24 | Lam Research Corporation | 変化する厚さ、プロファイルおよび／または形状を有する誘電材料および／または空洞を備える静電チャックアセンブリ、その使用方法、ならびにそれを組み込む装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205719A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH0328370A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-06 | Fuji Electric Co Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH03162592A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料保持装置 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3240897A patent/JPH0582477A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205719A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH0328370A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-06 | Fuji Electric Co Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH03162592A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 試料保持装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165907A (en) * | 1996-05-20 | 2000-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
| JP2013016818A (ja) * | 2005-09-30 | 2013-01-24 | Lam Research Corporation | 変化する厚さ、プロファイルおよび／または形状を有する誘電材料および／または空洞を備える静電チャックアセンブリ、その使用方法、ならびにそれを組み込む装置 |
| JP2016149574A (ja) * | 2005-09-30 | 2016-08-18 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 静電チャックアセンブリ及びプラズマ処理装置 |
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