JPH0563116A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0563116A JPH0563116A JP2151692A JP2151692A JPH0563116A JP H0563116 A JPH0563116 A JP H0563116A JP 2151692 A JP2151692 A JP 2151692A JP 2151692 A JP2151692 A JP 2151692A JP H0563116 A JPH0563116 A JP H0563116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- inorganic filler
- semiconductor
- semiconductor device
- magnesium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体封止樹脂の無機充填剤として、高温で
焼成した後疎水化処理を施した酸化マグネシウム又は無
機の表面処理剤で疎水化処理を施した窒化アルミニウム
を用いる。 【効果】 樹脂封止型半導体装置の耐湿性を損なうこと
なく放熱性を高めることができるので、今後の半導体素
子の高集積化、高密度化にも充分に対応することができ
る。
焼成した後疎水化処理を施した酸化マグネシウム又は無
機の表面処理剤で疎水化処理を施した窒化アルミニウム
を用いる。 【効果】 樹脂封止型半導体装置の耐湿性を損なうこと
なく放熱性を高めることができるので、今後の半導体素
子の高集積化、高密度化にも充分に対応することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体封止樹脂によっ
て半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置に
関する。
て半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のパッケ−ジは、半導体素子
を外部の環境から保護することを主な目的としている
が、このようなパッケ−ジの方法としては、現在エポキ
シ樹脂、シリコ−ン樹脂等を用いた樹脂封止がその主流
となっている。係る樹脂封止に供される半導体封止樹脂
の組成は、樹脂成分と無機充填剤とからなっており、樹
脂成分の主剤としては、上述したようにエポキシ樹脂や
シリコ−ン樹脂が一般的である。一方無機充填剤として
は、通常、シリカ、酸化アンチモン、カ−ボン等が用い
られている。
を外部の環境から保護することを主な目的としている
が、このようなパッケ−ジの方法としては、現在エポキ
シ樹脂、シリコ−ン樹脂等を用いた樹脂封止がその主流
となっている。係る樹脂封止に供される半導体封止樹脂
の組成は、樹脂成分と無機充填剤とからなっており、樹
脂成分の主剤としては、上述したようにエポキシ樹脂や
シリコ−ン樹脂が一般的である。一方無機充填剤として
は、通常、シリカ、酸化アンチモン、カ−ボン等が用い
られている。
【０００３】ところで、近年の半導体素子の高集積化、
高密度化に伴ない、前記半導体素子の稼働時の発熱量が
増大する傾向にあり、前述したような半導体封止樹脂に
よって封止されてなる樹脂封止型半導体装置に対して、
一層の放熱性の向上が要求されている。このような要求
に鑑みて、特開昭６１−１０１５２４号、特開昭６３−
２２７６２０号、特開平２−５６８１６号等には、無機
充填剤として従来のシリカ等に代わり、より熱伝導率の
大きい酸化マグネシウムや窒化アルミニウムを用いた半
導体封止樹脂が報告されている。しかしながら、酸化マ
グネシウムや窒化アルミニウムはシリカ等よりも吸水性
が大きいため、このような半導体封止樹脂においては、
今後の半導体素子の高集積化、高密度化の下で要求され
る、より過酷な耐湿性加速試験には耐えることができな
いという問題があった。
高密度化に伴ない、前記半導体素子の稼働時の発熱量が
増大する傾向にあり、前述したような半導体封止樹脂に
よって封止されてなる樹脂封止型半導体装置に対して、
一層の放熱性の向上が要求されている。このような要求
に鑑みて、特開昭６１−１０１５２４号、特開昭６３−
２２７６２０号、特開平２−５６８１６号等には、無機
充填剤として従来のシリカ等に代わり、より熱伝導率の
大きい酸化マグネシウムや窒化アルミニウムを用いた半
導体封止樹脂が報告されている。しかしながら、酸化マ
グネシウムや窒化アルミニウムはシリカ等よりも吸水性
が大きいため、このような半導体封止樹脂においては、
今後の半導体素子の高集積化、高密度化の下で要求され
る、より過酷な耐湿性加速試験には耐えることができな
いという問題があった。
【０００４】さらに特開昭５７−５５９２１号には、無
機充填剤の酸化マグネシウムをシランカップリング剤で
処理して半導体封止樹脂の耐湿性を高める技術が開示さ
れているが、このような半導体封止樹脂でも、充分な耐
湿性を達成することはできなかった。
機充填剤の酸化マグネシウムをシランカップリング剤で
処理して半導体封止樹脂の耐湿性を高める技術が開示さ
れているが、このような半導体封止樹脂でも、充分な耐
湿性を達成することはできなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、樹脂
封止型半導体装置の放熱性向上の観点から、無機充填剤
として酸化マグネシウムや窒化アルミニウムを用いた半
導体封止樹脂の開発が進められているが、このような半
導体封止樹脂においては耐湿性が充分には得られないた
め、未だ実用化には至っていない。本発明はこのような
問題を解決して、放熱性が高く、耐湿性も充分な樹脂封
止型半導体装置を提供することを目的としている。
封止型半導体装置の放熱性向上の観点から、無機充填剤
として酸化マグネシウムや窒化アルミニウムを用いた半
導体封止樹脂の開発が進められているが、このような半
導体封止樹脂においては耐湿性が充分には得られないた
め、未だ実用化には至っていない。本発明はこのような
問題を解決して、放熱性が高く、耐湿性も充分な樹脂封
止型半導体装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願第１の発明は、樹脂、硬化剤及び無機充
填剤を必須成分とする半導体封止樹脂によって半導体素
子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、前
記無機充填剤として８００℃以上２８００℃以下の温度
で焼成した後疎水化処理を施した酸化マグネシウムを用
いた樹脂封止型半導体装置であり、また本願第２の発明
は、樹脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分とする半導
体封止樹脂によって半導体素子が封止されてなる樹脂封
止型半導体装置において、前記無機充填剤として無機の
表面処理剤で疎水化処理を施した窒化アルミニウムを用
いた樹脂封止型半導体装置である。すなわち本発明の樹
脂封止型半導体装置は、半導体封止樹脂の無機充填剤と
しての酸化マグネシウム又は窒化アルミニウムが疎水化
処理されていることを特徴としている。
になされた本願第１の発明は、樹脂、硬化剤及び無機充
填剤を必須成分とする半導体封止樹脂によって半導体素
子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、前
記無機充填剤として８００℃以上２８００℃以下の温度
で焼成した後疎水化処理を施した酸化マグネシウムを用
いた樹脂封止型半導体装置であり、また本願第２の発明
は、樹脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分とする半導
体封止樹脂によって半導体素子が封止されてなる樹脂封
止型半導体装置において、前記無機充填剤として無機の
表面処理剤で疎水化処理を施した窒化アルミニウムを用
いた樹脂封止型半導体装置である。すなわち本発明の樹
脂封止型半導体装置は、半導体封止樹脂の無機充填剤と
しての酸化マグネシウム又は窒化アルミニウムが疎水化
処理されていることを特徴としている。
【０００７】本発明において、疎水化処理の施された酸
化マグネシウムを得るには、疎水性の基を有する表面処
理剤によって焼成された酸化マグネシウムを処理すれば
よく、このような表面処理剤としてはシランカップリン
グ剤系、チタンカップリング剤系、有機アルミニウム剤
系、フルオロアルキル剤系のもの等を使用することがで
きる。なおこのとき酸化マグネシウムとしては、略球状
を有する微粉末を用いることが、封止を行なう際の作業
性の点からより好ましい。一方本発明において、疎水化
処理の施された窒化アルミニウムを得るには、窒化アル
ミニウム微粉末を無機の表面処理剤とともに有機溶媒中
に浸漬、混合し、この後有機溶媒を蒸発させて４００〜
５００℃で乾燥させればよく、このような無機の表面処
理剤としてはリン酸、ホウ酸、ケイ酸等の固形酸を使用
することができる。
化マグネシウムを得るには、疎水性の基を有する表面処
理剤によって焼成された酸化マグネシウムを処理すれば
よく、このような表面処理剤としてはシランカップリン
グ剤系、チタンカップリング剤系、有機アルミニウム剤
系、フルオロアルキル剤系のもの等を使用することがで
きる。なおこのとき酸化マグネシウムとしては、略球状
を有する微粉末を用いることが、封止を行なう際の作業
性の点からより好ましい。一方本発明において、疎水化
処理の施された窒化アルミニウムを得るには、窒化アル
ミニウム微粉末を無機の表面処理剤とともに有機溶媒中
に浸漬、混合し、この後有機溶媒を蒸発させて４００〜
５００℃で乾燥させればよく、このような無機の表面処
理剤としてはリン酸、ホウ酸、ケイ酸等の固形酸を使用
することができる。
【０００８】また本発明で用いることのできる樹脂とし
ては、半導体封止樹脂として通常利用されるものであれ
ば特に限定されず、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、ポ
リイミド樹脂、マレイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シ
リコ−ン樹脂等の熱硬化性樹脂やポリカ−ボネイト樹
脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、
テフロン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
ては、半導体封止樹脂として通常利用されるものであれ
ば特に限定されず、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、ポ
リイミド樹脂、マレイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シ
リコ−ン樹脂等の熱硬化性樹脂やポリカ−ボネイト樹
脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、
テフロン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【０００９】さらに本発明で用いることのできる硬化剤
としては、フェノ−ルノボラック樹脂、クレゾ−ルノボ
ラック樹脂、ビスフェノ−ルＡのノボラック樹脂、ナフ
ト−ルのノボラック樹脂等のフェノ−ルノボラック樹
脂、２，２´−ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノ−ル
類との縮合重合化合物等のフェノ−ルアラルキル樹脂、
ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン、無水
フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水トリメリッ
ト酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸等の酸無水物や芳香族アミン等が挙げられ
る。本発明では、これらの硬化剤を１種又は２種以上用
いることができる。
としては、フェノ−ルノボラック樹脂、クレゾ−ルノボ
ラック樹脂、ビスフェノ−ルＡのノボラック樹脂、ナフ
ト−ルのノボラック樹脂等のフェノ−ルノボラック樹
脂、２，２´−ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノ−ル
類との縮合重合化合物等のフェノ−ルアラルキル樹脂、
ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン、無水
フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水トリメリッ
ト酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸等の酸無水物や芳香族アミン等が挙げられ
る。本発明では、これらの硬化剤を１種又は２種以上用
いることができる。
【００１０】本発明においては、上述したような各成分
を含有する半導体封止樹脂に、さらに必要に応じてイミ
ダゾ−ル又はその誘導体、第３アミン誘導体、ホスフィ
ン又はその誘導体等の硬化促進剤、天然ワックス、合成
ワックス、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、又はエステ
ル、パラフィン等の離型剤、ブロモトルエン、ヘキサブ
ロモベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、カ−ボン
ブラック等の着色剤、シリコ−ンオイル、ブタジエンゴ
ム等の可撓性付与剤等を適宜配合してもよい。
を含有する半導体封止樹脂に、さらに必要に応じてイミ
ダゾ−ル又はその誘導体、第３アミン誘導体、ホスフィ
ン又はその誘導体等の硬化促進剤、天然ワックス、合成
ワックス、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、又はエステ
ル、パラフィン等の離型剤、ブロモトルエン、ヘキサブ
ロモベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、カ−ボン
ブラック等の着色剤、シリコ−ンオイル、ブタジエンゴ
ム等の可撓性付与剤等を適宜配合してもよい。
【００１１】本発明の樹脂封止型半導体装置は、このよ
うな半導体封止樹脂を用い、半導体素子を封止すること
により得ることができる。この場合、前記半導体素子と
しては集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）、
トランジスタ、サイリスタ、ダイオ−ド等特に限定され
ず、トランスファ−成形、射出成形、圧縮成形、注型等
の方法により、半導体素子の封止を行なうことができ
る。
うな半導体封止樹脂を用い、半導体素子を封止すること
により得ることができる。この場合、前記半導体素子と
しては集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）、
トランジスタ、サイリスタ、ダイオ−ド等特に限定され
ず、トランスファ−成形、射出成形、圧縮成形、注型等
の方法により、半導体素子の封止を行なうことができ
る。
【００１２】
【作用】本願第１の発明では、無機充填剤として配合さ
れる酸化マグネシウムを８００℃以上２８００℃以下の
温度で焼成することにより、前記酸化マグネシウムの表
面状態が改質され、酸化マグネシウムの本来有する高い
吸水性が低減される。このとき、焼成の温度が低すぎる
と前述したような表面状態の改質が不充分となり、焼成
の温度が高すぎると酸化マグネシウムが融解してしま
う。なお、より好ましい焼成温度は８００℃以上２００
０℃以下である。さらに本願第１の発明では、上記した
ような焼成によって酸化マグネシウムの表面状態が改質
されることにより、焼成前と比較して酸化マグネシウム
と表面処理剤との反応性が向上する。従って、表面処理
剤による酸化マグネシウムの疎水化処理が効率的に行な
われるため、酸化マグネシウムの表面が前記表面処理剤
の有する疎水性の基によって充分に覆われ、酸化マグネ
シウムの水分の吸収を効果的に抑制することができる。
れる酸化マグネシウムを８００℃以上２８００℃以下の
温度で焼成することにより、前記酸化マグネシウムの表
面状態が改質され、酸化マグネシウムの本来有する高い
吸水性が低減される。このとき、焼成の温度が低すぎる
と前述したような表面状態の改質が不充分となり、焼成
の温度が高すぎると酸化マグネシウムが融解してしま
う。なお、より好ましい焼成温度は８００℃以上２００
０℃以下である。さらに本願第１の発明では、上記した
ような焼成によって酸化マグネシウムの表面状態が改質
されることにより、焼成前と比較して酸化マグネシウム
と表面処理剤との反応性が向上する。従って、表面処理
剤による酸化マグネシウムの疎水化処理が効率的に行な
われるため、酸化マグネシウムの表面が前記表面処理剤
の有する疎水性の基によって充分に覆われ、酸化マグネ
シウムの水分の吸収を効果的に抑制することができる。
【００１３】また本願第２の発明では、有機の表面処理
剤に代わり無機の表面処理剤が窒化アルミニウムよりな
る無機充填剤の疎水化処理に使用される。すなわち、本
願第２の発明において無機充填剤として配合される窒化
アルミニウムの場合、従来一般的に使用されていた有機
の表面処理剤では窒化アルミニウム表面との密着性が弱
いため、充分に疎水化処理を施すことができなかった。
これに対し、本発明者らが検討を重ねたところ、無機の
表面処理剤は窒化アルミニウム表面との密着性が良好で
あるという知見を得た。従って本願第２の発明において
は、無機の表面処理剤を使用することにより、窒化アル
ミニウムの表面が前記表面処理剤によって充分に覆われ
るので疎水化処理を効率的に行なうことができ、窒化ア
ルミニウムの水分の吸収を効果的に抑制することが可能
となる。
剤に代わり無機の表面処理剤が窒化アルミニウムよりな
る無機充填剤の疎水化処理に使用される。すなわち、本
願第２の発明において無機充填剤として配合される窒化
アルミニウムの場合、従来一般的に使用されていた有機
の表面処理剤では窒化アルミニウム表面との密着性が弱
いため、充分に疎水化処理を施すことができなかった。
これに対し、本発明者らが検討を重ねたところ、無機の
表面処理剤は窒化アルミニウム表面との密着性が良好で
あるという知見を得た。従って本願第２の発明において
は、無機の表面処理剤を使用することにより、窒化アル
ミニウムの表面が前記表面処理剤によって充分に覆われ
るので疎水化処理を効率的に行なうことができ、窒化ア
ルミニウムの水分の吸収を効果的に抑制することが可能
となる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の実施例について詳細に説明
する。 実施例１
する。 実施例１
【００１５】まず、平均粒径１７μｍの酸化マグネシウ
ム微粉末を用意し、この酸化マグネシウム微粉末を９０
０℃で焼成した後、有機アルミニウム剤系のアセトアル
コキシアルミニウムジイソプロピレ−ト表面処理剤（味
の素社製、ＡＬ−Ｍ）を使用して疎水化処理を施し本実
施例に係る無機充填剤を得た。またこれとは別に、９０
０℃で焼成したが疎水化処理を施さなかった酸化マグネ
シウム微粉末（比較例１）、焼成を行なわずに疎水化処
理のみ施した酸化マグネシウム微粉末（比較例２）、及
び通常の球状シリカ粉末（比較例３）を無機充填剤とし
て用意した。
ム微粉末を用意し、この酸化マグネシウム微粉末を９０
０℃で焼成した後、有機アルミニウム剤系のアセトアル
コキシアルミニウムジイソプロピレ−ト表面処理剤（味
の素社製、ＡＬ−Ｍ）を使用して疎水化処理を施し本実
施例に係る無機充填剤を得た。またこれとは別に、９０
０℃で焼成したが疎水化処理を施さなかった酸化マグネ
シウム微粉末（比較例１）、焼成を行なわずに疎水化処
理のみ施した酸化マグネシウム微粉末（比較例２）、及
び通常の球状シリカ粉末（比較例３）を無機充填剤とし
て用意した。
【００１６】次いで、上記したような各無機充填剤につ
いて、それぞれエポキシ当量１９７のクレゾ−ルノボラ
ック型エポキシ樹脂（住友化学社製、１９５ＸＬ−７
４）９．５２ｗｔ％、フェノ−ル当量１０４のフェノ−
ルノボラック樹脂硬化剤（昭和高分子社製、ＢＲＧ−５
５６）５．４５ｗｔ％、エポキシ当量２７８のブロム化
エポキシ樹脂難燃剤（日本化薬社製、ＢＲＥＮ−Ｓ）
２．０ｗｔ％、トリフェニルホスフィン０．１４ｗｔ
％、無機充填剤８０．５５ｗｔ％、カルナバワックス離
型剤０．２６ｗｔ％、三酸化アンチモン１．２５ｗｔ
％、カ−ボンブラック０．２１ｗｔ％、シリコ−ンオイ
ル０．６２ｗｔ％を常温でヘンシェルミキサ−を用いて
混合し、さらに９０〜１００℃で加熱ロ−ルを用いて混
練した。なお、シリカ粉末を無機充填剤として用いた場
合は、酸化マグネシウムを無機充填剤としたときと無機
充填剤の体積比が等量となるように配合比を調整した。
次に、得られた組成物を冷却、粉砕しタブレットとし
て、さらにこのタブレットを予熱した後に１７０℃に加
熱したトランスファ−成形用の金型に流し込み、硬化さ
せて本発明に係る半導体封止樹脂を成形した。
いて、それぞれエポキシ当量１９７のクレゾ−ルノボラ
ック型エポキシ樹脂（住友化学社製、１９５ＸＬ−７
４）９．５２ｗｔ％、フェノ−ル当量１０４のフェノ−
ルノボラック樹脂硬化剤（昭和高分子社製、ＢＲＧ−５
５６）５．４５ｗｔ％、エポキシ当量２７８のブロム化
エポキシ樹脂難燃剤（日本化薬社製、ＢＲＥＮ−Ｓ）
２．０ｗｔ％、トリフェニルホスフィン０．１４ｗｔ
％、無機充填剤８０．５５ｗｔ％、カルナバワックス離
型剤０．２６ｗｔ％、三酸化アンチモン１．２５ｗｔ
％、カ−ボンブラック０．２１ｗｔ％、シリコ−ンオイ
ル０．６２ｗｔ％を常温でヘンシェルミキサ−を用いて
混合し、さらに９０〜１００℃で加熱ロ−ルを用いて混
練した。なお、シリカ粉末を無機充填剤として用いた場
合は、酸化マグネシウムを無機充填剤としたときと無機
充填剤の体積比が等量となるように配合比を調整した。
次に、得られた組成物を冷却、粉砕しタブレットとし
て、さらにこのタブレットを予熱した後に１７０℃に加
熱したトランスファ−成形用の金型に流し込み、硬化さ
せて本発明に係る半導体封止樹脂を成形した。
【００１７】このようにして得られた半導体封止樹脂に
ついて、それぞれ熱伝導率、成形性、耐湿性の評価を行
なった結果を表１に示す。なおここで成形性は、得られ
た硬化物の外観で判断し、耐湿性は、条件１４０℃、４
気圧のプレッシャ−クッカ−テストで評価した。
ついて、それぞれ熱伝導率、成形性、耐湿性の評価を行
なった結果を表１に示す。なおここで成形性は、得られ
た硬化物の外観で判断し、耐湿性は、条件１４０℃、４
気圧のプレッシャ−クッカ−テストで評価した。
【００１８】表１から明らかなように、本実施例に係る
半導体封止樹脂は、シリカを無機充填剤として用いた従
来のもの（比較例３）よりも熱伝導率が大きく、しかも
成形性、耐湿性ともに優れている。これに対し、比較例
１及び比較例２の酸化マグネシウム微粉末を無機充填剤
として用いた半導体封止樹脂では、プレッシャ−クッカ
−テスト開始直後にクラックを生じ、耐湿性が極めて劣
ることが確認された。さらに、表面処理剤として上記し
たような有機アルミニウム剤系のものの代わりに、シラ
ンカップリング剤系のエポキシシランカップリング剤及
びチタンカップリング剤系のプレンアクト（味の素社
製）をそれぞれ使用して半導体封止樹脂を成形した場合
について、得られた半導体封止樹脂の各特性の評価を行
なったところ、ともに同様の良好な結果が得られた。
半導体封止樹脂は、シリカを無機充填剤として用いた従
来のもの（比較例３）よりも熱伝導率が大きく、しかも
成形性、耐湿性ともに優れている。これに対し、比較例
１及び比較例２の酸化マグネシウム微粉末を無機充填剤
として用いた半導体封止樹脂では、プレッシャ−クッカ
−テスト開始直後にクラックを生じ、耐湿性が極めて劣
ることが確認された。さらに、表面処理剤として上記し
たような有機アルミニウム剤系のものの代わりに、シラ
ンカップリング剤系のエポキシシランカップリング剤及
びチタンカップリング剤系のプレンアクト（味の素社
製）をそれぞれ使用して半導体封止樹脂を成形した場合
について、得られた半導体封止樹脂の各特性の評価を行
なったところ、ともに同様の良好な結果が得られた。
【００１９】
【表１】 実施例２
【００２０】まず、平均粒径１．５μｍの窒化アルミニ
ウム微粉末を用意し、無機の表面処理剤としてリン酸
（関東化学社製）を使用してこの窒化アルミニウム微粉
末に疎水化処理を施し本実施例に係る無機充填剤を得
た。またこれとは別に、有機の表面処理剤（エポキシシ
ランカップリング剤）を使用して疎水化処理を施した窒
化アルミニウム微粉末（比較例１）、疎水化処理を施さ
なかった窒化アルミニウム微粉末（比較例２）、及び通
常の球状シリカ粉末（比較例３）を無機充填剤として用
意した。
ウム微粉末を用意し、無機の表面処理剤としてリン酸
（関東化学社製）を使用してこの窒化アルミニウム微粉
末に疎水化処理を施し本実施例に係る無機充填剤を得
た。またこれとは別に、有機の表面処理剤（エポキシシ
ランカップリング剤）を使用して疎水化処理を施した窒
化アルミニウム微粉末（比較例１）、疎水化処理を施さ
なかった窒化アルミニウム微粉末（比較例２）、及び通
常の球状シリカ粉末（比較例３）を無機充填剤として用
意した。
【００２１】次いで、上記したような各無機充填剤につ
いて、それぞれエポキシ当量１９７のクレゾ−ルノボラ
ック型エポキシ樹脂（住友化学社製、１９５ＸＬ−７
４）９．５２ｗｔ％、フェノ−ル当量１０４のフェノ−
ルノボラック樹脂硬化剤（昭和高分子社製、ＢＲＧ−５
５６）５．４５ｗｔ％、エポキシ当量２７８のブロム化
エポキシ樹脂難燃剤（日本化薬社製、ＢＲＥＮ−Ｓ）
２．０ｗｔ％、トリフェニルホスフィン０．１４ｗｔ
％、無機充填剤８０．５５ｗｔ％、カルナバワックス離
型剤０．２６ｗｔ％、三酸化アンチモン１．２５ｗｔ
％、カ−ボンブラック０．２１ｗｔ％、シリコ−ンオイ
ル０．６２ｗｔ％を常温でヘンシェルミキサ−を用いて
混合し、さらに９０〜１００℃で加熱ロ−ルを用いて混
練した。次に、得られた組成物を冷却、粉砕しタブレッ
トとして、さらにこのタブレットを予熱した後に１７０
℃に加熱したトランスファ−成形用の金型に流し込み、
硬化させて本発明に係る半導体封止樹脂を成形した。
いて、それぞれエポキシ当量１９７のクレゾ−ルノボラ
ック型エポキシ樹脂（住友化学社製、１９５ＸＬ−７
４）９．５２ｗｔ％、フェノ−ル当量１０４のフェノ−
ルノボラック樹脂硬化剤（昭和高分子社製、ＢＲＧ−５
５６）５．４５ｗｔ％、エポキシ当量２７８のブロム化
エポキシ樹脂難燃剤（日本化薬社製、ＢＲＥＮ−Ｓ）
２．０ｗｔ％、トリフェニルホスフィン０．１４ｗｔ
％、無機充填剤８０．５５ｗｔ％、カルナバワックス離
型剤０．２６ｗｔ％、三酸化アンチモン１．２５ｗｔ
％、カ−ボンブラック０．２１ｗｔ％、シリコ−ンオイ
ル０．６２ｗｔ％を常温でヘンシェルミキサ−を用いて
混合し、さらに９０〜１００℃で加熱ロ−ルを用いて混
練した。次に、得られた組成物を冷却、粉砕しタブレッ
トとして、さらにこのタブレットを予熱した後に１７０
℃に加熱したトランスファ−成形用の金型に流し込み、
硬化させて本発明に係る半導体封止樹脂を成形した。
【００２２】このようにして得られた半導体封止樹脂に
ついて、それぞれ熱伝導率、成形性、耐湿性、機械的強
度の評価を行なった結果を表１に示す。なおここで成形
性は、得られた硬化物の外観で判断し、耐湿性は、条件
１４０℃、４気圧のプレッシャ−クッカ−テストで評価
し、機械的強度としては、曲げ強度を測定した。
ついて、それぞれ熱伝導率、成形性、耐湿性、機械的強
度の評価を行なった結果を表１に示す。なおここで成形
性は、得られた硬化物の外観で判断し、耐湿性は、条件
１４０℃、４気圧のプレッシャ−クッカ−テストで評価
し、機械的強度としては、曲げ強度を測定した。
【００２３】表２から明らかなように、本実施例に係る
半導体封止樹脂は、シリカを無機充填剤として用いた従
来のもの（比較例３）よりも熱伝導率が大きく、しかも
成形性、耐湿性、機械的強度のすべてに優れている。こ
れに対し、比較例１及び比較例２の窒化アルミニウム微
粉末を無機充填剤として用いた半導体封止樹脂では、プ
レッシャ−クッカ−テスト開始直後にクラックを生じ、
耐湿性が極めて劣ることが確認された。
半導体封止樹脂は、シリカを無機充填剤として用いた従
来のもの（比較例３）よりも熱伝導率が大きく、しかも
成形性、耐湿性、機械的強度のすべてに優れている。こ
れに対し、比較例１及び比較例２の窒化アルミニウム微
粉末を無機充填剤として用いた半導体封止樹脂では、プ
レッシャ−クッカ−テスト開始直後にクラックを生じ、
耐湿性が極めて劣ることが確認された。
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、放
熱性が高く充分な耐湿性を有する樹脂封止型半導体装置
を提供することができ、係る樹脂封止型半導体装置によ
れば、半導体素子の高集積化、高密度化にも良好に対応
することができる。
熱性が高く充分な耐湿性を有する樹脂封止型半導体装置
を提供することができ、係る樹脂封止型半導体装置によ
れば、半導体素子の高集積化、高密度化にも良好に対応
することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 9/04 ＫＣＰ 7167−4Ｊ Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＶ 8416−4Ｊ
Claims (2)
- 【請求項１】樹脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分と
する半導体封止樹脂によって半導体素子が封止されてな
る樹脂封止型半導体装置において、前記無機充填剤とし
て８００℃以上２８００℃以下の温度で焼成した後疎水
化処理を施した酸化マグネシウムを用いたことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】樹脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分と
する半導体封止樹脂によって半導体素子が封止されてな
る樹脂封止型半導体装置において、前記無機充填剤とし
て無機の表面処理剤で疎水化処理を施した窒化アルミニ
ウムを用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151692A JPH0563116A (ja) | 1991-02-12 | 1992-02-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1876391 | 1991-02-12 | ||
| JP3-18763 | 1991-02-12 | ||
| JP2151692A JPH0563116A (ja) | 1991-02-12 | 1992-02-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563116A true JPH0563116A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=26355490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2151692A Pending JPH0563116A (ja) | 1991-02-12 | 1992-02-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563116A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001010958A1 (fr) * | 1999-08-06 | 2001-02-15 | Kyowa Chemical Industry Co., Ltd. | Particules d'oxyde de magnesium hautement resistantes a l'acide et a l'hydratation et compositions de resine |
| JP2004503608A (ja) * | 2000-06-29 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 鉱油を含むフルオロエラストマー組成物 |
| WO2010084845A1 (ja) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | ユニチカ株式会社 | 樹脂組成物およびそれからなる成形体 |
| JP2012149194A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Panasonic Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP2151692A patent/JPH0563116A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001010958A1 (fr) * | 1999-08-06 | 2001-02-15 | Kyowa Chemical Industry Co., Ltd. | Particules d'oxyde de magnesium hautement resistantes a l'acide et a l'hydratation et compositions de resine |
| JP2004503608A (ja) * | 2000-06-29 | 2004-02-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 鉱油を含むフルオロエラストマー組成物 |
| WO2010084845A1 (ja) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | ユニチカ株式会社 | 樹脂組成物およびそれからなる成形体 |
| JP5686605B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2015-03-18 | ユニチカ株式会社 | 樹脂組成物およびそれからなる成形体 |
| JP2012149194A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Panasonic Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3468996B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3343704B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3102276B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3003887B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP2593843B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2954412B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0249329B2 (ja) | ||
| JP3280474B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP2595854B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 | |
| JP3310447B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3235798B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH03140322A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3032067B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2823633B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0621152B2 (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
| JP3417283B2 (ja) | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置封止方法 | |
| JP2991847B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH05235211A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0528243B2 (ja) | ||
| JP3235799B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3305097B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3317473B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3004454B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP3230771B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP2820541B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 |