JPH056313A - メモリアクセス制御装置 - Google Patents
メモリアクセス制御装置Info
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- JPH056313A JPH056313A JP3183009A JP18300991A JPH056313A JP H056313 A JPH056313 A JP H056313A JP 3183009 A JP3183009 A JP 3183009A JP 18300991 A JP18300991 A JP 18300991A JP H056313 A JPH056313 A JP H056313A
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 108010032363 ERRalpha estrogen-related receptor Proteins 0.000 description 6
- 102100036832 Steroid hormone receptor ERR1 Human genes 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 101000851696 Homo sapiens Steroid hormone receptor ERR2 Proteins 0.000 description 1
- 102100036831 Steroid hormone receptor ERR2 Human genes 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 この装置は、メモリ部2から読み出されたデ
ータをデータ保持部6に一時的に保持し、データの読み
出しと誤り訂正部3の誤り訂正処理とをパイプライン処
理により行いアクセスを高速化する。この場合、訂正済
みデータの同時書き戻しが不可能なため、そのデータの
アドレスを保持しておき、あるいは訂正済みのデータを
記憶しておき、プロセッサ5のメモリアクセス終了後、
書き戻し処理を行う。 【効果】 メモリアクセスと誤り訂正が同時進行し、従
来のニブルモードのメモリアクセスのより高速化を図る
ことができる。
ータをデータ保持部6に一時的に保持し、データの読み
出しと誤り訂正部3の誤り訂正処理とをパイプライン処
理により行いアクセスを高速化する。この場合、訂正済
みデータの同時書き戻しが不可能なため、そのデータの
アドレスを保持しておき、あるいは訂正済みのデータを
記憶しておき、プロセッサ5のメモリアクセス終了後、
書き戻し処理を行う。 【効果】 メモリアクセスと誤り訂正が同時進行し、従
来のニブルモードのメモリアクセスのより高速化を図る
ことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はメモリから読み出された
データの誤りを訂正する誤り訂正機能を有し、高速アク
セスの可能なメモリアクセス制御装置に関する。
データの誤りを訂正する誤り訂正機能を有し、高速アク
セスの可能なメモリアクセス制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図2に、従来のメモリアクセス制御装置
ブロック図を示す。図の装置には、メモリ制御部1と、
これによってアクセスを制御されるメモリ部2と、誤り
訂正部3が設けられ、これらがプロセッサ4によりアク
セスされる構成となっている。このメモリ部2は、例え
ばダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)か
らなる。また、誤り訂正部3は、メモリ部2から読み出
されたデータの誤りをチェックしてデータを修正し、プ
ロセッサ4に転送したりメモリ部2に書き戻す処理を行
う回路である。図のプロセッサ4からは、メモリ部2を
アクセスするための信号Address (10)がメモリ制御
部1に向け出力される。また、この他に通常の速度でメ
モリアクセスを要求する信号MREQ1(100)と高
速メモリアクセスを要求する信号MREQ2(101)
が出力される。
ブロック図を示す。図の装置には、メモリ制御部1と、
これによってアクセスを制御されるメモリ部2と、誤り
訂正部3が設けられ、これらがプロセッサ4によりアク
セスされる構成となっている。このメモリ部2は、例え
ばダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)か
らなる。また、誤り訂正部3は、メモリ部2から読み出
されたデータの誤りをチェックしてデータを修正し、プ
ロセッサ4に転送したりメモリ部2に書き戻す処理を行
う回路である。図のプロセッサ4からは、メモリ部2を
アクセスするための信号Address (10)がメモリ制御
部1に向け出力される。また、この他に通常の速度でメ
モリアクセスを要求する信号MREQ1(100)と高
速メモリアクセスを要求する信号MREQ2(101)
が出力される。
【0003】一方、メモリ制御部1からは、プロセッサ
4の要求を受け付けアクセス処理を実行する場合に出力
される正常応答信号DTACK(102)あるいは、異
常応答信号MERR(103)がプロセッサ4に向け出
力される。また、メモリ制御部1からメモリ部2に対し
ては、アクセスのためのメモリアドレスMA(200)
と、ローアドレス制御信号RAS(201)と、コラム
アドレス制御信号CAS(202)と、ライトイネーブ
ル信号WE(203)が出力される。メモリ部2から読
み出されたデータ20は、誤り訂正部3に入力し、誤り
訂正部3からは、1ビット誤りが発生した場合これを通
知する信号ERR1を、2ビット誤りが発生した場合同
じくERR2を、メモリ制御部1に向け出力する構成と
されている。誤り訂正部3からは、訂正済みデータ21
がメモリ部2に向け出力され、書き戻し処理が行われる
一方、データバス11を介してメモリ部2から読み出さ
れたデータがプロセッサ4に向け出力される。
4の要求を受け付けアクセス処理を実行する場合に出力
される正常応答信号DTACK(102)あるいは、異
常応答信号MERR(103)がプロセッサ4に向け出
力される。また、メモリ制御部1からメモリ部2に対し
ては、アクセスのためのメモリアドレスMA(200)
と、ローアドレス制御信号RAS(201)と、コラム
アドレス制御信号CAS(202)と、ライトイネーブ
ル信号WE(203)が出力される。メモリ部2から読
み出されたデータ20は、誤り訂正部3に入力し、誤り
訂正部3からは、1ビット誤りが発生した場合これを通
知する信号ERR1を、2ビット誤りが発生した場合同
じくERR2を、メモリ制御部1に向け出力する構成と
されている。誤り訂正部3からは、訂正済みデータ21
がメモリ部2に向け出力され、書き戻し処理が行われる
一方、データバス11を介してメモリ部2から読み出さ
れたデータがプロセッサ4に向け出力される。
【0004】図3に、従来の通常のメモリリードアクセ
ス動作のタイムチャートを示す。図(a)は、メモリア
ドレスMA(200)を示し、(b)はローアドレス制
御信号RAS(201)、(c)はコラムアドレス制御
信号CAS(202)、(d)はメモリ部2から読み出
されたデータRD(20)、(e)は訂正済みデータDa
ta(11)、(f)は正常応答信号DTACK(10
2)を示している。図において、メモリ制御部1からメ
モリ部2に対し、ローアドレスとコラムアドレスが図の
(a)に示すように所定のタイミングで出力される。
ス動作のタイムチャートを示す。図(a)は、メモリア
ドレスMA(200)を示し、(b)はローアドレス制
御信号RAS(201)、(c)はコラムアドレス制御
信号CAS(202)、(d)はメモリ部2から読み出
されたデータRD(20)、(e)は訂正済みデータDa
ta(11)、(f)は正常応答信号DTACK(10
2)を示している。図において、メモリ制御部1からメ
モリ部2に対し、ローアドレスとコラムアドレスが図の
(a)に示すように所定のタイミングで出力される。
【0005】ローアドレス制御信号RAS(201)
は、時刻T1に有効になり時刻T5までその状態を保持
する[図3(b)]。また、コラムアドレス制御信号C
AS(202)は、時刻T2に有効になり、時刻T5ま
でその状態を継続する[図3(c)]。ローアドレスと
コラムアドレスが共に有効になるとメモリ部2からデー
タRD(20)が図3(d)に示すように読み出され、
時刻T3〜時刻T4の間に誤り訂正部3において、その
誤り訂正が行われる。そして、正常な場合はそのまま、
誤りがあった場合は訂正後のデータが時刻T4〜T5の
間有効になり、図3(f)に示すようにメモリ制御部1
から正常応答信号DTACK(102)がプロセッサ4
に向け出力される。このDTACK(102)が有効な
間、プロセッサ4がデータData(11)を受け入れる。
なお、このような通常のメモリリードアクセス動作の際
には、プロセッサ4からアクセス要求信号MREQ1
(100)がメモリ制御部1に向け出力され、そのアク
セス動作が開始される。そして図のように時間tAの間
メモリアクセス処理が実行され、時刻tEの間誤り訂正
処理が実行されることになる。
は、時刻T1に有効になり時刻T5までその状態を保持
する[図3(b)]。また、コラムアドレス制御信号C
AS(202)は、時刻T2に有効になり、時刻T5ま
でその状態を継続する[図3(c)]。ローアドレスと
コラムアドレスが共に有効になるとメモリ部2からデー
タRD(20)が図3(d)に示すように読み出され、
時刻T3〜時刻T4の間に誤り訂正部3において、その
誤り訂正が行われる。そして、正常な場合はそのまま、
誤りがあった場合は訂正後のデータが時刻T4〜T5の
間有効になり、図3(f)に示すようにメモリ制御部1
から正常応答信号DTACK(102)がプロセッサ4
に向け出力される。このDTACK(102)が有効な
間、プロセッサ4がデータData(11)を受け入れる。
なお、このような通常のメモリリードアクセス動作の際
には、プロセッサ4からアクセス要求信号MREQ1
(100)がメモリ制御部1に向け出力され、そのアク
セス動作が開始される。そして図のように時間tAの間
メモリアクセス処理が実行され、時刻tEの間誤り訂正
処理が実行されることになる。
【0006】図4に、従来の通常のメモリリードアクセ
ス動作の際に読み出されたデータに1ビット誤りが発生
したときの動作タイムチャートを示す。図の(a)
(b)(c)は、図3に示した(a)(b)(c)と同
様の信号で、(d)は図2のメモリ制御部1からメモリ
部2に向けて出力されるライトイネーブル信号WE(2
03)、(e)はメモリ部2から読み出されたリードデ
ータRD(20)、(f)は、図2の誤り訂正部3がメ
モリ部2から読み出されたデータに誤りを検出した場合
に、メモリ制御部1に向け出力される1ビット誤り信号
ERR1(300)、(g)はメモリ部2に対する書き
戻しデータWD(21)を示している。なお、(h)
(i)は図3の(e)(f)と同様の内容の信号であ
る。図に示すように、(e)に示すメモリ部2から読み
出されたデータRD(20)が誤り訂正(ECC)処理
によって誤りを発見されると、誤り訂正部3は訂正後の
データData(11)をプロセッサ4に向け出力すると共
に、メモリ部2に対し、書き戻しデータWD(21)を
出力する。このようにしてメモリ部2に格納されたデー
タの訂正が行われる。
ス動作の際に読み出されたデータに1ビット誤りが発生
したときの動作タイムチャートを示す。図の(a)
(b)(c)は、図3に示した(a)(b)(c)と同
様の信号で、(d)は図2のメモリ制御部1からメモリ
部2に向けて出力されるライトイネーブル信号WE(2
03)、(e)はメモリ部2から読み出されたリードデ
ータRD(20)、(f)は、図2の誤り訂正部3がメ
モリ部2から読み出されたデータに誤りを検出した場合
に、メモリ制御部1に向け出力される1ビット誤り信号
ERR1(300)、(g)はメモリ部2に対する書き
戻しデータWD(21)を示している。なお、(h)
(i)は図3の(e)(f)と同様の内容の信号であ
る。図に示すように、(e)に示すメモリ部2から読み
出されたデータRD(20)が誤り訂正(ECC)処理
によって誤りを発見されると、誤り訂正部3は訂正後の
データData(11)をプロセッサ4に向け出力すると共
に、メモリ部2に対し、書き戻しデータWD(21)を
出力する。このようにしてメモリ部2に格納されたデー
タの訂正が行われる。
【0007】上記図3及び図4に示した通常のメモリリ
ードアクセス動作は、図2に示すプロセッサ4から任意
のアドレス信号が出力され、これによってメモリ部2が
アクセスする場合に適する。しかしながら、メモリ部2
をダイナミックランダムアクセスメモリにより構成する
と、ローアドレスを変化させずにコラムアドレスのみを
変化させるような比較的狭い範囲のメモリアクセスが行
える。こうすれば、アクセス速度が向上し、演算処理の
高速化を図ることができることが知られている。この動
作をニブルモードと呼んでいる。このモードでは、ロー
アドレスを一定にしたまま、コラムアドレスを1ずつイ
ンクリメントしてメモリアクセスを行う。
ードアクセス動作は、図2に示すプロセッサ4から任意
のアドレス信号が出力され、これによってメモリ部2が
アクセスする場合に適する。しかしながら、メモリ部2
をダイナミックランダムアクセスメモリにより構成する
と、ローアドレスを変化させずにコラムアドレスのみを
変化させるような比較的狭い範囲のメモリアクセスが行
える。こうすれば、アクセス速度が向上し、演算処理の
高速化を図ることができることが知られている。この動
作をニブルモードと呼んでいる。このモードでは、ロー
アドレスを一定にしたまま、コラムアドレスを1ずつイ
ンクリメントしてメモリアクセスを行う。
【0008】図5には、従来の高速なメモリリードアク
セス動作のタイムチャートを示す。図5(a)〜(f)
に示す信号は、図3(a)〜(f)に示す信号と同様で
ある。図5(a)に示すように、図2に示すメモリ制御
部1はメモリアドレスMA(200)をACからAC+
3…というように順に出力する。ここでまず、ローアド
レス制御信号RAS(201)は、時刻T1に有効にな
りその後継続してその状態を保持する[図5(b)]。
一方、図5(c)に示すように、コラムアドレス制御信
号CAS(202)は、時刻T2に有効になり、時刻T
5に一旦無効になると再び時刻T6で有効になり、時刻
T9で再び無効になる。このような周期でコラムアドレ
ス制御信号が“1”ずつインクリメントされ。ここで
(d)に示すように、時刻T3〜T5、時刻T7〜T9
というタイミングでデータが読み出され、これが図2に
示す誤り訂正部3のチェックを経てプロセッサ4に向け
出力される[図5(e)]。正常応答信号DTACK
(102)の出力タイミング[図5(f)]は、図3に
示すものと同様である。図5を見て分かるように、この
モードにおけるメモリアクセスは、最初のアドレスのメ
モリアクセス処理時間tAは図3に示したものと変わら
ないが、その後のコラムアドレスの切り替えが短時間t
A′に行われるため、全体として高速アクセスが可能と
なっている。
セス動作のタイムチャートを示す。図5(a)〜(f)
に示す信号は、図3(a)〜(f)に示す信号と同様で
ある。図5(a)に示すように、図2に示すメモリ制御
部1はメモリアドレスMA(200)をACからAC+
3…というように順に出力する。ここでまず、ローアド
レス制御信号RAS(201)は、時刻T1に有効にな
りその後継続してその状態を保持する[図5(b)]。
一方、図5(c)に示すように、コラムアドレス制御信
号CAS(202)は、時刻T2に有効になり、時刻T
5に一旦無効になると再び時刻T6で有効になり、時刻
T9で再び無効になる。このような周期でコラムアドレ
ス制御信号が“1”ずつインクリメントされ。ここで
(d)に示すように、時刻T3〜T5、時刻T7〜T9
というタイミングでデータが読み出され、これが図2に
示す誤り訂正部3のチェックを経てプロセッサ4に向け
出力される[図5(e)]。正常応答信号DTACK
(102)の出力タイミング[図5(f)]は、図3に
示すものと同様である。図5を見て分かるように、この
モードにおけるメモリアクセスは、最初のアドレスのメ
モリアクセス処理時間tAは図3に示したものと変わら
ないが、その後のコラムアドレスの切り替えが短時間t
A′に行われるため、全体として高速アクセスが可能と
なっている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の図5
のタイムチャートに示したような高速メモリリードアク
セスにおいても、図4で示したようなデータの訂正と書
き戻し処理が実行される。従って、図5に示すように例
えば時刻T3〜T4の間に誤り訂正処理のための時間t
Eを設けなければならない。このために、メモリアクセ
ス動作をさらに高速化しようとすれば、この誤り訂正機
能を削除しなければならないという問題がある。しかし
ながら、このような誤り訂正機能を削除すればデータの
信頼性が低下し、高精度の演算処理が困難になる。本発
明は以上の点に着目してなされたもので、誤り訂正機能
を損なうことなく、従来よりさらに高速なメモリアクセ
スが可能なメモリアクセス制御装置を提供することを目
的するものである。
のタイムチャートに示したような高速メモリリードアク
セスにおいても、図4で示したようなデータの訂正と書
き戻し処理が実行される。従って、図5に示すように例
えば時刻T3〜T4の間に誤り訂正処理のための時間t
Eを設けなければならない。このために、メモリアクセ
ス動作をさらに高速化しようとすれば、この誤り訂正機
能を削除しなければならないという問題がある。しかし
ながら、このような誤り訂正機能を削除すればデータの
信頼性が低下し、高精度の演算処理が困難になる。本発
明は以上の点に着目してなされたもので、誤り訂正機能
を損なうことなく、従来よりさらに高速なメモリアクセ
スが可能なメモリアクセス制御装置を提供することを目
的するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の第1発明は、プ
ロセッサのアクセスによってメモリ部から読み出された
データの誤りを訂正する誤り訂正部と、メモリアクセス
と誤り訂正のパイプライン処理のために、前記メモリ部
から読み出されたデータを一時的に保持し、前記誤り訂
正部に向けて出力するデータ保持部と、前記誤り訂正部
により訂正されたデータが格納されていたメモリアドレ
スを保持する誤りアドレス保持部と、前記プロセッサの
メモリアクセス終了後、前記誤りアドレス保持部に保持
されたメモリアドレスをアクセスして、前記誤り訂正部
により訂正された訂正済みデータを前記メモリ部に書き
戻す書き戻し制御部とを備えたことを特徴とするメモリ
アクセス制御装置に関する。
ロセッサのアクセスによってメモリ部から読み出された
データの誤りを訂正する誤り訂正部と、メモリアクセス
と誤り訂正のパイプライン処理のために、前記メモリ部
から読み出されたデータを一時的に保持し、前記誤り訂
正部に向けて出力するデータ保持部と、前記誤り訂正部
により訂正されたデータが格納されていたメモリアドレ
スを保持する誤りアドレス保持部と、前記プロセッサの
メモリアクセス終了後、前記誤りアドレス保持部に保持
されたメモリアドレスをアクセスして、前記誤り訂正部
により訂正された訂正済みデータを前記メモリ部に書き
戻す書き戻し制御部とを備えたことを特徴とするメモリ
アクセス制御装置に関する。
【0011】さらに本発明の第2発明は、プロセッサの
アクセスによってメモリから読み出されたデータの誤り
を訂正する誤り訂正部と、メモリアクセスと誤り訂正の
パイプライン処理のために、前記メモリから読み出され
たデータを一時的に保持し、前記誤り訂正部に向けて出
力するデータ保持部と、前記プロセッサによるメモリア
クセスの際に前記誤り訂正部からプロセッサに向けて出
力された全てのデータをアクセスアドレス順に記憶する
出力データ記憶部と、そのメモリアクセスの際に最初に
アクセスされたメモリアドレスを保持する先頭アドレス
保持部と、前記プロセッサによるメモリアクセス終了
後、前記先頭アドレス保持部から読み出したメモリアド
レスから順に前記出力データ記憶部中のデータを前記メ
モリに書き戻す書き戻し制御部とを備えたことを特徴と
するメモリアクセス制御装置に関する。
アクセスによってメモリから読み出されたデータの誤り
を訂正する誤り訂正部と、メモリアクセスと誤り訂正の
パイプライン処理のために、前記メモリから読み出され
たデータを一時的に保持し、前記誤り訂正部に向けて出
力するデータ保持部と、前記プロセッサによるメモリア
クセスの際に前記誤り訂正部からプロセッサに向けて出
力された全てのデータをアクセスアドレス順に記憶する
出力データ記憶部と、そのメモリアクセスの際に最初に
アクセスされたメモリアドレスを保持する先頭アドレス
保持部と、前記プロセッサによるメモリアクセス終了
後、前記先頭アドレス保持部から読み出したメモリアド
レスから順に前記出力データ記憶部中のデータを前記メ
モリに書き戻す書き戻し制御部とを備えたことを特徴と
するメモリアクセス制御装置に関する。
【0012】
【作用】この装置は、メモリ部から読み出されたデータ
をデータ保持部に一時的に保持し、データの読み出しと
誤り訂正部の誤り訂正処理とをパイプライン処理により
行いアクセスを高速化する。この場合、訂正済みデータ
の同時書き戻しが不可能なため、そのデータのアドレス
を保持しておき、あるいは訂正済みのデータを記憶して
おき、プロセッサのメモリアクセス終了後、書き戻し処
理を行う。これによりメモリアクセスと誤り訂正が同時
進行し、従来のニブルモードのよりメモリアクセスの高
速化を図ることができる。
をデータ保持部に一時的に保持し、データの読み出しと
誤り訂正部の誤り訂正処理とをパイプライン処理により
行いアクセスを高速化する。この場合、訂正済みデータ
の同時書き戻しが不可能なため、そのデータのアドレス
を保持しておき、あるいは訂正済みのデータを記憶して
おき、プロセッサのメモリアクセス終了後、書き戻し処
理を行う。これによりメモリアクセスと誤り訂正が同時
進行し、従来のニブルモードのよりメモリアクセスの高
速化を図ることができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明を図の実施例を用いて詳細に説
明する。図1は、本発明の第1発明のメモリアクセス制
御装置実施例を示すブロック図である。この装置におい
て、メモリ制御部1とメモリ部2及び誤り訂正部3の構
成は、従来装置と変わるところはない。ここで、本発明
の装置には、メモリ部2から読み出されたデータRD
(20)が一時的に保持されるデータ保持部6が設けら
れている。このデータ保持部6には、メモリ制御部1か
ら所定のタイミングで読み出されたデータをラッチする
ための指示信号DLT(400)が出力される。
明する。図1は、本発明の第1発明のメモリアクセス制
御装置実施例を示すブロック図である。この装置におい
て、メモリ制御部1とメモリ部2及び誤り訂正部3の構
成は、従来装置と変わるところはない。ここで、本発明
の装置には、メモリ部2から読み出されたデータRD
(20)が一時的に保持されるデータ保持部6が設けら
れている。このデータ保持部6には、メモリ制御部1か
ら所定のタイミングで読み出されたデータをラッチする
ための指示信号DLT(400)が出力される。
【0014】メモリ制御部1からメモリ部2に向け出力
される各信号200〜203は、すでに図2を用いて説
明した信号と同一の内容のものである。また、誤り訂正
部3からメモリ制御部1に向け出力される信号300及
び301もすでに図2を用いて説明したものと同様の内
容のものである。さらに、プロセッサ5からメモリ制御
部1に向け出力される信号10、100、101、10
2、103も図2において説明したものと同様の内容の
信号である。ここで、この発明においては、プロセッサ
5から出力されるアドレス信号10が、誤りアドレス保
持部7に向け出力されるよう構成されている。この誤り
アドレス保持部7は、誤り訂正部3から出力される1ビ
ット誤り信号ERR1(300)が、NORゲート8を
介して入力し、これによりアドレス信号10をラッチす
る構成とされている。
される各信号200〜203は、すでに図2を用いて説
明した信号と同一の内容のものである。また、誤り訂正
部3からメモリ制御部1に向け出力される信号300及
び301もすでに図2を用いて説明したものと同様の内
容のものである。さらに、プロセッサ5からメモリ制御
部1に向け出力される信号10、100、101、10
2、103も図2において説明したものと同様の内容の
信号である。ここで、この発明においては、プロセッサ
5から出力されるアドレス信号10が、誤りアドレス保
持部7に向け出力されるよう構成されている。この誤り
アドレス保持部7は、誤り訂正部3から出力される1ビ
ット誤り信号ERR1(300)が、NORゲート8を
介して入力し、これによりアドレス信号10をラッチす
る構成とされている。
【0015】また、このアドレス信号は、プロセッサ5
から出力される読み出し信号ERARD(105)によ
って、プロセッサ5に読み出される構成とされている。
なお、NORゲート8には、プロセッサ5から出力され
るメモリアクセスの要求信号MREQ2(101)が入
力するよう構成されている。また、プロセッサ5には、
プロセッサ5がメモリ部2のメモリアクセスを終了した
後、そのメモリアクセスによってデータ誤りが発見され
た場合、そのデータの書き戻しを請求する書き戻し制御
部9が設けられている。この書き戻し制御部9には、N
ORゲート8の出力信号が入力する。NORゲート8の
出力信号104は、1ビット誤りが発生したことを通知
する割込み信号INTとされる。
から出力される読み出し信号ERARD(105)によ
って、プロセッサ5に読み出される構成とされている。
なお、NORゲート8には、プロセッサ5から出力され
るメモリアクセスの要求信号MREQ2(101)が入
力するよう構成されている。また、プロセッサ5には、
プロセッサ5がメモリ部2のメモリアクセスを終了した
後、そのメモリアクセスによってデータ誤りが発見され
た場合、そのデータの書き戻しを請求する書き戻し制御
部9が設けられている。この書き戻し制御部9には、N
ORゲート8の出力信号が入力する。NORゲート8の
出力信号104は、1ビット誤りが発生したことを通知
する割込み信号INTとされる。
【0016】図6に、上記のような本発明の第1発明の
装置の動作を示すタイムチャートを図示した。図の
(a)から(d)は、先に図3を用いて説明した(a)
から(d)に示す内容の信号と同様で、(a)は、メモ
リ制御部1から出力されるメモリアドレスMA(20
0)。(b)は、ローアドレス制御信号RAS(20
1)。(c)は、コラムアドレス制御信号CAS(20
2)。(d)は、メモリ2から読み出されたデータRD
(20)である。また、(e)は、データRD(20)
をデータ保持部6に保持する指示信号DLT(400)
で、(f)は、データ保持部6に保持されて、所定のタ
イミングで誤り訂正部3に向け出力されるデータRDL
(22)である。さらに、誤り訂正部3でチェックさ
れ、あるいは訂正されたデータData(11)を図6
(g)に示し、正常応答信号DTACK(102)を図
6(h)に示した。
装置の動作を示すタイムチャートを図示した。図の
(a)から(d)は、先に図3を用いて説明した(a)
から(d)に示す内容の信号と同様で、(a)は、メモ
リ制御部1から出力されるメモリアドレスMA(20
0)。(b)は、ローアドレス制御信号RAS(20
1)。(c)は、コラムアドレス制御信号CAS(20
2)。(d)は、メモリ2から読み出されたデータRD
(20)である。また、(e)は、データRD(20)
をデータ保持部6に保持する指示信号DLT(400)
で、(f)は、データ保持部6に保持されて、所定のタ
イミングで誤り訂正部3に向け出力されるデータRDL
(22)である。さらに、誤り訂正部3でチェックさ
れ、あるいは訂正されたデータData(11)を図6
(g)に示し、正常応答信号DTACK(102)を図
6(h)に示した。
【0017】また、図6(i)は、誤り訂正部3から出
力される1ビット誤り通知用の信号ERR1(300)
で、(j)はプロセッサ5からメモリ制御部1に向け出
力されるアドレス信号Address (10)、さらに、
(k)は、高速メモリリードアクセスを要求するための
信号MREQ2(101)、(l)は、1ビット誤りが
発生したことをプロセッサ5に通知するための割り込み
信号INT(104)である。なお、以下の説明はいず
れもニブルモードによる高速アクセスを実行する動作で
ある。
力される1ビット誤り通知用の信号ERR1(300)
で、(j)はプロセッサ5からメモリ制御部1に向け出
力されるアドレス信号Address (10)、さらに、
(k)は、高速メモリリードアクセスを要求するための
信号MREQ2(101)、(l)は、1ビット誤りが
発生したことをプロセッサ5に通知するための割り込み
信号INT(104)である。なお、以下の説明はいず
れもニブルモードによる高速アクセスを実行する動作で
ある。
【0018】図6に示すように、まず、プロセッサ5か
ら予め先頭アドレスを示すアドレス信号MA(200)
が(j)に示すように出力され、同時に高速アクセスを
要求する信号MREQ2(101)が(k)に示すよう
に出力される。これに従ってメモリ制御部1からメモリ
部2に向けメモリアドレスMA(200)が出力され
[図6(a)]、(b)に示すように、ローアドレス制
御信号RAS(201)が時刻T1に有効になる。その
後(c)に示すように時刻T2にコラムアドレス制御信
号CAS(202)が有効になり、時刻T3に(d)に
示すようにメモリ2からデータRD(20)が読み出さ
れる。
ら予め先頭アドレスを示すアドレス信号MA(200)
が(j)に示すように出力され、同時に高速アクセスを
要求する信号MREQ2(101)が(k)に示すよう
に出力される。これに従ってメモリ制御部1からメモリ
部2に向けメモリアドレスMA(200)が出力され
[図6(a)]、(b)に示すように、ローアドレス制
御信号RAS(201)が時刻T1に有効になる。その
後(c)に示すように時刻T2にコラムアドレス制御信
号CAS(202)が有効になり、時刻T3に(d)に
示すようにメモリ2からデータRD(20)が読み出さ
れる。
【0019】なお、(e)に示すようにデータが読み出
された時刻T3からデータラッチ信号DLT(400)
が有効になり、これによってデータ保持部6がメモリ部
2から出力されたデータを保持する。そして、時刻T3
〜時刻T7の間は、データ保持部6の出力するデータR
DL(22)が有効となり、これが、誤り訂正部3に向
け出力され、チェックあるいは誤り訂正を受ける。これ
は図6(g)に示すようにプロセッサ5に対し、データ
Data(11)となって出力される。このデータData(1
1)は、時刻T5〜時刻T7まで有効となり、その間図
6(h)に示すように正常応答信号DTACK(10
2)が有効となる。なお、このように時刻T1〜時刻T
3までが、最初のデータアクセスに使用される時間tA
とされ、時刻T3〜時刻T5までが誤り訂正のための時
間tEとされる。
された時刻T3からデータラッチ信号DLT(400)
が有効になり、これによってデータ保持部6がメモリ部
2から出力されたデータを保持する。そして、時刻T3
〜時刻T7の間は、データ保持部6の出力するデータR
DL(22)が有効となり、これが、誤り訂正部3に向
け出力され、チェックあるいは誤り訂正を受ける。これ
は図6(g)に示すようにプロセッサ5に対し、データ
Data(11)となって出力される。このデータData(1
1)は、時刻T5〜時刻T7まで有効となり、その間図
6(h)に示すように正常応答信号DTACK(10
2)が有効となる。なお、このように時刻T1〜時刻T
3までが、最初のデータアクセスに使用される時間tA
とされ、時刻T3〜時刻T5までが誤り訂正のための時
間tEとされる。
【0020】一方、時刻T4においてコラムアドレス制
御信号CAS(202)が無効となり[図6(c)]、
時刻T5に再び有効となって、この時メモリ制御部1か
ら新たなメモリアドレスが出力される。これによって、
時刻T6にメモリ部2から次のデータが読み出され[図
6(f)]、データラッチ信号DLT(400)が時刻
T7に無効となり、再び時刻T8に有効となるため、こ
の時読み出された信号が改めてデータ保持部6に保持さ
れる、従って、2番目以降のデータアクセス時間はは、
図に示す時間tA′となり、これは先に図5において示
したアクセス時間に比べて十分短縮化される。
御信号CAS(202)が無効となり[図6(c)]、
時刻T5に再び有効となって、この時メモリ制御部1か
ら新たなメモリアドレスが出力される。これによって、
時刻T6にメモリ部2から次のデータが読み出され[図
6(f)]、データラッチ信号DLT(400)が時刻
T7に無効となり、再び時刻T8に有効となるため、こ
の時読み出された信号が改めてデータ保持部6に保持さ
れる、従って、2番目以降のデータアクセス時間はは、
図に示す時間tA′となり、これは先に図5において示
したアクセス時間に比べて十分短縮化される。
【0021】即ち、本発明においては、図6に示すよう
に、メモリ部2からのデータの読み出しと、誤り訂正部
3におけるデータの誤り訂正とをそれぞれタイミングを
ずらして同時進行させ、いわゆるパイプライン処理を行
うようにしたため、メモリアクセス時間にデータ誤り訂
正のための時間が含まれず、高速アクセスが可能となっ
ている。
に、メモリ部2からのデータの読み出しと、誤り訂正部
3におけるデータの誤り訂正とをそれぞれタイミングを
ずらして同時進行させ、いわゆるパイプライン処理を行
うようにしたため、メモリアクセス時間にデータ誤り訂
正のための時間が含まれず、高速アクセスが可能となっ
ている。
【0022】ところで、図6(i)に示すように、時刻
T12において読み出されたデータに1ビット誤りが発
生した場合、誤り訂正部3からその旨の信号ERR1
(300)が出力され、これが図1に示すNORゲート
8において反転されて、プロセッサ5に割り込み信号I
NT(104)として入力する[図6(l)]。また、
同時にこの信号が誤りアドレス保持部7に向け出力さ
れ、この時メモリアクセスに使用されたアドレス信号
が、誤りアドレス保持部7に保持される。
T12において読み出されたデータに1ビット誤りが発
生した場合、誤り訂正部3からその旨の信号ERR1
(300)が出力され、これが図1に示すNORゲート
8において反転されて、プロセッサ5に割り込み信号I
NT(104)として入力する[図6(l)]。また、
同時にこの信号が誤りアドレス保持部7に向け出力さ
れ、この時メモリアクセスに使用されたアドレス信号
が、誤りアドレス保持部7に保持される。
【0023】なお、このような1ビット誤りが発見され
た場合、従来は直ちにメモリ部2へそのデータの書き戻
しを行っていたが、本発明においてはパイプライン処理
を行っているために、このような書き戻しを行うことが
できない。従って、本発明の場合、プロセッサ5による
メモリ部2のアクセスが終了した後、適当な空き時間を
利用して、そのデータの書き戻し処理が行われる。この
書き戻しの処理のために、誤りの発生したデータのアド
レスを誤りアドレス保持部7に保持しておくのである。
通常、メモリアクセスの際に誤りが発生する率は極めて
低く、2以上の誤りが連続して発生する場合はほとんど
ない。従って、この第1発明の実施例においては、誤り
の発生したアドレスを誤りアドレス保持部7に一つだけ
保持するよう構成している。しかしながら、さらに信頼
性を向上させるためには、誤りアドレス保持部7は、例
えば先入れ先出しメモリにより構成し、2以上のアドレ
スを格納するようにすればよい。
た場合、従来は直ちにメモリ部2へそのデータの書き戻
しを行っていたが、本発明においてはパイプライン処理
を行っているために、このような書き戻しを行うことが
できない。従って、本発明の場合、プロセッサ5による
メモリ部2のアクセスが終了した後、適当な空き時間を
利用して、そのデータの書き戻し処理が行われる。この
書き戻しの処理のために、誤りの発生したデータのアド
レスを誤りアドレス保持部7に保持しておくのである。
通常、メモリアクセスの際に誤りが発生する率は極めて
低く、2以上の誤りが連続して発生する場合はほとんど
ない。従って、この第1発明の実施例においては、誤り
の発生したアドレスを誤りアドレス保持部7に一つだけ
保持するよう構成している。しかしながら、さらに信頼
性を向上させるためには、誤りアドレス保持部7は、例
えば先入れ先出しメモリにより構成し、2以上のアドレ
スを格納するようにすればよい。
【0024】次に、図1に示すプロセッサ5中の書き戻
し制御部9による書き戻し処理の動作説明を行う。書き
戻し処理自体は、図4においてすでに従来例で説明した
動作と全く同様の内容となる。まず、書き戻し制御部9
は、プロセッサ5のメモリアクセス中に、NORゲート
8から出力される割り込み信号INTを監視し、1ビッ
ト誤りが発生したか否かを記憶しておく。そして、メモ
リアクセス時誤りが発生しなかった場合には書き戻し処
理は行われず、誤りが発生した場合には、プロセッサ5
のメモリアクセス終了後、適当なタイミングでアドレス
読み出しのための信号ERARD(105)を、誤りア
ドレス保持部7に向け出力する。
し制御部9による書き戻し処理の動作説明を行う。書き
戻し処理自体は、図4においてすでに従来例で説明した
動作と全く同様の内容となる。まず、書き戻し制御部9
は、プロセッサ5のメモリアクセス中に、NORゲート
8から出力される割り込み信号INTを監視し、1ビッ
ト誤りが発生したか否かを記憶しておく。そして、メモ
リアクセス時誤りが発生しなかった場合には書き戻し処
理は行われず、誤りが発生した場合には、プロセッサ5
のメモリアクセス終了後、適当なタイミングでアドレス
読み出しのための信号ERARD(105)を、誤りア
ドレス保持部7に向け出力する。
【0025】これにより、該当するアドレス信号がプロ
セッサ5に読み出され、この信号がアドレス信号Addres
s (10)としてメモリ制御部1に向け出力される。こ
の時同時に、通常アクセスのための要求MREQ1がメ
モリ制御部1に出力される。これによって、図4に示す
タイムチャートと同様にして、誤りの生じたアドレスか
らデータが読み出され、誤り訂正部3によって、そのデ
ータが訂正されてメモリ部2に書き戻される。なお、こ
の場合、データ保持部6は動作せず、メモリ部2から読
み出されたデータが誤り訂正部3にそのまま入力し、図
2で説明した従来装置と全く同様の構成の動作が実行さ
れることになる。
セッサ5に読み出され、この信号がアドレス信号Addres
s (10)としてメモリ制御部1に向け出力される。こ
の時同時に、通常アクセスのための要求MREQ1がメ
モリ制御部1に出力される。これによって、図4に示す
タイムチャートと同様にして、誤りの生じたアドレスか
らデータが読み出され、誤り訂正部3によって、そのデ
ータが訂正されてメモリ部2に書き戻される。なお、こ
の場合、データ保持部6は動作せず、メモリ部2から読
み出されたデータが誤り訂正部3にそのまま入力し、図
2で説明した従来装置と全く同様の構成の動作が実行さ
れることになる。
【0026】図7に、本発明の第2発明のメモリアクセ
ス制御装置実施例ブロック図を示す。この装置は、図1
に示した装置と異なり、書き戻し制御部17がプロセッ
サ14からメモリ制御部13の側に移されている。この
ほかにメモリ制御部13には、プロセッサ14のアクセ
スする先頭アドレスを保持しておくための先頭アドレス
保持部18が設けられている。また、メモリ部2から出
力されるデータを保持するためのデータ保持部16は、
図1に示すものと同様であるが、誤り訂正部3の出力す
るデータがプロセッサ14に向け出力されるとともに、
出力データ記憶部15に記憶されるように構成されてい
る。また、書き戻し制御部17から出力データ記憶部1
5に対し、データ書き込みを指示するイネーブル信号L
T(500)とデータ読み出しを指示するイネーブル信
号EN(500)が入力するよう構成されている。その
他プロセッサ14からメモリ制御部13に向け出力され
る信号、メモリ制御部13からメモリ部2に出力される
信号、誤り訂正部3からメモリ制御部13に向け出力さ
れる信号等は図1に示したものと同様であり、重複する
説明を省略する。
ス制御装置実施例ブロック図を示す。この装置は、図1
に示した装置と異なり、書き戻し制御部17がプロセッ
サ14からメモリ制御部13の側に移されている。この
ほかにメモリ制御部13には、プロセッサ14のアクセ
スする先頭アドレスを保持しておくための先頭アドレス
保持部18が設けられている。また、メモリ部2から出
力されるデータを保持するためのデータ保持部16は、
図1に示すものと同様であるが、誤り訂正部3の出力す
るデータがプロセッサ14に向け出力されるとともに、
出力データ記憶部15に記憶されるように構成されてい
る。また、書き戻し制御部17から出力データ記憶部1
5に対し、データ書き込みを指示するイネーブル信号L
T(500)とデータ読み出しを指示するイネーブル信
号EN(500)が入力するよう構成されている。その
他プロセッサ14からメモリ制御部13に向け出力され
る信号、メモリ制御部13からメモリ部2に出力される
信号、誤り訂正部3からメモリ制御部13に向け出力さ
れる信号等は図1に示したものと同様であり、重複する
説明を省略する。
【0027】図7に示す本発明の第2発明の装置は、次
のように動作する。図8は、本発明の第2発明の装置の
動作を示すタイムチャートである。図の(a)〜(h)
に示す信号は、図6において説明した(a)〜(h)に
示す信号と同様である。また、図8(i)に示す信号L
T(501)は、メモリ制御部13から出力され、先に
説明したように出力データ記憶部15に対し、誤り訂正
部3からプロセッサ14に向け出力されるデータのラッ
チを指示する信号である。図において、ローアドレス制
御信号RAS(201)は、時刻T1に有効になり、コ
ラムアドレス制御信号CAS(202)は、時刻T2に
有効になる。その後、コラムアドレス制御信号CAS
(202)は、時刻T2、時刻T5…というタイミング
で有効になり、アドレス信号MA(200)がインクリ
メントされて、高速アクセスが実行される[図8
(a)]。
のように動作する。図8は、本発明の第2発明の装置の
動作を示すタイムチャートである。図の(a)〜(h)
に示す信号は、図6において説明した(a)〜(h)に
示す信号と同様である。また、図8(i)に示す信号L
T(501)は、メモリ制御部13から出力され、先に
説明したように出力データ記憶部15に対し、誤り訂正
部3からプロセッサ14に向け出力されるデータのラッ
チを指示する信号である。図において、ローアドレス制
御信号RAS(201)は、時刻T1に有効になり、コ
ラムアドレス制御信号CAS(202)は、時刻T2に
有効になる。その後、コラムアドレス制御信号CAS
(202)は、時刻T2、時刻T5…というタイミング
で有効になり、アドレス信号MA(200)がインクリ
メントされて、高速アクセスが実行される[図8
(a)]。
【0028】そして、(d)に示すように、データRD
(20)が、時刻T3、時刻T6…のタイミングで読み
出される。図8の(e)に示すデータラッチ信号DLT
(400)が有効になった時、そのデータがデータ保持
部16にラッチされる。次に、図8(f)に示すよう
に、データ保持部16の出力するデータRDL(22)
が時刻T3〜時刻T7の間有効になり、誤り訂正部3に
おいて、そのチェックあるいは誤り訂正が実行され、図
8(g)に示すようにプロセッサ14に対しデータが出
力される。同時に、正常応答信号DTACK(102)
が同一タイミングで有効となる。これらの動作はすでに
図1において説明した装置の動作と同様である。
(20)が、時刻T3、時刻T6…のタイミングで読み
出される。図8の(e)に示すデータラッチ信号DLT
(400)が有効になった時、そのデータがデータ保持
部16にラッチされる。次に、図8(f)に示すよう
に、データ保持部16の出力するデータRDL(22)
が時刻T3〜時刻T7の間有効になり、誤り訂正部3に
おいて、そのチェックあるいは誤り訂正が実行され、図
8(g)に示すようにプロセッサ14に対しデータが出
力される。同時に、正常応答信号DTACK(102)
が同一タイミングで有効となる。これらの動作はすでに
図1において説明した装置の動作と同様である。
【0029】なお、図7の第2発明の装置においては、
図8(i)に示すように、正常応答信号DTACK(1
02)が有効となった直後に、データラッチ信号LT
(501)によってプロセッサ14に向け出力されるデ
ータが出力データ記憶部15に記憶される。この出力デ
ータ記憶部15は、この実施例では先入れ先出しメモリ
とされる。従って、図8(g)(i)に示すように、
、、…というようにデータが読み出されると、こ
れらのデータがすべて順に出力データ記憶部15に格納
されることになる。このような動作は、プロセッサ14
によるメモリ部2のアクセス動作が完了するまで続けら
れる。なお、この第2発明においては、データに誤りの
生じたアドレスの記憶は行われない。しかしながら、メ
モリ制御部13に設けられた書き戻し制御部17は、誤
り訂正部3の出力する信号ERR1(300)とERR
2(301)を監視し、メモリアクセス中に誤りが発生
したか否かの認識を行う。そして、これらメモリアクセ
スの際のアクセス開始アドレスを図7の先頭アドレス保
持部18に記憶しておく。図9に、そのようなメモリア
クセス終了後における第2発明の装置の書き戻し動作タ
イムチャートを示す。
図8(i)に示すように、正常応答信号DTACK(1
02)が有効となった直後に、データラッチ信号LT
(501)によってプロセッサ14に向け出力されるデ
ータが出力データ記憶部15に記憶される。この出力デ
ータ記憶部15は、この実施例では先入れ先出しメモリ
とされる。従って、図8(g)(i)に示すように、
、、…というようにデータが読み出されると、こ
れらのデータがすべて順に出力データ記憶部15に格納
されることになる。このような動作は、プロセッサ14
によるメモリ部2のアクセス動作が完了するまで続けら
れる。なお、この第2発明においては、データに誤りの
生じたアドレスの記憶は行われない。しかしながら、メ
モリ制御部13に設けられた書き戻し制御部17は、誤
り訂正部3の出力する信号ERR1(300)とERR
2(301)を監視し、メモリアクセス中に誤りが発生
したか否かの認識を行う。そして、これらメモリアクセ
スの際のアクセス開始アドレスを図7の先頭アドレス保
持部18に記憶しておく。図9に、そのようなメモリア
クセス終了後における第2発明の装置の書き戻し動作タ
イムチャートを示す。
【0030】なお、この第2発明においても、パイプラ
イン制御により、データ読み出しと同時の書き戻しがで
きないため、空き時間を利用しての書き戻しが実行され
る。図9に示すように、メモリ制御部13から、その直
前の高速メモリリードアクセスの最後のサイクルにおい
て、時刻T1に再びそのアクセスの最初のアドレスが出
力され[図9(a)]、時刻T2において、ローアドレ
ス制御信号RAS(201)が有効になると[図9
(b)]、その後メモリ制御部13からは、コラムアド
レス制御信号CAS(202)がアドレスのインクリメ
ントの都度所定のタイミングで有効となるよう出力され
る[図9(c)]。
イン制御により、データ読み出しと同時の書き戻しがで
きないため、空き時間を利用しての書き戻しが実行され
る。図9に示すように、メモリ制御部13から、その直
前の高速メモリリードアクセスの最後のサイクルにおい
て、時刻T1に再びそのアクセスの最初のアドレスが出
力され[図9(a)]、時刻T2において、ローアドレ
ス制御信号RAS(201)が有効になると[図9
(b)]、その後メモリ制御部13からは、コラムアド
レス制御信号CAS(202)がアドレスのインクリメ
ントの都度所定のタイミングで有効となるよう出力され
る[図9(c)]。
【0031】図9(d)に示すように、時刻T2以降、
メモリ部2に対して書き込みイネーブル信号WE(20
3)が有効になるよう出力される。そして出力データ記
憶部15に対し、図9(g)に示すように、イネーブル
信号EN(500)が、時刻T4〜時刻T6の間出力さ
れ、同時にデータData(11)が時刻T5〜時刻T6の
間、誤り訂正部3からメモリ部2に向け出力され有効と
なる[図9(f)]。こうして、メモリ部2に対し、出
力データ記憶部15に記憶されたデータが順次書き戻さ
れる。この動作は、先に高速メモリアクセスによりアク
セスされた全ての番地に対し実行される。こうして、誤
り訂正部3自体は動作せず、書き戻し処理が行われる。
メモリ部2に対して書き込みイネーブル信号WE(20
3)が有効になるよう出力される。そして出力データ記
憶部15に対し、図9(g)に示すように、イネーブル
信号EN(500)が、時刻T4〜時刻T6の間出力さ
れ、同時にデータData(11)が時刻T5〜時刻T6の
間、誤り訂正部3からメモリ部2に向け出力され有効と
なる[図9(f)]。こうして、メモリ部2に対し、出
力データ記憶部15に記憶されたデータが順次書き戻さ
れる。この動作は、先に高速メモリアクセスによりアク
セスされた全ての番地に対し実行される。こうして、誤
り訂正部3自体は動作せず、書き戻し処理が行われる。
【0032】図1に示した第1発明と図7に示した第2
発明の動作を比較すると、図1に示した第1発明の場合
には、プロセッサ5によるメモリアクセス終了後、書き
戻し制御部9が書き戻し処理を開始する。この書き戻し
制御部9は、実際にはプロセッサ5の動作プログラムの
一部によって構成される。従って、書き戻し処理にはプ
ロセッサ5に負担がかかることになる。一方、図7に示
す第2発明の装置の場合、メモリ制御部13の中に比較
的簡単な論理回路等で構成した書き戻し制御部17を設
けることにより、プロセッサ14のメモリ部2に対する
アクセス終了後、直ちに書き戻し処理が実行される。従
って、プロセッサ14に対する負担を軽くすることがで
きる。
発明の動作を比較すると、図1に示した第1発明の場合
には、プロセッサ5によるメモリアクセス終了後、書き
戻し制御部9が書き戻し処理を開始する。この書き戻し
制御部9は、実際にはプロセッサ5の動作プログラムの
一部によって構成される。従って、書き戻し処理にはプ
ロセッサ5に負担がかかることになる。一方、図7に示
す第2発明の装置の場合、メモリ制御部13の中に比較
的簡単な論理回路等で構成した書き戻し制御部17を設
けることにより、プロセッサ14のメモリ部2に対する
アクセス終了後、直ちに書き戻し処理が実行される。従
って、プロセッサ14に対する負担を軽くすることがで
きる。
【0033】本発明は以上の実施例に限定されない。第
1発明のメモリアクセス装置実施例においては、誤りデ
ータが生じた誤りアドレスを記憶して、その書き戻しを
行うよう説明したが、プロセッサのメモリアクセス開始
時の先頭アドレスを記憶し、その先頭アドレスからプロ
セッサがアクセスを行った全てのアドレスに対し、従来
装置の通常のアクセスと同様の図4に示したような書き
戻し処理を実行するようにしてもよい。また、第2発明
の実施例においては、メモリアクセスによって読み出さ
れたデータ全てを出力データ記憶部15に記憶し、メモ
リ部2に対し書き戻し処理を行うよう説明したが、誤り
データのみを出力データ記憶部に記憶すると共に、別途
そのアドレスを記憶し、該当するアドレスに誤りデータ
を書き込む処理を行うことによって書き戻し処理を実行
するようにしてもよい。
1発明のメモリアクセス装置実施例においては、誤りデ
ータが生じた誤りアドレスを記憶して、その書き戻しを
行うよう説明したが、プロセッサのメモリアクセス開始
時の先頭アドレスを記憶し、その先頭アドレスからプロ
セッサがアクセスを行った全てのアドレスに対し、従来
装置の通常のアクセスと同様の図4に示したような書き
戻し処理を実行するようにしてもよい。また、第2発明
の実施例においては、メモリアクセスによって読み出さ
れたデータ全てを出力データ記憶部15に記憶し、メモ
リ部2に対し書き戻し処理を行うよう説明したが、誤り
データのみを出力データ記憶部に記憶すると共に、別途
そのアドレスを記憶し、該当するアドレスに誤りデータ
を書き込む処理を行うことによって書き戻し処理を実行
するようにしてもよい。
【0034】
【発明の効果】以上説明した本発明のメモリアクセス制
御装置によれば、メモリアクセスとデータの誤り訂正を
パイプライン化し、誤り訂正の時間だけアクセス時間の
短縮化を図るようにしたので、メモリアクセスのより一
層の高速化と演算処理の高速化を図ることができる。さ
らに誤りデータは、メモリ部アクセスの空き時間を利用
して書き戻すようにしたので、プロセッサの動作を妨げ
ることなくデータの信頼性向上を図ることができる。
御装置によれば、メモリアクセスとデータの誤り訂正を
パイプライン化し、誤り訂正の時間だけアクセス時間の
短縮化を図るようにしたので、メモリアクセスのより一
層の高速化と演算処理の高速化を図ることができる。さ
らに誤りデータは、メモリ部アクセスの空き時間を利用
して書き戻すようにしたので、プロセッサの動作を妨げ
ることなくデータの信頼性向上を図ることができる。
【図1】第1発明のメモリアクセス制御装置実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図2】従来のメモリアクセス制御装置のブロック図で
ある。
ある。
【図3】従来の通常のメモリリードアクセス動作のタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図4】従来の1ビット誤りが発生したときの動作タイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図5】従来の高速なメモリリードアクセス動作のタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
【図6】第1発明の装置の動作を示すタイムチャートで
ある。
ある。
【図7】第2発明のメモリアクセス制御装置実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図8】第2発明の装置の動作を示すタイムチャートで
ある。
ある。
【図9】第2発明の装置における書き戻し動作のタイム
チャートである。
チャートである。
1 メモリ制御部
2 メモリ部
3 誤り訂正部
5 プロセッサ
6 データ保持部
7 誤りアドレス保持部
9 書き戻し制御部
Claims (2)
- 【請求項1】 プロセッサのアクセスによってメモリ部
から読み出されたデータの誤りを訂正する誤り訂正部
と、メモリアクセスと誤り訂正のパイプライン処理のた
めに、前記メモリ部から読み出されたデータを一時的に
保持し、前記誤り訂正部に向けて出力するデータ保持部
と、前記誤り訂正部により訂正されたデータが格納され
ていたメモリアドレスを保持する誤りアドレス保持部
と、前記プロセッサのメモリアクセス終了後、前記誤り
アドレス保持部に保持されたメモリアドレスをアクセス
して、前記誤り訂正部により訂正された訂正済みデータ
を前記メモリ部に書き戻す書き戻し制御部とを備えたこ
とを特徴とするメモリアクセス制御装置。 - 【請求項2】 プロセッサのアクセスによってメモリか
ら読み出されたデータの誤りを訂正する誤り訂正部と、
メモリアクセスと誤り訂正のパイプライン処理のため
に、前記メモリから読み出されたデータを一時的に保持
し、前記誤り訂正部に向けて出力するデータ保持部と、
前記プロセッサによるメモリアクセスの際に前記誤り訂
正部からプロセッサに向けて出力された全てのデータを
アクセスアドレス順に記憶する出力データ記憶部と、そ
のメモリアクセスの際に最初にアクセスされたメモリア
ドレスを保持する先頭アドレス保持部と、前記プロセッ
サによるメモリアクセス終了後、前記先頭アドレス保持
部から読み出したメモリアドレスから順に前記出力デー
タ記憶部中のデータを前記メモリに書き戻す書き戻し制
御部とを備えたことを特徴とするメモリアクセス制御装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183009A JPH056313A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | メモリアクセス制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183009A JPH056313A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | メモリアクセス制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056313A true JPH056313A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=16128146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183009A Pending JPH056313A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | メモリアクセス制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056313A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7079444B2 (en) | 2004-02-26 | 2006-07-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system using simultaneous bi-directional input/output circuit on an address bus line |
| JP2011108306A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Sony Corp | 不揮発性メモリおよびメモリシステム |
| JP2013250594A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Renesas Electronics Corp | 自己修復メモリ回路およびその修復方法 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3183009A patent/JPH056313A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7079444B2 (en) | 2004-02-26 | 2006-07-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system using simultaneous bi-directional input/output circuit on an address bus line |
| JP2011108306A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Sony Corp | 不揮発性メモリおよびメモリシステム |
| US8683290B2 (en) | 2009-11-16 | 2014-03-25 | Sony Corporation | Save area for retaining corrected data |
| JP2013250594A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Renesas Electronics Corp | 自己修復メモリ回路およびその修復方法 |
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