JPH0563263A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 比較的簡単な構成により、高い励起効率を維
持しつつ高出力のレーザ光を得ることができる半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明にかかる半導体レーザ励起固体レーザ
装置は、固体レーザ媒体１の周囲に、この固体レーザ媒
体１を挾んで対向するとともに互いに所定の角度をなし
た反射面を有する反射部材３ａ，３ｂを設け、励起用半
導体レーザ装置２から射出された励起用レーザ光Ｌ₀ の
少なくとも一部を上記反射部材３ａ，３ｂの反射面に入
射させるとともに、この励起用レーザ光Ｌ₀ が前記反射
部材３ａ，３ｂの対向する反射面間で前記固体レーザ媒
体１を通過しつつ複数回折り返し反射されるようにした
ことを特徴としたもので、折り返し反射させる間に励起
用レーザ光Ｌ₀ を固体レーザ媒体１に吸収させ、かつ、
反射部材３ａ，３ｂに励起用レーザ光Ｌ₀ を入射させる
構成としたことにより大量の励起用レーザ光の入射を可
能にし、これにより、比較的簡単な構成により、高い励
起効率を維持しつつ高出力のレーザ光Ｌ₁ を得ることを
可能にしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置か
ら射出されたレーザ光を励起光として用いる半導体レー
ザ励起固体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】励起用半導体レーザ装置から射出された
レーザ光を励起光として用いる半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置には、励起用レーザ光を固体レーザ媒体の共振
光の入・出射面たる端面から入射させるようにしたいわ
ゆる端面励起方式と、励起用レーザ光を固体レーザ媒体
の側面から入射させるようにしたいわゆる側面励起方式
とがある。

【０００３】端面励起方式は、固体レーザ媒体に入射し
た励起用レーザ光が固体レーザ媒体内を発振レーザ光に
空間的に一致する方向に長い距離進行するから、入射し
た励起光がほとんど全部吸収される。したがって、励起
効率が高いという利点がある。

【０００４】これに対し、側面励起方式は、固体レーザ
媒体の側面から励起用レーザ媒体を入射させるので、励
起光の入射面積を広くとれる。それゆえ、多数の半導体
レーザ装置を用いて強力なレーザ光を得ることができる
（例えば、特開平2-54588 号公報参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の方法のうち、端面励起方式は、面積の狭い端面か
ら励起用レーザ光を入射させなければならないので入射
可能光量に制限があり、高出力のレーザ装置を得ること
は困難であるという欠点がある。

【０００６】また、側面励起方式は、励起用レーザ光を
側面から入射させるために、固体レーザ媒体を囲むよう
にして設けられた反射鏡の一部を除いて励起用レーザ光
の入射窓を設けることが必須であり、これがために、半
導体レーザ装置から射出された励起用レーザ光の利用効
率が悪く、励起効率の向上に限界がある。

【０００７】このように、従来の半導体レーザ励起固体
レーザ装置は、励起効率を良くしようとすると、高い出
力を得ることができず、逆に高い出力を得ようとする
と、励起効率が悪くなるという問題があった。

【０００８】この発明は、上述の背景のもとでなされた
ものであり、比較的簡単な構成により、高い励起効率を
維持しつつ高出力のレーザ光を得ることができる半導体
レーザ励起固体レーザ装置を提供することを目的とした
ものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、（１） 励起用半導体レーザ装置から射
出された励起用のレーザ光を、レーザ共振器内に配置さ
れた固体レーザ媒体に照射し、該固体レーザ媒体を励起
して出力レーザ光を得るようにした半導体レーザ励起固
体レーザ装置において、前記固体レーザ媒体の周囲に、
該固体レーザ媒体を挾んで対向するとともに互いに所定
の角度をなした反射面を有する反射部材を設け、前記励
起用半導体レーザ装置から射出された励起用レーザ光の
少なくとも一部を前記反射部材の反射面に入射させると
ともに、この励起用レーザ光が前記反射部材の対向する
反射面間で前記固体レーザ媒体を通過しつつ複数回折り
返し反射されるようにしたことを特徴とする構成とし、
また、構成１の態様として、（２） 構成１の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置において、前記励起用半導体レ
ーザ装置から射出された励起用レーザ光の一部を固体レ
ーザ媒体の共振レーザ光の入・出射面たる端面から入射
するようにしたことを特徴とする構成とし、さらに、構
成１または２の態様として、（３） 構成１または２の
半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記励起用
半導体レーザ装置として、半導体レーザアレイを用いた
ことを特徴とする構成とし、そして、構成１ないし３の
いずれかの態様として、（４） 構成１ないし３のいず
れかの半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記
反射部材が、前記固体レーザ媒体と中心軸を共有する円
錐面上に反射面が形成されたものであることを特徴とし
た構成としたものである。

【００１０】

【作用】上述の構成１によれば、反射部材の反射面に入
射した励起用レーザ光は、反射部材の対向する反射面間
で固体レーザ媒体を通過しつつ複数回折り返し反射され
る。これにより、反射部材の反射面に入射した励起用レ
ーザ光を固体レーザ媒体に十分吸収させることができ
る。しかも、反射部材の反射面は、その励起用レーザ光
を入射させることができる面積を必要に応じて十分大き
く確保できるから、多数の励起用半導体レーザ装置から
大量の励起用レーザ光を入射させて固体レーザ媒体に吸
収させることができる。したがって、高い励起効率を維
持しつつ強力な発振レーザ光を得ることができる。

【００１１】また、構成２によれば、励起用レーザ光の
一部を端面からも入射させるようにしたことにより、さ
らに、高出力のレーザ光を得ることを可能にする。

【００１２】また、構成３によれば、比較的容易に大量
の励起用レーザ光を固体レーザ媒体に入射させることが
可能となる。

【００１３】さらに、構成４によれば、励起用半導体レ
ーザ装置から射出された励起用レーザ光をより効率良く
固体レーザ媒体に入射させることができる。

【００１４】

【実施例】第１実施例 図１はこの発明の第１実施例にかかる半導体レーザ励起
固体レーザ装置の縦断面図、図２は第１実施例の光路説
明図である。以下、これらの図を参照にしながらこの発
明の第１実施例を詳細に説明する。

【００１５】図１及び図２において、符号１は固体レー
ザ媒体、符号２は励起用半導体レーザ装置、符号３ａ，
３ｂは反射部材を構成する平板状の反射鏡、符号４は全
反射ミラー、符号５は出力ミラー、符号６はコリメート
レンズである。なお、全反射ミラー４と出力ミラー５と
でレーザ共振器を構成する。

【００１６】全反射ミラー４と出力ミラー５とは、固体
レーザ媒体１の中心軸（以下、光軸という）と光軸を共
通にして、該固体レーザ媒体１の両側に所定の距離をお
いて配置されている。また、反射鏡３ａ，３ｂは、固体
レーザ媒体１を挾むようにして配置されている。この場
合、反射鏡３ｂは、その反射面が固体レーザ媒体１の側
面に密接して該側面と平行になるように配置され、一
方、反射鏡３ａは、固体レーザ媒体と角度θをなすよう
に配置されている。

【００１７】また、励起用半導体レーザ装置２は、反射
鏡３ａ，３ｂの外側に、その光軸が、固体レーザ媒体１
の光軸と平行でかつ該光軸から所定距離離間するととも
に反射鏡３ａと角度θで交わるように配置されている。
また、励起用半導体レーザ装置２の前には該励起用半導
体レーザ装置２から射出された励起用レーザ光Ｌ₀ を平
行光にするコリメートレンズ６が配置されている。した
がって、励起用半導体レーザ装置２から射出された励起
用レーザ光Ｌ₀ はコリメートレンズ６を介して平行光に
された後、反射鏡３ａに入射するようになっている。

【００１８】ここで、固体レーザ媒体１は、レーザ活性
物質たるＮｄイオンを１．１原子％ドープし、波長１０
６４ｎｍのレーザ光を発振するＮｄ：ＹＡＧのスラブレ
ーザであって、長さ３０ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ１ｍｍの
寸法を有し、光吸収ピーク波長は８０９ｎｍである。

【００１９】ここで、全反射鏡４は、全反射面たる凹面
の曲率半径を５ｍに設定したものである。また、出力ミ
ラー５は、凹面がレーザ媒体２側に向くように配置され
た凹レンズ状をなしたガラス体の凹面の表面に誘電体多
層膜からなる反射膜を形成し、出力レーザ光Ｌ₁ に対す
る透過率が３％になるようにしたもので、凹面の曲率半
径を５ｍに設定することにより、全反射鏡４とで共振器
長が１００ｍｍのレーザ共振器を構成している。

【００２０】励起用半導体レーザ装置２は、発振波長が
８００〜８２０ｎｍのＧａＡｓ系の半導体レーザ装置で
あり、出力が５００ｍＷである。この励起用半導体レー
ザ装置３は、その温度を２５°Ｃに保持したとき、発振
波長が固体レーザ媒体２の吸収ピークに一致する８０９
ｎｍになる。

【００２１】反射鏡３ａ，３ｂは、互いに対向する面を
反射面とするもので、例えば、ガラス板の表面に金、銀
もしくはアルミ等をメッキしたものである。

【００２２】さて、図２に示されるように、コリメータ
レンズ６によって平行光にされた励起用レーザ光Ｌ
₀ は、反射鏡３ａの反射面に角度θで入射し、以後、反
射鏡３ｂと３ａとの間で反射を繰り返す間に固体レーザ
媒体１を通過し、吸収されて励起を行う。この場合、反
射鏡３ａの反射面に最初に入射したときの入射角は（π
／２−θ）であり、また、反射鏡３ｂの反射面への入射
角は（π／２−２θ）である。以後、一度反射をする度
に入射角がθずつ小さくなっていく。この関係から、励
起用レーザ光が固体レーザ媒体１中をｎ回通過するよう
にするために設定すべきθの値を求めることができる。
例えば、図２に示される例では、励起用レーザ光Ｌ₀ を
反射鏡３ａ，３ｂ間で３往復させ、固体レーザ媒体１を
６回通過させるようにしているが、この場合には、４回
目の反射鏡への入射角（π／２−４θ）が０°になるよ
うに、θ＝２２．５°に設定すれば良い。また、５往復
させる場合には、６回目の反射鏡への入射角（π／２−
６θ）が０°になるように、θ＝１５°に設定すれば良
い。なお、ここで、励起用レーザ光Ｌ₀ が何回固体レー
ザ媒体１中を通過することにより全部吸収されるかは、
固体レーザ媒体１の厚さと吸収率によるが、この実施例
の場合には、励起用レーザ光Ｌ₀ が固体レーザ媒体１中
を６ｍｍの距離通過することにより９５％吸収される吸
収率を有しているとともに、厚さが１ｍｍであるので、
図２に示されるように、反射鏡３ａ，３ｂ間を３往復さ
せて６回通過させるようにしている。これにより、励起
用半導体レーザ装置２から射出されて反射鏡３ａに入射
した励起用レーザ光Ｌ₀ は、ほとんど固体レーザ媒体１
に吸収され、励起エネルギーに変換される。

【００２３】上述の構成によれば、波長１０６４ｎｍ
で、出力が１２０ｍＷの出力レーザ光Ｌ₁ を得る際の吸
収効率を、９０％以上にできる。ちなみに、従来の側面
励起方式の半導体レーザ励起の固体レーザ装置では、同
様の出力の発振レーザ光を得る際の吸収効率は７０％以
下であった。

【００２４】第２実施例 図３はこの発明の第２実施例にかかる半導体レーザ励起
固体レーザ装置の斜視図、図４は第２実施例の縦断面図
である。以下図３及び図４を参照にしながら第２実施例
を詳述する。なお、この実施例は、上述の第１実施例と
構成の多くが共通するので、共通する部分には同一の符
号を付してその説明を省略し、以下ではこの実施例に特
有な点のみを説明する。

【００２５】この実施例は、上述の第１実施例における
対向する反射鏡３ａ，３ｂの固体レーザ媒体１に対して
なす角度を変え、反射鏡３ａ，３ｂ共に固体レーザ媒体
１に対してθ／２なすようにし、また、これら反射鏡３
ａ，３ｂの両側に同様の反射鏡３ｃ，３ｄを配置するよ
うにし、さらに、反射鏡３ａ，３ｂの反射面にそれぞれ
入射角αで励起用レーザ光Ｌ₀ を入射させる２組の励起
用半導体レーザ装置２及びコリメータレンズ６を設けた
ものである。その外の構成及び用いた光学部品は第１実
施例の場合と同じである。

【００２６】さて、図４に示されるように、コリメータ
レンズ６によって平行光にされた励起用レーザ光Ｌ
₀ は、反射鏡３ａ，３ｂの反射面に角度αで入射し、以
後、反射鏡３ｂと３ａとの間で反射を繰り返す間に固体
レーザ媒体１を通過し、吸収されて励起を行う。この場
合、反射鏡３ａ，３ｂの反射面で一度反射をする度に入
射角がθずつ小さくなっていく。したがって第１実施例
と同様に、この関係から励起用レーザ光が固体レーザ媒
体１中をｎ回通過するようにするために設定すべきθの
値を求めることができる。例えば、第１実施例と同じく
励起用レーザ光Ｌ₀ を反射鏡３ａ，３ｂ間で３往復さ
せ、固体レーザ媒体１を６回通過させるためには、４回
目の反射鏡への入射角（α−４θ）が０°になるよう
に、αとθとを決定する。ここで、入射角度αを大きく
し、θを小さくすることにより反射往復回数を増やすこ
とができるが、θを小さくすると、励起用半導体レーザ
装置２から射出される励起用レーザ光Ｌ₀ のビーム幅が
広い場合には反射鏡にビーム全体を入射させることが困
難になるので、α，θの値はこのような点を考慮して選
定される。

【００２７】なお、反射鏡３ｃ，３ｄは、横方向に反射
あるいは散乱した励起用レーザ光を固体レーザ媒体１に
入射させるようにしたものであるが、勿論、さらに２組
の励起用半導体レーザ装置及びコリメータレンズを用い
てこれら反射鏡３ｃ，３ｄにも上述したαの方向から同
様にして励起用レーザ光を入射させることにより、より
強力な出力レーザ光を得ることができる上述の構成によ
れば、第１実施例と同一の励起効率で出力が２００ｍＷ
の出力レーザ光Ｌ₁ を得ることができる。

【００２８】第３実施例 図５はこの発明の第３実施例にかかる半導体レーザ励起
固体レーザ装置の斜視図、図６は第３実施例の縦断面図
である。以下図５及び図６を参照にしながら第３実施例
を詳述する。なお、この実施例も、上述の第２実施例と
共通する部分があるので、共通する部分には同一の符号
を付してその説明を省略し、以下ではこの実施例に特有
な点のみを説明する。

【００２９】この実施例は、上述の第２実施例における
４枚の反射鏡３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄの代わりに、円錐
型反射鏡３３を用い、また、固体レーザ媒体としてスラ
ブ型の代わりに円柱型のレーザロッドである固体レーザ
媒体３１を用い、さらに、全反射鏡４の代わりに、固体
レーザ媒体３１の端面に形成した選択反射膜３４を用い
ると共に、コリメータレンズを用いることなく励起用半
導体レーザ装置２を直接固体レーザ媒体３１の光軸上に
配置するようにしたものである。

【００３０】円錐型反射鏡３３は、円柱体の内部を円錐
台形状に切り取るとともに、円錐台形の頂部を貫通させ
て光通過部としたもので、残部の円錐面の表面に金、銀
もしくはアルミ等のメッキによって反射膜を成膜して反
射面としたものである。

【００３１】この円錐型反射鏡３３の内部に中心軸に沿
って固体レーザ媒体３１が配置される。この固体レーザ
媒体３１は、側面を研摩加工した円柱状のＮｄ：ＹＡＧ
レーザロッドである。

【００３２】この固体レーザ媒体３１の光軸と交わる一
方の端面、すなわち、図中左端面には、選択反射膜３４
が成膜されている。この選択反射膜３４は、出力ミラー
５とでレーザ共振器を構成するものであり、出力レーザ
光（Ｌ₁ ＝１０６４ｎｍ）に対しては９９．９％以上の
高い反射率をもち、一方、励起用レーザ光（Ｌ₀ ＝８０
７ｎｍ）を８５％以上透過する性質を有する。なお、固
体レーザ媒体３２の他方の端面、すなわち、図中右端面
には図示しないが、無反射コートが施されており、この
端面での出力レーザ光Ｌ₁ に対する反射率が０．５％以
下になるようになっている。

【００３３】励起用半導体レーザ装置２は、発光部が固
体レーザ媒体３１の側に向くと共に光軸上に位置するよ
うに配置されたもので、発光部から射出された励起用レ
ーザ光Ｌ₀ を直接円錐型反射鏡３３の反射面に入射する
ようになっている。

【００３４】ここで、円錐型反射鏡３３の頂角をθ／２
とすると、この頂角は、励起用半導体レーザ装置２の放
射角βに応じて決定される。すなわち、第１及び第２実
施例と同様に、励起用レーザ光がＬ₀ がｎ回目に反射面
に入射する入射角は、［π／２−β−（ｎ−１／２）
θ］となるので、用いる固体レーザ媒体の特性と大きさ
とから反射すべき回数ｎが求まれば、これからθを求め
ることができる。

【００３５】例えば、固体レーザ媒体３１として、直径
１ｍｍφのＮｄ：ＹＡＧを用い、励起用半導体レーザ装
置２として放射角度が２０°のものを用いた場合、４回
の反射が必要である。これにより、４回目の反射面への
入射角度が０°となるように、θ／２＝１０°に設定す
ればよいことがわかる。

【００３６】この実施例によれば、励起用半導体レーザ
装置２から射出された励起用レーザ光Ｌ₀ を、コリメー
タレンズ等を用いることなく直接円錐型反射鏡によって
集光して固体レーザ媒体３１に入射させるようにしてい
る。このため、励起用半導体レーザ装置２として、コリ
メータレンズ等によって集光が困難な半導体レーザアレ
イ等の発光面の広い励起光源を用いることを可能にす
る。また、レーザ共振器を構成するミラーの一方を選択
反射膜３４によって構成したことにより、励起用半導体
レーザ装置２から射出された励起用レーザ光Ｌ₀ の一部
を固体レーザ媒体３１の端面からも入射でき、その分励
起効率を向上させることも可能である。

【００３７】なお、上記実施例では、励起用半導体レー
ザ装置２を１個用いた場合の例をかかげたが、図７に示
されるように、励起用半導体レーザ装置２を複数個用い
れば、より強力な発振レーザ光Ｌ₁ を得ることができ
る。また、図８に示されるように、円錐型反射鏡３１を
逆向きに配置し、励起用半導体レーザ装置２からの励起
用レーザ光Ｌ₀ を出力ミラー５の側から入射させるよう
にすれば、装置をより小型に形成することもできる。

【００３８】さらに、円錐型反射鏡３３としては、上記
実施例に掲げた例のほかに、図９及び図１０に示される
ように、合成石英ガラス等の透光性部材を円錐台形状に
形成して本体部４３ａとし、この本体部４３ａの外周円
錐面に反射膜４３ｂを形成すると共に本体部４３ａの中
心軸沿って固体レーザ媒体収納孔４３ｃを設けた反射鏡
４３を用いてもよい。この反射鏡４３を用いることによ
り、固体レーザ媒体３１の保持が容易になるとともに、
固体レーザ媒体収納孔４３ｃ内で固体レーザ媒体３１を
本体部４３ａに熱接触させることにより、固体レーザ媒
体３１の放熱を容易にする。

【００３９】なお、上述の一実施例では、固体レーザ媒
体としてＮｄ：ＹＡＧロッドを用いた例を掲げたが、こ
の固体レーザ媒体としては、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ｇｌ
ａｓｓ、Ｅｒ：ＹＡＧ、Ｅｒ：ＹＬＦ、Ｅｒ：ｇｌａｓ
ｓ等を用いてもよい。その場合には、各レーザ媒体に応
じてレーザ共振器等の条件を選定すべきは勿論である。
また、励起用半導体レーザ装置も、例えば、ＩｎＧａ
Ｐ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰもしくは半導体レーザア
レイを用いてもよい。

【００４０】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかる半
導体レーザ励起固体レーザ装置は、固体レーザ媒体の周
囲に、この固体レーザ媒体を挾んで対向するとともに互
いに所定の角度をなした反射面を有する反射部材を設
け、励起用半導体レーザ装置から射出された励起用レー
ザ光の少なくとも一部を上記反射部材の反射面に入射さ
せるとともに、この励起用レーザ光が前記反射部材の対
向する反射面間で前記固体レーザ媒体を通過しつつ複数
回折り返し反射されるようにしたことを特徴としたもの
で、折り返し反射させる間に励起用レーザ光を固体レー
ザ媒体に吸収させ、かつ、反射部材に励起用レーザ光を
入射させる構成としたことにより大量の励起用レーザ光
の入射を可能にし、これにより、比較的簡単な構成によ
り、高い励起効率を維持しつつ高出力のレーザ光を得る
ことを可能にしたものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例にかかる半導体レーザ励
起固体レーザ装置の縦断面図である。

【図２】この発明の第１実施例にかかる半導体レーザ励
起固体レーザ装置の光路説明図である。

【図３】この発明の第２実施例にかかる半導体レーザ励
起固体レーザ装置の構成を示す斜視図である。

【図４】この発明の第２実施例にかかる半導体レーザ励
起固体レーザ装置の縦断面図である。

【図５】この発明の第３実施例にかかる半導体レーザ励
起固体レーザ装置の構成を示す斜視図である。

【図６】この発明の第３実施例にかかる半導体レーザ励
起固体レーザ装置の光路説明図である。

【図７】この発明の第３実施例にかかる半導体レーザ励
起固体レーザ装置の変型例を示す図である。

【図８】この発明の第３実施例にかかる半導体レーザ励
起固体レーザ装置の変型例を示す図である。

【図９】円錐型反射鏡の変型例の斜視図である。

【図１０】円錐型反射鏡の変型例の断面図である。

【符号の説明】

１，３１…固体レーザ媒体、２…励起用半導体レーザ装
置、３ａ，３ｂ…反射部材を構成する反射鏡、４…全反
射ミラー、５…出力ミラー、６…コリメータレンズ、３
３…円錐型反射鏡、３４…選択反射膜、４３…反射鏡。

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【手続補正書】

【提出日】平成３年９月１８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 励起用半導体レーザ装置から射出された
   励起用のレーザ光を、レーザ共振器内に配置された固体
   レーザ媒体に照射し、該固体レーザ媒体を励起して出力
   レーザ光を得るようにした半導体レーザ励起固体レーザ
   装置において、 前記固体レーザ媒体の周囲に、該固体レーザ媒体を挾ん
   で対向するとともに互いに所定の角度をなした反射面を
   有する反射部材を設け、 前記励起用半導体レーザ装置から射出された励起用レー
   ザ光の少なくとも一部を前記反射部材の反射面に入射さ
   せるとともに、この励起用レーザ光が前記反射部材の対
   向する反射面間で前記固体レーザ媒体を通過しつつ複数
   回折り返し反射されるようにしたことを特徴とする半導
   体レーザ励起固体レーザ装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ励起固体
   レーザ装置において、 前記励起用半導体レーザ装置から射出された励起用レー
   ザ光の一部を固体レーザ媒体の共振レーザ光の入・出射
   面たる端面から入射するようにしたことを特徴とする半
   導体レーザ励起固体レーザ装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
   励起固体レーザ装置において、 前記励起用半導体レーザ装置として、半導体レーザアレ
   イを用いたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レー
   ザ装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の半
   導体レーザ励起固体レーザ装置において、 前記反射部材が、前記固体レーザ媒体と中心軸を共有す
   る円錐面上に反射面が形成されたものであることを特徴
   とした半導体レーザ励起固体レーザ装置。