JPH056334B2 - - Google Patents
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- JPH056334B2 JPH056334B2 JP20803683A JP20803683A JPH056334B2 JP H056334 B2 JPH056334 B2 JP H056334B2 JP 20803683 A JP20803683 A JP 20803683A JP 20803683 A JP20803683 A JP 20803683A JP H056334 B2 JPH056334 B2 JP H056334B2
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- alloy
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- sputtering
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- thin film
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として垂直熱磁気記録方式において
記録媒体として用いられる磁性薄膜の製造方法に
関するものである。
記録媒体として用いられる磁性薄膜の製造方法に
関するものである。
垂直熱磁気記録方式とはガラス、セラミツク
ス、プラスチツク等の非磁性体からなる基材上に
磁性薄膜からなる垂直磁化可能な記録媒体を形成
せしめ、該記録媒体表面にレーザ光線を照射して
照射部分をキユリー点近傍、もしくは補償点近傍
に加熱し、この部分を含む該記録媒体領域にバイ
アス磁界をかけることによつてこの部分の磁化を
他の部分とは逆の方向に配向せしめることにより
熱磁気的に情報の書き込みを行い、該情報の読み
出しには別の直線偏向したレーザ光線を該記録媒
体表面にあて、該表面からの反射光を検光子を介
して光学的に検出することによる。即ち該レーザ
光線は情報が書き込まれている該記録媒体位置に
おいてカー効果によつて偏光面が回転するので、
読み出しの際は上記偏光面の回転を検出すること
になる。上記偏光面の回転角度をカー回転角Θk
と言う。
ス、プラスチツク等の非磁性体からなる基材上に
磁性薄膜からなる垂直磁化可能な記録媒体を形成
せしめ、該記録媒体表面にレーザ光線を照射して
照射部分をキユリー点近傍、もしくは補償点近傍
に加熱し、この部分を含む該記録媒体領域にバイ
アス磁界をかけることによつてこの部分の磁化を
他の部分とは逆の方向に配向せしめることにより
熱磁気的に情報の書き込みを行い、該情報の読み
出しには別の直線偏向したレーザ光線を該記録媒
体表面にあて、該表面からの反射光を検光子を介
して光学的に検出することによる。即ち該レーザ
光線は情報が書き込まれている該記録媒体位置に
おいてカー効果によつて偏光面が回転するので、
読み出しの際は上記偏光面の回転を検出すること
になる。上記偏光面の回転角度をカー回転角Θk
と言う。
従来から上記記録媒体を構成する磁性薄膜の材
料としてGd−Fe非晶質合金が用いられている。
最近該Gd−Fe非晶質合金に更にBiを添加してGd
−Fe−Bi非晶質合金とするΘkが増大して良好な
SN比が得られることが判明した。該Gd−Fe−
Bi非晶質合金からなる磁性薄膜を形成するには
第１図に示すようにFe基板１上にGd小片２およ
びBi小片３を適宜配置した複合ターゲツト１０
を用い、これに荷電してGd−Fe−Bi合金をスパ
ツタリングし基材上にGd−Fe−Bi非晶質合金層
を作製する方法が考えられる。しかしBiの融点
は低く（271.3℃）、該複合ターゲツト１０を用い
ればスパツタリング中にBiが溶融してしまつて
所定の組成のGd−Fe−Bi非晶質合金層が得られ
ない。しかしGd−Fe−Bi合金は極めて脆く単独
のターゲツトとして用いることは出来ない。更に
Gd−Fe合金も同様に脆くターゲツトの一要素と
して用いることは出来ない。
料としてGd−Fe非晶質合金が用いられている。
最近該Gd−Fe非晶質合金に更にBiを添加してGd
−Fe−Bi非晶質合金とするΘkが増大して良好な
SN比が得られることが判明した。該Gd−Fe−
Bi非晶質合金からなる磁性薄膜を形成するには
第１図に示すようにFe基板１上にGd小片２およ
びBi小片３を適宜配置した複合ターゲツト１０
を用い、これに荷電してGd−Fe−Bi合金をスパ
ツタリングし基材上にGd−Fe−Bi非晶質合金層
を作製する方法が考えられる。しかしBiの融点
は低く（271.3℃）、該複合ターゲツト１０を用い
ればスパツタリング中にBiが溶融してしまつて
所定の組成のGd−Fe−Bi非晶質合金層が得られ
ない。しかしGd−Fe−Bi合金は極めて脆く単独
のターゲツトとして用いることは出来ない。更に
Gd−Fe合金も同様に脆くターゲツトの一要素と
して用いることは出来ない。
本発明は上記従来の問題点を解決することを目
的とし、Gd、Fe、Biからなる複合ターゲツトを
基材上にスパツタリングしてGd−Fe−Bi非晶質
合金からなる磁性薄膜を製造する方法において、
前記複合ターゲツトを、Gd−Bi合金からなる要
素とFeからなる要素との組み合わせ、もしくは
Fe−Bi合金からなる要素とGdからなる要素との
組み合わせによつて構成したことを骨子とするも
のである。
的とし、Gd、Fe、Biからなる複合ターゲツトを
基材上にスパツタリングしてGd−Fe−Bi非晶質
合金からなる磁性薄膜を製造する方法において、
前記複合ターゲツトを、Gd−Bi合金からなる要
素とFeからなる要素との組み合わせ、もしくは
Fe−Bi合金からなる要素とGdからなる要素との
組み合わせによつて構成したことを骨子とするも
のである。
本発明においては上記骨子によりGd、Fe、Bi
からなる複合ターゲツトにおいて、その一要素を
Gd−Bi合金もしくはFe−Bi合金とし、これら合
金は融点が高くかつ脆くないから取扱い易く、ま
た融点の低いBi単独要素や脆くて取扱かい困難
なGd−Fe合金要素は全く存在せず、所定の組成
のGd−Fe−Bi非晶質合金からなる磁性薄膜がス
パツタリングによつて容易に得られるのである。
からなる複合ターゲツトにおいて、その一要素を
Gd−Bi合金もしくはFe−Bi合金とし、これら合
金は融点が高くかつ脆くないから取扱い易く、ま
た融点の低いBi単独要素や脆くて取扱かい困難
なGd−Fe合金要素は全く存在せず、所定の組成
のGd−Fe−Bi非晶質合金からなる磁性薄膜がス
パツタリングによつて容易に得られるのである。
本発明を以下に詳細に説明する。
本発明の複合ターゲツトの一実施例を第２図に
示す。該複合ターゲツト２０は円板状の基板１１
と、該基板１１上に配置される小片１２の各要素
からなる。そして本発明において各要素は下記の
組成を有する。
示す。該複合ターゲツト２０は円板状の基板１１
と、該基板１１上に配置される小片１２の各要素
からなる。そして本発明において各要素は下記の
組成を有する。
基板１１ 小片１２
ケース１ Fe Gd−Bi
２ Gd−Bi Fe
３ Gd Fe−Bi
４ Fe−Bi Gd
上記のようにいづれのケースにおいても融点の
低いBi単独要素、あるいは脆いGd−Fe要素は存
在しない。そしてGd−Bi合金は脆くなく融点は
975℃以上であり、Fe−Bi合金もまた脆くなく融
点はほぼFeと同じであり、したがつて本発明に
かかる複合ターゲツト２０を第３図に示すように
スパツタリング室２１の電極２２の背板２２Ａ上
に記載しシヤツタ２３を介してホルダー２４に支
持される基板２５と相対させ、通気孔２６を介し
てアルゴンガス、ネオンガス等の不活性ガスによ
つて室２１内を置換した上で電極２２を介して該
複合ターゲツト２０に荷電してシヤツタ２３を開
けば基材２５の表面には所定の組成のGd−Fe−
Bi非晶質合金層がスパツタリングされる。なお
基材２５としてはプラスチツク、セラミツクス、
ガラス等の材料が用いられる。
低いBi単独要素、あるいは脆いGd−Fe要素は存
在しない。そしてGd−Bi合金は脆くなく融点は
975℃以上であり、Fe−Bi合金もまた脆くなく融
点はほぼFeと同じであり、したがつて本発明に
かかる複合ターゲツト２０を第３図に示すように
スパツタリング室２１の電極２２の背板２２Ａ上
に記載しシヤツタ２３を介してホルダー２４に支
持される基板２５と相対させ、通気孔２６を介し
てアルゴンガス、ネオンガス等の不活性ガスによ
つて室２１内を置換した上で電極２２を介して該
複合ターゲツト２０に荷電してシヤツタ２３を開
けば基材２５の表面には所定の組成のGd−Fe−
Bi非晶質合金層がスパツタリングされる。なお
基材２５としてはプラスチツク、セラミツクス、
ガラス等の材料が用いられる。
上記実施例の他、複合ターゲツトにおいて基板
１１表面に所定の個数の嵌合孔を設け、該嵌合孔
に小片１２を密接すれば基板１１上で小片１２が
ずれることなく、有利にスパツタリングを行い得
る。
１１表面に所定の個数の嵌合孔を設け、該嵌合孔
に小片１２を密接すれば基板１１上で小片１２が
ずれることなく、有利にスパツタリングを行い得
る。
第１図は従来の複合ターゲツトの斜視図、第２
図は本発明の複合ターゲツトの一実施例の斜視
図、第３図はスパツタリング説明図である。 図中、１１……基板、１２……小片、２０……
複合ターゲツト。
図は本発明の複合ターゲツトの一実施例の斜視
図、第３図はスパツタリング説明図である。 図中、１１……基板、１２……小片、２０……
複合ターゲツト。
Claims (1)
- １ Gd、Fe、Biからなる複合ターゲツトを基材
上にスパツタリングしてGd−Fe−Bi非晶質合金
からなる磁性薄膜を製造する方法において、前記
複合ターゲツトを、Gd−Bi合金からなる要素と
Feからなる要素との組み合わせ、もしくはFe−
Bi合金からなる要素とGdからなる要素との組み
合わせによつて構成したことを特徴とする磁性薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803683A JPS60100418A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803683A JPS60100418A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100418A JPS60100418A (ja) | 1985-06-04 |
| JPH056334B2 true JPH056334B2 (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=16549590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20803683A Granted JPS60100418A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100418A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118107A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Ricoh Co Ltd | 非晶質磁気光学層 |
| JP5162883B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2013-03-13 | 株式会社リコー | 光記録媒体の記録層製膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに光記録媒体の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP20803683A patent/JPS60100418A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60100418A (ja) | 1985-06-04 |
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