JPH0563418B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0563418B2 JPH0563418B2 JP63036233A JP3623388A JPH0563418B2 JP H0563418 B2 JPH0563418 B2 JP H0563418B2 JP 63036233 A JP63036233 A JP 63036233A JP 3623388 A JP3623388 A JP 3623388A JP H0563418 B2 JPH0563418 B2 JP H0563418B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- glass
- composition
- insulating powder
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC回路装置用の低熱膨張係数を特
つ非酸化物セラミツクス基板、特に窒化アルミニ
ウム基板上に抵抗被膜を形成するのに好適な導体
被膜形成用絶縁性粉末に関する。 〔従来の技術〕 近年、IC回路装置用の絶縁基板として、ア
ルミナ基板に代えて窒化アルミニウム、炭化ケイ
素、窒化ケイ素を用いることが提案されている。
これらの中、窒化アルミニウム基板に、従来のア
ルミナ基板に用いられている、導電性粉末とガラ
スフリツトと有機ビヒクルとからなる組成物を塗
布して焼成し、抵抗被膜を形成すると、窒化アル
ミニウムとガラスとが反応してガスを発生し品質
の安定した抵抗被膜が形成出来ない。この問題を
解決するために、この組成物中の絶縁性粉末とし
て、SiO2、Al2O3、B2O3、CaO、ZnO2、TiO2を
主成分とする結晶性ガラスフリツト、及びこのガ
ラスフリツト100重量部に対して、20重量部以下
のアルミナ、マグネシア、ムライト、フオルステ
ライト、ステアタイト、コ−ジエライトの内の少
なくとも１種を用いることが、特開昭62−21630
号公報により提案されている。 しかし、このような絶縁性粉末を用いると、焼
成温度が高くなり、焼成中に熔融してから結晶化
するまでの間に発泡しやすいという問題がある。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は、このような抵抗被膜形成用組成物を
比較的低温で焼成して結晶性ガラスを形成しうる
ガラスフリツトからなる絶縁性粉末、及びこの中
に特定のセラミツク粉末を添加して、ガラスフリ
ツトの上記組成物中への配合量を少なくしうる絶
縁性粉末を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明による課題を解決するための手段は、 １ 非酸化物セラミツクス基板に導体被膜を形成
するに用いる導体被膜形成用組成物の構成材料
であつて、 ZnO 60〜70重量％、 B2O3 19〜25重量％、 SiO2 10〜16重量％、 で、合計100重量％の組成になる絶縁性粉末、 ２ Al2O3、B2O3、BaO、PbO、MgO、CaO、
SnO2、Na2O、K2O、Li2O等のガラス成分を10
重量％以下含有する前項１記載の絶縁性粉末、 ３ ジルコン、β−ユークリプタイト、コージエ
ライト、β−スポジユメン及びチタン酸鉛等の
強誘電体ペロブスカイト化合物の内の少なくと
も１種を52重量％以下含有する前項１又は２に
記載の絶縁性粉末、 である。 〔作用〕 ZnOを60〜70重量％とするのは、ZnOは結晶相
であるウイレマイト（Zn2SiO4）を生成せしめる
為の必須成分であつて、60％未満ではガラス中に
占める結晶相の割合が減少し、ガラス相と結晶相
との２相に分離し、低い焼成温度で結晶相をガラ
ス相中に均一に分散せしめることが困難となるか
らである。又、70重量％を超えるとガラス化に関
与しなくなるからである。 B2O3はガラス化の促進成分であり、ガラス相
の構成成分であるが、19重量％未満ではガラス相
が不足し、導電性被膜を焼成したとき被膜の強度
が不足する。25重量％を超えるとガラスマトリツ
クス中の結晶相が不足するようになり、窒化アル
ミニウム基板と反応して発泡しやすくなる。 SiO2は、ZnOと同様にZn2SiO4の構成成分であ
るが、10重量％未満ではガラスの軟化点が低くな
りすぎ結晶相の生成量が少なく、発泡しやすいも
のとなり、16重量％を超えるとガラスの流動温度
が高くなりすぎ結晶相の生成量が減少する。 ZnOと、B2O3と、SiO2とを上記の割合とする
ことにより、730〜750℃で流動し始め、750〜860
℃位の狭い温度範囲で結晶相を有するガラス相を
形成できる。 このガラス用粉末はZnO、B2O3、SiO2の三成
分のほかに、一般にガラス成分として用いられて
いるAl2O3、B2O3、BaO、PbO、MgO、CaO、
SnO2、Na2O、K2O、Li2O等を約10重量％含有し
ても上記と同様の効果が得られる。 本発明におけるジルコン（ZrSiO4）、β−ユー
クリプタイト（Li2O・Al2O3・2SiO2）、コージエ
ライト（2MgO・2Al2O3・5SiO2）、β−スポジ
ユメン（Li2O・Al2O3・4SiO2）、チタン酸鉛
（PbTiO3）等の強誘導体ペロブスカイト化合物
は窒化アルミニウムと熱膨張係数が近く、ガラス
化しにくく、熱的に安定である為、結晶化ガラス
中の非晶質部分を相対的に低下できる。しかしガ
ラス成分との合計中57重量％を超えると、焼成さ
れた導電被膜の強度が不十分となるので57重量％
までとする。 ガラス成分粉末の粒径は、結晶成長に影響する
ので、平均粒径２〜5μｍ位のものを用いるのが
良い。セラミツク粉末は2μｍ以下の平均粒径の
ものを用いるのが良い。 〔実施例〕 導電粉末として、平均粒径0.02〜0.03μｍの
RuO2、ガラス粉末として平均粒径2μｍで、
ZnO65重量％−B2O320重量％−SiO210重量％−
PbO5重量％の組成の軟化点635℃のガラス粉末、
平均粒径1μｍのジルコン、有機質ビヒクルとし
てエチルセルロースのターピネオール溶液を用
い、第１表に示す組成に混合して抵抗被膜形成用
組成物を作つた。 窒化アルミニウム基板の上に、Ag−Pb導電組
成物により電極を形成し、この電極の間に前記の
組成物をスクリーン印刷法で塗布し、150℃で乾
燥後、ピーク温度850℃、ピーク時間９分、全焼
成時間60分の空気雰囲気ベルト式焼成炉で焼成し
て、厚さ13〜15μｍの抵抗被膜を形成した。 その特性を第１表に示す。
つ非酸化物セラミツクス基板、特に窒化アルミニ
ウム基板上に抵抗被膜を形成するのに好適な導体
被膜形成用絶縁性粉末に関する。 〔従来の技術〕 近年、IC回路装置用の絶縁基板として、ア
ルミナ基板に代えて窒化アルミニウム、炭化ケイ
素、窒化ケイ素を用いることが提案されている。
これらの中、窒化アルミニウム基板に、従来のア
ルミナ基板に用いられている、導電性粉末とガラ
スフリツトと有機ビヒクルとからなる組成物を塗
布して焼成し、抵抗被膜を形成すると、窒化アル
ミニウムとガラスとが反応してガスを発生し品質
の安定した抵抗被膜が形成出来ない。この問題を
解決するために、この組成物中の絶縁性粉末とし
て、SiO2、Al2O3、B2O3、CaO、ZnO2、TiO2を
主成分とする結晶性ガラスフリツト、及びこのガ
ラスフリツト100重量部に対して、20重量部以下
のアルミナ、マグネシア、ムライト、フオルステ
ライト、ステアタイト、コ−ジエライトの内の少
なくとも１種を用いることが、特開昭62−21630
号公報により提案されている。 しかし、このような絶縁性粉末を用いると、焼
成温度が高くなり、焼成中に熔融してから結晶化
するまでの間に発泡しやすいという問題がある。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は、このような抵抗被膜形成用組成物を
比較的低温で焼成して結晶性ガラスを形成しうる
ガラスフリツトからなる絶縁性粉末、及びこの中
に特定のセラミツク粉末を添加して、ガラスフリ
ツトの上記組成物中への配合量を少なくしうる絶
縁性粉末を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明による課題を解決するための手段は、 １ 非酸化物セラミツクス基板に導体被膜を形成
するに用いる導体被膜形成用組成物の構成材料
であつて、 ZnO 60〜70重量％、 B2O3 19〜25重量％、 SiO2 10〜16重量％、 で、合計100重量％の組成になる絶縁性粉末、 ２ Al2O3、B2O3、BaO、PbO、MgO、CaO、
SnO2、Na2O、K2O、Li2O等のガラス成分を10
重量％以下含有する前項１記載の絶縁性粉末、 ３ ジルコン、β−ユークリプタイト、コージエ
ライト、β−スポジユメン及びチタン酸鉛等の
強誘電体ペロブスカイト化合物の内の少なくと
も１種を52重量％以下含有する前項１又は２に
記載の絶縁性粉末、 である。 〔作用〕 ZnOを60〜70重量％とするのは、ZnOは結晶相
であるウイレマイト（Zn2SiO4）を生成せしめる
為の必須成分であつて、60％未満ではガラス中に
占める結晶相の割合が減少し、ガラス相と結晶相
との２相に分離し、低い焼成温度で結晶相をガラ
ス相中に均一に分散せしめることが困難となるか
らである。又、70重量％を超えるとガラス化に関
与しなくなるからである。 B2O3はガラス化の促進成分であり、ガラス相
の構成成分であるが、19重量％未満ではガラス相
が不足し、導電性被膜を焼成したとき被膜の強度
が不足する。25重量％を超えるとガラスマトリツ
クス中の結晶相が不足するようになり、窒化アル
ミニウム基板と反応して発泡しやすくなる。 SiO2は、ZnOと同様にZn2SiO4の構成成分であ
るが、10重量％未満ではガラスの軟化点が低くな
りすぎ結晶相の生成量が少なく、発泡しやすいも
のとなり、16重量％を超えるとガラスの流動温度
が高くなりすぎ結晶相の生成量が減少する。 ZnOと、B2O3と、SiO2とを上記の割合とする
ことにより、730〜750℃で流動し始め、750〜860
℃位の狭い温度範囲で結晶相を有するガラス相を
形成できる。 このガラス用粉末はZnO、B2O3、SiO2の三成
分のほかに、一般にガラス成分として用いられて
いるAl2O3、B2O3、BaO、PbO、MgO、CaO、
SnO2、Na2O、K2O、Li2O等を約10重量％含有し
ても上記と同様の効果が得られる。 本発明におけるジルコン（ZrSiO4）、β−ユー
クリプタイト（Li2O・Al2O3・2SiO2）、コージエ
ライト（2MgO・2Al2O3・5SiO2）、β−スポジ
ユメン（Li2O・Al2O3・4SiO2）、チタン酸鉛
（PbTiO3）等の強誘導体ペロブスカイト化合物
は窒化アルミニウムと熱膨張係数が近く、ガラス
化しにくく、熱的に安定である為、結晶化ガラス
中の非晶質部分を相対的に低下できる。しかしガ
ラス成分との合計中57重量％を超えると、焼成さ
れた導電被膜の強度が不十分となるので57重量％
までとする。 ガラス成分粉末の粒径は、結晶成長に影響する
ので、平均粒径２〜5μｍ位のものを用いるのが
良い。セラミツク粉末は2μｍ以下の平均粒径の
ものを用いるのが良い。 〔実施例〕 導電粉末として、平均粒径0.02〜0.03μｍの
RuO2、ガラス粉末として平均粒径2μｍで、
ZnO65重量％−B2O320重量％−SiO210重量％−
PbO5重量％の組成の軟化点635℃のガラス粉末、
平均粒径1μｍのジルコン、有機質ビヒクルとし
てエチルセルロースのターピネオール溶液を用
い、第１表に示す組成に混合して抵抗被膜形成用
組成物を作つた。 窒化アルミニウム基板の上に、Ag−Pb導電組
成物により電極を形成し、この電極の間に前記の
組成物をスクリーン印刷法で塗布し、150℃で乾
燥後、ピーク温度850℃、ピーク時間９分、全焼
成時間60分の空気雰囲気ベルト式焼成炉で焼成し
て、厚さ13〜15μｍの抵抗被膜を形成した。 その特性を第１表に示す。
導体被膜形成用組成物の材料として本発明の絶
縁性粉末を用いることにより、アルミナ基板に導
電膜を形成するとき従来用いられている焼成炉を
用いて、窒化アルミニウムなどの非酸化物セラミ
ツクス基板に800℃前後の焼成温度で、発泡がな
く安定した導電被膜を形成できる。
縁性粉末を用いることにより、アルミナ基板に導
電膜を形成するとき従来用いられている焼成炉を
用いて、窒化アルミニウムなどの非酸化物セラミ
ツクス基板に800℃前後の焼成温度で、発泡がな
く安定した導電被膜を形成できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非酸化物セラミツクス基板に導体被膜を形成
するに用いる導体被膜形成用組成物の構成材料で
あつて、 ZnO 60〜70重量％ B2O3 19〜25重量％ SiO2 10〜16重量％ で、合計100重量％の組成になる絶縁性粉末。 ２ Al2O3、B2O3、BaO、PbO、MgO、CaO、
SnO2、Na2O、K2O、Li2O等のガラス成分を10重
量％以下含有する請求項１に記載の絶縁性粉末。 ３ ジルコン、β−ユークリプタイト、コージエ
ライト、β−スポジユメン、及びチタン酸鉛等の
強誘電体ペロブスカイト化合物の内の少なくとも
１種を52重量％以下含有する請求項１又は２に記
載の絶縁性粉末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036233A JPH01212249A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 絶縁性粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036233A JPH01212249A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 絶縁性粉末 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212249A JPH01212249A (ja) | 1989-08-25 |
| JPH0563418B2 true JPH0563418B2 (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12464055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63036233A Granted JPH01212249A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 絶縁性粉末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01212249A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5286270A (en) * | 1990-09-07 | 1994-02-15 | Ferro Corporation | Method of forming glass having a Znz SiO4 enamel layer thereon |
| US5153150A (en) * | 1990-09-07 | 1992-10-06 | Ferro Corporation | Partially crystallizing enamel containing Zn2 SiO4 to be used for automobile side and rear lights |
| US5208191A (en) * | 1990-09-07 | 1993-05-04 | Ferro Corporation | Crystallizing enamel composition and method of making and using the same |
| CN110642519B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-06-14 | 湖南利德电子浆料股份有限公司 | 一种氮化铝基板用包封浆料及其制备方法和应用 |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63036233A patent/JPH01212249A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01212249A (ja) | 1989-08-25 |
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