JPS6210940B2 - - Google Patents
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- JPS6210940B2 JPS6210940B2 JP54019089A JP1908979A JPS6210940B2 JP S6210940 B2 JPS6210940 B2 JP S6210940B2 JP 54019089 A JP54019089 A JP 54019089A JP 1908979 A JP1908979 A JP 1908979A JP S6210940 B2 JPS6210940 B2 JP S6210940B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- composition
- powder
- cao
- zno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は熱処理により結晶化する絶縁性ガラス
及びこのガラス粉末に耐火物フイラーを混合した
組成物であつて、主として、厚膜集積回路のクロ
スオーバー用の電気絶縁層の形成のために好適に
使用される組成物に関する。 アルミナ等の基板上に、抵抗体、および導体を
印刷により形成し厚膜回路等の種々の電気回路を
製作する場合、電気絶縁層又はクロスオーバーと
してガラス組成物が用いられている。これらガラ
ス層は、電気的絶縁層であると同時に導体および
抵抗体を周囲の環境から保護するためにも有効で
あり、いわゆるカバーコートの目的で使用される
場合も多い。 標準的な厚膜集積回路の製作に当つては、主と
してアルミナからなるセラミツク基板上に、導体
ペーストを印刷し焼成した後クロスオーバー用誘
電体ガラスペーストを印刷焼成し、次いで抵抗体
用ペーストを印刷し焼成した後、抵抗体あるいは
導体の保護のためガラス被覆膜を印刷し焼成す
る。多層配線化する場合には、前記の工程が更に
複数回繰り返えされる。 従来、２回以上の高温焼成を必要される回路の
製作にクロスオーバーとして使用される誘電体ガ
ラスとしては、高温安定性を得るため、850〜950
℃の焼成により結晶化する結晶性ガラスのタイプ
のものが用いられている。 （例えば、特公昭46−42917号：51−6168号；51−
10844号；52−34645号参照）。 しかしながら、省エネルギーの観点より及び焼
成時の回路の電気的特性の劣化の抑制のため、よ
り低温度での焼成により電気的諸特性特に電気抵
抗、誘電率、誘電損失が優れているクロスオーバ
ー層を形成しうるガラス粉末組成物の開発が要請
されている。 本発明者は、SiO2−Al2O3−CaO−ZnO−TiO2
−B2O3系の特定組成範囲のガラスが前記要請を
満足することを見い出した。 本発明は、 重量％表示で、 SiO2 20〜45％ Al2O3 ５〜25 CaO ５〜25 ZnO 15.5〜30 TiO2 ５〜20 B2O3 １〜８ BaO ０〜10 SrO ０〜10 Sb2O3 ０〜３ SnO2 ０〜３ Bi2O3 ０〜３ の組成を有し、850℃を越えない温度で熱処理す
ることにより結晶化する絶縁性ガラス組成物に関
する。 更に、本発明のより好ましい態様においては、
前記組成のガラスの粉末に、アルミナ、ジルコ
ン、コージエライト、ジルコニア及びベリリヤか
らなる群より選ばれた少くても１種の耐火物フイ
ラー粉末を重量比で15％以下混合してなるフイラ
ーを含む絶縁性ガラス組成物が提供される。 ガラスの組成限定の理由を説明する。 SiO2は、ガラスのネツトワークフオーマーで
あり、本発明のガラスを焼成熱処理し結晶化した
とき析出するアノルサイト（CaO、
Al2O32SiO2）結晶を構成する成分である。SiO2＜
20％ではガラスの軟化点が低くなり過ぎ、熱処理
時結晶化する前にガラスが軟化し流動し過ぎる。
SiO2＞45％では、ガラス化が困難であると供
に、結晶化のための熱処理温度が900℃を越える
高温が必要となる。 Al2O3も又析出するアノルサイト結晶を構成す
る必須成分である。Al2O3＜５％では、アノルサ
イトの析出が難しい。Al2O3＞25％では、ガラス
が熔解時失透してしまう。 CaOも又アノルサイトを構成する必須成分であ
るCaO＜５％では、アノルサイトの析出が難し
い。CaO＞25℃では、ガラスが熔解時失透してし
まう。また、ガラス転移点、結晶析出温度が高く
なり過ぎ、850℃以下の熱処理でガラスの結晶化
が困難となる。 ZnOはガラス化のためのフラツクスとして働
く。ZnO＜15.5％では、ガラスの転移点が高くな
り過ぎ、またガラス化が困難となる。 ZnO＞30％ではガラスの軟化点が低くなり過
ぎ、熱処理時結晶化する前に軟化流動を起し、フ
アインパターンの絶縁被覆層の焼付形成が困難と
なる。 TiO2は、結晶化をコントロールするために含
有される。TiO2＜５％より少ないと結晶化のた
めの熱処理温度が高くなり過ぎる。TiO2＞20％
では、結晶化のコントロールの作用が弱くなり好
ましくない。 B2O3は、ガラスの熔解時のフラツクスとして
用いられる。B2O3＜１％では、ガラスの熔解性
が悪くなる。B2O3＞８％では、ガラスの軟化点
が低くなり過ぎ、熱処理時、結晶前に軟化流動す
る。 以上必須成分のより好ましい組成範囲は次の通
り、 SiO2 25〜45％ Al2O3 10〜20 CaO 10〜20 ZnO 20〜27 TiO2 ８〜15 B2O3 ２〜５ BaO及びSrOは、いずれも必須成分ではない
が、10％まで好ましくは８％まで導入することに
よりガラスの熔解性を向上させうる。しかし、
BaO＞10％では、ガラスの熱膨腸係数が高くなり
過ぎる。一方、SrO＞10％では、結晶化のための
熱処理温度が高くなり過ぎる。 Sb2O3、SnO2及びBi2O3は、ガラスの熔解性の
向上、あるいはガラスの耐水性の向上のため３％
以下、好ましくは２％以下含有されうる。 以上の如き組成のガラスの調製に当つては、常
法に従い、目標組成になるように各成分の原料を
秤量調合してバツチを調製し、バツチを1400〜
1500℃で１〜３時間加熱しバツチを熔解しガラス
化する。熔解ガラスを水砕し又はフレーク状に成
形し、ガラス片をボールミル等で微粉砕し、平均
粒径１〜５μｍのガラス粉末とし、厚膜回路塗布
用に供する。 本発明のより好ましい態様においては、前記の
ガラス粉末に15％までの耐火物フイラー粉末を置
換して混合することにより、ガラス粉末と耐火物
フイラーとからなる組成物の熱処理時の結晶化の
促進、結晶化後の残留ガラスによる流動性の抑制
あるいは厚膜回路の導体、抵抗体とクロスオーバ
ー層との接触界面における反応性の減少等の効果
を与えることができる。フイラーとしては、アル
ミナ（α−アルミナ）、ジルコン、コージエライ
ト、ジルコニア特に安定化ジルコニア、及びベリ
リアが用いられる。 15％を越えるフイラーの含有は、厚膜回路のア
ルミナ基板との接着性を低下させるので好ましく
ない。フイラーのうち、アルミナあるいはベリリ
アは、熱伝導率の高い物質であり、これらをフイ
ラーとして用いると、クロスオーバー層の高熱伝
導性が期待できる。特に、厚膜回路の高集積化に
伴ない、必然的に熱放散性の大きいクロスオーバ
ーガラス絶縁層が要求され、その意味においてア
ルミナ又はベリリアの使用が好ましい。 前記フイラーをガラス粉末に混合するに当つて
は、ガラスの粉砕時にボールミル等の粉砕機中に
混入するのが好ましい。 尚、ガラスの粉砕及び／又はフイラーの混合に
当つては、乾式、湿式のいずれでもよいが、厚膜
回路へのスクリーン印刷に用いる場合には、ガラ
ス及びフイラーの粒子のトツプサイズは小さい方
が好ましく、また平均粒径も１〜２μｍとするの
が好ましい。このような微粉砕された粉末を得る
ためには湿式の粉砕機の使用が望ましい。 本発明の組成物を使用するに当つては、被接着
物例えば厚膜回路に仮止めするため、スラリー及
至ペースト状にして塗布又は印刷に供する。バイ
ンダーとしては周知のビヒクル剤、例えばエチル
セルロースとαテルピネオール、ニトロセルロー
ズと酢酸イソアミル、ブチルカルビトールアセテ
ートあるいは純水が用いられ、特に限定されな
い。 粉末組成物ペースト又はスラリーを塗布又は印
刷した後、150℃程度で15分間以内の熱処理でビ
ヒクルを蒸発させた後、10〜50℃／minの速度で
焼成温度まで昇温する。焼成熱処理に当つては、
800〜950℃好ましくは800〜850℃に５〜15分間保
持することにより、ガラス粉末は軟化流動して緻
密な膜を形成した後結晶化する。 本発明に係る組成物は、厚膜回路のクロスオー
バー絶縁層の形成に好適に使用され、導体ペース
トと交互に何層にも亘つて印刷し、上部及び下部
の導体層と同時焼成が可能であり、同時焼成によ
つても導体の剥離、また上・下導体層間の電気的
短絡等の問題はない。尚、この組成物によつて多
層のクロスオーバー層の形成が可能である理由
は、焼成後の絶縁膜の表面の平滑度が優れている
からである。 また、焼成後の熱膨脹係数は、55〜70×10-7℃
-1（50〜350℃）であり、アルミナ質の回路基板
に適当である。電気的特性に関して、誘電率及び
誘電損失は共に小さい。
及びこのガラス粉末に耐火物フイラーを混合した
組成物であつて、主として、厚膜集積回路のクロ
スオーバー用の電気絶縁層の形成のために好適に
使用される組成物に関する。 アルミナ等の基板上に、抵抗体、および導体を
印刷により形成し厚膜回路等の種々の電気回路を
製作する場合、電気絶縁層又はクロスオーバーと
してガラス組成物が用いられている。これらガラ
ス層は、電気的絶縁層であると同時に導体および
抵抗体を周囲の環境から保護するためにも有効で
あり、いわゆるカバーコートの目的で使用される
場合も多い。 標準的な厚膜集積回路の製作に当つては、主と
してアルミナからなるセラミツク基板上に、導体
ペーストを印刷し焼成した後クロスオーバー用誘
電体ガラスペーストを印刷焼成し、次いで抵抗体
用ペーストを印刷し焼成した後、抵抗体あるいは
導体の保護のためガラス被覆膜を印刷し焼成す
る。多層配線化する場合には、前記の工程が更に
複数回繰り返えされる。 従来、２回以上の高温焼成を必要される回路の
製作にクロスオーバーとして使用される誘電体ガ
ラスとしては、高温安定性を得るため、850〜950
℃の焼成により結晶化する結晶性ガラスのタイプ
のものが用いられている。 （例えば、特公昭46−42917号：51−6168号；51−
10844号；52−34645号参照）。 しかしながら、省エネルギーの観点より及び焼
成時の回路の電気的特性の劣化の抑制のため、よ
り低温度での焼成により電気的諸特性特に電気抵
抗、誘電率、誘電損失が優れているクロスオーバ
ー層を形成しうるガラス粉末組成物の開発が要請
されている。 本発明者は、SiO2−Al2O3−CaO−ZnO−TiO2
−B2O3系の特定組成範囲のガラスが前記要請を
満足することを見い出した。 本発明は、 重量％表示で、 SiO2 20〜45％ Al2O3 ５〜25 CaO ５〜25 ZnO 15.5〜30 TiO2 ５〜20 B2O3 １〜８ BaO ０〜10 SrO ０〜10 Sb2O3 ０〜３ SnO2 ０〜３ Bi2O3 ０〜３ の組成を有し、850℃を越えない温度で熱処理す
ることにより結晶化する絶縁性ガラス組成物に関
する。 更に、本発明のより好ましい態様においては、
前記組成のガラスの粉末に、アルミナ、ジルコ
ン、コージエライト、ジルコニア及びベリリヤか
らなる群より選ばれた少くても１種の耐火物フイ
ラー粉末を重量比で15％以下混合してなるフイラ
ーを含む絶縁性ガラス組成物が提供される。 ガラスの組成限定の理由を説明する。 SiO2は、ガラスのネツトワークフオーマーで
あり、本発明のガラスを焼成熱処理し結晶化した
とき析出するアノルサイト（CaO、
Al2O32SiO2）結晶を構成する成分である。SiO2＜
20％ではガラスの軟化点が低くなり過ぎ、熱処理
時結晶化する前にガラスが軟化し流動し過ぎる。
SiO2＞45％では、ガラス化が困難であると供
に、結晶化のための熱処理温度が900℃を越える
高温が必要となる。 Al2O3も又析出するアノルサイト結晶を構成す
る必須成分である。Al2O3＜５％では、アノルサ
イトの析出が難しい。Al2O3＞25％では、ガラス
が熔解時失透してしまう。 CaOも又アノルサイトを構成する必須成分であ
るCaO＜５％では、アノルサイトの析出が難し
い。CaO＞25℃では、ガラスが熔解時失透してし
まう。また、ガラス転移点、結晶析出温度が高く
なり過ぎ、850℃以下の熱処理でガラスの結晶化
が困難となる。 ZnOはガラス化のためのフラツクスとして働
く。ZnO＜15.5％では、ガラスの転移点が高くな
り過ぎ、またガラス化が困難となる。 ZnO＞30％ではガラスの軟化点が低くなり過
ぎ、熱処理時結晶化する前に軟化流動を起し、フ
アインパターンの絶縁被覆層の焼付形成が困難と
なる。 TiO2は、結晶化をコントロールするために含
有される。TiO2＜５％より少ないと結晶化のた
めの熱処理温度が高くなり過ぎる。TiO2＞20％
では、結晶化のコントロールの作用が弱くなり好
ましくない。 B2O3は、ガラスの熔解時のフラツクスとして
用いられる。B2O3＜１％では、ガラスの熔解性
が悪くなる。B2O3＞８％では、ガラスの軟化点
が低くなり過ぎ、熱処理時、結晶前に軟化流動す
る。 以上必須成分のより好ましい組成範囲は次の通
り、 SiO2 25〜45％ Al2O3 10〜20 CaO 10〜20 ZnO 20〜27 TiO2 ８〜15 B2O3 ２〜５ BaO及びSrOは、いずれも必須成分ではない
が、10％まで好ましくは８％まで導入することに
よりガラスの熔解性を向上させうる。しかし、
BaO＞10％では、ガラスの熱膨腸係数が高くなり
過ぎる。一方、SrO＞10％では、結晶化のための
熱処理温度が高くなり過ぎる。 Sb2O3、SnO2及びBi2O3は、ガラスの熔解性の
向上、あるいはガラスの耐水性の向上のため３％
以下、好ましくは２％以下含有されうる。 以上の如き組成のガラスの調製に当つては、常
法に従い、目標組成になるように各成分の原料を
秤量調合してバツチを調製し、バツチを1400〜
1500℃で１〜３時間加熱しバツチを熔解しガラス
化する。熔解ガラスを水砕し又はフレーク状に成
形し、ガラス片をボールミル等で微粉砕し、平均
粒径１〜５μｍのガラス粉末とし、厚膜回路塗布
用に供する。 本発明のより好ましい態様においては、前記の
ガラス粉末に15％までの耐火物フイラー粉末を置
換して混合することにより、ガラス粉末と耐火物
フイラーとからなる組成物の熱処理時の結晶化の
促進、結晶化後の残留ガラスによる流動性の抑制
あるいは厚膜回路の導体、抵抗体とクロスオーバ
ー層との接触界面における反応性の減少等の効果
を与えることができる。フイラーとしては、アル
ミナ（α−アルミナ）、ジルコン、コージエライ
ト、ジルコニア特に安定化ジルコニア、及びベリ
リアが用いられる。 15％を越えるフイラーの含有は、厚膜回路のア
ルミナ基板との接着性を低下させるので好ましく
ない。フイラーのうち、アルミナあるいはベリリ
アは、熱伝導率の高い物質であり、これらをフイ
ラーとして用いると、クロスオーバー層の高熱伝
導性が期待できる。特に、厚膜回路の高集積化に
伴ない、必然的に熱放散性の大きいクロスオーバ
ーガラス絶縁層が要求され、その意味においてア
ルミナ又はベリリアの使用が好ましい。 前記フイラーをガラス粉末に混合するに当つて
は、ガラスの粉砕時にボールミル等の粉砕機中に
混入するのが好ましい。 尚、ガラスの粉砕及び／又はフイラーの混合に
当つては、乾式、湿式のいずれでもよいが、厚膜
回路へのスクリーン印刷に用いる場合には、ガラ
ス及びフイラーの粒子のトツプサイズは小さい方
が好ましく、また平均粒径も１〜２μｍとするの
が好ましい。このような微粉砕された粉末を得る
ためには湿式の粉砕機の使用が望ましい。 本発明の組成物を使用するに当つては、被接着
物例えば厚膜回路に仮止めするため、スラリー及
至ペースト状にして塗布又は印刷に供する。バイ
ンダーとしては周知のビヒクル剤、例えばエチル
セルロースとαテルピネオール、ニトロセルロー
ズと酢酸イソアミル、ブチルカルビトールアセテ
ートあるいは純水が用いられ、特に限定されな
い。 粉末組成物ペースト又はスラリーを塗布又は印
刷した後、150℃程度で15分間以内の熱処理でビ
ヒクルを蒸発させた後、10〜50℃／minの速度で
焼成温度まで昇温する。焼成熱処理に当つては、
800〜950℃好ましくは800〜850℃に５〜15分間保
持することにより、ガラス粉末は軟化流動して緻
密な膜を形成した後結晶化する。 本発明に係る組成物は、厚膜回路のクロスオー
バー絶縁層の形成に好適に使用され、導体ペース
トと交互に何層にも亘つて印刷し、上部及び下部
の導体層と同時焼成が可能であり、同時焼成によ
つても導体の剥離、また上・下導体層間の電気的
短絡等の問題はない。尚、この組成物によつて多
層のクロスオーバー層の形成が可能である理由
は、焼成後の絶縁膜の表面の平滑度が優れている
からである。 また、焼成後の熱膨脹係数は、55〜70×10-7℃
-1（50〜350℃）であり、アルミナ質の回路基板
に適当である。電気的特性に関して、誘電率及び
誘電損失は共に小さい。
【表】
表−１上段に示す組成のガラスを熔解し、冷却
後、平均粒径２μｍに微粉砕した。その際サンプ
ル３、４、５については、表中段に示す量のアル
ミナをガラスの微粉砕時に混合した。この場合、
サンプル組成物中ガラス粉末の量はフイラーの残
量である。 DTA特性 各サンプルの粉末1.0ｇを示差熱分析機のホル
ダーに入れ、室温より10℃／minの昇温速度で温
度を上昇させ熱分析曲線を描き、その曲線に現わ
れる最初の吸熱開始温度を、転移点（℃）として
表に示した。ガラスの結晶化を示す２つのピーク
を第１及び第２結晶化ヒーク温度として表に示し
た。 焼成物の諸特性 (1) 熱膨脹係数 各粉末試験を棒状に圧縮成形した後、850℃
で10分間加熱したものの熱膨脹係数（50〜350
℃平均）を測定し、表に示した。 (2) 誘電率（ε）、誘電損失（tanδ） 各試料の焼成品（850℃、10分間）の25℃、
1MHZにおける誘電率及び誘電損失を測定し、
表に示した。誘電率は９以下、誘電損失は２×
10-3以下であることが望ましい。 (3) 体積抵抗率ρ（ohm.cm） 各試料の焼成品（850℃、10分間）の150℃に
おける体積抵抗率を測定し、表に示した。この
値は1014ohm.cm以上であることが要求され
る。 (4) 耐酸性 各試料の焼成品（850℃、10分間）を、20％
のシユー酸水溶液に入れ、90℃に10分間加温
し、試料の重量損失割合（％）を測定し、その
値を表に示す。この値は、0.3％以下であるこ
とが好ましい。 本発明に係るガラス組成物の焼成物は、以上の
特性の外抵抗体の抵抗値変化率、表面粗さ、ハン
ダ付性、熱伝導率等の特性も優れていることが判
明している。
後、平均粒径２μｍに微粉砕した。その際サンプ
ル３、４、５については、表中段に示す量のアル
ミナをガラスの微粉砕時に混合した。この場合、
サンプル組成物中ガラス粉末の量はフイラーの残
量である。 DTA特性 各サンプルの粉末1.0ｇを示差熱分析機のホル
ダーに入れ、室温より10℃／minの昇温速度で温
度を上昇させ熱分析曲線を描き、その曲線に現わ
れる最初の吸熱開始温度を、転移点（℃）として
表に示した。ガラスの結晶化を示す２つのピーク
を第１及び第２結晶化ヒーク温度として表に示し
た。 焼成物の諸特性 (1) 熱膨脹係数 各粉末試験を棒状に圧縮成形した後、850℃
で10分間加熱したものの熱膨脹係数（50〜350
℃平均）を測定し、表に示した。 (2) 誘電率（ε）、誘電損失（tanδ） 各試料の焼成品（850℃、10分間）の25℃、
1MHZにおける誘電率及び誘電損失を測定し、
表に示した。誘電率は９以下、誘電損失は２×
10-3以下であることが望ましい。 (3) 体積抵抗率ρ（ohm.cm） 各試料の焼成品（850℃、10分間）の150℃に
おける体積抵抗率を測定し、表に示した。この
値は1014ohm.cm以上であることが要求され
る。 (4) 耐酸性 各試料の焼成品（850℃、10分間）を、20％
のシユー酸水溶液に入れ、90℃に10分間加温
し、試料の重量損失割合（％）を測定し、その
値を表に示す。この値は、0.3％以下であるこ
とが好ましい。 本発明に係るガラス組成物の焼成物は、以上の
特性の外抵抗体の抵抗値変化率、表面粗さ、ハン
ダ付性、熱伝導率等の特性も優れていることが判
明している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重量％表示で、 SiO2 20〜45％ Al2O3 ５〜25 CaO ５〜25 ZnO 15.5〜30 TiO2 ５〜20 B2O3 １〜８ BaO ０〜10 SrO ０〜10 Sb2O3 ０〜３ SnO2 ０〜３ Bi2O3 ０〜３ の組成を有し、850℃を越えない温度で熱処理す
ることにより主結晶としてアノルサイト結晶を析
出する絶縁性ガラス組成物。 ２ 重量％表示で、 SiO2 25〜45％ Al2O3 10〜20 CaO 10〜20 ZnO 20〜27 TiO2 ８〜15 B2O3 ２〜５ の組成を有する特許請求の範囲第１項記載の絶縁
性ガラス組成物。 ３ 重量％表示で、 SiO2 20〜45％ Al2O3 ５〜25 CaO ５〜25 ZnO 15.5〜30 TiO2 ５〜20 B2O3 １〜８ BaO ０〜10 SrO ０〜10 Sb2O3 ０〜３ SnO2 ０〜３ Bi2O3 ０〜３ の組成を有し、850℃を越えない温度で熱処理す
ることにより主結晶としてアノルサイト結晶を析
出するガラス粉末にアルミナ、ジルコン、コージ
エライト、ジルコニア及びベリリアからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種の耐火物フイラー粉末
を重量比で15％以下混合してなるフイラーを含む
絶縁性ガラス組成物。 ４ 前記ガラス粉末は重量％で、 SiO2 25〜45％ Al2O3 10〜20 CaO 10〜20 ZnO 20〜27 TiO2 ８〜15 B2O3 ２〜５ の組成を有し、前記耐火物フイラーはアルミナ粉
末であり、重量比で ガラス粉末 90〜99％ アルミナ粉末 １〜10 の割合で混合されてなる特許請求の範囲第３項記
載のフイラーを含む絶縁性ガラス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1908979A JPS55113641A (en) | 1979-02-22 | 1979-02-22 | Insulating glass composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1908979A JPS55113641A (en) | 1979-02-22 | 1979-02-22 | Insulating glass composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55113641A JPS55113641A (en) | 1980-09-02 |
| JPS6210940B2 true JPS6210940B2 (ja) | 1987-03-09 |
Family
ID=11989721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1908979A Granted JPS55113641A (en) | 1979-02-22 | 1979-02-22 | Insulating glass composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55113641A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4349635A (en) * | 1981-10-26 | 1982-09-14 | Motorola, Inc. | Lower temperature glass and hermetic seal means and method |
| US4417913A (en) * | 1981-10-26 | 1983-11-29 | Motorola, Inc. | Lower temperature glass and hermetic seal means and method |
| JPS59130005A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | 旭硝子株式会社 | 厚膜回路絶縁層用組成物 |
| JPS60235744A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-22 | Asahi Glass Co Ltd | セラミック基板用組成物 |
| US4863517A (en) * | 1987-08-20 | 1989-09-05 | General Electric Company | Via fill ink composition for integrated circuits |
| US4788163A (en) * | 1987-08-20 | 1988-11-29 | General Electric Company | Devitrifying glass frits |
| JPH07101774B2 (ja) * | 1988-09-21 | 1995-11-01 | 日本電装株式会社 | 集積回路装置 |
| KR100592603B1 (ko) * | 2002-05-20 | 2006-06-23 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 유전체 자기 |
| JP7185181B2 (ja) * | 2018-10-04 | 2022-12-07 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT985438B (it) * | 1972-06-14 | 1974-11-30 | Du Pont | Vetro per la produzione di dielet trici di incrocio a bassa costante dielettrica e dielettrici cosi ottenuti |
-
1979
- 1979-02-22 JP JP1908979A patent/JPS55113641A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55113641A (en) | 1980-09-02 |
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