JPH0563518A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0563518A JPH0563518A JP3218476A JP21847691A JPH0563518A JP H0563518 A JPH0563518 A JP H0563518A JP 3218476 A JP3218476 A JP 3218476A JP 21847691 A JP21847691 A JP 21847691A JP H0563518 A JPH0563518 A JP H0563518A
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- JP
- Japan
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- circuit
- oscillation
- output
- signal
- frequency
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K23/00—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
- H03K23/64—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains with a base or radix other than a power of two
- H03K23/66—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains with a base or radix other than a power of two with a variable counting base, e.g. by presetting or by adding or suppressing pulses
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】発振信号のノイズ除去。
【構成】発振回路と該発振回路の出力ラインに設けられ
た分周回路とを一緒に内蔵した半導体基板と、前記発振
回路の原発振周波数信号及び前記分周回路の出力を選択
的に通過させる信号選択手段と、該信号選択手段で選択
された信号を出力する出力回路と、前記発振回路が原発
振周波数信号を前記出力回路から出力している間、前記
分周回路の動作を停止させる動作停止手段とを具備した
ことを特徴とする。
た分周回路とを一緒に内蔵した半導体基板と、前記発振
回路の原発振周波数信号及び前記分周回路の出力を選択
的に通過させる信号選択手段と、該信号選択手段で選択
された信号を出力する出力回路と、前記発振回路が原発
振周波数信号を前記出力回路から出力している間、前記
分周回路の動作を停止させる動作停止手段とを具備した
ことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に関
し、特にCMOS(相補型MOS)半導体集積回路に形
成されたCMOS水晶発振回路と、周波数分周回路と
を、同一の半導体体基板上に形成した集積回路に使用さ
れる。
し、特にCMOS(相補型MOS)半導体集積回路に形
成されたCMOS水晶発振回路と、周波数分周回路と
を、同一の半導体体基板上に形成した集積回路に使用さ
れる。
【0002】
【従来の技術】従来、CMOS水晶発振回路とその水晶
発振出力を分周する分周回路を、同一半導体基板に形成
した水晶発振器は、外部からの信号により、原発振周波
数foもしくは分周後の周波数fo/2nのうちの一つ
の信号を選択して、出力として取り出している。
発振出力を分周する分周回路を、同一半導体基板に形成
した水晶発振器は、外部からの信号により、原発振周波
数foもしくは分周後の周波数fo/2nのうちの一つ
の信号を選択して、出力として取り出している。
【0003】図2にその回路例を示す。ここでは、CM
OSインバータ2、帰還抵抗3を有し、また水晶振動子
4、プルダウンコンデンサ5、6からなる外付回路7に
より、原発振回路1を形成している。また、この回路の
原発振信号(周波数fo)は、CMOSインバータ8を
通してクロックドインバータCI1に入り、またインバ
ータ8を通して分周回路9(ここでは3段構成としして
いる)に入り、ここからfo/2、fo/4、fo/8
の周波数信号をそれぞれ出力している。原発振周波数f
o、分周周波数fo/2、fo/4、fo/8の信号選
択を行うには、コントロール信号A、Bがデコーダ10
に入り、その出力C、D、E、Fのうちの活性化された
1つが、クロックドインバータCI1〜CI4のいずれ
かを選択動作させることにより、希望の周波数信号を選
択する。この選択された信号は、3ステート出力回路1
1を通して出力部12より取り出される。発振停止用端
子13は、通常プルアップ抵抗14によって“H”
(高)レベルつまり電源VDDレベルとなっているが、
“L”(低)レベルつまり接地レベルの信号を端子13
に入力してやることによって、CMOSインバータ15
を通して発振停止用NチャネルMOSトランジスタ16
をオン状態とし、ノード17を“L”レベルとして、発
振回路1の原発振を停止させる。また端子13の信号
は、CMOSインバータ15、18を通して分周回路9
のリセット端子Rに入って分周回路9の分周動作を停止
し、また、3ステート出力回路11の制御端子Coに入
って、3ステート出力回路11を高インピーダンス状態
にする。
OSインバータ2、帰還抵抗3を有し、また水晶振動子
4、プルダウンコンデンサ5、6からなる外付回路7に
より、原発振回路1を形成している。また、この回路の
原発振信号(周波数fo)は、CMOSインバータ8を
通してクロックドインバータCI1に入り、またインバ
ータ8を通して分周回路9(ここでは3段構成としして
いる)に入り、ここからfo/2、fo/4、fo/8
の周波数信号をそれぞれ出力している。原発振周波数f
o、分周周波数fo/2、fo/4、fo/8の信号選
択を行うには、コントロール信号A、Bがデコーダ10
に入り、その出力C、D、E、Fのうちの活性化された
1つが、クロックドインバータCI1〜CI4のいずれ
かを選択動作させることにより、希望の周波数信号を選
択する。この選択された信号は、3ステート出力回路1
1を通して出力部12より取り出される。発振停止用端
子13は、通常プルアップ抵抗14によって“H”
(高)レベルつまり電源VDDレベルとなっているが、
“L”(低)レベルつまり接地レベルの信号を端子13
に入力してやることによって、CMOSインバータ15
を通して発振停止用NチャネルMOSトランジスタ16
をオン状態とし、ノード17を“L”レベルとして、発
振回路1の原発振を停止させる。また端子13の信号
は、CMOSインバータ15、18を通して分周回路9
のリセット端子Rに入って分周回路9の分周動作を停止
し、また、3ステート出力回路11の制御端子Coに入
って、3ステート出力回路11を高インピーダンス状態
にする。
【0004】図2の回路は、クロックドインバータCI
1で、原発振出力を選択しているときも、分周回路9は
動作しているため、分周回路9から発生するスイッツチ
ングノイズにより、上記原発振出力のノイズが増大する
問題があった。その理由は、分周回路9では、分周動作
におけるスイッチング動作時に電源電流に影響を与える
ため、電源VDDにノイズが発生しやすい。特に集積回路
において、分周回路9と発振回路1、及びこれらの間の
インバータ8などは、共に電源VDDが共通であるから、
分周回路9の電源ノイズは発振回路1などの電源にも影
響が出て、インバータ8、クロックドインバータCI
1、出力回路11を通して出力される発振信号にもノイ
ズがのるのである。しかし、分周回路9の出力は、該分
周回路自体が波形整形機能を持っているため、ノイズは
極めて少ない。
1で、原発振出力を選択しているときも、分周回路9は
動作しているため、分周回路9から発生するスイッツチ
ングノイズにより、上記原発振出力のノイズが増大する
問題があった。その理由は、分周回路9では、分周動作
におけるスイッチング動作時に電源電流に影響を与える
ため、電源VDDにノイズが発生しやすい。特に集積回路
において、分周回路9と発振回路1、及びこれらの間の
インバータ8などは、共に電源VDDが共通であるから、
分周回路9の電源ノイズは発振回路1などの電源にも影
響が出て、インバータ8、クロックドインバータCI
1、出力回路11を通して出力される発振信号にもノイ
ズがのるのである。しかし、分周回路9の出力は、該分
周回路自体が波形整形機能を持っているため、ノイズは
極めて少ない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、発振回路と
分周回路とを同一の半導体基板に形成したものにおい
て、分周回路から発生するノイズを押さえ、ノイズの少
ない原発振出力を得ることを目的とする。
分周回路とを同一の半導体基板に形成したものにおい
て、分周回路から発生するノイズを押さえ、ノイズの少
ない原発振出力を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段と作用】本発明は、発振回
路と該発振回路の出力ラインに設けられた分周回路とを
一緒に内蔵した半導体基板と、前記発振回路の原発振周
波数信号及び前記分周回路の出力を選択的に通過させる
信号選択手段と、該信号選択手段で選択された信号を出
力する出力回路と、前記発振回路が原発振周波数信号を
前記出力回路から出力している間、前記分周回路の動作
を停止させる動作停止手段とを具備したことを特徴とす
る半導体集積回路である。この様な構成とすれば、原発
振信号を選択して出力する場合、ノイズ発生源となって
いる分周回路の動作を停止せることで、原発振信号中の
ノイズを大幅に低減できる。
路と該発振回路の出力ラインに設けられた分周回路とを
一緒に内蔵した半導体基板と、前記発振回路の原発振周
波数信号及び前記分周回路の出力を選択的に通過させる
信号選択手段と、該信号選択手段で選択された信号を出
力する出力回路と、前記発振回路が原発振周波数信号を
前記出力回路から出力している間、前記分周回路の動作
を停止させる動作停止手段とを具備したことを特徴とす
る半導体集積回路である。この様な構成とすれば、原発
振信号を選択して出力する場合、ノイズ発生源となって
いる分周回路の動作を停止せることで、原発振信号中の
ノイズを大幅に低減できる。
【0007】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例を説明
する。図1は同実施例を説明するための回路図である
が、これは図2のものと対応させた場合の例であるか
ら、重複する箇所には同一符号を用いる。図1では、C
MOSインバータ2、帰還抵抗3と、水晶振動子4、コ
ンデンサ5、6の外部回路7とで形成した発振回路1に
より、原発振信号(周波数fo)を発生させる。この原
発振信号は、後段のインバータ8で増幅された後、クロ
ックドインバータCI1と分周回路9に入る。この分周
回路9の1/2分周出力はクロックドインバータCI2
に、1/4分周出力はクロックドインバータCI3に、
1/8分周出力はクロックドインバータCI4に入力さ
れる。クロックドインバータCI1〜CI4は、コント
ロール信号A、Bからデコーダ10を通した出力信号
C、D、E、Fによって、上記原発振周波数、1/2分
周周波数、1/4分周周波数、1/8分周周波数のうち
のどれか一つの信号を選択し、これを出力回路11に入
れ、出力信号として端子12から取り出す。
する。図1は同実施例を説明するための回路図である
が、これは図2のものと対応させた場合の例であるか
ら、重複する箇所には同一符号を用いる。図1では、C
MOSインバータ2、帰還抵抗3と、水晶振動子4、コ
ンデンサ5、6の外部回路7とで形成した発振回路1に
より、原発振信号(周波数fo)を発生させる。この原
発振信号は、後段のインバータ8で増幅された後、クロ
ックドインバータCI1と分周回路9に入る。この分周
回路9の1/2分周出力はクロックドインバータCI2
に、1/4分周出力はクロックドインバータCI3に、
1/8分周出力はクロックドインバータCI4に入力さ
れる。クロックドインバータCI1〜CI4は、コント
ロール信号A、Bからデコーダ10を通した出力信号
C、D、E、Fによって、上記原発振周波数、1/2分
周周波数、1/4分周周波数、1/8分周周波数のうち
のどれか一つの信号を選択し、これを出力回路11に入
れ、出力信号として端子12から取り出す。
【0008】ここでクロックドインバータCI1によ
り、原発振周波数信号を選択する場合、デコーダ10の
出力Cが“H”レベルとなり、出力D、E、Fは“L”
レベルとなり、したがってクロックドインハバータCI
1のみが通常のインバータとして動作することにより、
上記原発振周波数信号が出力される。この時、デコーダ
10の出力Cの“H”レベルと、発振停止用端子13か
らインバータ15、18を通った信号の“H”レベルと
が、NAND回路21に入り、この回路21の出力は
“L”レベルとなって、これが分周回路9のリセット端
子Rに入り、このため分周回路9の動作は停止する。つ
まり、原発振周波数信号を、出力信号として端子12か
ら取り出す場合、分周回路9の動作が停止して、該回路
でのスイッチングノイズが無いことにより電源は安定
し、分周回路9から発生するノイズはなくなる。このた
め、原発振出力のノイズがほとんどなくなり、ノイズに
よる誤動作もなくなるものである。
り、原発振周波数信号を選択する場合、デコーダ10の
出力Cが“H”レベルとなり、出力D、E、Fは“L”
レベルとなり、したがってクロックドインハバータCI
1のみが通常のインバータとして動作することにより、
上記原発振周波数信号が出力される。この時、デコーダ
10の出力Cの“H”レベルと、発振停止用端子13か
らインバータ15、18を通った信号の“H”レベルと
が、NAND回路21に入り、この回路21の出力は
“L”レベルとなって、これが分周回路9のリセット端
子Rに入り、このため分周回路9の動作は停止する。つ
まり、原発振周波数信号を、出力信号として端子12か
ら取り出す場合、分周回路9の動作が停止して、該回路
でのスイッチングノイズが無いことにより電源は安定
し、分周回路9から発生するノイズはなくなる。このた
め、原発振出力のノイズがほとんどなくなり、ノイズに
よる誤動作もなくなるものである。
【0009】なお、本発明は上記実施例に限られず、種
々の応用が可能である。例えば、実施例のCMOS水晶
発振回路を、他の発振回路に置き換えたり、また分周動
作停止手段としてのNAND回路21を、他のもので代
用するようにしてもよい。
々の応用が可能である。例えば、実施例のCMOS水晶
発振回路を、他の発振回路に置き換えたり、また分周動
作停止手段としてのNAND回路21を、他のもので代
用するようにしてもよい。
【0010】
【発明の効果】以上説明したごとく本発明によれば、発
振回路から原発振出力を取り出すとき、分周回路が停止
しているため、分周回路から発生するノイズがなく、ノ
イズの非常に少ない原発振出力が得られるものである。
振回路から原発振出力を取り出すとき、分周回路が停止
しているため、分周回路から発生するノイズがなく、ノ
イズの非常に少ない原発振出力が得られるものである。
【図1】本発明の一実施例を説明するための回路図。
【図2】従来例を説明するための回路図。
1…水晶発振回路、2、8、15、18…CMOSイン
バータ、9…分周回路、10…デコーダ、11…出力回
路、16…発振停止用トランジスタ、21…分周回路制
御用NAND回路、CI1〜CI4…クロックドインバ
ータ。
バータ、9…分周回路、10…デコーダ、11…出力回
路、16…発振停止用トランジスタ、21…分周回路制
御用NAND回路、CI1〜CI4…クロックドインバ
ータ。
Claims (5)
- 【請求項1】発振回路と該発振回路の出力ラインに設け
られた分周回路とを一緒に内蔵した半導体基板と、前記
発振回路の原発振周波数信号及び前記分周回路の出力を
選択的に通過させる信号選択手段と、該信号選択手段で
選択された信号を出力する出力回路と、前記発振回路が
原発振周波数信号を前記出力回路から出力している間、
前記分周回路の動作を停止させる動作停止手段とを具備
したことを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】前記発振回路と分周回路は、同一電源を使
用する請求項1に記載の半導体集積回路。 - 【請求項3】前記半導体基板には、CMOS集積回路が
構成される請求項1に記載の半導体集積回路。 - 【請求項4】前記発振回路は、CMOS水晶発振回路で
ある請求項1または2に記載の半導体集積回路。 - 【請求項5】前記出力回路は、3ステート方式の出力回
路である請求項1に記載の半導体集積回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218476A JP2567163B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体集積回路 |
| DE69221042T DE69221042T2 (de) | 1991-08-29 | 1992-08-27 | Halbleiterintegrierte Schaltung mit einem Oszillator und einem selektierbaren Frequenzteiler |
| EP92114624A EP0529620B1 (en) | 1991-08-29 | 1992-08-27 | Semiconductor integrated circuit comprising an oscillator and a selectable frequency divider |
| KR1019920015530A KR950009817B1 (ko) | 1991-08-29 | 1992-08-28 | 반도체 집적 회로 |
| US07/936,634 US5228067A (en) | 1991-08-29 | 1992-08-28 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218476A JP2567163B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563518A true JPH0563518A (ja) | 1993-03-12 |
| JP2567163B2 JP2567163B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=16720531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3218476A Expired - Fee Related JP2567163B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体集積回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5228067A (ja) |
| EP (1) | EP0529620B1 (ja) |
| JP (1) | JP2567163B2 (ja) |
| KR (1) | KR950009817B1 (ja) |
| DE (1) | DE69221042T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008510407A (ja) * | 2004-06-08 | 2008-04-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 周波数可変装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2666756B2 (ja) * | 1995-01-30 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| ES1031328Y (es) * | 1995-06-08 | 1997-03-16 | Psycho Chrono S L | Generador de ondas perfeccionado. |
| KR19990013066A (ko) * | 1997-07-31 | 1999-02-25 | 윤종용 | 수정 발진기를 구비한 반도체 장치 |
| US6348908B1 (en) * | 1998-09-15 | 2002-02-19 | Xerox Corporation | Ambient energy powered display |
| JP4136601B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2008-08-20 | 三菱電機株式会社 | トランシーバモジュール |
| US8183905B2 (en) * | 2009-07-27 | 2012-05-22 | Broadcom Corporation | Configurable clock signal generator |
| KR102820519B1 (ko) | 2019-12-13 | 2025-06-13 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 led 정렬 방법 및 이를 적용한 마이크로 led 디스플레이 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5429956A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Seiko Epson Corp | Pulse generator |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53143549U (ja) * | 1977-04-18 | 1978-11-13 | ||
| US4165490A (en) * | 1977-12-19 | 1979-08-21 | International Business Machines Corporation | Clock pulse generator with selective pulse delay and pulse width control |
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| EP0171678B1 (de) * | 1984-08-03 | 1988-09-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zum Erzeugen eines Mehrfrequenzsignals |
| GB2176923B (en) * | 1985-06-25 | 1989-01-05 | Plessey Co Plc | Frequency dividing arrangements |
| US4658406A (en) * | 1985-08-12 | 1987-04-14 | Andreas Pappas | Digital frequency divider or synthesizer and applications thereof |
| JPS63209318A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Sony Corp | 受信機 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3218476A patent/JP2567163B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-08-27 DE DE69221042T patent/DE69221042T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-27 EP EP92114624A patent/EP0529620B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-28 KR KR1019920015530A patent/KR950009817B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-28 US US07/936,634 patent/US5228067A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| JP2008510407A (ja) * | 2004-06-08 | 2008-04-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 周波数可変装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69221042D1 (de) | 1997-08-28 |
| US5228067A (en) | 1993-07-13 |
| JP2567163B2 (ja) | 1996-12-25 |
| DE69221042T2 (de) | 1997-12-11 |
| KR930005232A (ko) | 1993-03-23 |
| KR950009817B1 (ko) | 1995-08-28 |
| EP0529620A1 (en) | 1993-03-03 |
| EP0529620B1 (en) | 1997-07-23 |
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