JPH0564441A - Dc/dcコンバ−タ - Google Patents

Dc/dcコンバ−タ

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JPH0564441A
JPH0564441A JP24456091A JP24456091A JPH0564441A JP H0564441 A JPH0564441 A JP H0564441A JP 24456091 A JP24456091 A JP 24456091A JP 24456091 A JP24456091 A JP 24456091A JP H0564441 A JPH0564441 A JP H0564441A
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浩一 水田
Toshihiko Mizukami
俊彦 水上
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 トランスの偏磁を防止すると共に分割コンデ
ンサのリプル電流を低減することにより、コンバ−タの
高周波動作を達成させ、小形化を図る。 【構成】 MOSFET11a,12bを同時にオン、
オフさせると、入力電圧源13より、供給された負荷電
流はMOSFET11aからトランス15aを介し、ト
ランス2次側に電力を供給する。同時にこの負荷電流は
コンデンサ17aの充電電流となり、電流の一巡ル−プ
ができる。しかし、MOSFET12bもMOSFET
11aに同期してオン、オフしているので、コンデンサ
17aからの充電電流は放電電流として、コンデンサ1
6a,17aの接続点を経由してコンデンサ16b,1
7bの接続点に流れ、トランス15bを介し、トランス
2次側に電力を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチグレギュレ−
タとその給電方式に係り、特に、高周波動作、かつ、小
型化に好適なDC/DCコンバ−タに関する。
【0002】
【従来の技術】従来回路は、例えば、社団法人電子通信
情報学会発行の電子通信情報学会技術研究報告(電子通
信電源技術) PE82−29他に記載のものがある。
従来回路の例を図7に示し、以下、概略を説明をする。
本回路は、典型的なフルブリッジ構成のコンバ−タ回路
である。1,2,3,4はトランジスタ、5はトラン
ス、6,7,8はコンデンサ、9はチョ−クコイル、1
0,11はダイオ−ドである。直流電源電圧Eiを印加
した状態において、トランジスタ1,4、トランジスタ
2,3の対ア−ムペアを交互にオン、オフすると、トラ
ンス5の1次巻線n1に矩形波状の交流電圧が誘起され
る。すると、トランス5の2次巻線n2にはトランス5
の巻数比で変換された矩形波状の交流電圧を発生する。
この交流電圧は、ダイオ−ド10,11により整流さ
れ、チョ−クコイル9、コンデンサ10から構成したフ
ィルタ−回路により平滑され、直流出力電圧Eoを得る
様動作する。また、ここで、コンデンサ7は、トランジ
スタ1,2,3,4のスイッチングスピ−ドのバラツキ
などが原因となって生じるトランス5の偏磁防止用のコ
ンデンサであり、トランス5と直列接続されているの
で、負荷電流Ioと同じリプル電流が流れる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術による
コンバ−タ回路を小形化する場合、高周波動作をさせる
ことが最も有効である。しかし、高周波動作をするに従
ってスイッチング素子のスピ−ドのバラツキが顕著にな
り、通常数10kHZ以上のスイッチング周波数では、
回路、実装条件のバラツキも加わり、トランスの偏磁が
発生する。これを防止するため、トランスと直列にコン
デンサを接続し、直流電圧を吸収している。しかし、コ
ンデンサはトランスと直列に接続されているので、負荷
電流Ioと同じリプル電流が流れるため、コンデンサの
サイズアップが必要となる。特に、電子装置用コンバ−
タのように低電圧、大電流を必要とするコンバ−タは、
高周波動作をさせることにより、コンデンサのリプル電
流に対する責務が増大し、小形化が困難になるという問
題点がある。本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、コンバ−タの高周波動作を容易にし、小形化し
たDC/DCコンバ−タ回路を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、電圧源
と並列にコンデンサの直列体と主スイッチの直列体を有
し、かつ、各々の中点をトランスを介して接続するハ−
フブリッジコンバ−タを2組設け、この2組のハ−フブ
リッジコンバ−タにおけるコンデンサの直列体の中点を
互いに接続し、各ハ−フブリッジコンバ−タを各々逆位
相で動作させることにより、達成できる。また、コンデ
ンサを抵抗との直列体により構成し、主スイッチのサ−
ジ電圧を吸収することにより、達成できる。また、主ス
イッチを同一の半導体チップまたはモジュ−ルに組み込
み、主スイッチの素子の特性を揃え、部品、回路、実装
のバラツキを低減することによって、達成できる。ま
た、主スイッチの動作タイミングを2組ある一方のコン
バ−タの上下いずれかのア−ムと他方のコンバ−タの反
対のア−ムを同時にオンし、しかるのち、2組ある一方
のコンバ−タのア−ムをオフし、ディレ−を設けた後、
他方のコンバ−タのア−ムをオフさせ、コンデンサの直
列体の双方のコンデンサを交互に0V〜直流電源電圧E
iの間で充放電させ、主スイッチをソフトスイッチング
またはゼロボルトスイッチングをすることにより、達成
できる。また、入力電圧源と、入力電圧源を分圧するの
コンデンサの直列体の中点より、逆位相で動作する2組
のハ−フブリッジコンバ−タを接続することにより、達
成できる。
【0005】
【作用】課題を解決するための手段を用いれば、一方の
ハ−フブリッジコンバ−タのア−ムが動作すると、その
負荷電流はトランスを介し、コンデンサの直列体の中点
に充電電流または放電電流として流れ、同時にもう一方
のハ−フブリッジコンバ−タの対ア−ムが動作するの
で、コンデンサの直列体の中点には逆の放電電流または
充電電流が流れ、結果的には、コンデンサの充放電電流
はキャンセルされ、コンデンサの直列体の中点には、主
スイッチの素子、他部品、回路、実装のバラツキの要素
によるトランスの偏磁に起因する電流しか流れない。そ
のため、コンデンサには、負荷電流Ioと同じリプル電
流が流れることはない。従って、コンデンサのリプル電
流に対する責務及び容量を小さく押さえることができ
る。これにより、コンデンサを小形化にすることができ
る。また、コンデンサの直列体のコンデンサ部をコンデ
ンサと抵抗の直列体で構成すれば、、主スイッチのサ−
ジ電圧を吸収する回路を兼備することができ、小形化が
実現できる。また、主スイッチを同一の半導体チップに
組み込むことによって、主スイッチの素子の特性を揃
え、部品、回路、実装のバラツキを低減することができ
る。これにより、トランスの偏磁を低減することがで
き、コンデンサのリプル電流に対する責務及び容量を小
さく押さえることができる。その結果、コンデンサの小
形化が実現できる。また、2組ある一方のコンバ−タの
上下いずれかのア−ムと他方のコンバ−タの反対のア−
ムを同時にオンし、しかる後、2組ある一方のコンバ−
タのア−ムをオフし、ディレ−を設けた後、他方のコン
バ−タのア−ムをオフさせ、コンデンサの直列体の双方
のコンデンサを交互に0V〜直流電源電圧Eiの間で充
放電させることにより、主スイッチがタ−ンオンまたは
タ−ンオフ時に印加する電圧を低下ないし0Vでスイッ
チングする様に実施すれば、主スイッチをソフトスイッ
チングまたはゼロボルトスイッチングをすることが可能
であり、高周波化を図ることができる。また、入力電圧
源と、その入力電圧源を分圧するのコンデンサの直列体
の中点より、逆位相で動作する2組のハ−フブリッジコ
ンバ−タへ給電する構成を用いれば、コンデンサの直列
体を外部で一括して配置することができるので、コンバ
−タを小形化することができる。
【0006】
【実施例】以下、本発明による実施例を図面により詳細
に説明する。まず、図1に本発明による基本回路を示
す。図1において、11a,12a,11b,12bは
主スイッチであるMOSFETであり、11a,12a
及び11b,12bは直列接続する。15a,15bは
トランス、16a,17a及び16b,17bはコンデ
ンサであり、MOSFET同様直列接続し、その中点
は、各々トランス15a,15bを介し、MOSFET
の中点と接続し、スイッチング回路14a,14bを構
成している。また、コンデンサ16a,19aの接続点
と、16b,17bの接続点とは互いに接続しいる。1
8a,18bはコンデンサ、19a,19bはチョ−ク
コイル、110a,111a,110b,111bはダ
イオ−ドであり、センタ−タップ方式の整流平滑回路を
構成している。また、13は入力電圧源Eiである。こ
の様な回路構成において、MOSFET11a,12a
及び11b,12bア−ムを交互にオン、オフすると、
トランス15a,15bの1次巻線n1に矩形波状の交
流電圧が誘起される。すると、トランス15a,15b
の2次巻線n2にもトランスの巻数比で変換された矩形
波状の交流電圧が発生する。この交流電圧は前記センタ
−タップ方式の整流平滑回路によって、整流、平滑さ
れ、直流出力電圧Eoを得る様動作する。ここで、スイ
ッチング回路14a,14bを逆位相で動作させる。例
えば、MOSFETにより11a,12bを同時にオ
ン、オフさせるとすると、入力電圧源13より供給され
た負荷電流は、MOSFET11aからトランス15a
を介し、トランス2次側に電力を供給する。同時にこの
負荷電流は、コンデンサ17aの充電電流となり、電流
の一巡ル−プができる。しかし、MOSFET12bも
MOSFET11aに同期してオン、オフしているの
で、コンデンサ17aの充電電流は放電電流として、コ
ンデンサ16a,17aの接続点を経由してコンデンサ
16b,17bの接続点に流れ、トランス15bを介
し、トランス2次側に電力を供給する。つまり、コンデ
ンサ17a,17bに理想的にはリプル電流が流れるこ
とはない。したがって、コンデンサの容量並びに耐リプ
ル電流の小さい品種を選定することができ、コンバ−タ
を小形にすることができる。また、本回路構成では、部
品実装を対称に配置すると、ダイオ−ド110a,11
1a,110b,111b、MOSFET11a,12
a,11b,12bより発生するスパイクノイズを打ち
消す様に動作するので、電磁雑音、漏洩電流を低減でき
るだけでなく、電子装置などに適用する低電圧、大電流
コンバ−タに対しては、整流平滑回路における負荷電流
をスイッチング回路14a,14bによって、半分に分
担するので、トランス2次側の転流重なり期間を半分に
することができ、電力変換効率が上昇し、コンバ−タの
高周波動作が容易になる。
【0007】図2は、本発明の第2の実施例を示す回路
図である。図1におけるコンデンサ16a,17a,1
6b,17bと直列に抵抗26a,27a,26b,2
7bを接続したものである。通常、コンバ−タ回路を高
周波動作させると、MOSFET11a,12a,11
b,12b及びトランス15a,15bにスパイクノイ
ズが発生し、素子の破損をひき起こしたり、過大な電磁
雑音を発生させ、電子装置などを誤動作させたりすると
いう問題が生じる。このスパイクノイズを吸収する様に
設けた部分がコンデンサ16a,17a,16b,17
bと抵抗26a,27a,26b,27bの直列体であ
る。従って、本発明の第2の実施例を用いると、コンバ
−タ回路の高周波動作が可能である。
【0008】図3は、本発明の第3の実施例を示す回路
図である。本回路構成は、理想的にはコンデンサにリプ
ル電流が流れることはないが、部品、回路、実装のバラ
ツキが生じると、トランスの偏磁を補正するためにコン
デンサ16a,17a及び16b,17bにリプル電流
が流れる。本回路は、部品、回路、実装のバラツキの
内、MOSFETのスイッチグスピ−ドのバラツキが大
きく、これを抑制するための実施例である。すなわち、
MOSFET11a,12bおよび12a,11bを同
一の半導体チップA,B各々に組み込むことによって、
主スイッチの素子の特性を揃え、スイッチグスピ−ドの
バラツキを低減することができる。また、MOSFET
11a,12a,11b,12bを全て同一の半導体チ
ップに組み込めば、一層、MOSFETのスイッチグス
ピ−ドのバラツキを抑制することが可能である。この様
に第3の実施例によれば、MOSFETのスイッチグス
ピ−ドのバラツキを抑制することができるので、コンデ
ンサにリプル電流を低減できる。従って、本発明の第3
の実施例を用いると、コンバ−タ回路の高周波動作が可
能である。
【0009】図4aは、本発明の第4の実施例を示す回
路図である。本回路構成は、本発明の第1の実施例と同
一であるが、MOSFETの動作タイミングが異なる。
これを、図4bに示す。まず、MOSFET11a,1
2bを同時にオンし、トランス2次側に電力を供給す
る。時刻t1においてMOSFET12bをオフする。
すると、トランス15a,15bのMOSFET11a
がオンしているため、コンデンサ17a,17bが充電
され、入力電源13の電源電圧の電圧Eiまで上昇す
る。時刻t2においてMOSFET11aをオフする
と、MOSFETのソ−スの電位は入力電源電圧Eiに
なっているので、タ−ンオフ時にスイッチング損失は発
生しない。次に、時刻t3においてMOSFET12
a,11bを同時にオンする。すると、今度はMOSF
ET11bのソ−スの電位は、入力電源電圧Eiになっ
ているので、タ−ンオン時にスイッチング損失は発生せ
ず、トランス2次側に電力を供給する。さらに、時刻t
4においてMOSFET11bオフすると、前記と同
様、コンデンサ16a,16bが充電され、入力電源1
3の電源電圧の電圧Eiまで上昇する。ここでMOSF
ET11bをオフすると、MOSFETのソ−スの電位
は、入力電源電圧Eiになっているので、タ−ンオフ時
にスイッチング損失は発生しない。次に、初期状態とし
て、MOSFET11a,12bを同時にオンすると、
MOSFET11bソ−スの電位は、入力電源電圧Ei
になっているので、タ−ンオン時にスイッチング損失は
発生せず、動作させることができる。この様に第4の実
施例によれば、MOSFETのオフ時の動作タイミング
を非同期で制御し、コンデンサの直列体の電圧を交互に
0V〜直流電源電圧Eiの間で充放電させることによ
り、MOSFETをソフトスイッチングまたはゼロボル
トスイッチングをすることとなり、タ−ンオン時または
タ−ンオフ時のスイッチング損失をなくすことが可能で
あり、コンバ−タの高周波化を達成することができる。
【0010】図5は、本発明の第5の実施例を示す回路
図である。本回路構成は、本発明の第1の実施例におけ
るコンデンサ16a,17a,16b,17bの直列体
を一括してコンデンサ16,17として配置し、入力電
圧源13と、その入力電圧源を分圧するコンデンサ1
6,17の中点より、逆位相で動作する2組のハ−フブ
リッジコンバ−タに給電する構成にしてある。この構成
において、回路動作は、本発明の第1の実施例と同様で
あり、コンデンサ16,17に流れるリプル電流は非常
に小さく、本発明の第1の実施例におけるコンデンサ1
6a,17a,16b,17bはコンデンサ16,17
として、集約することができる。この様に第5の実施例
によれば、コンデンサの直列体を1箇所に集約できるの
でコンバ−タを小形化することができる。
【0011】図6は、本発明の第6の実施例を示す回路
図である。本回路構成は、交流商用電源を整流平滑して
できた直流電圧源13と本発明の第1の実施例における
コンデンサ16a,17a,16b,17bの直列体を
集約したコンデンサ16,17からなる整流ユニット6
3および前記整流ユニットの出力より給電される複数の
コンバ−タ61,62より構成される。電子計算機シス
テムなど電子装置システムの電源部となっている。回路
動作は、本発明の第1の実施例と同様であり、複数のコ
ンバ−タが存在してもコンデンサ16,17に流れるリ
プル電流は非常に小さいため、本発明の第1の実施例の
コンデンサ16a,17a,16b,17bはコンデン
サ16,17として、整流ユニット63へ集約すること
ができる。この様に第6の実施例によれば、電子計算機
システムなどの電源部の様に複数のコンバ−タが存在し
ても、コンデンサを1箇所に集約できるので、電源部を
小形化することができる。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電圧源と並列にコンデンサの直列体と主スイッチの直列
体を設け、各々の中点をトランスを介して接続するコン
バ−タを2組用意し、コンデンサの直列体の中点を互い
に接続し、各々逆位相で動作させることによって、コン
デンサのリプル電流を小さく押さえることができ、ま
た、スパイクノイズを打ち消す様に動作するので、電磁
雑音、漏洩電流を低減できる。さらに、電子装置などに
適用する低電圧、大電流コンバ−タに対して、整流平滑
回路における負荷電流を半分に分担することができるの
で、トランス2次側の転流重なり期間を半分にすること
が可能となり、電力変換効率が向上し、コンバ−タの高
周波動作が可能になる。また、コンデンサ部をコンデン
サと抵抗の直列体により構成し、主スイッチのサ−ジ電
圧を吸収する回路を兼備することによって、サ−ジ電圧
を低減すると共に前記同様コンバ−タの高周波動作が可
能となる。また、主スイッチを同一の半導体チップに組
み込むことによって、主スイッチの素子の特性を揃え、
部品、回路、実装のバラツキを低減することにより、ト
ランスの偏磁を低減することができ、コンデンサのリプ
ル電流に対する責務及び容量を小さく押さえることがで
きる。その結果、コンデンサの小形化が実現できる。ま
た、主スイッチの動作タイミングを調整することによっ
て、主スイッチをソフトスイッチングまたはゼロボルト
スイッチングをすることが可能であり、高周波化を図る
ことができる。また、入力電圧源と、その入力電圧源を
分圧するのコンデンサの中点より、逆位相で動作する2
組のハ−フブリッジコンバ−タへ給電する方式を採用す
れば、コンデンサの直列体を一括して配置することが可
能であり、コンバ−タを小形化することができる。さら
に、本発明を電子計算機システムなど複数の電源が必要
な電子装置システムの電源部に採用すれば、システムと
しても一層の小形化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図
【図2】本発明の第2の実施例を示す回路図
【図3】本発明の第3の実施例を示す回路図
【図4】本発明の第4の実施例を示す回路図
【図5】本発明の第5の実施例を示す回路図
【図6】本発明の第6の実施例を示す回路図
【図7】従来技術の第1の例を示す回路図
【符号の説明】
1,2,3,4 トランジスタ 5,15a,15b トランス 6,7,8,16,17,16a,17a,16b,1
7b,18a,18bコンデンサ 9,19a,19b チョ−クコイル 10,11,110a,111a,110b,111b
ダイオ−ド 11a,12a,11b,12b MOSFET 13 入力電圧源 14a,14b スイッチング回路 26a,27a,26b,27b 抵抗 61,62 コンバ−タ回路 63 整流ユニット

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電圧源と並列にコンデンサの直列体と主
    スイッチの直列体を有し、かつ、各々の中点をトランス
    を介して接続するハ−フブリッジコンバ−タを2組設
    け、この2組のハ−フブリッジコンバ−タにおけるコン
    デンサの直列体の中点を互いに接続し、各ハ−フブリッ
    ジコンバ−タを各々逆位相で動作させることを特徴とす
    るDC/DCコンバ−タ。
  2. 【請求項2】 請求項1において、コンデンサを抵抗と
    の直列体により構成し、主スイッチのサ−ジ電圧を吸収
    することを特徴とするDC/DCコンバ−タ。
  3. 【請求項3】 請求項1において、主スイッチを同一の
    半導体チップまたはモジュ−ルに構成することを特徴と
    するDC/DCコンバ−タ。
  4. 【請求項4】 請求項1において、主スイッチの動作タ
    イミングを2組ある一方のコンバ−タの上下いずれかの
    ア−ムと他方のコンバ−タの反対のア−ムを同時にオン
    し、しかるのち、2組ある一方のコンバ−タのア−ムを
    オフし、ディレ−を設けた後、他方のコンバ−タのア−
    ムをオフすることを特徴とするDC/DCコンバ−タ。
  5. 【請求項5】 入力電圧源と、入力電圧源を分圧するの
    コンデンサの直列体の中点より、逆位相で動作する2組
    のハ−フブリッジコンバ−タを接続することを特徴とす
    るDC/DCコンバ−タ。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれかを、
    電子装置システムの電源部に採用したことを特徴とする
    DC/DCコンバ−タ。
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