JPH0564882B2 - - Google Patents
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- JPH0564882B2 JPH0564882B2 JP10026587A JP10026587A JPH0564882B2 JP H0564882 B2 JPH0564882 B2 JP H0564882B2 JP 10026587 A JP10026587 A JP 10026587A JP 10026587 A JP10026587 A JP 10026587A JP H0564882 B2 JPH0564882 B2 JP H0564882B2
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 産業上の利用分野
この発明は誘電体共振器に関し、特に金属ケー
ス内に柱状の内部誘電体が配置されたTMモード
を用いた誘電体共振器に関する。
ス内に柱状の内部誘電体が配置されたTMモード
を用いた誘電体共振器に関する。
(b) 従来の技術
従来のTMモードを用いた誘電体共振器の例を
第７図Ａ，Ｂに示す。この例は複数の誘電体共振
器を用いたフイルタにおいてその一部の誘電体共
振器部分について表すもので、同図Ａはその平面
断面図、Ｂは正面断面図である。図において、
６，７は金属ケースの天板および底板を表し、
８，９，１０ａ，１０ｂおよび１１ａ，１１ｂは
それぞれ金属ケースの側板を構成している。この
ような金属ケースの中央で且つ天板６と底板７と
の間に円柱状の内部誘電体１が配置されている。
内部誘電体１は酸化チタン系などの誘電体セラミ
クスから構成され、その両端面１２，１３は有機
系の導電性ペーストや半田などによつて接合され
ている。このようにしてTM010モードを利用した
誘電体共振器が構成されている。
第７図Ａ，Ｂに示す。この例は複数の誘電体共振
器を用いたフイルタにおいてその一部の誘電体共
振器部分について表すもので、同図Ａはその平面
断面図、Ｂは正面断面図である。図において、
６，７は金属ケースの天板および底板を表し、
８，９，１０ａ，１０ｂおよび１１ａ，１１ｂは
それぞれ金属ケースの側板を構成している。この
ような金属ケースの中央で且つ天板６と底板７と
の間に円柱状の内部誘電体１が配置されている。
内部誘電体１は酸化チタン系などの誘電体セラミ
クスから構成され、その両端面１２，１３は有機
系の導電性ペーストや半田などによつて接合され
ている。このようにしてTM010モードを利用した
誘電体共振器が構成されている。
(c) 発明が解決しようとする問題点
このような金属ケースを用いた従来のTMモー
ドの誘電体共振器においては、内部誘電体に変位
電流が流れ、ケースに実電流が流れるため、内部
誘電体の端面とケース内壁面との接合部分に電流
が集中する。ところが、上述のように内部誘電体
の端面とケース内壁面との接合部分は導電性ペー
ストや半田などの固有抵抗の高い導電材料で接続
されているため、接合部におけるジユール損が増
大し、共振器のＱが低下するという問題がある。
そこでセラミクス材料からなるケースの内壁面に
電極膜を形成したケースを用い、このケースの内
壁面と内部誘電体の端面とを固有抵抗の低い銀ペ
ーストを用いて焼付接続することにより上述の問
題が解消される。ところが、この場合ケース全体
がセラミクス材料であるため、耐衝撃性が低く、
これを解消するためにはケース全体を分厚くしな
ければならない。また作業性の低下および製造コ
ストのアツプなどが問題となる。
ドの誘電体共振器においては、内部誘電体に変位
電流が流れ、ケースに実電流が流れるため、内部
誘電体の端面とケース内壁面との接合部分に電流
が集中する。ところが、上述のように内部誘電体
の端面とケース内壁面との接合部分は導電性ペー
ストや半田などの固有抵抗の高い導電材料で接続
されているため、接合部におけるジユール損が増
大し、共振器のＱが低下するという問題がある。
そこでセラミクス材料からなるケースの内壁面に
電極膜を形成したケースを用い、このケースの内
壁面と内部誘電体の端面とを固有抵抗の低い銀ペ
ーストを用いて焼付接続することにより上述の問
題が解消される。ところが、この場合ケース全体
がセラミクス材料であるため、耐衝撃性が低く、
これを解消するためにはケース全体を分厚くしな
ければならない。また作業性の低下および製造コ
ストのアツプなどが問題となる。
この発明の目的は、金属ケースを用いることに
より耐衝撃性、作業性および製造コストの問題を
解消し、しかもジユール損の増大によるＱの低下
を防止した誘電体共振器を提供することにある。
より耐衝撃性、作業性および製造コストの問題を
解消し、しかもジユール損の増大によるＱの低下
を防止した誘電体共振器を提供することにある。
(d) 問題点を解決するための手段
この発明の誘電体共振器は、金属ケース内に柱
状の内部誘電体が配置されたTMモードの誘電体
共振器において、 内部誘電体の端面より大面積であつて、少なく
とも何れか一方の主表面に導体膜が被覆された平
板状セラミクス体を柱状内部誘電体の端面とケー
ス内壁面との間に介在させるとともに、上記平板
状セラミクス体の導体膜とケース内壁面とを導体
により接続したことを特徴としている。
状の内部誘電体が配置されたTMモードの誘電体
共振器において、 内部誘電体の端面より大面積であつて、少なく
とも何れか一方の主表面に導体膜が被覆された平
板状セラミクス体を柱状内部誘電体の端面とケー
ス内壁面との間に介在させるとともに、上記平板
状セラミクス体の導体膜とケース内壁面とを導体
により接続したことを特徴としている。
(e) 作用
この発明の誘電体共振器においては、内部誘電
体の端面より大面積であつて少なくとも何れか一
方の主表面に導体膜が被覆された平板状セラミク
ス体を柱状内部誘電体の端面とケース内壁面との
間に介在させたことにより、電流は大面積の導体
膜に拡がり、電流密度が低減される。したがつて
平板状セラミクス体の導体膜とケース内壁面との
導通は、固有抵抗の大きな導電性ペーストや半田
あるいは板バネなどを用いて導通させることがで
きる。一方、平板状セラミクス体と内部誘電体端
面との接合部分に導体膜を形成した場合、接合部
分に電流が集中するが、この接合部はセラミクス
材料同士の接合部であるため、固有抵抗の低い銀
ペーストを用いることができるため、ジユール損
が少なく、共振器のＱの低下を防ぐことができ
る。
体の端面より大面積であつて少なくとも何れか一
方の主表面に導体膜が被覆された平板状セラミク
ス体を柱状内部誘電体の端面とケース内壁面との
間に介在させたことにより、電流は大面積の導体
膜に拡がり、電流密度が低減される。したがつて
平板状セラミクス体の導体膜とケース内壁面との
導通は、固有抵抗の大きな導電性ペーストや半田
あるいは板バネなどを用いて導通させることがで
きる。一方、平板状セラミクス体と内部誘電体端
面との接合部分に導体膜を形成した場合、接合部
分に電流が集中するが、この接合部はセラミクス
材料同士の接合部であるため、固有抵抗の低い銀
ペーストを用いることができるため、ジユール損
が少なく、共振器のＱの低下を防ぐことができ
る。
(f) 実施例
第１図はこの発明の実施例である誘電体共振器
の構造を表す正面断面図、第２図はその一部の構
造を表す斜視図である。両図において１は円柱状
の内部誘電体を表し、この内部誘電体の１の両端
部に平板状セラミクス体２，３が接合されてい
る。この平板状セラミクス体２，３の外表面には
銀ペーストの塗布および焼き付けにより、導体膜
２ａ，３ａが被覆されていて、第１図に示すよう
に内部誘電体１の両端面Ｂ１，Ｂ２との接合も銀
ペーストにより行われている。第１図において
６，７はアルミ合金や黄銅などからなる金属ケー
スの天板および底板を表し、平板状セラミクス体
２と天板６との間に板バネ４が挿入され、底板７
と平板状セラミクス体３との間に天板バネ５が挿
入されている。このように構成されたため、内部
誘電体の１の両端面と平板状セラミクス体２，３
との接合部分に電流が集中するが、固有抵抗の低
い無機系の銀ペーストの焼き付けにより接合され
ているため、この部分におけるジユール損は少な
い。また、平板状セラミクス体２，３の表面に形
成されている導体膜に電流が拡散することにより
その周辺部分では電流密度が小さい。したがつて
板バネ４，５などの点接触により金属ケースの内
壁と導通をとつても、接触部分におけるジユール
損は少ない。その結果Ｑの高い誘電体共振器が構
成される。
の構造を表す正面断面図、第２図はその一部の構
造を表す斜視図である。両図において１は円柱状
の内部誘電体を表し、この内部誘電体の１の両端
部に平板状セラミクス体２，３が接合されてい
る。この平板状セラミクス体２，３の外表面には
銀ペーストの塗布および焼き付けにより、導体膜
２ａ，３ａが被覆されていて、第１図に示すよう
に内部誘電体１の両端面Ｂ１，Ｂ２との接合も銀
ペーストにより行われている。第１図において
６，７はアルミ合金や黄銅などからなる金属ケー
スの天板および底板を表し、平板状セラミクス体
２と天板６との間に板バネ４が挿入され、底板７
と平板状セラミクス体３との間に天板バネ５が挿
入されている。このように構成されたため、内部
誘電体の１の両端面と平板状セラミクス体２，３
との接合部分に電流が集中するが、固有抵抗の低
い無機系の銀ペーストの焼き付けにより接合され
ているため、この部分におけるジユール損は少な
い。また、平板状セラミクス体２，３の表面に形
成されている導体膜に電流が拡散することにより
その周辺部分では電流密度が小さい。したがつて
板バネ４，５などの点接触により金属ケースの内
壁と導通をとつても、接触部分におけるジユール
損は少ない。その結果Ｑの高い誘電体共振器が構
成される。
上記の例は平板状セラミクス体と金属ケースの
内壁との間を板バネを介して接続した例であつた
が、第３図に示すように半田を用いて接続するこ
とも可能である。同図において１４は平板状セラ
ミクス体２の周縁部と天板６の内壁面との間を接
合する半田、１５は平板状セラミクス体３の周縁
部と天板７の内壁面との間を接合する半田をそれ
ぞれ表している。平板状セラミクス体の周縁部分
では電流密度が低くなつているため、このような
比較的固有抵抗の高い半田などの導電材料を用い
て接合してもジユール損が大きくなることはな
い。
内壁との間を板バネを介して接続した例であつた
が、第３図に示すように半田を用いて接続するこ
とも可能である。同図において１４は平板状セラ
ミクス体２の周縁部と天板６の内壁面との間を接
合する半田、１５は平板状セラミクス体３の周縁
部と天板７の内壁面との間を接合する半田をそれ
ぞれ表している。平板状セラミクス体の周縁部分
では電流密度が低くなつているため、このような
比較的固有抵抗の高い半田などの導電材料を用い
て接合してもジユール損が大きくなることはな
い。
第４図，第５図および第６図はさらに他の実施
例を表す図であり、特に内部誘電体とその両端面
に形成された平板状セラミクス体について表して
いる。第４図に示した例はケース内壁面と対向す
る面にのみ導体膜が形成された平板状セラミクス
体を用いた例を表している。内部誘電体の１の両
端面と平板状セラミクス体２，３との接合面Ｂ
１，Ｂ２はガラスグレーズなどの塗布および焼結
により接合されている。この場合、平板状セラミ
クス体２，３の片面に形成された大面積の導体膜
２ａ，３ａに電流が拡散してケースに流れるため
電流が集中することがなく、したがつて板バネや
半田などによつてケース内に容易に組み込むこと
ができる。第５図は平板状セラミクス体部分を内
部誘電体１の両端部分に一体成形した例であり、
ケース内壁面と接する面にのみ導体膜２ａ，３ａ
が形成されている。この場合も第４図に示した例
と同様に電流の集中が緩和され、ジユール損を低
く押さえることができる。第６図に示した例は直
方体の前壁と後壁が欠如したような、言い変える
と天板、底板およびこれに連続する２つの側板か
らなるセラミクスの枠体が用いられ、この枠体の
露出面の全てに銀ペーストの塗布および焼き付け
からなる導体膜が形成されている。このような枠
体の天板と底板との間に内部誘電体１が銀ペース
トにより接合されている。この構成体を金属ケー
ス内に組み込み、板バネや半田などによつて金属
ケースの内壁面と接続することにより誘電体共振
器が構成される。この場合、内部誘電体１の両端
面と枠体１６との接合部分に電流が集中するが、
銀ペーストにより接合されているためジユール損
は少なく、また金属ケースと枠体との接合部分は
電流密度が低いため、板バネや半田などを用いて
接合した場合でもジユール損が問題とはならな
い。
例を表す図であり、特に内部誘電体とその両端面
に形成された平板状セラミクス体について表して
いる。第４図に示した例はケース内壁面と対向す
る面にのみ導体膜が形成された平板状セラミクス
体を用いた例を表している。内部誘電体の１の両
端面と平板状セラミクス体２，３との接合面Ｂ
１，Ｂ２はガラスグレーズなどの塗布および焼結
により接合されている。この場合、平板状セラミ
クス体２，３の片面に形成された大面積の導体膜
２ａ，３ａに電流が拡散してケースに流れるため
電流が集中することがなく、したがつて板バネや
半田などによつてケース内に容易に組み込むこと
ができる。第５図は平板状セラミクス体部分を内
部誘電体１の両端部分に一体成形した例であり、
ケース内壁面と接する面にのみ導体膜２ａ，３ａ
が形成されている。この場合も第４図に示した例
と同様に電流の集中が緩和され、ジユール損を低
く押さえることができる。第６図に示した例は直
方体の前壁と後壁が欠如したような、言い変える
と天板、底板およびこれに連続する２つの側板か
らなるセラミクスの枠体が用いられ、この枠体の
露出面の全てに銀ペーストの塗布および焼き付け
からなる導体膜が形成されている。このような枠
体の天板と底板との間に内部誘電体１が銀ペース
トにより接合されている。この構成体を金属ケー
ス内に組み込み、板バネや半田などによつて金属
ケースの内壁面と接続することにより誘電体共振
器が構成される。この場合、内部誘電体１の両端
面と枠体１６との接合部分に電流が集中するが、
銀ペーストにより接合されているためジユール損
は少なく、また金属ケースと枠体との接合部分は
電流密度が低いため、板バネや半田などを用いて
接合した場合でもジユール損が問題とはならな
い。
(g) 発明の効果
以上のようにこの発明によれば、内部誘電体の
端面と金属ケース内壁面との間に、少なくとも何
れか一方の主表面に導体膜が被覆された平板状セ
ラミクス体を介在させたとにより、平板状セラミ
クス体の導体膜により電流が拡散され、ケース内
壁との接合部におけるジユール損が低減され、共
振器のＱが低下することがない。しかも耐衝撃
性、作業性および製造コストの面で優れた金属材
料からなるケースを用いることができるため、低
価格で且つ信頼性の高い誘電体共振器を構成する
ことができる。
端面と金属ケース内壁面との間に、少なくとも何
れか一方の主表面に導体膜が被覆された平板状セ
ラミクス体を介在させたとにより、平板状セラミ
クス体の導体膜により電流が拡散され、ケース内
壁との接合部におけるジユール損が低減され、共
振器のＱが低下することがない。しかも耐衝撃
性、作業性および製造コストの面で優れた金属材
料からなるケースを用いることができるため、低
価格で且つ信頼性の高い誘電体共振器を構成する
ことができる。
第１図はこの発明の実施例である誘電体共振器
の構成を表す正面断面図、第２図は内部誘電体と
平板状セラミクス体との接合状態を表す斜視図、
第３図〜第６図は他の実施例に係る誘電体共振器
およびその一部を表す図、第７図Ａ，Ｂは従来の
誘電体共振器の一例を表す平面断面図および正面
断面図である。 １……内部誘電体、２，３……平板状セラミク
ス体、２ａ，３ａ……導体膜、４，５……板バ
ネ、６，７……金属ケース。
の構成を表す正面断面図、第２図は内部誘電体と
平板状セラミクス体との接合状態を表す斜視図、
第３図〜第６図は他の実施例に係る誘電体共振器
およびその一部を表す図、第７図Ａ，Ｂは従来の
誘電体共振器の一例を表す平面断面図および正面
断面図である。 １……内部誘電体、２，３……平板状セラミク
ス体、２ａ，３ａ……導体膜、４，５……板バ
ネ、６，７……金属ケース。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属ケース内に柱状の内部誘電体が配置され
たTMモードの誘電体共振器において、 内部誘電体の端面より大面積であつて、少なく
とも何れか一方の主表面に導体膜が被覆された平
板状セラミクス体を柱状内部誘電体の端面とケー
ス内壁面との間に介在させるとともに、上記平板
状セラミクス体の導体膜とケース内壁面とを導体
により接続したことを特徴とする誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026587A JPS63266902A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026587A JPS63266902A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 誘電体共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63266902A JPS63266902A (ja) | 1988-11-04 |
| JPH0564882B2 true JPH0564882B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=14269372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10026587A Granted JPS63266902A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63266902A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2505873A (en) * | 2012-08-07 | 2014-03-19 | Filtronic Wireless Ltd | A microwave TM mode cavity resonator wherein a portion of the length of the resonator body is a dielectric and a further portion is a metal |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02150808U (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-27 | ||
| US5324713A (en) * | 1991-11-05 | 1994-06-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | High temperature superconductor support structures for dielectric resonator |
| JP3241671B2 (ja) | 1998-11-30 | 2001-12-25 | 日本電気株式会社 | 高周波誘電体濾波器 |
| JP3506121B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2004-03-15 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器、フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
| JP2002026602A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器装置、フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
| EP2538487A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-26 | CommScope Italy S.r.l. | Temperature-independent dielectric resonator |
| WO2015076255A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体共振器，誘電体フィルタおよび通信装置 |
| CN104282977A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-01-14 | 张家港保税区灿勤科技有限公司 | 高q值ku波段介质谐振器 |
| WO2020158793A1 (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | 共振器、フィルタおよび通信装置 |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP10026587A patent/JPS63266902A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2505873A (en) * | 2012-08-07 | 2014-03-19 | Filtronic Wireless Ltd | A microwave TM mode cavity resonator wherein a portion of the length of the resonator body is a dielectric and a further portion is a metal |
| GB2505873B (en) * | 2012-08-07 | 2019-10-02 | Filtronic Wireless Ltd | A microwave TM mode resonator and an electrical filter including such a resonator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63266902A (ja) | 1988-11-04 |
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