JPH0717169Y2 - セラミック電子部品 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、導電性を有するケースとセラミック電子部品
本体との組み合せから成る例えば誘電体フィルタのよう
なセラミック電子部品に関する。

［従来の技術］ 従来の誘電体フィルタは、例えば実開昭63-26106号公報
（実願昭61-117769）に示されているように直方体状の
セラミック誘電体ブロックと金属ケースとの組み合せか
ら成る。上記誘電体ブロックは一方の端面から他方の端
面に向かうように形成された共振孔を有する。この共振
孔の内壁には内導体膜が形成され、誘電体ブロックの一
方の端面（開放端面）を除く外周面には外導体膜が形成
されている。金属ケースは誘電体ブロックの外導体膜に
半田によって電気的及び機械的に結合されている。

［考案が解決しようとする課題］ ところで、金属ケースを誘電体ブロックの外導体膜に半
田結合する際には、半田ペーストを外導体膜又は金属ケ
ースに塗布し、この半田ペーストをリフローする。金属
ケースの半田結合の強度を大きくするためには、半田層
の厚みを大きくすることが必要である。厚い半田層を設
けるためには、外導体膜と金属ケースとの間の間隙を大
きくしなければならない。両者の間隙が大きくても、両
者の間隙の全部が半田で埋められていれば、外導体膜の
金属ケース（グランド）に対する電気的接続が良好に達
成される。しかし、厚い半田層を両者の間の全領域に均
一に形成することは極めて困難であり、両者間に空間が
生じた。この空間は両者の間隙に対応する比較的大きな
幅を有するので、外導体膜のグランド性が悪化し、スプ
リアス放射（不要周波数放射）が生じ、減衰特性が悪化
した。

この種の問題は別のセラミック電子部品においても生じ
るおそれがある。

そこで、本考案は、セラミック電子部品本体とケースと
の接続を良好且つ容易に達成することが可能なセラミッ
ク電子部品を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本考案は、導電性を有するケ
ースと前記ケースに収容されたセラミック電子部品本体
とから成り、前記本体の少なくとも１つの外周面が導電
層によって平面状に形成されており、前記ケースが前記
本体の前記平面状の外周面の実質的に全部に対向する平
面状の面を有しており、前記ケースの前記平面状の面に
前記本体の前記平面状の外周面が半田で接着されている
セラミック電子部品において、前記ケースの前記平面状
の面に前記本体の前記平面状の外周面の一部のみに対向
するように凹部が形成され、前記本体に対して前記ケー
スを結合することができるように前記凹部に半田が充填
されていると共に前記凹部以外における前記ケースの前
記平面状の面と前記本体の前記平面状の外周面との間に
前記凹部の半田層よりも薄い半田層が形成されているこ
とを特徴とするセラミック電子部品に係わるものであ
る。

［考案の作用及び効果］ 本考案に従ってケースの平面状の面に部分的に設けられ
た凹部は、ケースの平面状の面と本体の平面状の外周面
との間に介在する溶融半田の逃げ場として働く。従っ
て、ケースの平面状の面と本体の平面状の外周面との間
に薄く且つ良好に半田層が形成されると共に凹部に半田
が十分に充填される。この凹部における半田層はケース
の平面状の面と本体の平面状の外周面との間の半田層よ
りも厚くなるので、ケースと本体との強固な結合が達成
される。凹部以外のケースの平面状の面と本体の平面状
の外周面との薄い半田層によって接続されるので、低イ
ンピーダンス接続が達成され、グランド特性が良くな
る。

［実施例］ 次に、第１図〜第６図を参照して本考案の一実施例に係
わる横置型誘電体フィルタを説明する。

この誘電体フィルタは、第１図に示す金属ケース１と第
２図の誘電体フィルタ本体２との組み合せから成る。誘
電体フィルタ本体２は、第４図及び第５図から明らかな
ように２つの共振孔３、４と結合孔５とを有するセラミ
ック誘電体ブロック６と、共振孔３、４の壁面にそれぞ
れ設けられた内導体膜７と、誘電体ブロック６の外周面
に設けられた半田付け可能な外導体膜８と、各共振孔
３、４に挿入された結合コンデンサ９、10と、結合コン
デンサ９、10が接続され且つ端子11、12が設けられてい
る回路基板13とから成る。共振孔３、４は誘電体ブロッ
ク６の一方の端面14から他方の端面15に貫通するように
形成されている。銀ペーストを塗布し、焼き付けた層か
ら成る外導体膜８は４つの側面16、17、18、19及び他方
の端面15に設けらてれいる。４つの側面16〜19及び端面
14、15はそれぞれ実質的に平面であるので、誘電体フィ
ルタ本体２の４つの側面及び２つの端面も実質的に平面
である。なお、誘電体フィルタ本体２の４つの側面と１
つの端面（短絡面）は外導体膜８から成る。

金属ケース１は誘電体フィルタ本体２を収容するように
形成されており、第１図に示すように互いに連続する底
面部20と４つの側面部21、22、23、24と蓋部25とから成
り、半田接着可能な金属板の折り曲げ加工によって形成
されている。なお、蓋部25と側面部23との境界には窓26
によって折り曲げやすく形成されたヒンジ部27が設けら
れている。また、蓋部25の中央先端に係合部28が設けら
れている。この係合部28は側面部24の突出部29に係合さ
せて蓋部25を固定するための部分である。金属ケース１
の底面部20及び蓋部25には半田逃げ部として機能する凹
部30がそれぞれ２個ずつ設けられている。金属ケース１
の側面部21、22から突出するように４個のグランド接続
用端子31が設けられている。

誘電体フィルタ本体２と金属ケース１とを一体化する時
には、誘電体フィルタ本体２の外周面即ち外導体膜８に
半田ペースト（クリーム半田）を塗布し、これを金属ケ
ース１に収容し、蓋部25を第３図〜第５図に示すように
閉じた後に加熱する。これにより半田ペーストがリフロ
ーされ、溶融半田が凹部30に流れ込む。半田32の厚みは
第６図に拡大図示するように、凹部30において厚いの
で、外導体膜８と金属ケース１は凹部30の半田32によっ
て強固に結合される。凹部30以外の部分では金属ケース
１と外導体膜８との僅かな間隙に半田32が薄く介在して
いる。従って、半田32の非充填部分即ち空隙が金属ケー
ス１と外導体膜８との間に生じても、グランド特性の低
下によるスプリアス放射による減衰特性の悪化が少な
い。

［変形例］ 本考案は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。

（１）実施例では金属ケース１の底面部20と蓋部25に凹
部30を設け、ここに半田32を充填したが、側面部21、2
2、23にも凹部30と同等なものを設けることができる。
また、底面部20と蓋部25との内の一方のみに凹部30を設
けることも可能である。

（２）誘電体ブロック６及び誘電体フィルタ本体２の外
形を四角柱型、三角柱型、カマボコ型等に形成すること
ができる。

（３）共振孔を１つのみ有する誘電体共振器、共振孔を
３個以上有する多段誘電体フィルタ、更にセラミックを
有する種々の電子部品に本考案を適用することができ
る。

（４）凹部30の平面形状を円形、四角形、十字形、米字
形、三角形、環状等の種々の形状にすることができる。
また、凹部30を規則的または不規則的に複数個分散配置
することができる。

（５）金属ケース１の対の面で誘電体フィルタ本体２の
側面を弾性を有して挟持するように形成することができ
る。

（６）ヒンジ部27を窓26の代りに溝で形成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例に係わる誘電体フィルタの金
属ケースを示す斜視図、 第２図は第１図の金属ケースに収容する誘電体フィルタ
本体を示す斜視図、 第３図は第１図の金属ケースに第２図の本体を収容した
後の誘電体フィルタを示す平面図、 第４図は第３図のIV-IV線断面図、 第５図は第３図のＶ−Ｖ線断面図、 第６図は第４図の一部を拡大して示す断面図である。 １……金属ケース、２……誘電体フィルタ本体、６……
誘電体ブロック、８……外導体膜、30……凹部、32……
半田。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】導電性を有するケースと前記ケースに収容
   されたセラミック電子部品本体とから成り、 前記本体の少なくとも１つの外周面が導電層によって平
   面状に形成されており、 前記ケースが前記本体の前記平面状の外周面の実質的に
   全部に対向する平面状の面を有しており、 前記ケースの前記平面状の面に前記本体の前記平面状の
   外周面が半田で接着されているセラミック電子部品にお
   いて、 前記ケースの前記平面状の面に前記本体の前記平面状の
   外周面の一部のみに対向するように凹部が形成され、 前記本体に対して前記ケースを結合することができるよ
   うに前記凹部に半田が充填されていると共に前記凹部以
   外における前記ケースの前記平面状の面と前記本体の前
   記平面状の外周面との間に前記凹部の半田層よりも薄い
   半田層が形成されていることを特徴とするセラミック電
   子部品。