JPH0565234A - 光学活性な脂肪族ヒドロキシカルボン酸の製造方法 - Google Patents

光学活性な脂肪族ヒドロキシカルボン酸の製造方法

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JPH0565234A
JPH0565234A JP3310045A JP31004591A JPH0565234A JP H0565234 A JPH0565234 A JP H0565234A JP 3310045 A JP3310045 A JP 3310045A JP 31004591 A JP31004591 A JP 31004591A JP H0565234 A JPH0565234 A JP H0565234A
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ピツテルコウ ウルリツヒ
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    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
    • C07C67/30—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group
    • C07C67/31—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by introduction of functional groups containing oxygen only in singly bound form

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Abstract

(57)【要約】 【構成】式［ＸＲｈＹＺ］： ｛式中、Ｘはオレフィン又はジエン；ＺはＣｌ、Ｂｒ又
はＩ；Ｙは、式（Ｒ3 ）2 Ｐ−Ｑ−Ｐ（Ｒ3 ）2 （式中、Ｒ3 は、フェニル、アルキルフェニル又はアル
コキシフェニルであり、Ｑは、［２，２，１］−ビシク
ロヘプタン−１，２−イレン又は［２，２，１］−ビシ
クロヘプト−４，５−エン−１，２−イレンである）の
キラルなジホスフィンリガンドである｝を有するロジウ
ム触媒の存在下で、脂肪族α−ケトカルボン酸エステル
を水素化して、脂肪族α−ヒドロキシカルボン酸エステ
ルを得る方法。 【効果】 この方法により、高い転換率かつ高い鏡像体
過剰率で、（Ｒ）−又は（Ｓ）−α−ヒドロキシカルボ
ン酸エステルを得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ロジウム原子と一緒に
５員環を形成する、キラルなジホスフィンリガンドとの
ロジウム錯体の存在下、プロキラルな脂肪族α−ケトカ
ルボン酸エステルを接触水素化して、鏡像異性の脂肪族
α−ヒドロキシカルボン酸エステルを製造する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】キラルなジホスフィンリガンドを含有す
るロジウム錯体の存在下における、プロキラルなα−ケ
トカルボン酸エステルの鏡像選択的な均一水素化は、公
知であり、B. Heil らによる、Homogeneous Catalysis
with Metal Phosphine Complexes, Plenum Press, New
York（１９８３），３２４〜３３２頁、又はB. Heil に
よるWissenschaftliche Zeitschrift ＴＨＬＭ ２７
（１９８５），７４６〜７５０頁に記載されている。こ
れらの出版物において、ロジウム原子と５員環を形成す
るキラルな二座ビス（ジフェニルホスフィン）リガンド
が、ケトンの還元に適さないという点に大きく注目され
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ケトンである脂肪族α
−ケトカルボン酸エステル及び二環式１，２−ジホスフ
ィンを含有するロジウム触媒を用いることによって、そ
のような５員環を含有するロジウム触媒の高度な化学転
換率及び高度なエナンチオ選択性が達成できることを発
見した。
【０００４】
【課題を解決するための手段】具体的には、本発明は、
式Ｉ： Ｒ−Ｃ* （ＯＨ）ＣＯ2 Ｒ1 （Ｉ）
【０００５】（式中、Ｒは、非置換であるか、又はハロ
ゲン、−ＯＨ、−ＣＮ、−ＣＯ2 Ｒ1 、−ＣＯ2 Ｎ（Ｒ
2 ）2 、（Ｒ2 ）2 Ｎ−、Ｃ1 −Ｃ6 アルコキシ、Ｃ1
−Ｃ6 アルキルチオ、Ｃ4 −Ｃ8 シクロアルキル、Ｃ4
−Ｃ8 シクロアルコキシ、Ｃ4 −Ｃ8 シクロアルキルチ
オ、フェニル、ナフチル、フェノキシ、ナフトキシ、フ
ェニルチオもしくはナフチルチオで置換された、直鎖状
又は分岐状のＣ1 −Ｃ12アルキル基であり、これらの置
換基のうち、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シク
ロアルキルチオ、フェニル、ナフチル、フェノキシ、ナ
フトキシ、フェニルチオ及びナフチルチオは、それ自体
非置換であるか、又はハロゲン、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｃ
Ｏ2 Ｒ1 、−ＣＯ2 Ｎ（Ｒ2 ）2 、（Ｒ2 ）2 Ｎ−、Ｃ
1 −Ｃ6アルコキシもしくはＣ1 −Ｃ6 アルキルチオで
置換されており；Ｒ1 はＣ1 −Ｃ 6 アルキル基、フェニ
ル基又はベンジル基であり；２つのＲ2 置換基は、それ
ぞれ互いに独立して、Ｈ、Ｃ1 −Ｃ6 アルキル基、フェ
ニル基、もしくはベンジル基であるか、又は２つが一緒
になって、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、３−
オキサ−１，５−ペンチレン基もしくはＮ−（Ｃ1 −Ｃ
6 アルキル）−３−アザ−１，５−ペンチレン基であ
り、＊印は主としてＲ−又はＳ−配置を示すものであ
る）で示される光学活性なα−ヒドロキシカルボン酸エ
ステルの製造方法であって、
【０００６】式II； Ｒ−Ｃ（＝Ｏ）ＣＯ2 Ｒ1 （II） （式中、Ｒ及びＲ1 は上述した通りである）で示される
α−ケトカルボン酸エステルを、不活性溶媒の存在又は
不存在下、圧力０．１〜１５Ｍｐａ及び温度域−２０℃
〜１００℃、さらに触媒量の式III ；
【０００７】［ＸＲｈＹＺ］ ｛式中、Ｘは２つのＣ2 −Ｃ12オレフィン又は１つのＣ
5 −Ｃ12ジエンであり、ＺはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、
そしてＹは式IV： （Ｒ3 ）2 Ｐ−Ｑ−Ｐ（Ｒ3 ）2 （IV） （式中、Ｒ3 はフェニル基、Ｃ1 −Ｃ6 アルキルフェニ
ル基又はＣ1 −Ｃ6 アルコキシフェニル基であり、Ｑは
［２，２，１］−ビシクロヘプタン−１，２−イレン基
又は［２，２，１］−ビシクロヘプト−４，５−エン−
１，２−イレン基である）のキラルなジホスフィンであ
る｝を有する、ロジウムとキラルなジホスフィンリガン
ドとのロジウム錯体の存在下で、前記α−ケトカルボン
酸エステルを水素化することを特徴とする製造方法に関
する。
【０００８】Ｒのアルキル基としては、好ましくは炭素
原子１〜６個、最も好ましくは１〜４個を含有する。ア
ルキル基は、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル及びドデシルである。
【０００９】Ｒ基並びに、置換基であるシクロアルキ
ル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、フェニ
ル、ナフチル、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルチオ
及びナフチルチオは、１つ以上の、好ましくは１〜３個
の同一又は異なる置換基で置換されていてもよい。Ｒ及
び上述した置換基のうち好適な置換基は、−ＯＨ及び−
ＣＮに加え；ハロゲンとしては−Ｆ、−Ｃｌ及び−Ｂ
ｒ；アルコキシとしてはメトキシ、エトキシ、ｎ−又は
イソ−プロポキシ、ｎ−、イソ−又はtert−ブトキシ、
ペントキシ及びヘキソキシのようなＣ1 −Ｃ6 アルコキ
シが好ましく；アルキルチオとしてはメチルチオ及びエ
チルチオのようなＣ1 −Ｃ4 アルキルチオが好ましく；
シクロアルキルとしてはシクロペンチル及びシクロヘキ
シルが好ましく；シクロアルコキシとしてはシクロペン
トキシ及びシクロヘキソキシが好ましく；シクロアルキ
ルチオとしてはシクロペンチルチオ及びシクロヘキシル
チオが好ましく；−ＣＯ2 Ｒ1 としては−ＣＯ2 ＣＨ3
及びＣＯ2 Ｃ2 Ｈ5 が好ましく；−ＣＯ2 Ｎ（Ｒ2 ）2
としては−ＣＯ2 Ｎ（ＣＨ3 ）2 及びＣＯ2 Ｎ（Ｃ2 Ｈ
5）2 が好ましく；そして、（Ｒ2 ）2 Ｎ−としてはメ
チルアミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ及びジエチ
ルアミノが好ましい。
【００１０】Ｒ1 及びＲ2 のアルキル基としては、好ま
しくはメチル、エチル、ｎ−もしくはイソ−プロピル、
ｎ−、イソ−もしくはtert−ブチル、ペンチル又はヘキ
シルである。
【００１１】本発明の好ましい実施態様においては、Ｒ
は直鎖状又は分岐状のＣ1 −Ｃ4 アルキル基であって、
より詳細には、Ｃ1−Ｃ2 アルキル基であり、これは非
置換であるか、又は−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＯＨ、−
ＣＮ，−ＣＯ2 Ｒ1 、−ＣＯ2 Ｎ（Ｒ2 ）2 、（Ｒ2 ）
2 Ｎ−、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、Ｃ4 −Ｃ8 シクロアル
キル、フェニル、フェノキシもしくはフェニルチオで置
換されており、置換基シクロアルキル、フェニル、フェ
ノキシ及びフェニルチオは、それ自体非置換であるか、
又は−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＯＨ、−ＣＮ、−ＣＯ2
Ｒ1 、−ＣＯ2Ｎ（Ｒ2 ）2 、（Ｒ2 ）2 Ｎ−又はＣ1
−Ｃ4 アルコキシで置換されており；Ｒ 1 はＣ1 −Ｃ4
アルキル基、フェニル基又はベンジル基であり；２つの
Ｒ2 置換基は、それぞれ互いに独立して、Ｈ、Ｃ1 −Ｃ
4 アルキル基、フェニル基もしくはベンジル基である
か、又は２つが一緒になって、テトラメチレン基、ペン
タメチレン基、３−オキサ−１，５−ペンチレン基又は
Ｎ−（Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）−３−アザ−１，５−ペン
チレン基である。最も好ましいＲは、Ｃ1 −Ｃ4 アルキ
ル基、ベンジル基又はβ−フェニルエチル基である。
【００１２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、Ｒ1 は好ましくはＣ1 −Ｃ4 アルキル基、フェニル
基又はベンジル基であり；２つのＲ2 置換基は、それぞ
れ互いに独立して、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プ
ロプル又はｎ−ブチルであるか、あるいは一緒になって
テトラメチレン又はペンタメチレンである。
【００１３】Ｘのオレフィンとしては、好ましくは炭素
原子２〜６個、最も好ましくは２〜４個を有する。エチ
レンが特に好ましい。他の例としては、プロペン及び１
−ブテンである。Ｘのジエンとしては、好ましくは炭素
原子５〜８個を有し、開鎖又は単環式もしくは二環式ジ
エンであってもよい。ジエンの２つのオレフィン基は、
１つ又は２つのＣＨ2 基で結合しているのが好ましい。
そのような基の具体例としては、１，３−ペンタジエ
ン、シクロペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、１，
４−シクロヘキサジエン、１，４−又は１，５−ヘプタ
ジエン、１，４−又は１，５−シクロヘプタジエン、
１，４−又は１，５−オクタジエン、１，４−又は１，
５−シクロオクタジエン、ノルボルナジエンである。好
ましくはＸは、２−エチレン、１，４−ヘキサジエン、
１，５−シクロオクタジエン又はノルボルナジエンであ
る。
【００１４】式III において、Ｚの好ましいものは、Ｃ
ｌ又はＢｒである。
【００１５】式IVにおいて、Ｒ3 の好ましいものは、フ
ェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、メトキシ
フェニル又はジメトキシフェニルである。最も好ましい
Ｒ3はフェニルである。
【００１６】式IVのジホスフィンは、最も好ましくは
１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−［２，２，
１］−ビシクロヘプト−４，５−エンであり、そのＲ型
でもＳ型でもよい。このジホスフィンはまた（＋）−NO
RPHOS又は（−）−NORPHOS と名付けられている。
【００１７】式IIの化合物は公知であり、そのいくつか
は商業的に入手可能であるか、又は、同様な方法で製造
される。式III の化合物は、例えばヨーロッパ特許出願
公開公報第０３０２０２１号に公知である。これらのロ
ジウム触媒は、通常反応直前に製造し、すぐにそれを使
用する。式IIの化合物を基準として、０．０１〜５モル
％、最も好ましくは０．０５〜２モル％の量でロジウム
触媒を用いるのが好ましい。式III の化合物に対する式
IIの化合物のモル比は、１００００〜２０であり、好ま
しくは２０００〜５０である。
【００１８】本発明の方法は、好ましくは０℃〜８０℃
の温度域で、かつ好ましくは２〜１０ＭＰａの水素圧の
下で行う。
【００１９】この反応は、不活性溶媒なしでも又はその
存在下でも、行うことができる。好適な溶媒の代表例と
しては、単独で用いるのであれ、混合物として用いるの
であれ、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール、ペンタノール及びヘキサノールのようなアルコ
ール類である。混合物としての好適な溶媒は、脂肪族及
び芳香族の炭化水素、例えばペンタン、ヘキサン、シク
ロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエ
ン及びキシレンなど；ジエチルエーテル、ジエチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン及びジオキサンなどの
エーテル類；酢酸エチル、ブチロラクトン又はバレロラ
クトンのようなエステル類及びラクトン類；ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロ
リドンのようなカルボキサミド類及びラクタム類であ
る。好ましい混合物は、アルコール類と芳香族炭化水
素、通常メタノール／ベンゼン又は、メタノール／トル
エンからなるものである。好ましい溶媒は、メタノール
単独、又はメタノールとベンゼンもしくはトルエンの混
合物である。
【００２０】本発明の方法の、特に好ましい実施態様
は、α−ケトプロピオン酸エチル又はピルビン酸エチル
を基質に、アルカノールを溶媒に用い、圧力２〜１０Ｍ
Ｐａ及び温度域０〜８０℃において、水素化を行うこと
である。
【００２１】式Ｉの化合物は、生物学的に活性な化合物
の合成に有用な中間体であって、特に農薬及び薬学の分
野での使用に有用である。式Ｉ中のＲがβ−フェニルエ
チルである場合には、これからＡＣＥ（アセチルコリン
エステラーゼ）阻害剤を製造することができる（ヨーロ
ッパ特許出願公開公報第０２０６９９３号参照）。式Ｉ
の化合物は、通常ペプチド合成において一般的に用いら
れている光学活性なα−アミノ酸の製造のための中間体
である（R. M. Williams著、Synthesis of Optically A
ctive α-Amino Acid, Pergamon Press, NewYork(１９
９０）の１９６頁参照）。
【００２２】
【実施例】下記の実施例は本発明をより詳細に説明した
ものである。
【００２３】実施例１ ピルビン酸エチル（基質）１．３５g （１１．６４mmo
l）を、５０mlの鋼鉄製オートクレーブに仕込み、その
後、アルゴンで５度フラッシュした。次いで、［Ｒｈ
（ノルボルナジエン）Ｃｌ］2 ５３．３mg（０．１１６
mmol）、（＋）−NORPHOS １１７．８mg（０．２５５mm
ol）及び、メタノールとトルエン各１０mlづつからなる
触媒溶液を、鋼鉄製キャピラリーを用いて注加した。基
質／触媒のモル比は１００であった。圧力１ＭＰａにて
水素を３回導入し、水素圧を２ＭＰａに調整した。反応
混合物を１３時間、２５℃で撹拌し、次いでフラスコに
移し、溶媒を回転蒸発器で除去した。化学転換率は１０
０％であって、α−ヒドロキシプロピオン酸のエチルエ
ステルを鏡像体過剰率（ｅ．ｅ．）８９％で与えた。
【００２４】転換率の決定：Varian（商品名）３７００
によるガスクロマトグラフィー、ＯＶ１０１カラム、２
m 、Ｔ：５０℃等温。 光学的収量の決定：イソプロピルイソシアネートによる
粗生成物の誘導体化の後、ガスクロマトグラフィー；Ch
irasil-L-Valカラム、５０m 、Ｔ：１５０℃等温。
【００２５】実施例２ 実施例１の一般的方法を、反応条件を次のように変化さ
せて繰り返した。ピルビン酸エチル４．０g 、基質／触
媒のモル比８００、圧１０ＭＰａ、温度３５℃、反応時
間１７時間。転換率は１００％、ｅ．ｅ．８０％であっ
た。
【００２６】実施例３ 実施例１の一般的方法を、反応条件を次のように変化さ
せて繰り返した。４−フェニル−α−ケト酪酸エチル
２．４g 、基質／触媒モル比５０、溶媒メタノール、圧
２ＭＰａ、温度２２℃、反応時間２時間。転換率は８０
％、ｅ．ｅ．９５．６％であった。
【００２７】実施例４ 実施例３の一般的方法を、反応条件を次のように変化さ
せて繰り返した。４−フェニル−α−ケト酪酸エチル
１．０g 、基質／触媒モル比２００、圧１０ＭＰａ、温
度３０℃、反応時間２０時間。転換率は１００％、ｅ．
ｅ．は９１．４％であった。
【００２８】実施例５〜９ 実施例１の一般的方法を、反応条件を次のように変化さ
せて繰り返した。ピルビン酸エチル１．２１７g （１
０．５mmol）、［Ｒｈ（ノルボルナジエン）Ｃｌ］2 ２
２mg（０．０４８mmol）、（＋）−NORPHOS ５０mg(
０．１１mmol）、２５℃、１０ＭＰａ、溶媒３０ml、さ
らに詳細は次表に示すとおりである。
【００２９】
【表１】
【００３０】実施例１０ 実施例１の一般的方法を、反応条件を次のように変化さ
せて繰り返した。４−フェニル−α−ケト酪酸エチル４
g 、基質／触媒モル比２００、溶媒エタノール、圧１０
ＭＰａ、温度３０℃、水素化時間１８時間。転換率９８
％、ｅ．ｅ．は８７％（Ｓ）であった。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/73 9279−4Ｈ 69/74 Ａ 9279−4Ｈ 69/76 Ｚ 9279−4Ｈ 227/16 229/22 8930−4Ｈ 239/22 7106−4Ｈ 255/20 8519−4Ｈ 323/52 7419−4Ｈ 323/53 7419−4Ｈ 323/55 7419−4Ｈ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 ウルリツヒ ピツテルコウ ドイツ連邦共和国 デー−7888 ラインフ エルデン アイヒベルグシユトラーセ 41 (72)発明者 フエリツクス スピンドレル スイス国 4656 スタールキルヒ−ヴイル ドウリケルシユトラーセ 392

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 式Ｉ： Ｒ−Ｃ* Ｈ（ＯＨ）ＣＯ2 Ｒ1 （Ｉ） （式中、Ｒは、非置換であるか、又はハロゲン、−Ｏ
    Ｈ、−ＣＮ、−ＣＯ2 Ｒ1、−ＣＯ2 Ｎ（Ｒ2 ）2 、
    （Ｒ2 ）2 Ｎ−、Ｃ1 −Ｃ6 アルコキシ、Ｃ1 −Ｃ6ア
    ルキルチオ、Ｃ4 −Ｃ8 シクロアルキル、Ｃ4 −Ｃ8 シ
    クロアルコキシ、Ｃ4−Ｃ8 シクロアルキルチオ、フェ
    ニル、ナフチル、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルチ
    オもしくはナフチルチオで置換されている、直鎖状又は
    分岐状のＣ1 −Ｃ12アルキル基であって、これらの置換
    基のうち、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロ
    アルキルチオ、フェニル、ナフチル、フェノキシ、ナフ
    トキシ、フェニルチオ及びナフチルチオは、それ自体非
    置換であるか、又はハロゲン、−ＯＨ、−ＣＮ、−ＣＯ
    2 Ｒ1 、−ＣＯ2 Ｎ（Ｒ2 ）2 、（Ｒ2 ）2 Ｎ−、Ｃ1
    −Ｃ6 アルコキシもしくはＣ1 −Ｃ6 アルキルチオで置
    換されており；Ｒ1 はＣ1−Ｃ6 アルキル基、フェニル
    基又はベンジル基であり；２つのＲ2 置換基は、それぞ
    れ互いに独立して、Ｈ、Ｃ1 −Ｃ6 アルキル基、フェニ
    ル基、もしくはベンジル基であるか、又は２つが一緒に
    なって、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、３−オ
    キサ−１，５−ペンチレン基もしくはＮ−（Ｃ1 −Ｃ6
    アルキル）−３−アザ−１，５−ペンチレン基であり、
    ＊印は主としてＲ−又はＳ−配置を示す）で示される、
    光学活性α−ヒドロキシカルボン酸エステルの製造方法
    であって、 式II： Ｒ−Ｃ（＝Ｏ）ＣＯ2 Ｒ1 （II） （式中、Ｒ及びＲ1 は上述した意味を有する）で示され
    るα−ケトカルボン酸エステルを、不活性溶媒の存在又
    は不存在下、圧力０．１〜１５ＭＰａ及び温度域−２０
    ℃〜１００℃で、さらに、触媒量の式III ： ［ＸＲｈＹＺ］ （III) ｛式中、Ｘは２つのＣ2 −Ｃ12オレフィン又は１つのＣ
    5 −Ｃ12ジエンであり、ＺはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、
    そしてＹは式IV： （Ｒ3 ）2 Ｐ−Ｑ−Ｐ（Ｒ3 ）2 （IV) （式中、Ｒ3 はフェニル基、Ｃ1 −Ｃ6 アルキルフェニ
    ル基又はＣ1 −Ｃ6 アルコキシフェニル基であり、Ｑは
    ［２，２，１］−ビシクロヘプタン−１，２−イレン基
    又は［２，２，１］−ビシクロヘプト−４，５−エン−
    １，２−イレン基である）の、キラルなジホスフィンで
    ある｝を有する、ロジウムとキラルなジホスフィンリガ
    ンドとのロジウム錯体の触媒量の存在下で、前記α−ケ
    トカルボン酸エステルを水素化することを特徴とする、
    製造方法。
  2. 【請求項２】 ０〜８０℃の反応温度範囲で行う、請求
    項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 ２〜１０ＭＰａの圧力範囲で行う、請求
    項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 式ＩのＲが、請求項１に定義された、非
    置換又は置換のＣ1−Ｃ6 アルキル基である、請求項１
    記載の方法。
  5. 【請求項５】 Ｒ1 が、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル基、フェニ
    ル基又はベンジル基である、請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 ２つのＲ2 置換基が、それぞれ互いに独
    立して、Ｈ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基又は
    ｎ−ブチル基であるか、又は２つが一緒になって、テト
    ラメチレン基又はペンタメチレン基である、請求項１記
    載の方法。
  7. 【請求項７】 Ｒが、非置換であるか、又は−Ｆ、−Ｃ
    ｌ、−Ｂｒ、−ＯＨ、−ＣＮ、−ＣＯ2 Ｒ1 、−ＣＯ2
    Ｎ（Ｒ2 ）2 、（Ｒ2 ）2 Ｎ−、Ｃ1 −Ｃ4アルコキ
    シ、Ｃ4 −Ｃ8 シクロアルキル、フェニル、フェノキシ
    もしくはフェニルチオによって置換されている、直鎖状
    又は分岐状のＣ1 −Ｃ4 アルキル基であり、これらの置
    換基シクロアルキル、フェニル、フェノキシ及びフェニ
    ルチオは、それら自体非置換であるか、又は−Ｆ、−Ｃ
    ｌ、−Ｂｒ、−ＯＨ、−ＣＮ、−ＣＯ2 Ｒ1 、−ＣＯ2
    Ｎ（Ｒ2 ）2 、（Ｒ2 ）2 Ｎ−もしくはＣ1 −Ｃ4 アル
    コキシで置換されており；Ｒ1 はＣ1 −Ｃ4 アルキル
    基、フェニル基又はベンジル基であり；２つのＲ2 置換
    基は、それぞれ互いに独立して、Ｈ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキ
    ル基、フェニル基もしくはベンジル基であるか、又は２
    つが一緒になって、テトラメチレン基、ペンタメチレン
    基、３−オキサ−１，５−ペンチレン基又はＮ−（Ｃ1
    −Ｃ4 アルキル）−３−アザ−１，５−ペンチレン基で
    ある、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 式III のＸが、Ｃ2 −Ｃ6 オレフィン基
    あるいは開鎖又は単環式もしくは二環式のＣ5 −Ｃ8 ジ
    エンである、請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】 式III のＸが、２−エチレン、１，４−
    ヘキサジエン、１，５−シクロオクタジエン又はノルボ
    ルナジエンである、請求項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】 式III のＺが、Ｃｌ又はＢｒである、
    請求項１記載の方法。
  11. 【請求項１１】 式IVのＲ3 が、フェニル基、メチルフ
    ェニル基、ジメチルフェニル基、メトキシフェニル基又
    はジメトキシフェニル基である、請求項１記載の方法。
  12. 【請求項１２】 式IVのジホスフィンが、Ｒ−又はＳ−
    配位のいずれかである１，２−ビス（ジフェニルホスフ
    ィノ）−［２，２，１］−ビシクロヘプト−４，５−エ
    ンである、請求項１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 ロジウム触媒を、式IIの化合物を基準
    として０．０１〜５モル％の量で用いる、請求項１記載
    の方法。
  14. 【請求項１４】 溶媒が、メタノールそれ自体又は、メ
    タノールとベンゼンもしくはトルエンとの混合物であ
    る、請求項１記載の方法。
  15. 【請求項１５】 基質としてα−ケトプロピオン酸エチ
    ル又はピルビン酸エチルを、溶媒としてアルカノールを
    用い、圧力２〜１０ＭＰａ及び温度域０〜８０℃におい
    て、水素化を行う、請求項１記載の方法。
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