JPH0565609A - High strength tungsten wire - Google Patents

High strength tungsten wire

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Publication number
JPH0565609A
JPH0565609A JP22433191A JP22433191A JPH0565609A JP H0565609 A JPH0565609 A JP H0565609A JP 22433191 A JP22433191 A JP 22433191A JP 22433191 A JP22433191 A JP 22433191A JP H0565609 A JPH0565609 A JP H0565609A
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JP
Japan
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tungsten
tungsten wire
wire
strength
length
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JP22433191A
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Japanese (ja)
Inventor
Kanji Fukuchi
幹治 福地
Yasuhiko Nakano
康彦 中野
Keisuke Hayashi
敬祐 林
Isamu Koseki
勇 小関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、二次再結晶温度以上に加熱処
理を行っても、スモールアイランドの生成が少なく、振
動や衝撃に対して破断が少なく、熱応力に耐える高強度
タングステン線を提供することにある。 【構成】本発明に係る高強度タングステン線は、ドープ
剤を添加したタングステン粉末またはタングステン合金
粉末の加圧成形体を熱処理した後に、機械加工してなる
高強度タングステン線において、二次再結晶粒内の整列
バブルの長さを40μm以上としたことを特徴とする。
(57) [Abstract] [Purpose] The object of the present invention is to generate small islands, to prevent breakage due to vibration and shock, and to withstand thermal stress even if heat treatment is performed above the secondary recrystallization temperature. It is to provide a high strength tungsten wire. [Structure] A high-strength tungsten wire according to the present invention is a high-strength tungsten wire obtained by machining a pressure-molded body of a tungsten powder or a tungsten alloy powder to which a doping agent has been added, followed by secondary recrystallization grains. It is characterized in that the length of the aligned bubbles inside is 40 μm or more.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は主としてフィラメント材
として使用される高強度タングステン線に係り、特に、
振動や衝撃に対して断線が少ない高強度タングステン線
に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a high strength tungsten wire mainly used as a filament material, and
The present invention relates to a high-strength tungsten wire which is less likely to be broken by vibration or shock.

【0002】[0002]

【従来の技術】タングステン線は白熱電球のほか、自動
車用あるいは複写機用などの耐振電球用のフィラメント
材、真空蒸着用素子、電子管ヒータ用フィラメント材な
どに広く使用されている。
2. Description of the Related Art Tungsten wires are widely used in incandescent light bulbs as well as filament materials for vibration-proof light bulbs for automobiles and copying machines, vacuum vapor deposition elements, and filament materials for electron tube heaters.

【0003】これらのフィラメント材として使用される
タングステン線は、高温点灯中に垂下(サグ)しないこ
と、フィラメント成形時の変形が少ないこと、点灯時お
よび非点灯時の振動や衝撃に対して変形や断線が少な
く、高強度を有することなどの特性が要求されている。
The tungsten wire used as the filament material does not hang (sag) during high temperature lighting, has a small deformation during filament molding, and does not deform due to vibration and shock during lighting and non-lighting. There are demands for characteristics such as low breakage and high strength.

【0004】従来この種のタングステン線は、アルミナ
(Al2 3 )、シリカ(SiO2 )、カリ(K2 O)
などから成るドープ剤を微量添加したタングステン粉末
またはタングステン合金粉末を加圧成形後3000℃程
度の温度で焼結し、さらに転打伸線工程を経て製造され
る。得られたドープタングステン線はさらにコイル加工
され、次に一次再結晶領域で熱処理されて成形とひずみ
除去がなされ、この後フィラメントとして電球内に組み
込まれた後に二次再結晶領域まで加熱されるフラッシン
グ工程に供される。
Conventionally, this kind of tungsten wire is composed of alumina (Al 2 O 3 ), silica (SiO 2 ), potassium (K 2 O).
A tungsten powder or a tungsten alloy powder to which a small amount of a dopant such as is added is pressure-molded, sintered at a temperature of about 3000 ° C., and further subjected to a wire drawing process. The obtained doped tungsten wire is further coiled, then heat-treated in the primary recrystallization region to be shaped and strain-relieved, and then incorporated into the bulb as a filament and then heated to the secondary recrystallization region. Subject to the process.

【0005】タングステン線が二次結晶温度以上に高温
に加熱されて二次再結晶組織を形成する際に、タングス
テン線中に微量に存在するカリウム(K)が蒸発するこ
とによって、タングステン線の軸方向に並んだ微小な空
孔の列(整列バブル)が形成される。この整列バブル
は、軸に対して垂直方向への結晶粒の成長を抑制し、図
2に示すような軸方向に成長した長大なくさび形の二次
再結晶粒子から成る二次再結晶組織を形成する。
When the tungsten wire is heated to a temperature higher than the secondary crystal temperature to form a secondary recrystallized structure, a small amount of potassium (K) present in the tungsten wire evaporates, so that the axis of the tungsten wire is increased. A row of minute holes (alignment bubbles) arranged in the direction is formed. The aligned bubbles suppress the growth of crystal grains in the direction perpendicular to the axis, and form a secondary recrystallized structure composed of long wedge-shaped secondary recrystallized grains grown in the axial direction as shown in FIG. Form.

【0006】この長大な二次再結晶粒1の形成により、
従来の等方的な二次再結晶粒から成るタングステン線と
比べて、粒界すべり面積が大幅に低下する。そのため、
粒界すべりによって生じた断面減少部の過熱によるタン
グステン線の溶断が少くなり、フィラメントの寿命が大
幅に改善された。
Due to the formation of these long secondary recrystallized grains 1,
Compared with the conventional tungsten wire composed of isotropic secondary recrystallized grains, the grain boundary sliding area is significantly reduced. for that reason,
Fusing of the tungsten wire due to overheating of the reduced cross section caused by grain boundary slip was reduced, and the life of the filament was significantly improved.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかるに最近は、小形
化、高出力化、長寿命化への要請から、ハロゲンランプ
のように従来の白熱電球よりも高い3000K以上の点
灯温度で使用されるものも多くなっている。特に自動車
用耐振電球用フィラメントなどは安全上から特に断線が
なく、長寿命を有するものが要求され、タングステン線
の強度および信頼性の向上に対する要請がさらに高まっ
ている。
Recently, however, due to the demand for downsizing, high output, and long life, halogen lamps are used at operating temperatures of 3000K or higher, which are higher than those of conventional incandescent lamps. Is also increasing. In particular, a filament for an anti-vibration bulb for automobiles is required to have no breakage and a long life for safety reasons, and the demand for improvement in strength and reliability of the tungsten wire is further increasing.

【0008】しかしながら、従来のタングステン線を使
用して形成したフィラメント材を電球に組み込みフィラ
メントを二次再結晶領域まで加熱すると、図2に示すよ
うに軸方向に長大な、くさび状の二次再結晶粒1から成
る二次再結晶組織が形成され、さらに二次再結晶粒の粒
界に、タングステンの微小な結晶粒(スモールアイラン
ドという。)が形成される場合があった。
However, when the filament material formed by using the conventional tungsten wire is incorporated into the light bulb and the filament is heated to the secondary recrystallization region, as shown in FIG. In some cases, a secondary recrystallized structure composed of crystal grains 1 is formed, and further, fine crystal grains of tungsten (referred to as small islands) are formed at the grain boundaries of the secondary recrystallized grains.

【0009】このようなスモールアイランド2が存在す
るタングステン線でフィラメントを形成した電球等を高
温点灯すると、スモールアイランド2と粒界3との間に
形成される凹陥部が応力集中源となり、上記凹陥部を起
点としてフィラメントが熱応力によって破断し易くな
る。また低温点灯時においても、衝撃や振動が作用する
と、その衝撃力によって凹陥部から亀裂が発生し、短期
間内に破断してしまう欠点がある。
When a light bulb or the like having a filament formed of a tungsten wire having such a small island 2 is lit at a high temperature, the concave portion formed between the small island 2 and the grain boundary 3 serves as a stress concentration source, and the concave portion is formed. The filament easily breaks due to thermal stress starting from the portion. Further, even at low temperature lighting, when impact or vibration acts, the impact force causes a crack to be generated from the recessed portion, and there is a drawback that the fracture occurs within a short period of time.

【0010】このスモールアイランドが発生する原因と
しては、従来のタングステン線では、添加されたドープ
剤によって形成した整列バブルの長さが10〜20μm
程度と短いため、二次再結晶処理においてタングステン
線の軸直角方向への結晶粒の成長を抑制する効果が少な
くなり、整列バブルの端部において軸直角方向への再結
晶が部分的に進行して微小なスモールアイランドが形成
されるものと考えられる。ちなみに破断フィラメントの
破断面を顕微鏡観察したところ、長大な二次再結晶粒と
粒界との間に発生したスモールアイランドの凹陥部から
亀裂が伝播していることが確認された。
The cause of the occurrence of the small islands is that in the conventional tungsten wire, the length of the alignment bubble formed by the added dopant is 10 to 20 μm.
Since the length is short, the effect of suppressing the growth of crystal grains in the direction perpendicular to the axis of the tungsten wire in the secondary recrystallization treatment is reduced, and recrystallization in the direction perpendicular to the axis partially progresses at the ends of the alignment bubbles. It is thought that small small islands are formed. By the way, microscopic observation of the fracture surface of the fractured filament confirmed that the crack propagated from the concave portion of the small island generated between the large secondary recrystallized grain and the grain boundary.

【0011】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、二次再結晶温度以上に加熱処理を行
っても、スモールアイランドの生成が少なく、振動や衝
撃に対して破断が少なく、熱応力に耐える高強度タング
ステン線を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems. Even if a heat treatment is carried out at a temperature higher than the secondary recrystallization temperature, small islands are not formed much, and breakage is caused by vibration or impact. An object of the present invention is to provide a high-strength tungsten wire which is resistant to thermal stress.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段と作用】本発明者等は、以
上の観点からタングステン線の破断の要因となるスモー
ルアイランドの発生を可及的に抑制することを目的に、
二次再結晶組織内の整列バブルの長さと、タングステン
の強度との相関関係を研究し実験した結果、二次再結晶
粒内の整列バブル長さを40μm以上としたときに、従
来と比較して、スモールアイランドの生成がほとんどな
く、寿命が長い高強度タングステン線を得ることができ
た。
SUMMARY OF THE INVENTION From the above viewpoints, the inventors of the present invention aim to suppress the occurrence of small islands that cause the breakage of a tungsten wire as much as possible.
As a result of studying and experimenting the correlation between the length of the aligned bubbles in the secondary recrystallized structure and the strength of tungsten, when the aligned bubble length in the secondary recrystallized grains was 40 μm or more, it was compared with the conventional one. As a result, it was possible to obtain a high-strength tungsten wire with a long life with almost no generation of small islands.

【0013】本発明は、上記知見に基いてなされたもの
である。
The present invention is based on the above findings.

【0014】本発明の対象となる高強度タングステン線
に用いる粉末としては純タングステン粉末の他に微少の
Coを添加したタングステン合金粉末等が使用される。
As the powder used for the high-strength tungsten wire to which the present invention is applied, not only pure tungsten powder but also tungsten alloy powder containing a small amount of Co is used.

【0015】そして本発明の目的とする特性は、上記粉
末の加圧成形体を熱処理した後に機械加工を施して二次
再結晶粒内の整列バブルの長さを40μm以上としたと
きに得られる。上述の整列バルブを有する本発明のタン
グステン線は、例えば以下のようにして製造することが
できる。
The characteristics desired by the present invention are obtained when the pressure-molded body of the above-mentioned powder is heat-treated and then machined so that the length of aligned bubbles in the secondary recrystallized grains is 40 μm or more. .. The tungsten wire of the present invention having the above-mentioned alignment valve can be manufactured, for example, as follows.

【0016】まず、タングステン鉱石を常法にて精製し
アンモニウム塩を得る。次にこのアンモニウム塩を還元
し酸化タングステンを得るが、この際の還元温度を常法
より50〜150℃高く設定することにより酸化タング
ステン内に含有する不純物を減少させることができる。
そして、この酸化タングステンにK,Si,Alなどの
ドープ剤を各々化合物の水溶液として例えばK,Si,
Al換算で各々酸化タングステンに対する重量比で0.
04〜0.4%、0.2〜0.6%、0.02〜0.2
%添加混合し、水素中で600〜900℃の温度で本還
元することによりタングステン金属粉末を得た後、酸洗
浄を行ない、余分なドープ剤を除去する。
First, a tungsten ore is purified by a conventional method to obtain an ammonium salt. Next, the ammonium salt is reduced to obtain tungsten oxide. By setting the reduction temperature at this time to be 50 to 150 ° C. higher than in the conventional method, impurities contained in the tungsten oxide can be reduced.
Then, a dopant such as K, Si, or Al is added to the tungsten oxide as an aqueous solution of a compound, for example, K, Si,
In terms of Al, the weight ratio to tungsten oxide is 0.1.
04-0.4%, 0.2-0.6%, 0.02-0.2
% And mixed and subjected to main reduction in hydrogen at a temperature of 600 to 900 ° C. to obtain a tungsten metal powder, and then acid washing is performed to remove an excessive doping agent.

【0017】得られたタングステン金属粉末を常法によ
り圧粉、成形し、水素炉にて仮焼結後、通電焼結を行な
いタングステン焼結体を得る。
The obtained tungsten metal powder is compacted and molded by a conventional method, pre-sintered in a hydrogen furnace, and then subjected to electric current sintering to obtain a tungsten sintered body.

【0018】得られた焼結体を熱間で転打、伸線加工を
行なう。これらの加工の途中で加工性を改善するため
に、複数回にわたる再結晶処理により歪み取りを行な
う。この一連の再結晶処理のうち、最終の再結晶処理を
施す線径を常法により断面積比で30〜50%引き上げ
ることにより、以降の加工率が増大する。
The sintered body thus obtained is hot rolled and drawn. In order to improve the workability in the middle of these processings, the strain is removed by recrystallization processing performed plural times. Of the series of recrystallization treatments, the wire diameter to be subjected to the final recrystallization treatment is increased by 30 to 50% in terms of cross-sectional area ratio by a conventional method, whereby the subsequent processing rate is increased.

【0019】このように、整列バブルの長さは、金属粉
末の製造時においてドープ剤の添加量、熱処理条件、お
よび転打線引加工における加工度を調節して設定され
る。
As described above, the length of the aligned bubbles is set by adjusting the amount of the doping agent added during the production of the metal powder, the heat treatment conditions, and the workability in rolling wire drawing.

【0020】この場合整列バブルの長さは、破断の原因
となるスモールアイランドの発生量に大きな影響を及ぼ
す要因であり、40μm未満では、二次再結晶処理にお
ける軸直角方向への再結晶を抑制する効果が少なく、整
列バブルの端部にスモールアイランドが形成され易く、
タングステン線の強度の低下を招く。ここで整列バブル
の長さは、線材の直径が0.39mm以上の場合に適用さ
れる。
In this case, the length of the aligned bubbles has a large influence on the amount of small islands that cause breakage. If it is less than 40 μm, recrystallization in the direction perpendicular to the axis in the secondary recrystallization treatment is suppressed. Effect is small, small islands are easily formed at the ends of the alignment bubbles,
This causes a decrease in the strength of the tungsten wire. Here, the length of the alignment bubble is applied when the diameter of the wire is 0.39 mm or more.

【0021】一方整列バブルの長さが40μm以上であ
れば、軸直角方向への再結晶がほぼ完全に抑制され、二
次再結晶温度を高めるとともに、軸方向に成長した長大
な二次再結晶組織のみを形成することが可能である。そ
のため、このタングステン線をフィラメントとして使用
したランプを高温点灯した場合においても、破断は少な
く長寿命を有するランプを提供することができる。
On the other hand, when the length of the aligned bubbles is 40 μm or more, recrystallization in the direction perpendicular to the axis is almost completely suppressed, the secondary recrystallization temperature is raised, and the secondary recrystallization grown in the axial direction is large. It is possible to form only tissue. Therefore, even when a lamp using this tungsten wire as a filament is lit at a high temperature, it is possible to provide a lamp that has a long life with little breakage.

【0022】[0022]

【実施例】以下本発明を実施例によって説明する。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples.

【0023】タングステン鉱石を常法にて精製し、アン
モニウム塩を得て、このアンモニウム塩を水素中、約4
50℃(従来比100℃上昇)で還元し、酸化タングス
テンを得る。この酸化タングステンに常法により、A
l,Si,K等のドープ剤を表1に示した量を添加し、
本還元を行なうことにより、タングステン金属粉末を得
た後、酸洗浄を行ない余分のドープ剤を除去した。
Tungsten ore is purified by a conventional method to obtain an ammonium salt.
Reduction is performed at 50 ° C. (100 ° C. higher than the conventional method) to obtain tungsten oxide. This tungsten oxide can be
1, doping agents such as Si, K, etc. were added in the amounts shown in Table 1,
After carrying out the main reduction, a tungsten metal powder was obtained, and then acid washing was carried out to remove an excess doping agent.

【0024】得られたタングステン金属粉末を常法によ
り圧粉、成形し、水素炉にて1200℃で仮焼結後、2
700〜3000℃で30分間焼結を行ない、実施例1
および2となるタングステン焼結体を得た。さらに得ら
れた焼結体を表1に示した条件のもとで転打工程、再結
晶処理、伸線工程に供し、最終的に線径0.4mmのタン
グステン線を得た。次に各タングステン線を水素気流中
で、溶断電流(FC)の90%値(90%FC)で5分
間通電し、二次再結晶処理を行ない、得られたタングス
テン線の二次再結晶粒内の整列バブルの長さを測定し
た。
The obtained tungsten metal powder was compacted and molded by a conventional method, pre-sintered at 1200 ° C. in a hydrogen furnace, and then 2
Example 1 was carried out by sintering at 700 to 3000 ° C. for 30 minutes.
Thus, tungsten sintered compacts 2 and 2 were obtained. Further, the obtained sintered body was subjected to a rolling step, a recrystallization treatment, and a wire drawing step under the conditions shown in Table 1 to finally obtain a tungsten wire having a wire diameter of 0.4 mm. Next, each tungsten wire was energized in a hydrogen stream at 90% value (90% FC) of fusing current (FC) for 5 minutes to carry out a secondary recrystallization treatment, and a secondary recrystallized grain of the obtained tungsten wire was obtained. The length of the alignment bubble inside was measured.

【0025】さらに、各タングステン線を線径80μm
まで伸線加工し、コイルを作製してフィラメントとして
ランプに封入し、再結晶化処理を行なった後に、点滅試
験を行なった。ランプは、同一のタングステン線を使用
した電球を10個ずつ合計20個調製し、各電球を17
0V、200Wの出力で100000回の点滅を5秒間
隔で繰り返し、途中で破断した電球の個数を計測した。
Further, each tungsten wire has a wire diameter of 80 μm.
After the wire drawing process, a coil was prepared and enclosed as a filament in a lamp, a recrystallization process was performed, and then a blinking test was performed. As for the lamp, 20 bulbs were prepared, 10 bulbs each using the same tungsten wire, and 17 bulbs were used for each bulb.
Blinking 100,000 times at an output of 0 V and 200 W was repeated at 5-second intervals, and the number of light bulbs that broke during the measurement was measured.

【0026】一方、比較例1および2として、実施例
1,2と同様のアンモニウム塩を使用し、表1に示すよ
うな条件で、ドープ剤添加量、転打工程、再結晶処理、
伸線工程を経て、線径が0.4mmであり、二次再結晶粒
内の整列バルブの平均長さがそれぞれ26μm、14μ
mのタングステン線を調製し実施例1,2と同様な点滅
試験を実施し、下記表1に示す結果を得た。
On the other hand, as Comparative Examples 1 and 2, the same ammonium salt as in Examples 1 and 2 was used, and under the conditions shown in Table 1, the amount of doping agent added, the transfer step, the recrystallization treatment,
After the wire drawing process, the wire diameter is 0.4 mm, and the average length of the alignment valve in the secondary recrystallized grains is 26 μm and 14 μm, respectively.
A tungsten wire of m was prepared and a blinking test was conducted in the same manner as in Examples 1 and 2, and the results shown in Table 1 below were obtained.

【0027】[0027]

【表1】 [Table 1]

【0028】表1に示す結果から明らかなように、整列
バブルの長さを40μm以上に設定した実施例1,2に
おいては、比較例1,2に示す従来のタングステン線に
比べて破断個数が大幅に低減し、整列バブル長さが45
μm以上となると試験条件においては破断が極めて少な
くなり、高強度で長寿命のタングステン線が得られるこ
とが判明する。
As is clear from the results shown in Table 1, in Examples 1 and 2 in which the length of the aligned bubbles was set to 40 μm or more, the number of fractures was larger than that of the conventional tungsten wires shown in Comparative Examples 1 and 2. Significantly reduced, alignment bubble length is 45
It is found that when the thickness is more than μm, breakage is extremely reduced under the test conditions, and a tungsten wire having high strength and long life can be obtained.

【0029】また破断したフィラメントの破断部を顕微
鏡観察したところ、いずれの破断部においてもスモール
アイランドが観察され、このスモールアイランドを起点
として亀裂が伝播し、破断に至った様子が確認された。
When the fractured portions of the fractured filaments were observed under a microscope, small islands were observed in all the fractured portions, and it was confirmed that cracks propagated from these small islands and led to fracture.

【0030】また実施例1,2で使用したタングステン
線の金属組織を顕微鏡で観察したところ、いずれも図1
に示すように、くさび形に入り組んだ多数の長大な二次
再結晶粒1aのみから形成されており、粒界3aとの境
界部にスモールアイランドの発生は認められなかった。
従って高温特性および耐衝撃性、耐震性に優れ、高強度
で寿命の長いタングステン線を得ることができた。
Further, when the metallographic structure of the tungsten wire used in Examples 1 and 2 was observed with a microscope, both were as shown in FIG.
As shown in (1), it was formed only from a large number of large secondary recrystallized grains 1a intricately wedge-shaped, and generation of small islands was not observed at the boundary with the grain boundary 3a.
Therefore, it was possible to obtain a tungsten wire having excellent high temperature characteristics, impact resistance, and earthquake resistance, high strength, and a long life.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明の通り、本発明に係る高強度タ
ングステン線によれば、二次再結晶組織内にスモールア
イランドがほとんど発生しない。そのため高熱応力およ
び振動や衝撃に対する強度が高く、寿命が長い高強度の
タングステン線を提供することが可能となり、ランプ用
フィラメントなどのタングステン製品の信頼性を大幅に
向上することができる。
As described above, according to the high-strength tungsten wire according to the present invention, small islands hardly occur in the secondary recrystallization structure. Therefore, it is possible to provide a high-strength tungsten wire having high strength against high thermal stress, vibration and impact, and having a long life, and it is possible to significantly improve the reliability of a tungsten product such as a filament for a lamp.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る高強度タングステン線の二次再結
晶組織を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a secondary recrystallization structure of a high-strength tungsten wire according to the present invention.

【図2】従来のタングステン線の二次再結晶組織を示す
図。
FIG. 2 is a diagram showing a secondary recrystallization structure of a conventional tungsten wire.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a 二次再結晶粒 2 スモールアイランド(微小結晶粒) 3,3a 粒界 1,1a Secondary recrystallized grain 2 Small island (fine grain) 3,3a Grain boundary

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小関 勇 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Isamu Ozeki 8 Shinsita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Stock company Toshiba Yokohama office

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ドープ剤を添加したタングステン粉末ま
たはタングステン合金粉末の加圧成形体を熱処理した後
に、機械加工してなる高強度タングステン線において、
二次再結晶粒内の整列バブルの長さを40μm以上とし
たことを特徴とする高強度タングステン線。
1. A high-strength tungsten wire obtained by machining a pressure-molded body of a tungsten powder or a tungsten alloy powder to which a doping agent has been added, followed by machining.
A high-strength tungsten wire having a length of aligned bubbles in the secondary recrystallized grains of 40 μm or more.
JP22433191A 1991-09-04 1991-09-04 High strength tungsten wire Pending JPH0565609A (en)

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CN115007864A (en) * 2022-06-10 2022-09-06 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 Pure tungsten plate for ion implantation and preparation method and application thereof

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