JPH0566570A - レジスト現像液およびパタン形成方法 - Google Patents
レジスト現像液およびパタン形成方法Info
- Publication number
- JPH0566570A JPH0566570A JP3227073A JP22707391A JPH0566570A JP H0566570 A JPH0566570 A JP H0566570A JP 3227073 A JP3227073 A JP 3227073A JP 22707391 A JP22707391 A JP 22707391A JP H0566570 A JPH0566570 A JP H0566570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- resist
- pattern
- developing solution
- cont
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 現像時の基板腐食がなく解像性の良いレジス
ト現像液、およびそのレジスト現像液を用いたパタン形
成方法の提供。 【構成】 ノボラック樹脂を母材とするレジスト材料の
レジスト現像液に於いて、飽和脂肪族炭化水素類、不飽
和脂肪族炭化水素類、環状飽和炭化水素類からなる群か
ら選ばれる少なくとも一種を貧溶媒として含有し、これ
と良溶媒とを組み合わせてなるレジスト現像液。
ト現像液、およびそのレジスト現像液を用いたパタン形
成方法の提供。 【構成】 ノボラック樹脂を母材とするレジスト材料の
レジスト現像液に於いて、飽和脂肪族炭化水素類、不飽
和脂肪族炭化水素類、環状飽和炭化水素類からなる群か
ら選ばれる少なくとも一種を貧溶媒として含有し、これ
と良溶媒とを組み合わせてなるレジスト現像液。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の加工に
使用される被加工体上に電子線、Ｘ線、紫外線等のエネ
ルギ線に対して感応性を有するレジスト材料層を被覆
し、上記エネルギ線により選択的に照射し、さらに現像
処理を行い、所望の形状を有するレジストパタンを形成
し、このレジストパタンをマスクとした被加工体に対す
る選択的エッチング処理を行う被加工体の加工方法に於
いて、上記所望の形状を有するレジストパタンを形成す
る現像処理工程で使用するレジスト現像液、および該レ
ジスト現像液を用いたパタン形成方法に関する。
使用される被加工体上に電子線、Ｘ線、紫外線等のエネ
ルギ線に対して感応性を有するレジスト材料層を被覆
し、上記エネルギ線により選択的に照射し、さらに現像
処理を行い、所望の形状を有するレジストパタンを形成
し、このレジストパタンをマスクとした被加工体に対す
る選択的エッチング処理を行う被加工体の加工方法に於
いて、上記所望の形状を有するレジストパタンを形成す
る現像処理工程で使用するレジスト現像液、および該レ
ジスト現像液を用いたパタン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の加工寸法はサブミクロ
ンからクォーターミクロンへと微細化が進み、これに適
用するＸ線および電子線用のレジスト材料は現像時の膨
潤等による解像性劣化の問題が少なく、かつ高感度であ
るノボラック樹脂を母材とする化学増幅系レジストが用
いられる。通常、前記化学増幅系レジストの現像液とし
ては、テトラメチルアンモニュウムハイドロオキサイド
（ＴＭＡＨ）アルカリ水溶液が用いられてきた。前記Ｔ
ＭＡＨ系現像液は、従来よりホトレジストの現像液とし
て用いられ、高感度で高解像度のパタン形成を可能とす
る現像液である。また、現像液の保管や廃液処理などが
有機溶媒と比較して簡単で、かつ引火性がないために特
殊な安全対策が不必要である等、汎用性の高い現像液で
ある。しかし、表面にアルカリ耐食性の悪いアルミニュ
ウム膜を有するシリコン基板に微細パタンを形成しよう
とすると、前記現像液が強アルカリ性を呈するために、
現像時に基板腐食やパタン性能が低下する等の問題を生
じた。
ンからクォーターミクロンへと微細化が進み、これに適
用するＸ線および電子線用のレジスト材料は現像時の膨
潤等による解像性劣化の問題が少なく、かつ高感度であ
るノボラック樹脂を母材とする化学増幅系レジストが用
いられる。通常、前記化学増幅系レジストの現像液とし
ては、テトラメチルアンモニュウムハイドロオキサイド
（ＴＭＡＨ）アルカリ水溶液が用いられてきた。前記Ｔ
ＭＡＨ系現像液は、従来よりホトレジストの現像液とし
て用いられ、高感度で高解像度のパタン形成を可能とす
る現像液である。また、現像液の保管や廃液処理などが
有機溶媒と比較して簡単で、かつ引火性がないために特
殊な安全対策が不必要である等、汎用性の高い現像液で
ある。しかし、表面にアルカリ耐食性の悪いアルミニュ
ウム膜を有するシリコン基板に微細パタンを形成しよう
とすると、前記現像液が強アルカリ性を呈するために、
現像時に基板腐食やパタン性能が低下する等の問題を生
じた。
【０００３】図１は、従来の現像処理によりパタン形成
した場合のパタン形成工程の１例を示したものである。
以下図１に沿ってパタン形成工程を説明する。先ず１の
シリコン基板に２の０．５μm アルミニュウム膜を付着
させて被加工体基板とし、その被加工体基板上に３のレ
ジスト材料であるネガ型レジストＳＡＬ６０１（シップ
レイ社製）を１．０μm の膜厚となるようにスピンコー
トで塗布した。そして、レジスト塗布した被加工体基板
を１０５℃、２分間ホットプレート上でプリベークし
た。次に、エネルギ線に４の電子線を用い、照射条件を
印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所望の
パタン形状となるように照射した。電子線照射した被加
工体基板を１０５℃、２分間ホットプレート上でポスト
・エックスポージャー・ベーク（以下ＰＥＢと略す）を
行い、ＴＭＡＨ系水溶液であるＭＦ６２２（ＴＭＡＨ濃
度０．２７N ）で５分間静置現像を行って所望のレジス
トパタン５を得た。なお、使用したレジスト材料である
ＳＡＬ６０１、および現像液ＭＦ６２２はそれぞれシッ
プレイ社製である。前記のようにＭＦ６２２現像液は強
アルカリ性を呈するために、パタン側壁下部のアルミニ
ュウム膜に６のアンダーカット状腐食現象が生じる。こ
のような現象を生じるとアルミニュウム膜が薄くなる。
そして、現像がレジスト表面からだけでなく基板面側か
らも進み、パタン寸法やパタン形状が低下する。最悪の
場合には５のレジストパタンが基板より剥がれる。従来
このような現象を防ぐには、アルミニュウム膜上にチタ
ンなどの耐食性の良い保護膜を形成する方法や多層レジ
スト法等が適用されてきた。前者は急峻な段差基板上で
の完全な被覆が困難でピンホールが発生し、部分的にア
ルミニュウム膜が多量に腐食され断線等の原因となっ
た。後者はアルミニュウム膜上に下層レジスト、中間層
レジスト、上層のパタン形成用レジストを順次塗布し、
さらに露光、現像処理によりパタン形成し、次に上層レ
ジストをマスクに中間層、下層へと順次Ｏ2 ＲＩＥ等の
ドライエッチングによりパタン転写する方法であるが、
プロセスが複雑になる問題があった。なお、０．５μm
程度のパタン形成に用いるホトレジストも同様にノボラ
ック樹脂を母材とするレジストが用いられており、前記
と同様にＴＭＡＨ系が現像液として使用されている。ホ
トレジスト膜厚１．０μm 程度での現像時間は、一般的
に１分間以内であり、この場合の現像時のアルミニュウ
ム膜腐食量は、０．０２μm 程度であり、０．５μm 程
度のパタン形成には問題とならない。但し、ホトレジス
トに於いてもサブミクロンからクォーターミクロンへと
微細化が進むと前記と同様にアルミニュウム膜腐食が問
題となる。
した場合のパタン形成工程の１例を示したものである。
以下図１に沿ってパタン形成工程を説明する。先ず１の
シリコン基板に２の０．５μm アルミニュウム膜を付着
させて被加工体基板とし、その被加工体基板上に３のレ
ジスト材料であるネガ型レジストＳＡＬ６０１（シップ
レイ社製）を１．０μm の膜厚となるようにスピンコー
トで塗布した。そして、レジスト塗布した被加工体基板
を１０５℃、２分間ホットプレート上でプリベークし
た。次に、エネルギ線に４の電子線を用い、照射条件を
印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所望の
パタン形状となるように照射した。電子線照射した被加
工体基板を１０５℃、２分間ホットプレート上でポスト
・エックスポージャー・ベーク（以下ＰＥＢと略す）を
行い、ＴＭＡＨ系水溶液であるＭＦ６２２（ＴＭＡＨ濃
度０．２７N ）で５分間静置現像を行って所望のレジス
トパタン５を得た。なお、使用したレジスト材料である
ＳＡＬ６０１、および現像液ＭＦ６２２はそれぞれシッ
プレイ社製である。前記のようにＭＦ６２２現像液は強
アルカリ性を呈するために、パタン側壁下部のアルミニ
ュウム膜に６のアンダーカット状腐食現象が生じる。こ
のような現象を生じるとアルミニュウム膜が薄くなる。
そして、現像がレジスト表面からだけでなく基板面側か
らも進み、パタン寸法やパタン形状が低下する。最悪の
場合には５のレジストパタンが基板より剥がれる。従来
このような現象を防ぐには、アルミニュウム膜上にチタ
ンなどの耐食性の良い保護膜を形成する方法や多層レジ
スト法等が適用されてきた。前者は急峻な段差基板上で
の完全な被覆が困難でピンホールが発生し、部分的にア
ルミニュウム膜が多量に腐食され断線等の原因となっ
た。後者はアルミニュウム膜上に下層レジスト、中間層
レジスト、上層のパタン形成用レジストを順次塗布し、
さらに露光、現像処理によりパタン形成し、次に上層レ
ジストをマスクに中間層、下層へと順次Ｏ2 ＲＩＥ等の
ドライエッチングによりパタン転写する方法であるが、
プロセスが複雑になる問題があった。なお、０．５μm
程度のパタン形成に用いるホトレジストも同様にノボラ
ック樹脂を母材とするレジストが用いられており、前記
と同様にＴＭＡＨ系が現像液として使用されている。ホ
トレジスト膜厚１．０μm 程度での現像時間は、一般的
に１分間以内であり、この場合の現像時のアルミニュウ
ム膜腐食量は、０．０２μm 程度であり、０．５μm 程
度のパタン形成には問題とならない。但し、ホトレジス
トに於いてもサブミクロンからクォーターミクロンへと
微細化が進むと前記と同様にアルミニュウム膜腐食が問
題となる。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は、従来の現像液による場
合の現像時の基板腐食等の問題を解決し、基板腐食が無
く、かつ解像性の良いレジスト現像液を提供し、更にレ
ジスト現像液を用いたパタン形成方法を提供することを
目的とする。
合の現像時の基板腐食等の問題を解決し、基板腐食が無
く、かつ解像性の良いレジスト現像液を提供し、更にレ
ジスト現像液を用いたパタン形成方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、現像液による
現像時の基板腐食等の問題を解決するために、良溶媒と
貧溶媒とを組み合わせた有機混合溶媒からなる現像液に
より、レジストの膨潤を押さえ、高解像性を保ちつつ現
像時の基板腐食等の問題のないレジスト現像液を提供
し、かつ該レジスト現像液を用いたパタン形成方法を提
供することにある。
現像時の基板腐食等の問題を解決するために、良溶媒と
貧溶媒とを組み合わせた有機混合溶媒からなる現像液に
より、レジストの膨潤を押さえ、高解像性を保ちつつ現
像時の基板腐食等の問題のないレジスト現像液を提供
し、かつ該レジスト現像液を用いたパタン形成方法を提
供することにある。
【０００６】具体的な良溶媒と貧溶媒は次のような方法
で選択することができる。一般的には、レジスト材料の
ような高分子材料を溶解する溶媒を選択するための指標
として溶解パラメータが用いられる。そして、高分子材
料と同程度の溶解パラメータを有する溶媒が最も溶解性
が高い。ＳＡＬ６０１の母材であるノボラック樹脂の溶
解パラメータδは、Ｓｍａｌｌの式（１）を用いて算出
できる。
で選択することができる。一般的には、レジスト材料の
ような高分子材料を溶解する溶媒を選択するための指標
として溶解パラメータが用いられる。そして、高分子材
料と同程度の溶解パラメータを有する溶媒が最も溶解性
が高い。ＳＡＬ６０１の母材であるノボラック樹脂の溶
解パラメータδは、Ｓｍａｌｌの式（１）を用いて算出
できる。
【０００７】δ＝ρΣＦ／Ｍ………（１） ここでρは高分子の密度、Ｆは原子、および感応基の分
子凝集エネルギ定数、Ｍは高分子の繰り返し単位の分子
量である。（１）式で算出されたＳＡＬ６０１の溶解パ
ラメータは１３．９である。この手法で算出された溶解
パラメータは、分散力（δd ）がおもな分子間力として
作用する高分子系に有効であるが、水素結合（δh ）、
或いは極性基（δp ）の寄与が大きい材料には精度が悪
く、補正が必要である。そこで、算出した溶解パラメー
タ１３．９を目安として種々の溶媒の溶解性を調べた。
その結果、ＳＡＬ６０１が溶解しない貧溶媒は、ノルマ
ルヘプタン、ノルマルヘキサン、ノルマルオクタン、イ
ソオクタン、ノルマルノナン、２，２，３−トリメチル
ペンタン、２，２，５−トリメチルヘキサン等の飽和脂
肪族炭化水素類；ノルマルヘプテン、ノルマルヘキセ
ン、ノルマルオクテン、ノルマルノネン等の不飽和脂肪
族炭化水素類；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン等の環状飽和炭化水素類等の
極く少数の有機溶媒がこの範囲に含まれる。前記の貧溶
媒は溶解パラメータがノルマルヘキサンの７．３からベ
ンゼンの９．１の範囲にある。しかし、この範囲の溶解
パラメータである７．７のジエチルエーテル、８．９の
酢酸エチルは良溶媒である。従って、溶解パラメータで
貧溶媒を規程するのは困難であることが分かった。溶解
パラメータδは前記δd 、δh およびδp と（２）式の
関係を有する。
子凝集エネルギ定数、Ｍは高分子の繰り返し単位の分子
量である。（１）式で算出されたＳＡＬ６０１の溶解パ
ラメータは１３．９である。この手法で算出された溶解
パラメータは、分散力（δd ）がおもな分子間力として
作用する高分子系に有効であるが、水素結合（δh ）、
或いは極性基（δp ）の寄与が大きい材料には精度が悪
く、補正が必要である。そこで、算出した溶解パラメー
タ１３．９を目安として種々の溶媒の溶解性を調べた。
その結果、ＳＡＬ６０１が溶解しない貧溶媒は、ノルマ
ルヘプタン、ノルマルヘキサン、ノルマルオクタン、イ
ソオクタン、ノルマルノナン、２，２，３−トリメチル
ペンタン、２，２，５−トリメチルヘキサン等の飽和脂
肪族炭化水素類；ノルマルヘプテン、ノルマルヘキセ
ン、ノルマルオクテン、ノルマルノネン等の不飽和脂肪
族炭化水素類；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン等の環状飽和炭化水素類等の
極く少数の有機溶媒がこの範囲に含まれる。前記の貧溶
媒は溶解パラメータがノルマルヘキサンの７．３からベ
ンゼンの９．１の範囲にある。しかし、この範囲の溶解
パラメータである７．７のジエチルエーテル、８．９の
酢酸エチルは良溶媒である。従って、溶解パラメータで
貧溶媒を規程するのは困難であることが分かった。溶解
パラメータδは前記δd 、δh およびδp と（２）式の
関係を有する。
【０００８】
【数１】 各種溶媒のδ、δd 、δh 、δp はAllen F.M.Barton:
“Solubility Parameter Values for Solvents, Includ
ing One-Component δ Values ”, Chemical Reviews,
Vol.75, No.6, P744(1975)を参考とし、表１に示した。
“Solubility Parameter Values for Solvents, Includ
ing One-Component δ Values ”, Chemical Reviews,
Vol.75, No.6, P744(1975)を参考とし、表１に示した。
【０００９】
【表１】 表より前記の選択した貧溶媒は、δh 、或いはδp が小
さな値をとることが分かる。しかし、ジオキサンはδh
が０．９、トルエンはδpが１．０と比較的小さな値に
もかかわらず良溶媒となる。従って、δh 、或いはδp
の値で貧溶媒を規程するのは困難であることが分かっ
た。このようにレジスト材料のような高分子の溶解性を
従来はδ、δd 、δh、δp などの絶対値で判断してき
たが、ノボラック樹脂を母材とするレジスト材料、或い
はノボラック樹脂を母材とする化学増幅系レジスト材料
には適用出来ないことが分かった。そこで、新しい方法
として溶媒の水素結合と極性基の寄与率（以下δCONTと
略す）によって前記レジスト材料の溶解性が判断できる
ことを見いだした。溶媒のδCONTは（３）式で表した。
さな値をとることが分かる。しかし、ジオキサンはδh
が０．９、トルエンはδpが１．０と比較的小さな値に
もかかわらず良溶媒となる。従って、δh 、或いはδp
の値で貧溶媒を規程するのは困難であることが分かっ
た。このようにレジスト材料のような高分子の溶解性を
従来はδ、δd 、δh、δp などの絶対値で判断してき
たが、ノボラック樹脂を母材とするレジスト材料、或い
はノボラック樹脂を母材とする化学増幅系レジスト材料
には適用出来ないことが分かった。そこで、新しい方法
として溶媒の水素結合と極性基の寄与率（以下δCONTと
略す）によって前記レジスト材料の溶解性が判断できる
ことを見いだした。溶媒のδCONTは（３）式で表した。
【００１０】 δCONT＝（（δh ＋δp ）／（δd ＋δh ＋δp ））×１００………（３） 前記の貧溶媒は溶媒のδCONTが、一般的に５〜２０％以
下、好ましくは８〜１２％以下である。即ち、分散力が
主な分子間力として作用する溶媒が貧溶媒である。また
δCONTが５〜２０％以上、好ましくは８〜１２％以上の
水素結合、或いは極性基の寄与が大きい有機溶媒がＳＡ
Ｌ６０１を溶媒する良溶媒である。例えば、ジオキサン
はδCONTが３２．６％、トルエンは１６．２％となり良
溶媒、ベンゼンは１０．０％、ノルマルオクタンは０．
０％となり貧溶媒となる。
下、好ましくは８〜１２％以下である。即ち、分散力が
主な分子間力として作用する溶媒が貧溶媒である。また
δCONTが５〜２０％以上、好ましくは８〜１２％以上の
水素結合、或いは極性基の寄与が大きい有機溶媒がＳＡ
Ｌ６０１を溶媒する良溶媒である。例えば、ジオキサン
はδCONTが３２．６％、トルエンは１６．２％となり良
溶媒、ベンゼンは１０．０％、ノルマルオクタンは０．
０％となり貧溶媒となる。
【００１１】レジスト現像液は、良溶媒、貧溶媒相互の
相溶性の良いことが要求される。これは相溶性の悪い溶
媒系では任意の溶媒組成が得にくい等のためである。従
って、レジスト現像液は、前記で選択した貧溶媒から一
種の貧溶媒を選択し、前記相溶性等の要求条件が達成で
きるように最適な良溶媒を選択し組み合わせて実施され
る。また、リンス溶媒は、現像液を置換して現像を停止
する機能と次工程の乾燥容易性とが要求される。
相溶性の良いことが要求される。これは相溶性の悪い溶
媒系では任意の溶媒組成が得にくい等のためである。従
って、レジスト現像液は、前記で選択した貧溶媒から一
種の貧溶媒を選択し、前記相溶性等の要求条件が達成で
きるように最適な良溶媒を選択し組み合わせて実施され
る。また、リンス溶媒は、現像液を置換して現像を停止
する機能と次工程の乾燥容易性とが要求される。
【００１２】
実施例１ 被加工体にシリコン基板を用い、被加工体上にシップレ
イ社製である化学増幅系ネガ型レジストＳＡＬ６０１を
０．７μm となるように塗布した。次にプリベークを１
０５℃、２分間ホットプレート上で行い、前記δCONTが
１０％以下である溶媒の溶解性を調べた。その結果、Ｓ
ＡＬ６０１が溶解しない貧溶媒はノルマルヘプタン、ノ
ルマルヘキサン、ノルマルオクタン、イソオクタン、ノ
ルマルノナン、２，２，３−トリメチルペンタン、２，
２，５−トリメチルヘキサン等の飽和脂肪族炭化水素
類、ノルマルヘプテン、ノルマルヘキセン、ノルマルオ
クテン、ノルマルノネン等の不飽和脂肪族炭化水素類、
シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロ
ヘキサン等の環状飽和炭化水素類、およびベンゼンと四
塩化炭素であった。これらの選択した貧溶媒δCONTが１
０％以上の良溶媒を組み合わせてレジスト現像液とし、
ノボラック樹脂を母材とする化学増幅系レジスト材料の
現像処理に適用した。
イ社製である化学増幅系ネガ型レジストＳＡＬ６０１を
０．７μm となるように塗布した。次にプリベークを１
０５℃、２分間ホットプレート上で行い、前記δCONTが
１０％以下である溶媒の溶解性を調べた。その結果、Ｓ
ＡＬ６０１が溶解しない貧溶媒はノルマルヘプタン、ノ
ルマルヘキサン、ノルマルオクタン、イソオクタン、ノ
ルマルノナン、２，２，３−トリメチルペンタン、２，
２，５−トリメチルヘキサン等の飽和脂肪族炭化水素
類、ノルマルヘプテン、ノルマルヘキセン、ノルマルオ
クテン、ノルマルノネン等の不飽和脂肪族炭化水素類、
シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロ
ヘキサン等の環状飽和炭化水素類、およびベンゼンと四
塩化炭素であった。これらの選択した貧溶媒δCONTが１
０％以上の良溶媒を組み合わせてレジスト現像液とし、
ノボラック樹脂を母材とする化学増幅系レジスト材料の
現像処理に適用した。
【００１３】図１のＢに本発明のパタン形成工程を示
す。先ず、被加工体に２つのアルミニュウム膜を有する
１のシリコン基板を用い、被加工体上にシップレイ社製
である３の化学増幅系ネガ型レジストＳＡＬ６０１を
０．７μm となるように塗布した。次にプリベークを１
０５℃、２分間ホットプレート上で行った。次にエネル
ギ線に４の電子線を用い、照射条件を印加電圧３０KV、
照射量１×１０-5C/cm2 とし、所望のパタン形状となる
ように照射した。そして、ＰＥＢを１０５℃２分間ホッ
トプレート上で行い、次のような方法で現像溶媒を選択
し、現像処理を行ってパタン形成した。まず貧溶媒にδ
CONTが０％のノルマルヘプタン（以下ＮＨＰと略す）を
選択し、良溶媒にδCONTが５８．８％のイソプロピルア
ルコール（以下ＩＰＡと略す）を選択して組み合わして
レジスト現像液とした。先ず、溶媒系の混合組成比とレ
ジスト材料ＳＡＬ６０１との溶解性、および膨潤の様子
を調べた。そして、実際に種々の溶媒組成でパタン形成
し解像性を評価した。解像性は、０．２μm 以上の微細
パタン形成能と現像残渣の有無により評価した。その結
果、最適組成比ＩＰＡ／ＮＨＰ＝６０／４０を選択し
た。この組成比では、現像時の膨潤が少ないために０．
２μm 以上の微細パタン形成を可能とした。また、現像
後のパタン間には、充分な溶解性を有するために現像残
渣の残留を皆無とした。選択した溶媒組成比ＩＰＡ／Ｎ
ＨＰ＝６０／４０現像液として６０秒間現像処理し、続
いてＮＨＰにて３０秒間リンス処理を行って５の所望パ
タンを得た。リンス溶媒は現像液中の貧溶媒を適用した
ために現像液との相溶性が良く、かつ乾燥むらのない乾
燥処理を可能とした。解像性は最少解像パタン寸法が
０．３μm で、被加工体上２のアルミニュウム膜は現像
液に有機混合溶媒を適用したため、パタン側壁下部のア
ルミニュウム膜に図１の６のようなアンダーカット状の
腐食現象の発生を皆無とした。
す。先ず、被加工体に２つのアルミニュウム膜を有する
１のシリコン基板を用い、被加工体上にシップレイ社製
である３の化学増幅系ネガ型レジストＳＡＬ６０１を
０．７μm となるように塗布した。次にプリベークを１
０５℃、２分間ホットプレート上で行った。次にエネル
ギ線に４の電子線を用い、照射条件を印加電圧３０KV、
照射量１×１０-5C/cm2 とし、所望のパタン形状となる
ように照射した。そして、ＰＥＢを１０５℃２分間ホッ
トプレート上で行い、次のような方法で現像溶媒を選択
し、現像処理を行ってパタン形成した。まず貧溶媒にδ
CONTが０％のノルマルヘプタン（以下ＮＨＰと略す）を
選択し、良溶媒にδCONTが５８．８％のイソプロピルア
ルコール（以下ＩＰＡと略す）を選択して組み合わして
レジスト現像液とした。先ず、溶媒系の混合組成比とレ
ジスト材料ＳＡＬ６０１との溶解性、および膨潤の様子
を調べた。そして、実際に種々の溶媒組成でパタン形成
し解像性を評価した。解像性は、０．２μm 以上の微細
パタン形成能と現像残渣の有無により評価した。その結
果、最適組成比ＩＰＡ／ＮＨＰ＝６０／４０を選択し
た。この組成比では、現像時の膨潤が少ないために０．
２μm 以上の微細パタン形成を可能とした。また、現像
後のパタン間には、充分な溶解性を有するために現像残
渣の残留を皆無とした。選択した溶媒組成比ＩＰＡ／Ｎ
ＨＰ＝６０／４０現像液として６０秒間現像処理し、続
いてＮＨＰにて３０秒間リンス処理を行って５の所望パ
タンを得た。リンス溶媒は現像液中の貧溶媒を適用した
ために現像液との相溶性が良く、かつ乾燥むらのない乾
燥処理を可能とした。解像性は最少解像パタン寸法が
０．３μm で、被加工体上２のアルミニュウム膜は現像
液に有機混合溶媒を適用したため、パタン側壁下部のア
ルミニュウム膜に図１の６のようなアンダーカット状の
腐食現象の発生を皆無とした。
【００１４】δCONTが３２．８％のメチルイソブチルケ
トンと５８．８％のＩＰＡとを組み合わせてレジスト現
像液とし、この溶媒系の混合組成比とレジスト材料ＳＡ
Ｌ６０１との溶解性、及び膨潤の様子を調べたが、如何
なる組成比でも溶解性が良すぎて現像時の膨潤が大き
く、０．５μm 以下の微細パタン形成が困難であった。
これはδCONTが１０％以下である貧溶媒とδCONTが１０
％以上である良溶媒とを組み合わせた溶媒レジストを現
像液としなかったためである。
トンと５８．８％のＩＰＡとを組み合わせてレジスト現
像液とし、この溶媒系の混合組成比とレジスト材料ＳＡ
Ｌ６０１との溶解性、及び膨潤の様子を調べたが、如何
なる組成比でも溶解性が良すぎて現像時の膨潤が大き
く、０．５μm 以下の微細パタン形成が困難であった。
これはδCONTが１０％以下である貧溶媒とδCONTが１０
％以上である良溶媒とを組み合わせた溶媒レジストを現
像液としなかったためである。
【００１５】実施例２ 被加工体にアルミニュウム膜を有するシリコン基板を用
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。そしてプリベークを１０５℃、２分間ホットプレ
ート上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射
条件を印加電圧３０KV、照射量１×１０ -5C/cm2 とし、
所望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥ
Ｂを１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下
実施例１と同様の方法で良溶媒にδCONTが５８．８％Ｉ
ＰＡ、貧溶媒にδCONTが０％のシクロヘキサン（以下Ｃ
Ｈと略す）を選択した。ＩＰＡとＣＨは任意の組成に溶
け合い相溶性が良い。実施例１と同様の方法でこの溶媒
系の最適溶媒組成比ＩＰＡ／ＣＨ＝６０／４０を選択し
た。選択した溶媒組成比ＩＰＡ／ＣＨ＝６０／４０を現
像液として６０秒間現像処理し、続いてＣＨにて３０秒
間リンス処理を行って図１の５の所望パタンを得た。解
像性は最少解像パタン寸法が０．２μm で、被加工体上
２のアルミニュウム膜は現像液に有機混合溶媒を適用し
たため腐食現象が皆無であった。
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。そしてプリベークを１０５℃、２分間ホットプレ
ート上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射
条件を印加電圧３０KV、照射量１×１０ -5C/cm2 とし、
所望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥ
Ｂを１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下
実施例１と同様の方法で良溶媒にδCONTが５８．８％Ｉ
ＰＡ、貧溶媒にδCONTが０％のシクロヘキサン（以下Ｃ
Ｈと略す）を選択した。ＩＰＡとＣＨは任意の組成に溶
け合い相溶性が良い。実施例１と同様の方法でこの溶媒
系の最適溶媒組成比ＩＰＡ／ＣＨ＝６０／４０を選択し
た。選択した溶媒組成比ＩＰＡ／ＣＨ＝６０／４０を現
像液として６０秒間現像処理し、続いてＣＨにて３０秒
間リンス処理を行って図１の５の所望パタンを得た。解
像性は最少解像パタン寸法が０．２μm で、被加工体上
２のアルミニュウム膜は現像液に有機混合溶媒を適用し
たため腐食現象が皆無であった。
【００１６】実施例３ 被加工体にアルミニュウム膜を有するシリコン基板を用
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが４０．０％メチ
ルエチルケトン（以下ＭＥＫと略す）、貧溶媒にδCONT
が０％のＣＨを選択した。ＭＥＫとＣＨは任意の組成に
溶け合い相溶性が良い。実施例１と同様の方法でこの溶
媒系の最適溶媒組成比ＭＥＫ／ＣＨ＝６０／４０を選択
した。選択した溶媒組成比ＭＥＫ／ＣＨ＝６０／４０を
現像液として６０秒間現像処理し、続いてＣＨにて３０
秒間リンス処理を行って所望のパタンを得た。解像性は
最少解像パタン寸法が０．２μm で、被加工体上のアル
ミニュウム膜は現像液に有機混合溶媒を適用したため腐
食現象が皆無であった。
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが４０．０％メチ
ルエチルケトン（以下ＭＥＫと略す）、貧溶媒にδCONT
が０％のＣＨを選択した。ＭＥＫとＣＨは任意の組成に
溶け合い相溶性が良い。実施例１と同様の方法でこの溶
媒系の最適溶媒組成比ＭＥＫ／ＣＨ＝６０／４０を選択
した。選択した溶媒組成比ＭＥＫ／ＣＨ＝６０／４０を
現像液として６０秒間現像処理し、続いてＣＨにて３０
秒間リンス処理を行って所望のパタンを得た。解像性は
最少解像パタン寸法が０．２μm で、被加工体上のアル
ミニュウム膜は現像液に有機混合溶媒を適用したため腐
食現象が皆無であった。
【００１７】実施例４ 被加工体にアルミニュウム膜を有するシリコン基板を用
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが５０．２％のノ
ルマルプロピルアルコール（以下ＮＰＡと略す）、貧溶
媒にδCONTが０％のＮＨＰを選択した。ＮＰＡとＮＨＰ
は任意の組成に溶け合い相溶性が良い。実施例１と同様
の方法でこの溶媒系の最適溶媒組成比ＮＰＡ／ＮＨＰ＝
６０／４０を選択した。選択した溶媒組成比ＮＰＡ／Ｎ
ＨＰ＝６０／４０を現像液として６０秒間現像処理し、
続いてＮＨＰにて３０秒間リンス処理を行って所望のパ
タンを得た。解像性は最少解像パタン寸法が０．２μm
で、被加工体上のアルミニュウム膜は現像液に有機混合
溶媒を適用したため腐食現象が皆無であった。
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが５０．２％のノ
ルマルプロピルアルコール（以下ＮＰＡと略す）、貧溶
媒にδCONTが０％のＮＨＰを選択した。ＮＰＡとＮＨＰ
は任意の組成に溶け合い相溶性が良い。実施例１と同様
の方法でこの溶媒系の最適溶媒組成比ＮＰＡ／ＮＨＰ＝
６０／４０を選択した。選択した溶媒組成比ＮＰＡ／Ｎ
ＨＰ＝６０／４０を現像液として６０秒間現像処理し、
続いてＮＨＰにて３０秒間リンス処理を行って所望のパ
タンを得た。解像性は最少解像パタン寸法が０．２μm
で、被加工体上のアルミニュウム膜は現像液に有機混合
溶媒を適用したため腐食現象が皆無であった。
【００１８】実施例５ 被加工体にアルミニュウム膜を有するシリコン基板を用
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが３８．９％の酢
酸ノルマルブチル（以下ＢｕＡｃｅｔと略す）、貧溶媒
にδCONTが６．０％のメチルシクロヘキサン（以下Ｍｅ
ＣＨと略す）を選択した。ＢｕＡｃｅｔとＭｅＣＨは任
意の組成に溶け合い相溶性が良い。実施例１と同様の方
法でこの溶媒系の最適溶媒組成比ＢｕＡｃｅｔ／ＭｅＣ
Ｈ＝６０／４０を選択した。選択した溶媒組成比ＢｕＡ
ｃｅｔ／ＭｅＣＨ＝６０／４０を現像液として６０秒間
現像処理し、続いてＭｅＣＨにて３０秒間リンス処理を
行って所望のパタンを得た。解像性は最少解像パタン寸
法が０．２μm で、被加工体上のアルミニュウム膜は現
像液に有機混合溶媒を適用したため腐食現象が皆無であ
った。
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが３８．９％の酢
酸ノルマルブチル（以下ＢｕＡｃｅｔと略す）、貧溶媒
にδCONTが６．０％のメチルシクロヘキサン（以下Ｍｅ
ＣＨと略す）を選択した。ＢｕＡｃｅｔとＭｅＣＨは任
意の組成に溶け合い相溶性が良い。実施例１と同様の方
法でこの溶媒系の最適溶媒組成比ＢｕＡｃｅｔ／ＭｅＣ
Ｈ＝６０／４０を選択した。選択した溶媒組成比ＢｕＡ
ｃｅｔ／ＭｅＣＨ＝６０／４０を現像液として６０秒間
現像処理し、続いてＭｅＣＨにて３０秒間リンス処理を
行って所望のパタンを得た。解像性は最少解像パタン寸
法が０．２μm で、被加工体上のアルミニュウム膜は現
像液に有機混合溶媒を適用したため腐食現象が皆無であ
った。
【００１９】実施例６ 被加工体にアルミニュウム膜を有するシリコン基板を用
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
し、プリベークを１０５℃、２分間ホットプレート上で
行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条件を印
加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2とし、所望のパ
タン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢを１０
５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実施例１
と同様の方法で良溶媒にδCONTが６１．３％のメチルセ
ロソルブ（以下ＭｅＣｅと略す）、貧溶媒にδCONTが０
％のノルマルオクタン（以下ＮＯＣと略す）を選択し
た。ＭｅＣｅとＮＯＣは、任意の組成に溶け合い相溶性
が良い。実施例１と同様の方法でこの溶媒系の最適溶媒
組成比ＭｅＣｅ／ＮＯＣ＝６０／４０を選択した。選択
した溶媒組成比ＭｅＣｅ／ＮＯＣ＝６０／４０を現像液
として６０秒間現像処理し、続いてＮＯＣにて３０秒間
リンス処理を行って所望のパタンを得た。解像性は最少
解像パタン寸法が０．２μm で、被加工体上のアルミニ
ュウム膜は現像液に有機混合溶媒を適用したため腐食現
象が皆無であった。
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
し、プリベークを１０５℃、２分間ホットプレート上で
行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条件を印
加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2とし、所望のパ
タン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢを１０
５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実施例１
と同様の方法で良溶媒にδCONTが６１．３％のメチルセ
ロソルブ（以下ＭｅＣｅと略す）、貧溶媒にδCONTが０
％のノルマルオクタン（以下ＮＯＣと略す）を選択し
た。ＭｅＣｅとＮＯＣは、任意の組成に溶け合い相溶性
が良い。実施例１と同様の方法でこの溶媒系の最適溶媒
組成比ＭｅＣｅ／ＮＯＣ＝６０／４０を選択した。選択
した溶媒組成比ＭｅＣｅ／ＮＯＣ＝６０／４０を現像液
として６０秒間現像処理し、続いてＮＯＣにて３０秒間
リンス処理を行って所望のパタンを得た。解像性は最少
解像パタン寸法が０．２μm で、被加工体上のアルミニ
ュウム膜は現像液に有機混合溶媒を適用したため腐食現
象が皆無であった。
【００２０】実施例７ 被加工体にアルミニュウム膜を有するシリコン基板を用
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが３６．５％の酢
酸ノルマルプロピル（以下ＰｒｏＡｃｅｔと略す）、貧
溶媒にδCONTが０％のＮＯＣを選択した。ＰｒｏＡｃｅ
ｔとＮＯＣは任意の組成に溶け合い相溶性が良い。実施
例１と同様の方法でこの溶媒系の最適溶媒組成比Ｐｒｏ
Ａｃｅｔ／ＮＯＣ＝６０／４０を選択した。選択した溶
媒組成比ＰｒｏＡｃｅｔ／ＮＯＣ＝６０／４０を現像液
として６０秒間現像処理し、続いてＮＯＣにて３０秒間
リンス処理を行って所望のパタンを得た。解像性は最少
解像パタン寸法が０．２μm で、被加工体上のアルミニ
ュウム膜は現像液に有機混合溶媒を適用したため腐食現
象が皆無であった。
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが３６．５％の酢
酸ノルマルプロピル（以下ＰｒｏＡｃｅｔと略す）、貧
溶媒にδCONTが０％のＮＯＣを選択した。ＰｒｏＡｃｅ
ｔとＮＯＣは任意の組成に溶け合い相溶性が良い。実施
例１と同様の方法でこの溶媒系の最適溶媒組成比Ｐｒｏ
Ａｃｅｔ／ＮＯＣ＝６０／４０を選択した。選択した溶
媒組成比ＰｒｏＡｃｅｔ／ＮＯＣ＝６０／４０を現像液
として６０秒間現像処理し、続いてＮＯＣにて３０秒間
リンス処理を行って所望のパタンを得た。解像性は最少
解像パタン寸法が０．２μm で、被加工体上のアルミニ
ュウム膜は現像液に有機混合溶媒を適用したため腐食現
象が皆無であった。
【００２１】実施例８ 被加工体にアルミニュウム膜を有するシリコン基板を用
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが５９．２％のエ
チルセロソルブ（以下ＥｔＣｅと略す）、貧溶媒にδ
CONTが９．５％のエチルシクロヘキサン（以下ＥｔＣＨ
と略す）を選択した。ＥｔＣｅとＥｔＣＨは、任意の組
成に溶け合い相溶性が良い。実施例１と同様の方法でこ
の溶媒系の最適溶媒組成比ＥｔＣｅ／ＥｔＣＨ＝６０／
４０を選択した。選択した溶媒組成比ＥｔＣｅ／ＥｔＣ
Ｈ＝６０／４０を現像液として６０秒間現像処理し、続
いてＥｔＣＨにて３０秒間リンス処理を行って所望のパ
タンを得た。解像性は最少解像パタン寸法が０．２μm
で、被加工体上のアルミニュウム膜は現像液に有機混合
溶媒を適用したため腐食現象が皆無であった。
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
した。次にプリベークを１０５℃、２分間ホットプレー
ト上で行った。次にエネルギ線に電子線を用い、照射条
件を印加電圧３０KV、照射量１×１０-5C/cm2 とし、所
望のパタン形状となるように照射した。そして、ＰＥＢ
を１０５℃、２分間ホットプレート上で行った。以下実
施例１と同様の方法で良溶媒にδ CONTが５９．２％のエ
チルセロソルブ（以下ＥｔＣｅと略す）、貧溶媒にδ
CONTが９．５％のエチルシクロヘキサン（以下ＥｔＣＨ
と略す）を選択した。ＥｔＣｅとＥｔＣＨは、任意の組
成に溶け合い相溶性が良い。実施例１と同様の方法でこ
の溶媒系の最適溶媒組成比ＥｔＣｅ／ＥｔＣＨ＝６０／
４０を選択した。選択した溶媒組成比ＥｔＣｅ／ＥｔＣ
Ｈ＝６０／４０を現像液として６０秒間現像処理し、続
いてＥｔＣＨにて３０秒間リンス処理を行って所望のパ
タンを得た。解像性は最少解像パタン寸法が０．２μm
で、被加工体上のアルミニュウム膜は現像液に有機混合
溶媒を適用したため腐食現象が皆無であった。
【００２２】実施例９ 被加工体にアルミニュウム膜を有するシリコン基板を用
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
し、プリベークを１０５℃、２分間ホットプレート上で
行った。次にエネルギ線にＳＯＲ光を用い、露光条件を
露光電流１５０mA、露光量６００mJ/cm2とし、所望のパ
タン形状を有するTa吸収体膜厚０．６５μm のＸ線マス
クを用いて露光した。マスクと被加工体のギャップは３
０μm とした。そして、ＰＥＢを１０５℃、２分間ホッ
トプレート上で行った。現像液の溶媒系は、実施例１と
同様の方法で良溶媒ＩＰＡ、貧溶媒ＮＨＰ、混合組成比
ＩＰＡ／ＮＨＰ＝６２．５／３７．５を選択した。この
現像液で６０秒間現像処理し、続いてＩＰＡ／ＮＨＰ＝
３０／７０にて３０秒間中間リンス処理をし、さらにＮ
ＨＰにて３０秒間リンス処理をして所望のパタンを得
た。解像性は最少解像パタン寸法が０．１μmで、被加
工体上のアルミニュウム膜は現像液に有機混合溶媒系を
適用したため腐食現象が皆無であった。
い、その被加工体上にシップレイ社製の化学増幅系ネガ
型レジストＳＡＬ６０１を１．０μm となるように塗布
し、プリベークを１０５℃、２分間ホットプレート上で
行った。次にエネルギ線にＳＯＲ光を用い、露光条件を
露光電流１５０mA、露光量６００mJ/cm2とし、所望のパ
タン形状を有するTa吸収体膜厚０．６５μm のＸ線マス
クを用いて露光した。マスクと被加工体のギャップは３
０μm とした。そして、ＰＥＢを１０５℃、２分間ホッ
トプレート上で行った。現像液の溶媒系は、実施例１と
同様の方法で良溶媒ＩＰＡ、貧溶媒ＮＨＰ、混合組成比
ＩＰＡ／ＮＨＰ＝６２．５／３７．５を選択した。この
現像液で６０秒間現像処理し、続いてＩＰＡ／ＮＨＰ＝
３０／７０にて３０秒間中間リンス処理をし、さらにＮ
ＨＰにて３０秒間リンス処理をして所望のパタンを得
た。解像性は最少解像パタン寸法が０．１μmで、被加
工体上のアルミニュウム膜は現像液に有機混合溶媒系を
適用したため腐食現象が皆無であった。
【００２３】
【発明の効果】本発明によればノボラック樹脂を母材と
するレジスト材料の現像液に有機混合溶媒を適用したた
め、アルミニュウム、銅、銀、タンタル、タングステン
のようなアルカリ性現像液に腐食性を有する被加工体を
用いた場合にも高精度なパタン形成を可能とした。本発
明では、ＳＡＬ６０１を適用した場合について記載した
が、ＳＡＬ６０１以外のノボラック樹脂を母材とするレ
ジスト材料、およびノボラック樹脂を母材とする化学増
幅系レジストにも適用できる。また、貧溶媒、良溶媒相
互の相溶性が高いために溶媒組成を任意に選択できる。
従って、レジスト材料の分子量、添加剤、膨潤の程度、
および感度、解像性によって組成比を変えることが可能
で、常に最適な溶媒組成での現像処理を可能とした。
するレジスト材料の現像液に有機混合溶媒を適用したた
め、アルミニュウム、銅、銀、タンタル、タングステン
のようなアルカリ性現像液に腐食性を有する被加工体を
用いた場合にも高精度なパタン形成を可能とした。本発
明では、ＳＡＬ６０１を適用した場合について記載した
が、ＳＡＬ６０１以外のノボラック樹脂を母材とするレ
ジスト材料、およびノボラック樹脂を母材とする化学増
幅系レジストにも適用できる。また、貧溶媒、良溶媒相
互の相溶性が高いために溶媒組成を任意に選択できる。
従って、レジスト材料の分子量、添加剤、膨潤の程度、
および感度、解像性によって組成比を変えることが可能
で、常に最適な溶媒組成での現像処理を可能とした。
【図１】従来法と本発明とのパタン形成工程比較の図で
あり、図１Ａは、従来現像液で現像した場合のパタン形
成の工程図で、図１Ｂは本発明による現像液を使用した
場合のパタン形成の工程図である。
あり、図１Ａは、従来現像液で現像した場合のパタン形
成の工程図で、図１Ｂは本発明による現像液を使用した
場合のパタン形成の工程図である。
１ シリコン基板 ２ アルミニウム膜 ３ レジスト材料 ４ 電子線 ５ レジストパタン ６ 従来現像液によりパタン側壁下部のアルミニウム
膜がアンダーカット状に腐食 ７ 本発明ノ現像液を用いた場合のレジストパタン
膜がアンダーカット状に腐食 ７ 本発明ノ現像液を用いた場合のレジストパタン
フロントページの続き (72)発明者 松田 維人 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 良溶媒と貧溶媒とを組み合わせた有機混
合溶媒からなるノボラック樹脂を母材とするレジスト材
料のレジスト現像液に於いて、飽和脂肪族炭化水素類、
不飽和脂肪族炭化水素類、環状飽和炭化水素類からなる
群から選ばれる少なくとも一種を貧溶媒として含有し、
これと良溶媒とを組み合わせてなるレジスト現像液。 - 【請求項２】 溶解パラメータ（以下δと略す）を溶媒
の結合成分種毎に表した分散力（以下δd と略す）、水
素結合（以下δh と略す）、および極性基（以下δp と
略す）で示される溶媒の溶解性指標に於いて、式δCONT
＝（（δh ＋δp ）／（δd ＋δh ＋δp ））×１００
で示される溶媒の溶解パラメータに対する水素結合と極
性基の寄与率（以下δCONTと略す）が所定値以下である
貧溶媒とδCONTが所定値を越える良溶媒とを組み合わせ
た溶媒を用いることを特徴とする請求項１記載のレジス
ト現像液。 - 【請求項３】 被加工体基板上にレジスト材料を塗布
し、レジスト塗布した被加工体基板をプリベークし、次
に、前記レジスト塗布した被加工体基板をＸ線、電子
線、紫外線等の高エネルギ線を用いて所望のパタン形状
となるように高エネルギ線照射し、前記高エネルギ線照
射した被加工体基板を現像処理によって所望のパタンを
得るパタン形成方法に於いて、前記現像処理に請求項１
記載のレジスト現像液を用いることを特徴とするパタン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227073A JPH0566570A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | レジスト現像液およびパタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227073A JPH0566570A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | レジスト現像液およびパタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566570A true JPH0566570A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16855104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227073A Pending JPH0566570A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | レジスト現像液およびパタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566570A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011065105A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法及びそれに用いられる現像液 |
| JP2013041159A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク |
| WO2017057253A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
| WO2017057225A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
| WO2023026969A1 (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、パターン形成方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5182617A (en) * | 1975-01-17 | 1976-07-20 | Canon Kk | Saisenpataanyohotorejisutogenzohoho |
| JPS5683740A (en) * | 1979-12-13 | 1981-07-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Developer for polymer photoresist |
| JPS59137950A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS61292141A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-22 | Kuraray Co Ltd | レジスト現像法 |
| JPS62160446A (ja) * | 1986-01-04 | 1987-07-16 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | 光重合により架橋されるレリ−フ版体の製造方法 |
| JPH01282548A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Fujitsu Ltd | レジストパターン形成方法 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3227073A patent/JPH0566570A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5182617A (en) * | 1975-01-17 | 1976-07-20 | Canon Kk | Saisenpataanyohotorejisutogenzohoho |
| JPS5683740A (en) * | 1979-12-13 | 1981-07-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Developer for polymer photoresist |
| JPS59137950A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS61292141A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-22 | Kuraray Co Ltd | レジスト現像法 |
| JPS62160446A (ja) * | 1986-01-04 | 1987-07-16 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | 光重合により架橋されるレリ−フ版体の製造方法 |
| JPH01282548A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Fujitsu Ltd | レジストパターン形成方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011065105A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法及びそれに用いられる現像液 |
| JP2013041159A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク |
| WO2017057253A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
| WO2017057225A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
| CN108139691A (zh) * | 2015-09-30 | 2018-06-08 | 富士胶片株式会社 | 处理液及图案形成方法 |
| JPWO2017057253A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-06-28 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
| JPWO2017057225A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-06-28 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
| US10962884B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-03-30 | Fujifilm Corporation | Treatment liquid and pattern forming method |
| US11042094B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-06-22 | Fujifilm Corporation | Treatment liquid and pattern forming method |
| WO2023026969A1 (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、パターン形成方法 |
| JPWO2023026969A1 (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5498506A (en) | Positive-acting radiation-sensitive mixture and recording material produced therewith | |
| KR101977886B1 (ko) | 패턴 프로파일 개선용 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
| US6569251B1 (en) | Detergent for lithography | |
| EP2360526A1 (en) | Chemically amplified negative resist composition for E beam or EUV lithography and patterning process | |
| TWI285793B (en) | Positive-working photoresist composition | |
| EP2253996A1 (en) | Negative resist composition, patterning process, and testing process and preparation process of negative resist composition | |
| JPH01137246A (ja) | ポジ型の感光性組成物、レリーフパターンの製造法およびポジ型の感光性記録材料 | |
| TW200304582A (en) | Negative deep ultraviolet photoresist | |
| JPH0212153A (ja) | 酸分解可能の光化学的に酸形成する化合物を基礎とするポジ型の感放射線性混合物、ならびにレリーフパターンおよびレリーフ画像の製造法 | |
| CN101523295A (zh) | 显影后抗蚀基板处理溶液及使用它的抗蚀基板处理方法 | |
| JPH0566570A (ja) | レジスト現像液およびパタン形成方法 | |
| WO2006121162A1 (ja) | 感放射線性樹脂組成物の製造方法 | |
| WO2016121535A1 (ja) | 感放射線性又は感活性光線性組成物、並びに、それを用いた膜、マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
| US6753132B2 (en) | Pattern formation material and pattern formation method | |
| JPH01154049A (ja) | ポジ型のフォトレジスト組成物、ポジ型の感光性記録材料及びフォトレジストパターンの製造法 | |
| JPH10186638A (ja) | ロールコート用放射線感応性組成物 | |
| JPH11305442A (ja) | 化学増幅型ホトレジスト及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
| US6511786B2 (en) | Pattern formation material and pattern formation method | |
| US6645694B2 (en) | Pattern formation material and pattern formation method | |
| EP0564389A1 (en) | Stabilized chemically amplified positive resist composition containing glycol ether polymers | |
| JP2000191656A (ja) | 多酸素含有化合物、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ン形成方法、及び半導体素子 | |
| JP3856237B1 (ja) | シリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜 | |
| US6737213B2 (en) | Pattern formation material and method | |
| JP3053957B2 (ja) | ナフトキノンジアジドスルホン酸混合エステルを含む組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料 | |
| US6689536B2 (en) | Pattern formation material and pattern formation method |