JPH056662B2 - - Google Patents
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- JPH056662B2 JPH056662B2 JP58204702A JP20470283A JPH056662B2 JP H056662 B2 JPH056662 B2 JP H056662B2 JP 58204702 A JP58204702 A JP 58204702A JP 20470283 A JP20470283 A JP 20470283A JP H056662 B2 JPH056662 B2 JP H056662B2
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- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/04—Analysing solids
- G01N29/07—Analysing solids by measuring propagation velocity or propagation time of acoustic waves
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/04—Analysing solids
- G01N29/06—Visualisation of the interior, e.g. acoustic microscopy
- G01N29/0609—Display arrangements, e.g. colour displays
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- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/26—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor
- G01N29/265—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor by moving the sensor relative to a stationary material
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/04—Wave modes and trajectories
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、超音波を利用して構造材などの欠陥
の位置と大きさ並びにその深さを測定する方法に
関する。
の位置と大きさ並びにその深さを測定する方法に
関する。
従来の欠陥の探傷法は、第1図に示すごとく被
検体1に沿つて探触子2を走査し、欠陥3に超音
波ビーム4をあて、その反射エコーの強度を測定
していた。また、その欠陥の深さは超音波ビーム
5を欠陥3の端部に当てる端部ピークエコー法で
測定していた。これらの測定した結果は、第2図
に示すごとく横軸に時間t、縦軸にエコー高さh
をとると、超音波は発信波6と欠陥からの反射エ
コー40,50のようになる。この反射エコー4
0の高さから欠陥の大きさを求めることができ
る。また、その位置も時間Aからビーム路程を計
算することにより求められる。さらに端部ピーク
エコー50の現われる時間Bから欠陥の深さを求
めることができる。
検体1に沿つて探触子2を走査し、欠陥3に超音
波ビーム4をあて、その反射エコーの強度を測定
していた。また、その欠陥の深さは超音波ビーム
5を欠陥3の端部に当てる端部ピークエコー法で
測定していた。これらの測定した結果は、第2図
に示すごとく横軸に時間t、縦軸にエコー高さh
をとると、超音波は発信波6と欠陥からの反射エ
コー40,50のようになる。この反射エコー4
0の高さから欠陥の大きさを求めることができ
る。また、その位置も時間Aからビーム路程を計
算することにより求められる。さらに端部ピーク
エコー50の現われる時間Bから欠陥の深さを求
めることができる。
しかし、この探傷法の欠点は次のような事項が
ある。
ある。
(1) 被検体の内部に超音波を入射させるので、表
面での入射効率と底面での反射効率の影響をう
け、エコー強度は小さくなるので探傷感度が低
下する。また、被検体の金属組織の粒界が粗く
なると、この部分での超音波減衰が大きくなり
探傷感度が低下する。また、粒界からの反射が
大きくなり林状エコーなどが現れるので、S/
N比も低下する。
面での入射効率と底面での反射効率の影響をう
け、エコー強度は小さくなるので探傷感度が低
下する。また、被検体の金属組織の粒界が粗く
なると、この部分での超音波減衰が大きくなり
探傷感度が低下する。また、粒界からの反射が
大きくなり林状エコーなどが現れるので、S/
N比も低下する。
(2) 被検体に入射する超音波の入射角度によつて
縦波と横波との両方が存在し両方のエコーが現
われるので信号の分離が悪くなる。
縦波と横波との両方が存在し両方のエコーが現
われるので信号の分離が悪くなる。
(3) 被検体の材質によつて、共振周波数を高くす
ると超音波の減衰が大きくなる。
ると超音波の減衰が大きくなる。
(4) 被検体内などの減衰のため、探触子のサイズ
を大きくする必要がある。
を大きくする必要がある。
(5) 被検体の金属組織が粗くなると、端部ピーク
エコーが現われないため、この端部ピークエコ
ー法が適用できない。
エコーが現われないため、この端部ピークエコ
ー法が適用できない。
本発明の目的は、探傷感度、S/N比が高く、
被検体の材質や板厚の影響を受けずに、欠陥の位
置と大きさ並びに深さを合わせて検出できる超音
波探傷方法を提供することにある。
被検体の材質や板厚の影響を受けずに、欠陥の位
置と大きさ並びに深さを合わせて検出できる超音
波探傷方法を提供することにある。
探触子を被検体表面からの垂直エコー高さが表
面の欠陥からのエコー高さより低くなる入射角度
に設定し、超音波として縦波のみを用い、探触子
から接触媒質を介して被検体表面に前記縦波を入
射させ、前記被検体表面で反射したエコーのみを
前記探触子で検出し、前記探触子から入射させた
発信波と欠陥表面端部からのエコーとの時間差、
及び前記探触子の位置と設定角度を用いて、欠陥
の位置と大きさを求め、前記欠陥表面端部からの
エコーと欠陥底部からのエコーとの時間差を用い
て、前記欠陥の深さを求めることを特徴とする。
面の欠陥からのエコー高さより低くなる入射角度
に設定し、超音波として縦波のみを用い、探触子
から接触媒質を介して被検体表面に前記縦波を入
射させ、前記被検体表面で反射したエコーのみを
前記探触子で検出し、前記探触子から入射させた
発信波と欠陥表面端部からのエコーとの時間差、
及び前記探触子の位置と設定角度を用いて、欠陥
の位置と大きさを求め、前記欠陥表面端部からの
エコーと欠陥底部からのエコーとの時間差を用い
て、前記欠陥の深さを求めることを特徴とする。
[発明の実施例]
本発明の一実施例を第3図を用いて説明する。
第3図は水浸状態で、探触子200を被検体1表
面の法線方向に対してθの傾き角度(入射角)を
もたせ、治具12に沿つて探触子20まで走査
し、欠陥30の位置と大きさ並びに深さを検出す
るものである。以下詳細に説明する。探触子20
0の位置でケーブル110を介して探傷器(図示
せず)からパルス電圧が印加されると超音波ビー
ム100が発生し、被検体1で反射するものと被
検体1内部に入射するものがある。しかし、これ
らのビーム100は、いずれも探触子200(こ
の場合はサイズ1/2インチ、共振周波数2.25MHz)
を入射角θ(この場合は10度)に設定するととも
に所定の水距離(この場合は60mm)をもたせてい
る。この場合は、探触子100に戻るエコーはな
い。その状態を探傷器のCRTに現われるAスコ
ープ波形で示すと第4図になる。すなわち縦軸が
エコー高さh、横軸が超音波の伝幡時間tであ
り、この場合にCRT画面に現われる波形は超音
波ビームの発信波21だけである。
第3図は水浸状態で、探触子200を被検体1表
面の法線方向に対してθの傾き角度(入射角)を
もたせ、治具12に沿つて探触子20まで走査
し、欠陥30の位置と大きさ並びに深さを検出す
るものである。以下詳細に説明する。探触子20
0の位置でケーブル110を介して探傷器(図示
せず)からパルス電圧が印加されると超音波ビー
ム100が発生し、被検体1で反射するものと被
検体1内部に入射するものがある。しかし、これ
らのビーム100は、いずれも探触子200(こ
の場合はサイズ1/2インチ、共振周波数2.25MHz)
を入射角θ(この場合は10度)に設定するととも
に所定の水距離(この場合は60mm)をもたせてい
る。この場合は、探触子100に戻るエコーはな
い。その状態を探傷器のCRTに現われるAスコ
ープ波形で示すと第4図になる。すなわち縦軸が
エコー高さh、横軸が超音波の伝幡時間tであ
り、この場合にCRT画面に現われる波形は超音
波ビームの発信波21だけである。
次に第3図の探触子200を支持具13に保持
された治具12に沿つて同じ水距離で動かす。探
触子20の位置にすると超音波ビームは被検体1
の欠陥30(スリツト、幅1mm)に当る。この場
合のAスコープ波形は第5図に示すごとくなる。
すなわち発信波21のほかに第3図の欠陥30の
表面端部31からのエコー22と第3図の欠陥底
部32のエコー23が現われる。この他、第3図
の欠陥底部32からの遅れエコー25も現われ
る。ここで、時間差Cと水中の音速とから第3図
に示す水距離lが分るので、移動量xと角度θか
ら欠陥の位置が分る。また時間差Dと水中の音速
から欠陥深さが分る。
された治具12に沿つて同じ水距離で動かす。探
触子20の位置にすると超音波ビームは被検体1
の欠陥30(スリツト、幅1mm)に当る。この場
合のAスコープ波形は第5図に示すごとくなる。
すなわち発信波21のほかに第3図の欠陥30の
表面端部31からのエコー22と第3図の欠陥底
部32のエコー23が現われる。この他、第3図
の欠陥底部32からの遅れエコー25も現われ
る。ここで、時間差Cと水中の音速とから第3図
に示す水距離lが分るので、移動量xと角度θか
ら欠陥の位置が分る。また時間差Dと水中の音速
から欠陥深さが分る。
以上の条件(探触子サイズ1/2インチ、共振周
波数2.25MHz、水距離60mm、被検体の欠陥スリツ
ト幅1mm)の場合に入射角θとエコー高さhの関
係を示すと第6図になる。入射角θが0〜約3度
までは被検体表面から垂直エコー24が大きい。
しかし、3度以上にすると欠陥表面端部エコー2
2、欠陥底部エコー23及び欠陥底部遅れエコー
25が大きくなる。これらのエコーから欠陥を検
出する。まず、探触子20の移動した距離xと入
射角θとから欠陥の位置を求めることができる。
また、第4図の時間差Dと水中の音速とから欠陥
深さを求めることができる。さらに、第3図のx
と直交した方向の距離yから欠陥の大きさを求め
ることができる。入射角θを3度以下で探傷した
時のAスコープ波形を第7図に示す。この場合は
被検体表面からの垂直エコー24とその多重エコ
ー24A及び被検体底面からのエコー26が大き
く現われる。逆に欠陥表面端部エコー22と欠陥
底面エコー23が極めて小さくなるので、欠陥の
検出が難しくなる。
波数2.25MHz、水距離60mm、被検体の欠陥スリツ
ト幅1mm)の場合に入射角θとエコー高さhの関
係を示すと第6図になる。入射角θが0〜約3度
までは被検体表面から垂直エコー24が大きい。
しかし、3度以上にすると欠陥表面端部エコー2
2、欠陥底部エコー23及び欠陥底部遅れエコー
25が大きくなる。これらのエコーから欠陥を検
出する。まず、探触子20の移動した距離xと入
射角θとから欠陥の位置を求めることができる。
また、第4図の時間差Dと水中の音速とから欠陥
深さを求めることができる。さらに、第3図のx
と直交した方向の距離yから欠陥の大きさを求め
ることができる。入射角θを3度以下で探傷した
時のAスコープ波形を第7図に示す。この場合は
被検体表面からの垂直エコー24とその多重エコ
ー24A及び被検体底面からのエコー26が大き
く現われる。逆に欠陥表面端部エコー22と欠陥
底面エコー23が極めて小さくなるので、欠陥の
検出が難しくなる。
被検体の欠陥深さを変化させた場合のAスコー
プ波形の変化を示すと第8図になる。同図から欠
陥深さが深い時は、欠陥底部からのエコーはエコ
ー23Aの位置に現われ欠陥表面端部エコー22
との時間差D1が長くなる。これに対して欠陥深
さが浅い場合は、欠陥底部エコー23Bに位置に
現われ、欠陥表面端部エコー22の側に近づいて
時間差D2は短くなる。このD1,D2の時間から
水中の音速を使つてそれぞれの深さを計算でき
る。
プ波形の変化を示すと第8図になる。同図から欠
陥深さが深い時は、欠陥底部からのエコーはエコ
ー23Aの位置に現われ欠陥表面端部エコー22
との時間差D1が長くなる。これに対して欠陥深
さが浅い場合は、欠陥底部エコー23Bに位置に
現われ、欠陥表面端部エコー22の側に近づいて
時間差D2は短くなる。このD1,D2の時間から
水中の音速を使つてそれぞれの深さを計算でき
る。
被検体に設けた欠陥の幅を第9図のように大き
くした場合でも同様の欠陥検出が可能である。入
射角θを変えて被検体19の欠陥300を探傷し
た場合のエコー高さの変化を第10図に示す。同
図から第6図と同じく入射角θが約3度までは垂
直エコー24が高い。しかし、入射角θを約3度
以上にすると第9図の欠陥表面端部310からの
エコー22と第9図の欠陥底部320のエコー2
3とが垂直エコー24より高くなり、欠陥の位置
と深さを検出できる。この場合は第6図にみられ
た欠陥底部からの遅れエコー25は検出されな
い。
くした場合でも同様の欠陥検出が可能である。入
射角θを変えて被検体19の欠陥300を探傷し
た場合のエコー高さの変化を第10図に示す。同
図から第6図と同じく入射角θが約3度までは垂
直エコー24が高い。しかし、入射角θを約3度
以上にすると第9図の欠陥表面端部310からの
エコー22と第9図の欠陥底部320のエコー2
3とが垂直エコー24より高くなり、欠陥の位置
と深さを検出できる。この場合は第6図にみられ
た欠陥底部からの遅れエコー25は検出されな
い。
次に水距離の影響についてみる。第3図に示す
水距離lを半分の30mmにし、他の条件は探触子サ
イズ1/2インチ、共振周波数2.25MHz、スリツト
欠陥幅1mmとし、水距離60mmの場合と同じくし
た。この結果は第11図のようになり、欠陥表面
端部エコー22の近くに他のエコー22A,22
B,22Cが現われる。つまり、欠陥表面端部か
らのエコー22を正しく評価できなくなる可能性
が大きくなる。従つて、欠陥の位置と欠陥深さの
検出が難しくなる。この原因は近距離音場の不安
定領域による影響である。ビーム路程Lの変化に
伴う音圧Pは第12図に示す波形31Aになる。
ここでx0は近距離音場限界距離とよび、次式で表
わされる。
水距離lを半分の30mmにし、他の条件は探触子サ
イズ1/2インチ、共振周波数2.25MHz、スリツト
欠陥幅1mmとし、水距離60mmの場合と同じくし
た。この結果は第11図のようになり、欠陥表面
端部エコー22の近くに他のエコー22A,22
B,22Cが現われる。つまり、欠陥表面端部か
らのエコー22を正しく評価できなくなる可能性
が大きくなる。従つて、欠陥の位置と欠陥深さの
検出が難しくなる。この原因は近距離音場の不安
定領域による影響である。ビーム路程Lの変化に
伴う音圧Pは第12図に示す波形31Aになる。
ここでx0は近距離音場限界距離とよび、次式で表
わされる。
x0=D2/4λ ……(1)
ここで、
x0:近距離音場限界距離(mm)
D:探触子の直径(mm)
λ:波長(mm)
この近距離音場限界距離x0の半分の距離x0/2
近傍までが不安定領域になる。波長λは、次式か
ら計算できる。
近傍までが不安定領域になる。波長λは、次式か
ら計算できる。
λ=C/f ……(2)
ここで
λ:波長(m)
C:音速(m/s)
f:共振周波数(MHz)
探触子の共振周波数を2.25MHz、水中の音速C
を1480m/sとすると、波長λは0.66mmになる。
これから探触子のサイズを1/2インチとして近距
離音場限界距離x0を計算すると約61mmになる。こ
の結果から先の水距離60mmは音圧の高い近距離音
場限界距離x0とほぼ一致する。この時の音場分布
を測定すると第13図で、横軸をエコーの広がり
φとし、縦軸をエコー高さhとすると、その音場
分布は1つのピークをもつ波形31Aになる。こ
れに対し、水距離を半分の30mmにすると、第12
図に示すx0/2内に入るので不安定領域になる。
その音場分布を測定した結果は第14図で、複数
のピークをもつ波形33Aになる。
を1480m/sとすると、波長λは0.66mmになる。
これから探触子のサイズを1/2インチとして近距
離音場限界距離x0を計算すると約61mmになる。こ
の結果から先の水距離60mmは音圧の高い近距離音
場限界距離x0とほぼ一致する。この時の音場分布
を測定すると第13図で、横軸をエコーの広がり
φとし、縦軸をエコー高さhとすると、その音場
分布は1つのピークをもつ波形31Aになる。こ
れに対し、水距離を半分の30mmにすると、第12
図に示すx0/2内に入るので不安定領域になる。
その音場分布を測定した結果は第14図で、複数
のピークをもつ波形33Aになる。
このように探傷の場合は、近距離音場限界距離
x0の近くの安定領域あるいは遠距離音場領域にな
るように水距離、探触子サイズと共振周波数を選
択する必要がある。このようにすれば、第11図
の雑エコー22A,22B,22Cをなくすこと
ができる。
x0の近くの安定領域あるいは遠距離音場領域にな
るように水距離、探触子サイズと共振周波数を選
択する必要がある。このようにすれば、第11図
の雑エコー22A,22B,22Cをなくすこと
ができる。
このようにx0以上の遠距離音場の領域まで利用
すれば探触子サイズと共振周波数を選択できる範
囲は広くなる。
すれば探触子サイズと共振周波数を選択できる範
囲は広くなる。
以上のように本実施例によれば、以下の効果が
ある。
ある。
1 被検体の内部に超音波ビームを入射させない
ので、材質による減衰などの影響をうけない。
従つて探傷感度、S/N比を高くできる。ま
た、被検体材質、板厚の影響をうけないので、
超音波の透過しない材質あるいは減衰の大きい
材質にも適用できる。この結果、検査できる対
象を極めて広くできる。
ので、材質による減衰などの影響をうけない。
従つて探傷感度、S/N比を高くできる。ま
た、被検体材質、板厚の影響をうけないので、
超音波の透過しない材質あるいは減衰の大きい
材質にも適用できる。この結果、検査できる対
象を極めて広くできる。
2 縦波だけを利用するのでモード変化の影響を
うけない。従つて不要なエコーの発生がなく欠
陥エコーの識別が容易になる。
うけない。従つて不要なエコーの発生がなく欠
陥エコーの識別が容易になる。
3 欠陥の開口幅にに関係なく、欠陥の位置と大
きさ並びに深さを合せて検出することができ
る。
きさ並びに深さを合せて検出することができ
る。
4 本探傷法では共振周波数の探傷感度、S/N
比への影響は少ないので、幅広い範囲の共振周
波数を選択できる。
比への影響は少ないので、幅広い範囲の共振周
波数を選択できる。
5 水中だけの伝幡であるため減衰がほとんどな
く、小さな探触子でも利用できる。
く、小さな探触子でも利用できる。
6 送受兼用のため、1個の探触子で探傷でき
る。
る。
実施例では水浸状態での欠陥の位置と深さの検
出について述べたが、本発明は、この水浸探傷法
だけに適用を限定するものではない。例えば、被
検体と探触子の間に接触媒質を入れて探傷する部
分水浸法に対しても何んら問題なく適用できる。
第15図はその例を示したもので、被検体1の表
面に沿つてシユー43付の探触子42を走査す
る。この場合、シユー43と被検体1の表面との
間に水あるいはグリセリンなどの接触媒質を介在
させ、超音波の伝播を良くしておく。シユー43
は探触子42からの超音波ビーム44が角度θ1
になるように所定の傾斜をもたせておく。この角
度θ1は、超音波ビーム44がシユー43と接触
媒質を介して被検体1に入射する時の入射角が3
度以上で、かつ縦波だけが入射する角度にする必
要がある。このようにして被検体1の上を探触子
42を走査すれば、実施例の水浸探傷法と同様に
欠陥30の表面端部と欠陥底部からのエコーを得
ることができる。この場合のシユー43の高さは
探触子42のサイズによつて近距離音場の不安定
領域をさけるような寸法にする。
出について述べたが、本発明は、この水浸探傷法
だけに適用を限定するものではない。例えば、被
検体と探触子の間に接触媒質を入れて探傷する部
分水浸法に対しても何んら問題なく適用できる。
第15図はその例を示したもので、被検体1の表
面に沿つてシユー43付の探触子42を走査す
る。この場合、シユー43と被検体1の表面との
間に水あるいはグリセリンなどの接触媒質を介在
させ、超音波の伝播を良くしておく。シユー43
は探触子42からの超音波ビーム44が角度θ1
になるように所定の傾斜をもたせておく。この角
度θ1は、超音波ビーム44がシユー43と接触
媒質を介して被検体1に入射する時の入射角が3
度以上で、かつ縦波だけが入射する角度にする必
要がある。このようにして被検体1の上を探触子
42を走査すれば、実施例の水浸探傷法と同様に
欠陥30の表面端部と欠陥底部からのエコーを得
ることができる。この場合のシユー43の高さは
探触子42のサイズによつて近距離音場の不安定
領域をさけるような寸法にする。
水浸法で探傷する場合、被検体の傾きやうねり
のため、水距離(ビーム路程)と入射角が変化す
る可能性がある。これに対処して探傷用とは別の
探触子Bを設け、この探触子Bを被検体に対して
常に垂直ビームが最大になるように傾きを制御す
る。また、この探触子Bの発信波と被検体表面か
らのエコーの時間差から水距離を求め、この探触
子Bを所定の水距離にする。この探触子Bの角度
と水距離を基準にして探傷用の探触子Aの入射角
と水距離とを制御する。この2探触子法とは別に
可変角法でも可能である。第16図に示すように
探触子の入射角を0度にし、これを基準として水
距離を計算し、所定水距離に制御する。次に探傷
する所定の入射角度に操作し、探傷をする。この
ように探傷する範囲を全走査する。
のため、水距離(ビーム路程)と入射角が変化す
る可能性がある。これに対処して探傷用とは別の
探触子Bを設け、この探触子Bを被検体に対して
常に垂直ビームが最大になるように傾きを制御す
る。また、この探触子Bの発信波と被検体表面か
らのエコーの時間差から水距離を求め、この探触
子Bを所定の水距離にする。この探触子Bの角度
と水距離を基準にして探傷用の探触子Aの入射角
と水距離とを制御する。この2探触子法とは別に
可変角法でも可能である。第16図に示すように
探触子の入射角を0度にし、これを基準として水
距離を計算し、所定水距離に制御する。次に探傷
する所定の入射角度に操作し、探傷をする。この
ように探傷する範囲を全走査する。
実施例ではスリツト欠陥について述べたが、こ
れに限定されるものでなく、ピンホール、自然状
の割れなどに対しても問題なく適用できることは
いうまでもない。さらに欠陥部が鋭角になつてい
なくとも、例えば丸みなどがあつても問題なく適
用できる。
れに限定されるものでなく、ピンホール、自然状
の割れなどに対しても問題なく適用できることは
いうまでもない。さらに欠陥部が鋭角になつてい
なくとも、例えば丸みなどがあつても問題なく適
用できる。
本発明の特徴は被検体内部からのエコーを利用
せず、被検体表面からのエコーのみを利用するの
で、金属だけでなくセラミツク、プラスチツクな
どにも応用できる。
せず、被検体表面からのエコーのみを利用するの
で、金属だけでなくセラミツク、プラスチツクな
どにも応用できる。
本発明の特徴は、欠陥の位置と大きさ並びに深
さが検出できることにある。しかし、欠陥内部に
超音波が伝播しない場合も考えられるが、この場
合でも欠陥位置と大きさだけは検出できる。
さが検出できることにある。しかし、欠陥内部に
超音波が伝播しない場合も考えられるが、この場
合でも欠陥位置と大きさだけは検出できる。
実施例では探触子を走査して探傷する方法につ
いて述べたが、これに限定されるものでなく、被
検体の方を動かして探傷する方法であつても何ん
ら目的から逸脱するものではない。
いて述べたが、これに限定されるものでなく、被
検体の方を動かして探傷する方法であつても何ん
ら目的から逸脱するものではない。
1 被検体内での超音波の減衰や散乱などの影響
を受けずに、高感度、高S/N比で探傷でき
る。
を受けずに、高感度、高S/N比で探傷でき
る。
2 被検体の材質や板厚の影響を受けずに、超音
波の透過しない材質や、減衰の大きい材質にも
適用できる。
波の透過しない材質や、減衰の大きい材質にも
適用できる。
3 被検体の欠陥の位置と大きさ、並びに深さを
合せて検出できる。
合せて検出できる。
第1図は従来の探傷法の側面図、第2図はその
探傷したAスコープ波形図、第3図は本発明の原
理を説明する側面図、第4図、第5図は探傷した
Aスコープ波形図、第6図は入射角度とエコー高
さの関係を示す図、第7図、第8図は探傷のAス
コープ波形図、第9図は探傷状態を示す側面図、
第10図は入射角度とエコー高さの関係を示す
図、第11図はAスコープ波形図、第12図はビ
ーム路程と音圧との関係を示す図、第13図、第
14図は音場分布の波形図、第15図は探傷状態
を示す側面図、第16図は入射角度と水距離を制
御する処理フロー線図である。 1……被検体、12……治具、20,200…
…探触子、100……超音波ビーム、110……
ケーブル、30……欠陥。
探傷したAスコープ波形図、第3図は本発明の原
理を説明する側面図、第4図、第5図は探傷した
Aスコープ波形図、第6図は入射角度とエコー高
さの関係を示す図、第7図、第8図は探傷のAス
コープ波形図、第9図は探傷状態を示す側面図、
第10図は入射角度とエコー高さの関係を示す
図、第11図はAスコープ波形図、第12図はビ
ーム路程と音圧との関係を示す図、第13図、第
14図は音場分布の波形図、第15図は探傷状態
を示す側面図、第16図は入射角度と水距離を制
御する処理フロー線図である。 1……被検体、12……治具、20,200…
…探触子、100……超音波ビーム、110……
ケーブル、30……欠陥。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 超音波を利用して材料又は製品の表面探傷を
行なう方法において、 前記超音波として縦波のみを用い、探触子から
接触媒質を介して被検体表面に前記縦波を入射さ
せ、前記被検体表面で反射したエコーのみを前記
探触子で検出し、 前記探触子から入射させた発信波と欠陥表面端
部からのエコーとの時間差、及び前記探触子の位
置と設定角度を用いて、欠陥の位置と大きさを求
め、 前記欠陥表面端部からのエコーと欠陥底部から
のエコーとの時間差を用いて、前記欠陥の深さを
求めることを特徴とする超音波探傷方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204702A JPS6097269A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 超音波探傷方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204702A JPS6097269A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 超音波探傷方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097269A JPS6097269A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH056662B2 true JPH056662B2 (ja) | 1993-01-27 |
Family
ID=16494893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204702A Granted JPS6097269A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 超音波探傷方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097269A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7742023B2 (ja) * | 2021-11-25 | 2025-09-19 | 大同特殊鋼株式会社 | 超音波探傷方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5455493A (en) * | 1977-10-12 | 1979-05-02 | Japan Steel Works Ltd | Method of measuring fault depth of pressure container by ultrasonic wave |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204702A patent/JPS6097269A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6097269A (ja) | 1985-05-31 |
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