JPH0566982U - 半田バンプの形成方法 - Google Patents

半田バンプの形成方法

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Publication number
JPH0566982U
JPH0566982U JP007889U JP788992U JPH0566982U JP H0566982 U JPH0566982 U JP H0566982U JP 007889 U JP007889 U JP 007889U JP 788992 U JP788992 U JP 788992U JP H0566982 U JPH0566982 U JP H0566982U
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JP
Japan
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solder
pattern
wiring board
solder wire
wire
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Pending
Application number
JP007889U
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English (en)
Inventor
修 梅田
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Fujitsu General Ltd
Original Assignee
Fujitsu General Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0566982U publication Critical patent/JPH0566982U/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 配線基板のパターンの上面に超音波によるウ
エッジボンディングで半田ワイヤーを接着し、半田ワイ
ヤーを切断し、リフローすることによりパターンの上面
に半田バンプを形成する。 【構成】 配線基板２のパターン２２の上面に半田ワイ
ヤー３を接続するために超音波によるウエッジボンディ
ング４を行う。そして半田ワイヤーの他端をカッターを
用いて切断する。次に配線基板をリフローすることによ
りパターンの上面に半田バンプを形成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、配線基板上に形成されたパターン上に半田バンプを形成する方法に 関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ハイブリッドＩＣ等の高密度の表面実装を行う方法として、基板にファ インパターンを形成して半導体ベアチップを搭載する。このような実装方法とし てフリップチップ工法がある。図５は従来のフリップチップ工法の一例で、１は 半導体ベアチップで、半導体ベアチップの表面の電極１３にバンプ１２を形成し ている。２は配線基板で、配線基板の表面のパターン（電極）２２の上に半田バ ンプまたは導電性接着剤２１が形成されている。配線基板２の上に半導体ベアチ ップ１を載せてリフローを行なうことによって両者を接続する。半田バンプ２１ をパターン２２の上に形成するための製造方法には次の方法がある。１．半田ペ ーストの印刷。２．半田ディップ。３．ディスペンサーによる半田ペーストの供 給。４．超音波と加熱の併用のウエッジボンダーによる半田の形成。 配線基板２のパターン２２の上に形成される半田の量は直径１００ミクロン、 高さ２０〜１００ミクロンである。またパターン２２の間隔は１５０ミクロンで ある。そのため上記の方法の１、２および３では半田の供給が難しく問題があり 、４の方法においては、半田ワイヤーの先端に半田の玉を放電により形成するた めこのとき酸化防止の不活性ガスが必要でこのような設備を備えた専用装置が必 要になる等の問題があった。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
本考案は、上記従来の技術の問題点に鑑みなされたもので、配線基板のパター ンの上面に超音波によるウエッジボンディングで半田ワイヤーを接着し、半田ワ イヤーを切断し、リフローすることによりパターンの上面に半田バンプを形成す る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本考案では、配線基板上に形成されたパターンの上 に超音波によるウエッジボンダーを用いて半田ワイヤーをボンディングし、該半 田ワイヤーを切断し、該配線基板をリフローすることにより前記パターン上に半 田バンプを形成することを特徴とする半田バンプの形成方法を提供するものであ る。
【０００５】
【作用】
上記構成によれば、配線基板のパターンの上面に半田ワイヤを接続するために 超音波によるウエッジボンディングを行う。そして半田ワイヤの他端をカッター を用いて切断する。次に配線基板をリフローすることによりパターンの上面に半 田バンプを形成する
【０００６】
【実施例】
本考案の実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。図１から図４は本考案 の半田バンプの形成方法の一実施例を示す断面図である。 図において、２は配線基板で、配線基板の上面にパターン（電極）２２が形成 されている。図２はウエッジボンディングの図で、４はウエッジボンダーの超音 波印加ツールで、半田ワイヤー３の先端部がパターン２２の上面部に供給され、 超音波印加ツール４が半田ワイヤー３の上部より半田ワイヤー３を抑えながら超 音波を印加する。超音波の印加により半田ワイヤー３はパターン２２の上面部に 振動による摩擦熱で接着され、しかる後、図示しないが半田ワイヤー３の他端は カッターで切断する。図３は半田ワイヤー３がパターン２２の上面に接着された 図で、このようにして加工された配線基板２はリフロー槽に挿入されリフローす ることにより、半田ワイヤー３は溶融し、表面張力により丸くなる。図４はリフ ローされた配線基板の図で、配線基板２のパターン２２の上面には半田バンプ２ １が形成されている。
【０００７】
【考案の効果】
以上のように本考案においては、半田ワイヤーの径と圧着幅だけで供給量を制 御するため供給量を均一にすることができるので、バンプの大きさは均一化する 。また放電により半田ボールを造らないため加熱工程がなく酸化防止のための不 活性ガス供給装置がいらないので設備が少なくてすみ、設備費が安く済む等の効 果は大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の半田バンプの形成方法の一実施例を示
す断面図である。
【図２】本考案の半田バンプの形成方法を示す断面図で
ある。
【図３】本考案の半田バンプの形成方法を示す断面図で
ある。
【図４】本考案の半田バンプの形成方法を示す断面図で
ある。
【図５】従来のフリップチップ工法を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 半導体ベアチップ 12 バンプ 13 電極 ２ 配線基板 21 半田バンプ 22 パターン ３ 半田ワイヤー ４ 超音波印加ツール

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 配線基板上に形成されたパターンの上に
    超音波によるウエッジボンダーを用いて半田ワイヤーを
    ボンディングし、該半田ワイヤーを切断し、該配線基板
    をリフローすることにより前記パターン上に半田バンプ
    を形成することを特徴とする半田バンプの形成方法。
JP007889U 1992-02-24 1992-02-24 半田バンプの形成方法 Pending JPH0566982U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148495A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法、半導体装置におけるバンプ密着性評価方法
JP2007281327A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Nichicon Corp 微小はんだ付けランドへのはんだ供給方法

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