JPH056790B2 - - Google Patents
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- JPH056790B2 JPH056790B2 JP60242243A JP24224385A JPH056790B2 JP H056790 B2 JPH056790 B2 JP H056790B2 JP 60242243 A JP60242243 A JP 60242243A JP 24224385 A JP24224385 A JP 24224385A JP H056790 B2 JPH056790 B2 JP H056790B2
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- Japan
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- ion beam
- wafer
- electrons
- introduction tube
- ion
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造プロセスなどに用いられる
イオン注入装置に係り、特に正電荷を持つたイオ
ンを注入する時に半導体素子中の絶縁体部分の電
荷蓄積による半導体ウエハー帯電を防止するため
に使用されるイオン注入装置に関する。
イオン注入装置に係り、特に正電荷を持つたイオ
ンを注入する時に半導体素子中の絶縁体部分の電
荷蓄積による半導体ウエハー帯電を防止するため
に使用されるイオン注入装置に関する。
［従来の技術］
イオン注入装置は、目標物に対して不純物イオ
ンを導入するために近年広く用いられている。こ
のイオン注入装置は、注入量、深さなどを高精度
で制御できるので、特に半導体ウエハー（以下、
ウエハー）への不純物導入に際しては必要不可欠
な装置となりつつある。
ンを導入するために近年広く用いられている。こ
のイオン注入装置は、注入量、深さなどを高精度
で制御できるので、特に半導体ウエハー（以下、
ウエハー）への不純物導入に際しては必要不可欠
な装置となりつつある。
一般に、イオン注入技術は正に帯電したイオン
を加速してウエハー内に不純物をドーピングする
技術として用いられているために、ウエハーに加
速された正イオンが衝突する過程でウエハーから
電子がたたき出されたり絶縁体部分に正電荷の蓄
積が起こるなどウエハー表面が正に帯電しやすく
なつている。そのために、半導体素子の絶縁体部
分が静電破壊を起こし、これが生産性低下の一因
となつている。
を加速してウエハー内に不純物をドーピングする
技術として用いられているために、ウエハーに加
速された正イオンが衝突する過程でウエハーから
電子がたたき出されたり絶縁体部分に正電荷の蓄
積が起こるなどウエハー表面が正に帯電しやすく
なつている。そのために、半導体素子の絶縁体部
分が静電破壊を起こし、これが生産性低下の一因
となつている。
従つて、このようなイオン注入装置ではイオン
注入にともなうウエハーの帯電を防止しなければ
ならないが、そのひとつに第４図に示すエレクト
ロンフラツドシステムの方法がある。
注入にともなうウエハーの帯電を防止しなければ
ならないが、そのひとつに第４図に示すエレクト
ロンフラツドシステムの方法がある。
第４図において、ドープされる正イオン１９は
イオンビーム導入管１３を通つてデイスク１２上
にあるウエハー１１に照射される。このときフイ
ラメント１４に電流を流して熱電子（以下１次電
子と称する）を発生させ、１次電子加速電圧１７
によつ加速して１次電子線１６としてイオンビー
ム導入管１３内の内壁面に衝突させ、エネルギー
の低い電子（以下２次電子と称する）を放出させ
る。
イオンビーム導入管１３を通つてデイスク１２上
にあるウエハー１１に照射される。このときフイ
ラメント１４に電流を流して熱電子（以下１次電
子と称する）を発生させ、１次電子加速電圧１７
によつ加速して１次電子線１６としてイオンビー
ム導入管１３内の内壁面に衝突させ、エネルギー
の低い電子（以下２次電子と称する）を放出させ
る。
この２次電子をイオンビーム１９内にとりこま
せウエハー１１に輸送し、電子不足になるウエハ
ーに供給することによつてウエハーが正に帯電す
ることは防止される。なお、フイラメントからは
全周にわたつて熱電子が放出されるので背面に１
次電子反射板１５を設け、１次電子反射電圧１８
によつて逆バイアス電圧を与えることによつて、
発生した１次電子のほぼ全てを１次電子線１６と
して利用できる。
せウエハー１１に輸送し、電子不足になるウエハ
ーに供給することによつてウエハーが正に帯電す
ることは防止される。なお、フイラメントからは
全周にわたつて熱電子が放出されるので背面に１
次電子反射板１５を設け、１次電子反射電圧１８
によつて逆バイアス電圧を与えることによつて、
発生した１次電子のほぼ全てを１次電子線１６と
して利用できる。
［解決しようとする問題点］
このような従来の方法では、ウエハーの帯電防
止用として効果のあるエネルギーが10eV程度以
下の２次電子は効果的に発生するのであるが同時
に加速された１次電子によつて放出される２次電
子及びイオンビーム導入管１３で反射された１次
電子のうち、エネルギーが20〜30eV以上のもの
もウエハー１１に到達し、本来この装置が目的と
している不足しただけの電子をウエハーに輸送す
るという作用を越えて、ウエハーが逆に電子過剰
状態になり、負に帯電して、そのために半導体素
子中の絶縁体部分の静電破壊をひき起こすことが
問題であつた。
止用として効果のあるエネルギーが10eV程度以
下の２次電子は効果的に発生するのであるが同時
に加速された１次電子によつて放出される２次電
子及びイオンビーム導入管１３で反射された１次
電子のうち、エネルギーが20〜30eV以上のもの
もウエハー１１に到達し、本来この装置が目的と
している不足しただけの電子をウエハーに輸送す
るという作用を越えて、ウエハーが逆に電子過剰
状態になり、負に帯電して、そのために半導体素
子中の絶縁体部分の静電破壊をひき起こすことが
問題であつた。
またイオンビーム電流はイオンビーム導入管１
３とデイスク１２がともに電流計２０に接続され
た系内で計測されるが、電子を導入することによ
り１次および２次電子が系内から外に逃げ出すと
電流計測に誤差を生じる。この誤差は、高エネル
ギーの電子が系外にもれることによつて増大す
る。
３とデイスク１２がともに電流計２０に接続され
た系内で計測されるが、電子を導入することによ
り１次および２次電子が系内から外に逃げ出すと
電流計測に誤差を生じる。この誤差は、高エネル
ギーの電子が系外にもれることによつて増大す
る。
さらにイオンビーム１９の通過するイオンビー
ム導入管１３はイオンビームの照射を受けるため
にこのイオンが不純物として内壁に付着しており
第４図にあるような構造では、１次電子線をイオ
ンビーム導入管１３に照射する際に生じる発熱作
用によりイオンビーム導入管１３が高温になり、
付着している不純物を遊離またはスパツタリング
し、ウエハー１１を汚染するなどの問題を生じ
る。
ム導入管１３はイオンビームの照射を受けるため
にこのイオンが不純物として内壁に付着しており
第４図にあるような構造では、１次電子線をイオ
ンビーム導入管１３に照射する際に生じる発熱作
用によりイオンビーム導入管１３が高温になり、
付着している不純物を遊離またはスパツタリング
し、ウエハー１１を汚染するなどの問題を生じ
る。
［発明の目的］
この発明の目的はエネルギーの高い電子がウエ
ハー表面に到達して引き起こされる電子過剰によ
るウエハーの負帯電及び絶縁破壊を防止し、さら
にエネルギーの高い電子をイオンビーム電流計測
系内に閉じ込めることによつて不純物のドーピン
グ量計測誤差を改善し、同時にウエハーの不純物
による汚染を防止することができるイオン注入装
置を提供することにある。
ハー表面に到達して引き起こされる電子過剰によ
るウエハーの負帯電及び絶縁破壊を防止し、さら
にエネルギーの高い電子をイオンビーム電流計測
系内に閉じ込めることによつて不純物のドーピン
グ量計測誤差を改善し、同時にウエハーの不純物
による汚染を防止することができるイオン注入装
置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
この発明の特徴は、イオン源から発生したイオ
ンをビーム化したイオンビーム導入管を通した後
に目標物へイオン注入を行なうイオン注入装置に
おいて、このイオンビーム導入管内壁を凹陥する
ように凹部が設けられるとともに、前記イオンビ
ーム導入管内であつて前記凹部と対向する位置
に、前記凹部の内側表面に対して電子ビームを照
射する機能が設けられ、かつ、前記電子ビームが
照射される前記凹部の内側表面の部分が前記目標
物の位置から見えないように配置されているイオ
ン注入装置にある。
ンをビーム化したイオンビーム導入管を通した後
に目標物へイオン注入を行なうイオン注入装置に
おいて、このイオンビーム導入管内壁を凹陥する
ように凹部が設けられるとともに、前記イオンビ
ーム導入管内であつて前記凹部と対向する位置
に、前記凹部の内側表面に対して電子ビームを照
射する機能が設けられ、かつ、前記電子ビームが
照射される前記凹部の内側表面の部分が前記目標
物の位置から見えないように配置されているイオ
ン注入装置にある。
［作用］
すなわち、イオン注入装置において、イオンビ
ーム導入管の一端に１次電子発生機構が設けら
れ、この１次電子を加速する機構が設けられ、イ
オンビーム導入管の他端に１次電子発生機構側か
ら見た場合の形状が凹部となるような部分が設け
られ、この凹部に加速された１次電子が照射され
て２次電子が生成されるイオン注入装置にある。
ーム導入管の一端に１次電子発生機構が設けら
れ、この１次電子を加速する機構が設けられ、イ
オンビーム導入管の他端に１次電子発生機構側か
ら見た場合の形状が凹部となるような部分が設け
られ、この凹部に加速された１次電子が照射され
て２次電子が生成されるイオン注入装置にある。
すなわち、この発明は低エネルギーの２次電子
のみを目標物に供給することができる特別な２次
電子発生構造をもつことを特徴とするイオン注入
装置に関するものである。
のみを目標物に供給することができる特別な２次
電子発生構造をもつことを特徴とするイオン注入
装置に関するものである。
［実施例］
以下に、この発明の実施例を図面を用いて説明
する。
する。
第１図は、この発明の第１の実施例の部分断面
図である。第１図において、イオンビーム導入管
２２の管壁の一部に１次電子線照射用ターゲツト
２１が設置されている。この１次電子線照射ダー
ゲツト２１はイオンビーム導入管２２に設けられ
た開口部からイオンビーム導入管２２とは独立に
取り外せるような構造になつており、その取り外
しが容易なようにかん合用のレール（図示せず）
によつて両者が密着している。
図である。第１図において、イオンビーム導入管
２２の管壁の一部に１次電子線照射用ターゲツト
２１が設置されている。この１次電子線照射ダー
ゲツト２１はイオンビーム導入管２２に設けられ
た開口部からイオンビーム導入管２２とは独立に
取り外せるような構造になつており、その取り外
しが容易なようにかん合用のレール（図示せず）
によつて両者が密着している。
イオンビーム導入管２２の先端Ｍから１次電子
線照射用ターゲツト２１の開口部Ｏの結ぶ直線と
１次電子線照射用ターゲツト２１から交わる点Ｎ
が、１次電子を放出するための開口部の一端Ｋか
ら降ろした垂線が１次電子線照射用ターゲツト２
１と交わる点Ｌよりも左側にくるように、１次電
子線照射用ターゲツト２１の深さＨを決定してあ
る。
線照射用ターゲツト２１の開口部Ｏの結ぶ直線と
１次電子線照射用ターゲツト２１から交わる点Ｎ
が、１次電子を放出するための開口部の一端Ｋか
ら降ろした垂線が１次電子線照射用ターゲツト２
１と交わる点Ｌよりも左側にくるように、１次電
子線照射用ターゲツト２１の深さＨを決定してあ
る。
ここに、１次電子線照射用ターゲツト２１の材
料としては金属材料を用いるが、加熱しても変形
しないようなものであれば２次電子の発生効率が
なるべく良いものが好ましい。
料としては金属材料を用いるが、加熱しても変形
しないようなものであれば２次電子の発生効率が
なるべく良いものが好ましい。
このような構成であれば、ウエハー１１に最も
到達しやすいと思われるＫ点を発した高エネルギ
ーの１次電子が反射した場合でもＬに衝突し、反
射を受けた後でも再び１次電子線照射用ターゲツ
ト２１のOP面に高エネルギーの電子が衝突する
ため高エネルビーの電子はイオンビーム導入管２
２のウエハー表面に到達することがなく、高エネ
ルギーの電子線によるウエバーの電子過剰状態は
防止され低エネルギーの２次電子のみがイオンビ
ームにとりこまれてウエバー１１上に輸送されウ
エハーの正帯電を緩和することが可能である。
到達しやすいと思われるＫ点を発した高エネルギ
ーの１次電子が反射した場合でもＬに衝突し、反
射を受けた後でも再び１次電子線照射用ターゲツ
ト２１のOP面に高エネルギーの電子が衝突する
ため高エネルビーの電子はイオンビーム導入管２
２のウエハー表面に到達することがなく、高エネ
ルギーの電子線によるウエバーの電子過剰状態は
防止され低エネルギーの２次電子のみがイオンビ
ームにとりこまれてウエバー１１上に輸送されウ
エハーの正帯電を緩和することが可能である。
さらに、第１図にある系は、イオンビーム導入
管２２とデイスク２３とが電気的に接続され、電
流計２４により系の外部からやつてくるイオンビ
ーム２５の電流を計測する方式を採用しているた
め、フイラメント２６から放出された次電子及び
発生した次電子のうちイオンビーム導入管２２、
デイスク２３、に到達しない高エネルギーの電子
を第１図の系内に押さえ込む必要があるが、従来
に比較して、本実施例では高エネルギーの電子は
１次電子線照射用ターゲツト２１のOP面に捕え
られるのでイオンビーム電流計測の点からも有利
である。
管２２とデイスク２３とが電気的に接続され、電
流計２４により系の外部からやつてくるイオンビ
ーム２５の電流を計測する方式を採用しているた
め、フイラメント２６から放出された次電子及び
発生した次電子のうちイオンビーム導入管２２、
デイスク２３、に到達しない高エネルギーの電子
を第１図の系内に押さえ込む必要があるが、従来
に比較して、本実施例では高エネルギーの電子は
１次電子線照射用ターゲツト２１のOP面に捕え
られるのでイオンビーム電流計測の点からも有利
である。
さらにまた１次電子線照射用ターゲツト２１は
通常イオンビームが存在するイオンビーム導入管
２２により形成される空間よりも外側に設置され
るため、イオンビームによる汚染がイオンビーム
導入管２２よりも極めて少なく、その結果として
１次電子線照射用ターゲツト２１は加速された１
次電子線が衝突し、高温になつたときでも遊離す
る不純物量は極めて少なくなる。
通常イオンビームが存在するイオンビーム導入管
２２により形成される空間よりも外側に設置され
るため、イオンビームによる汚染がイオンビーム
導入管２２よりも極めて少なく、その結果として
１次電子線照射用ターゲツト２１は加速された１
次電子線が衝突し、高温になつたときでも遊離す
る不純物量は極めて少なくなる。
また、１次電子線照射用ターゲツト２１はイオ
ンビーム導入管２２と独立に取り外しが可能なた
め、汚染があつたときでも容易に交換でき、した
がつて常に安定した低エネルギーの２次電子放出
が得られる。
ンビーム導入管２２と独立に取り外しが可能なた
め、汚染があつたときでも容易に交換でき、した
がつて常に安定した低エネルギーの２次電子放出
が得られる。
次に、第２図を用いてこの発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
第２図は、この発明の第２の実施例の部分断面
図である。第２図において、イオンビーム導入管
２２の管壁の一部に１次電子線照射用ターゲツト
２７が設置されている。この１次電子線照射用タ
ーゲツト２７は、第２図のイオンビーム導入管２
２の管壁の一部に設けられた１次電子線照射用タ
ーゲツト２１と同じように、イオンビーム導入管
２２に設けられた開口部からイオンビーム導入管
２２とは独立に取り外せるような構造になつてお
り、その取り外しが容易なようにかん合用のレー
ル（図示せず）によつて両者が密着している。
図である。第２図において、イオンビーム導入管
２２の管壁の一部に１次電子線照射用ターゲツト
２７が設置されている。この１次電子線照射用タ
ーゲツト２７は、第２図のイオンビーム導入管２
２の管壁の一部に設けられた１次電子線照射用タ
ーゲツト２１と同じように、イオンビーム導入管
２２に設けられた開口部からイオンビーム導入管
２２とは独立に取り外せるような構造になつてお
り、その取り外しが容易なようにかん合用のレー
ル（図示せず）によつて両者が密着している。
この実施例では、加速された１次電子の最大反
射角が180度であつた場合でも、１次電子線照射
用ターゲツト２７の頂角θの角度が幾何学的に１
次電子が衝突するターゲツト部分からウエハーへ
直接通じる径路をなくするように設定されている
ので、高エネルギーの電子はイオンビーム導入管
２２のウエハー表面に到達することがなく、した
がつて高エネルギーの電子線によるウエハーの電
子過剰状態は防止され低エネルギーの２次電子の
みがイオンビームにとりこまれてウエハー上に輸
送されウエハーの正帯電を緩和することが可能で
ある。
射角が180度であつた場合でも、１次電子線照射
用ターゲツト２７の頂角θの角度が幾何学的に１
次電子が衝突するターゲツト部分からウエハーへ
直接通じる径路をなくするように設定されている
ので、高エネルギーの電子はイオンビーム導入管
２２のウエハー表面に到達することがなく、した
がつて高エネルギーの電子線によるウエハーの電
子過剰状態は防止され低エネルギーの２次電子の
みがイオンビームにとりこまれてウエハー上に輸
送されウエハーの正帯電を緩和することが可能で
ある。
なお上記実施例に於いては、１次電子を加速し
照射して低エネルギーの２次電子を放出させるタ
ーゲツトとして、第１図、第２図に示すような断
面形状のものを用いたが、このような形状は必ず
しも必要条件ではなく、幾何学的に１次電子が衝
突するターゲツト部分からウエハーへ直接通じる
径路をなくするように（ウエハーからターゲツト
が見えないように）設定されていればよい。
照射して低エネルギーの２次電子を放出させるタ
ーゲツトとして、第１図、第２図に示すような断
面形状のものを用いたが、このような形状は必ず
しも必要条件ではなく、幾何学的に１次電子が衝
突するターゲツト部分からウエハーへ直接通じる
径路をなくするように（ウエハーからターゲツト
が見えないように）設定されていればよい。
［発明の効果］
以上に詳述したように、この発明によれば加速
した１次電子を照射する新規な構造のターゲツト
を設けることにより、高エネルギーの電子がウエ
ハーに到達できなくなり、ウエハーが電子過剰に
なることを防止でき、ウエハー負帯電により絶縁
破壊が押さえられる。
した１次電子を照射する新規な構造のターゲツト
を設けることにより、高エネルギーの電子がウエ
ハーに到達できなくなり、ウエハーが電子過剰に
なることを防止でき、ウエハー負帯電により絶縁
破壊が押さえられる。
簡単な実験によれば、半導体素子のVield（良
品率）が従来技術では80パーセントであつたの
が、本発明実施例ではほとんど100パーセント近
くに上昇した。
品率）が従来技術では80パーセントであつたの
が、本発明実施例ではほとんど100パーセント近
くに上昇した。
また第３図に示すように、従来技術と本発明実
施例とを比較した場合、従来技術では１次電子の
電流の増加とともに不純物のトーピング量の誤差
が増加するが本発明実施例ではほとんど誤差を生
じない。
施例とを比較した場合、従来技術では１次電子の
電流の増加とともに不純物のトーピング量の誤差
が増加するが本発明実施例ではほとんど誤差を生
じない。
さらに本発明はターゲツトがイオンビームの照
射を受けない位置に設置されるためイオンビーム
導入管及びウエバー汚染は最小限に押さえること
ができる。
射を受けない位置に設置されるためイオンビーム
導入管及びウエバー汚染は最小限に押さえること
ができる。
また、例えば２次電子を生成する機構として２
次電子増倍管を用いた場合に較べて、装置を小形
化することができ、その構成も単純化することが
できる。
次電子増倍管を用いた場合に較べて、装置を小形
化することができ、その構成も単純化することが
できる。
第１図は本発明の第１の実施例のウエバー帯電
防止装置の部分を示す断面図、第２図は本発明の
第２の実施例のウエハー帯電防止装置の部分を示
す断面図、第３図は従来技術と本発明実施例とに
おける不純物のドーピング量の測定誤差を比較し
た図、第４図は従来のイオン注入装置のウエハー
帯電防止装置の部分の断面図である。 なお図において、１１……ウエハー、１２，２
３……ウエハーを固定するデイスク、１３，２２
……イオンビーム導入管、１４，２６……熱電子
（１次電子）放射フイラメント、１５……１次電
子反射板、１６……１次電子線、１７……１次電
子加速電圧、１８……１次電子反射板、１９，２
５……イオンビーム、２０，２４……イオンビー
ム電流計測器、２１……１次電子照射ターゲツト
である。
防止装置の部分を示す断面図、第２図は本発明の
第２の実施例のウエハー帯電防止装置の部分を示
す断面図、第３図は従来技術と本発明実施例とに
おける不純物のドーピング量の測定誤差を比較し
た図、第４図は従来のイオン注入装置のウエハー
帯電防止装置の部分の断面図である。 なお図において、１１……ウエハー、１２，２
３……ウエハーを固定するデイスク、１３，２２
……イオンビーム導入管、１４，２６……熱電子
（１次電子）放射フイラメント、１５……１次電
子反射板、１６……１次電子線、１７……１次電
子加速電圧、１８……１次電子反射板、１９，２
５……イオンビーム、２０，２４……イオンビー
ム電流計測器、２１……１次電子照射ターゲツト
である。
Claims (1)
- １ イオン源から発生したイオンをビーム化しイ
オンビーム導入管を通した後に目標物へイオン注
入を行なうイオン注入装置において、前記イオン
ビーム導入管内壁を凹陥するように凹部が設けら
れるとともに、前記イオンビーム導入管内であつ
て前記凹部と対向する位置に、前記凹部の内側表
面に対して電子ビームを照射する機能が設けら
れ、かつ、前記電子ビームが照射される前記凹部
の内側表面の部分が前記目標物の位置から見えな
いように配置されていることを特徴とするイオン
注入装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60242243A JPS62103951A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | イオン注入装置 |
| US06/924,370 US4783597A (en) | 1985-10-29 | 1986-10-29 | Ion implant apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60242243A JPS62103951A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103951A JPS62103951A (ja) | 1987-05-14 |
| JPH056790B2 true JPH056790B2 (ja) | 1993-01-27 |
Family
ID=17086372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60242243A Granted JPS62103951A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | イオン注入装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4783597A (ja) |
| JP (1) | JPS62103951A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2564115B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1996-12-18 | 住友イートンノバ 株式会社 | ウエハ−の帯電抑制装置 |
| JPS6410563A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Sumitomo Eaton Nova | Electric charging suppressor of ion implanter |
| JPH0754690B2 (ja) * | 1988-09-24 | 1995-06-07 | 株式会社日立製作所 | イオン打込装置 |
| ATE111635T1 (de) * | 1989-05-09 | 1994-09-15 | Sumitomo Eaton Nova | Ionen-implantationsgerät, in dem das elektrische aufladen von substraten vermieden wird. |
| US5113074A (en) * | 1991-01-29 | 1992-05-12 | Eaton Corporation | Ion beam potential detection probe |
| US5164599A (en) * | 1991-07-19 | 1992-11-17 | Eaton Corporation | Ion beam neutralization means generating diffuse secondary emission electron shower |
| US5703375A (en) * | 1996-08-02 | 1997-12-30 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion beam neutralization |
| US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
| GB0016562D0 (en) * | 2000-07-05 | 2000-08-23 | Metryx Limited | Apparatus and method for investigating semiconductor wafers |
| KR100506931B1 (ko) * | 2002-11-28 | 2005-08-09 | 삼성전자주식회사 | 이온주입장치 |
| GB0719469D0 (en) * | 2007-10-04 | 2007-11-14 | Metryx Ltd | Measurement apparatus and method |
| GB0719460D0 (en) * | 2007-10-04 | 2007-11-14 | Metryx Ltd | Measurement apparatus and method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2890342A (en) * | 1954-09-29 | 1959-06-09 | Gen Electric | System for charge neutralization |
| US4118630A (en) * | 1977-05-05 | 1978-10-03 | International Business Machines Corporation | Ion implantation apparatus with a cooled structure controlling the surface potential of a target surface |
| US4463255A (en) * | 1980-09-24 | 1984-07-31 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for enhanced neutralization of positively charged ion beam |
| JPS6079655A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-07 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム中性化装置 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP60242243A patent/JPS62103951A/ja active Granted
-
1986
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Also Published As
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