JPH0568132A - 原稿読取り装置 - Google Patents

原稿読取り装置

Info

Publication number
JPH0568132A
JPH0568132A JP3252779A JP25277991A JPH0568132A JP H0568132 A JPH0568132 A JP H0568132A JP 3252779 A JP3252779 A JP 3252779A JP 25277991 A JP25277991 A JP 25277991A JP H0568132 A JPH0568132 A JP H0568132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light receiving
receiving element
light
image data
transparent substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3252779A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisao Ito
久夫 伊藤
So Sugino
創 杉野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP3252779A priority Critical patent/JPH0568132A/ja
Publication of JPH0568132A publication Critical patent/JPH0568132A/ja
Priority to US08/223,137 priority patent/US5489993A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H04N1/0301—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array using a bent optical path between the scanned line and the photodetector array, e.g. a folded optical path
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
    • H04N1/0402—Scanning different formats; Scanning with different densities of dots per unit length, e.g. different numbers of dots per inch (dpi); Conversion of scanning standards
    • H04N1/042—Details of the method used
    • H04N1/0449—Details of the method used using different sets of scanning elements, e.g. for different formats
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
    • H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
    • H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional [1D] array
    • H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
    • H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/40—Picture signal circuits
    • H04N1/401—Compensating positionally unequal response of the pick-up or reproducing head
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/46—Colour picture communication systems
    • H04N1/48—Picture signal generators
    • H04N1/486—Picture signal generators with separate detectors, each detector being used for one specific colour component
    • H04N1/488—Picture signal generators with separate detectors, each detector being used for one specific colour component using beam-splitters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/407—Optical elements or arrangements indirectly associated with the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2201/00—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof
    • H04N2201/04—Scanning arrangements
    • H04N2201/0402—Arrangements not specific to a particular one of the scanning methods covered by groups H04N1/04 - H04N1/207
    • H04N2201/0434—Arrangements not specific to a particular one of the scanning methods covered by groups H04N1/04 - H04N1/207 specially adapted for scanning pages of a book
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2201/00—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof
    • H04N2201/04—Scanning arrangements
    • H04N2201/0402—Arrangements not specific to a particular one of the scanning methods covered by groups H04N1/04 - H04N1/207
    • H04N2201/0458—Additional arrangements for improving or optimising scanning resolution or quality

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 原稿の同一箇所を１度読み取るだけで、カラ
−画像情報が得られ、また受光素子の微細化を行わずに
高解像度化を図り、更に異なる焦点深度を有する複数の
ロッドレンズアレイからの出力の内で焦点の合う画像情
報を選択することができる原稿読取り装置を提供する。 【構成】 光源からの反射光を集光する２つの光学系２
５ａ，２５ｂと、２つの光学系にそれぞれ対応して透明
基板上に２つの受光素子アレイ１１ａ，１１ｂ形成し、
一方のアレイの受光素子が透明基板上部から光を受光
し、他方のアレイの受光素子が透明基板下部から光を受
光する原稿読取り装置であるので、２つの光学系で原稿
の同一箇所を読むことができ、カラ−化又は高解像度
化、異なる焦点深度を有することが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イメ−ジスキャナ又は
ファクシミリ等における原稿読取り装置に係り、特に原
稿からの反射光を複数の光学系を通して基板上に形成さ
れた複数の受光素子で受光して画像情報を出力する原稿
読取り装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の原稿読取り装置において、特に密
着型イメ−ジセンサは、原稿等の画像情報を１対１に投
影し、電気信号に変換するものである。この場合、投影
した画像を多数の画素 （受光素子）に分割し、各受光
素子で発生した電荷を薄膜トランジスタスイッチ（ＴＦ
Ｔ）を使って特定のブロック単位で配線間の容量に一時
蓄積して、電気信号として数百ＫＨｚから数百ＭＨｚま
での速度で時系列的に順次読み出すＴＦＴ駆動型イメ−
ジセンサがある。
【０００３】このＴＦＴ駆動型イメ−ジセンサは、ＴＦ
Ｔの動作により単一の駆動用ＩＣで読取り可能となるの
で、イメ−ジセンサを駆動する駆動用ＩＣの個数を少な
くするものである。
【０００４】ＴＦＴ駆動型イメ−ジセンサは、例えば、
その等価回路図を図１３に示すように、原稿幅と略同じ
長さのライン状の受光素子アレイ１１と各受光素子１
１′に１：１に対応する複数個の薄膜トランジスタＴi,
j (i=1〜N, j=1〜n)から成る電荷転送部１２とマトリッ
クス形状の多層配線１３とから構成されている。
【０００５】前記受光素子アレイ１１は、Ｎ個のブロッ
クの受光素子群に分割され、一つの受光素子群を形成す
るｎ個の受光素子１１′は、フォトダイオ−ドＰi,j (i
=1〜N, j=1〜n)により等価的に表すことができる。各受
光素子１１′は各薄膜トランジスタＴi,j のドレイン電
極にそれぞれ接続され、そして、薄膜トランジスタＴi,
j のソ−ス電極は、マトリックス状に形成された多層配
線１３を介して受光素子群毎にｎ本の共通信号線１４に
それぞれ接続され、更に共通信号線１４は駆動用ＩＣ１
５に接続されている。
【０００６】各薄膜トランジスタＴi,j のゲ−ト電極に
は、ブロック毎に導電するように、ゲ−トパルス発生回
路１６が接続されている。各受光素子１１′で発生する
光電荷は一定時間受光素子の寄生容量と薄膜トランジス
タＴi,j のドレイン・ゲ−ト間のオ−バ−ラップ容量に
蓄積された後、薄膜トランジスタＴi,j を電荷転送用の
スイッチとして用いてブロック毎に順次多層配線１３の
配線容量Ｃi (i=1〜n)に転送蓄積される。
【０００７】すなわち、ゲ−トパルス発生回路１６から
のゲ−トパルスφＧ１により、第１のブロックの薄膜ト
ランジスタＴ1,1 〜Ｔ1,n がオンとなり、第１のブロッ
クの各受光素子１１′で発生して蓄積された電荷が各配
線容量Ｃi に転送蓄積される。そして、各配線容量Ｃi
に転送蓄積された電荷により各共通信号線１４の電位が
変化し、この電圧値を駆動用ＩＣ１５内のアナログスイ
ッチＳＷi (i=1〜n)を順次オンにして時系列的に出力線
１７に抽出するものである。
【０００８】そして、次にゲ−トパルスφＧ２〜φＧｎ
により第２〜第Ｎのブロックの薄膜トランジスタＴ2,1
〜Ｔ2,n からＴN,1 〜ＴN,n までがそれぞれオンするこ
とによりブロック毎に受光素子側の電荷が転送され、順
次読み出すことにより原稿の主走査方向の１ラインの画
像信号を得、前記動作を繰り返し、原稿全体の画像信号
を得るものである（特開昭６３−９３５８号公報参
照）。
【０００９】次に、従来の原稿読取り装置の本体部分に
ついて概略構成図である図１４を使って簡単に説明す
る。従来の原稿読取り装置における本体部分は、原稿２
０が置かれるプラテンガラス２１と、プラテンガラス２
１上に置かれた原稿２０に光を照射する光源２２と、原
稿２０からの反射光を集光し、等倍率で正立結像するロ
ッドレンズアレイ２５と、ロッドレンズアレイ２５によ
り正立結像された反射光を受光して電気信号に変換する
受光素子アレイ１１とから構成されている。尚、ロッド
レンズアレイ２５は各受光素子１１′に対して垂直な光
軸をもつように設けられている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の原稿読取り装置では、受光素子の受光部に色分離フ
ィルタを設けたカラ−密着型イメ−ジセンサを構成する
と、画像情報を得るためには、原稿の同一箇所を複数回
読み取る必要があるので時間がかかり、特に読み取った
画像情報の合成処理が複雑であるとの問題点があった
（特開昭６３−７６５６７号公報参照）。
【００１１】また、従来の原稿読取り装置において高解
像度化を図ろうとした場合は、受光素子の微細化を行っ
て受光素子アレイの画素密度を高める方法がとられてい
たが、受光素子の微細化には限界があり、このことが高
解像度化を図る上で障害となっていたとの問題点があっ
た。
【００１２】更に、ロッドレンズアレイの焦点深度が浅
いため、プラテンガラス上に置かれた原稿に浮きがある
場合は、ロッドレンズアレイの焦点深度の範囲に収まら
ず、受光素子で受光される時に正立結像の焦点が合わな
くなり、浮き上がった部分の焦点がボケてしまい、高精
細な画像情報を得るのが難しくなるとの問題点があっ
た。
【００１３】本発明は上記実情に鑑みて為されたもの
で、原稿の同一箇所を１度読み取ることによりカラ−画
像情報が得られ、また受光素子の微細化を行わずに高解
像度化を図り、更に異なる焦点深度を有する複数のロッ
ドレンズアレイからの出力の内で焦点の合う画像情報を
選択することができる原稿読取り装置を提供することを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための請求項１記載の発明は、原稿読取り装置に
おいて、原稿の同一箇所からの反射光を複数の光に分け
て集光する複数の光学系と、透明基板上に前記光学系に
対応するよう形成され、前記反射光を受光する複数の受
光素子とを有することを特徴としている。
【００１５】上記従来例の問題点を解決するための請求
項２記載の発明は、請求項１記載の原稿読取り装置にお
いて、透明基板の上面から光を受光する第１の受光素子
と、透明基板の下面から光を受光する第２の受光素子と
を同一の透明基板上に形成したことを特徴としている。
【００１６】上記従来例の問題点を解決するための請求
項３記載の発明は、請求項２記載の原稿読取り装置にお
いて、透明基板上に複数の第１の受光素子と複数の第２
の受光素子とを配列方向にずらして配列したことを特徴
としている。
【００１７】上記従来例の問題点を解決するための請求
項４記載の発明は、請求項１又は請求項２記載の原稿読
取り装置において、複数の光学系に対応した受光素子で
画素単位に得られた画像信号を複数画素分読み取り、前
記複数画素分を前記光学系別にブロック単位に画像デー
タとして蓄積するバッファと、前記バッファ内の前記光
学系別の画像データの分散値を計算する分散値計算手段
と、前記分散値計算手段で得られた前記光学系別のブロ
ック単位の画像データに対応する前記分散値を比較して
最大値を求める比較手段と、前記比較手段で得られた前
記最大値に対応する画像データを選択する選択手段とを
有することを特徴としている。
【００１８】上記従来例の問題点を解決するための請求
項５記載の発明は、請求項１又は請求項２記載の原稿読
取り装置において、複数の光学系に対応した受光素子で
画素単位に得られた画像信号を複数画素分読み取り、前
記複数画素分を前記光学系別に画像データとして取り込
み、前記画像データをブロック単位に分割し、前記ブロ
ック単位に分割した画像データを高速フーリエ変換によ
り周波数成分に変換し、前記周波数成分の高域成分の電
力を計算する計算処理手段と、前記計算処理手段で得ら
れた前記光学系別のブロック毎の画像データの前記周波
数成分の高域成分の電力値を比較して最大値を求める比
較手段と、前記比較手段で得られた前記最大値に対応す
る画像データを選択する選択手段とを有することを特徴
としている。
【００１９】
【作用】請求項１記載の発明によれば、複数の光学系で
原稿の同一箇所からの反射光を複数の光に分けて集光
し、集光した光を複数の光学系に対応した受光素子で受
光する原稿読取り装置としているので、一度の原稿読取
りの動作で原稿の同一箇所を複数の光学系で読取れるた
め、カラーイメージセンサに適用すると、カラーの画像
処理が容易にできる。
【００２０】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の原稿読取り装置において、同一の透明基板上に透明
基板の上面から光を受光する第１の受光素子と透明基板
の下面から光を受光する第２の受光素子とを形成してい
るので、一度の原稿読取りの動作で原稿の同一箇所を複
数の光学系で読取れるため、カラーイメージセンサに適
用すると、カラーの画像処理が容易にできる。
【００２１】請求項３記載の発明によれば、請求項２記
載の原稿読取り装置において、透明基板上に複数の第１
の受光素子と複数の第２の受光素子とを配列方向にずら
して配列しているので、第１の受光素子で読み取った配
列方向の画素の間の画素を第２の受光素子で読み取れる
ため、原稿からの反射光を一層正確に読み取ることがで
き、高解像度化することができる。
【００２２】請求項４記載の発明によれば、請求項１又
は請求項２記載の原稿読取り装置において、複数の光学
系に対応した受光素子で画素単位に得られた画素信号を
各光学系別の複数画素のブロック単位に画像データとし
てバッファが蓄積し、該ブロック単位の画像データに対
応する分散値を分散値計算手段により計算し、それぞれ
の分散値を比較手段により比較して最大値を求め、分散
値が最大となった値に対応するを画像データを選択手段
が選択するので、複数の光学系の中で焦点位置の合った
画像データを得ることができる。
【００２３】請求項５記載の発明によれば、請求項１又
は請求項２記載の原稿読み取り装置において、複数の光
学系に対応した受光素子で画素単位に得られた画像信号
を複数画素分読み取って、各光学系別に画像データとし
て取り込み、この画像データを各光学系別にブロック単
位に分割し、分割した画像データを高速フーリエ変換に
より周波数成分に変換し、該周波数成分の中から高域成
分の電力を計算処理手段により計算し、計算結果の電力
値を比較手段により比較して最大値を求め、電力値が最
大となった値に対応する画像データを選択手段により選
択するので、複数の光学系の中で焦点位置の合った画像
データを得ることができる。
【００２４】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の一実施例に係る原稿読取
り装置の本体部分の概略構成図である。本実施例の原稿
読取り装置の本体部分について図１を使って説明する。
尚、図１４と同一の構成を取る部分については同一の符
号を付して説明する。
【００２５】本実施例の原稿読取り装置の本体部分は、
原稿２０が置かれるプラテンガラス２１と、プラテンガ
ラス２１上の原稿２０へ向けて光を照射する光源２２
と、反射光を集光する２つの光学系と、２つの光学系に
それぞれ対応する受光素子アレイ１１ａ，１１ｂとから
構成されている。
【００２６】そして、光学系として、原稿２０からの反
射光の一部を透過し、一部を反射するハ−フミラ−２３
と、ハ−フミラ−２３からの反射光を集光し、等倍率で
正立結像するロッドレンズアレイ２５ａと、ロッドレン
ズアレイ２５ａによる等倍率の正立結像を反射するミラ
−２７とが形成され、これを第１光学系とする。
【００２７】一方、別の光学系として、第１光学系のハ
−フミラ−２３を透過した光を反射するミラ−２４と、
ミラ−２４からの反射光を集光し、等倍率で正立結像す
るロッドレンズアレイ２５ｂと、ロッドレンズアレイ２
５ｂによる等倍率の正立結像を反射するミラ−２８とが
形成され、これを第２光学系とする。
【００２８】また、ミラ−２７で反射された光を受光し
て電気信号に変換する第１光学系に対応する受光素子ア
レイ１１ａと、ミラ−２８で反射された光を受光して電
気信号に変換する第２光学系に対応する受光素子アレイ
１１ｂとが、それぞれ入射光に対して垂直となるように
設けられており、ここで第１光学系と第２光学系との両
方からの画像情報が得られるようになっている。
【００２９】次に、本実施例に係る原稿読取り装置のイ
メ−ジセンサ部分の構成について図２及び図３を使って
説明する。図２は、本実施例のイメージセンサの平面説
明図であり、図３は、図２のＡ−Ａ′部分の断面説明図
である。ここで、図２及び図３で説明される実施例を実
施例１とする。
【００３０】図２に示すように、実施例１のイメ−ジセ
ンサ部分を構成する２種類の受光素子Ｓ1,Ｓ2 が原稿の
同一箇所の反射光を受光できるようにする為に、受光素
子Ｓ1 と受光素子Ｓ2 とが副走査方向に対向して絶縁性
透明基板１上に設けられ、主走査方向にアレイ状に形成
され、図１に示す受光素子アレイ１１ｂ，１１ａとなっ
ている。
【００３１】次に、図３を使って受光素子Ｓ1,Ｓ2 の構
成を説明する。先ず、受光素子Ｓ1 の構成について説明
すると、受光素子Ｓ1 は、絶縁性透明基板１上に、酸化
インジウムスズ（ＩＴＯ）からなる第１透明電極３と、
第１透明電極３上に形成されたp-i-n 構造のアモルファ
スシリコン（p-i-n ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる半導体層７
と、半導体層７上部に形成されたＩＴＯからなる第２透
明電極８と、第２透明電極８を覆うように形成されたポ
リイミド等からなる絶縁層６と、絶縁層６上部に形成さ
れたＡｌ等からなる遮光層１０′とから構成されてい
る。
【００３２】また、受光素子Ｓ2 の構成について説明す
ると、受光素子Ｓ2 は、絶縁性透明基板１上に、Ｃｒ等
からなる第１金属電極２と、第１金属電極２上に形成さ
れたp-i-n ａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体層４と、半導体
層４上部に形成されたＩＴＯの透明電極５と、透明電極
５とを覆うように形成されたポリイミド等からなる絶縁
層６とから構成されている。
【００３３】そして、受光素子Ｓ1 の第２透明電極８と
受光素子Ｓ2 の透明電極５とは、共通に第２金属電極１
０に接続している。ここで、第２金属電極１０は主走査
方向に帯状に形成されており、複数の受光素子Ｓ1,Ｓ2
へ共通にバイアス電圧を供給するようになっている。
【００３４】第１透明電極３及び第１金属電極２は、そ
れぞれ受光素子Ｓ1 及び受光素子Ｓ2 の電荷の読み出し
側となっている。また、受光素子Ｓ1 へは絶縁性透明基
板１の下面より光が入射し、遮光層１０′が絶縁性透明
基板１の上面より光が入射するのを防ぐようになってい
る。また受光素子Ｓ2 へは絶縁性透明基板１の上面より
光が入射し、第１金属電極２が絶縁性透明基板１の下面
より光が入射するのを防ぐようになっている。
【００３５】次に、受光素子Ｓ1,Ｓ2 の製造方法につい
て図２及び図３を使って説明する。絶縁性透明基板１と
してガラス基板を使用し、絶縁性透明基板１上に、Ｃｒ
をスパッタ法により５００〜１０００オングストロ−ム
程度着膜した後、所定の形状にパタ−ニングして受光素
子Ｓ2 の第１金属電極２を形成する。
【００３６】続いて、ＩＴＯをスパッタ法により５００
〜１０００オングストロ−ム程度着膜した後、第１透明
電極３となる所定の形状にパタ−ニングする。
【００３７】次に、p-i-n ａ−Ｓｉ：Ｈ層を形成するた
めに、先ず、Ｂ2 Ｈ2 を１％ド−プしたＳｉＨ4 ガスを
使ってＰ−ＣＶＤ法によりｐ型のａ−Ｓｉ：Ｈ層を２０
０オングストロ−ム程度着膜し、続いて、ＳｉＨ4 ガス
を用いて同じ方法によりｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈ層を１．５
μｍ着膜し、更に、ＰＨ3 を１％ド−プしたＳｉＨ4ガ
スを用いてｎ型のａ−Ｓｉ：Ｈ層を２００オングストロ
−ム程度着膜して、半導体層４及び半導体層７を積層す
る。
【００３８】次に、ＩＴＯをスパッタ法により５００〜
１０００オングストロ−ム程度着膜した後、透明電極５
となる所定の形状にパタ−ニングし、同一のレジストを
用いてp-i-n ａ−Ｓｉ：Ｈ層をエッチング後、ひさしと
してつき出たＩＴＯを再度エッチングして取り除き、半
導体層４及び半導体層７を形成する。そして、レジスト
を剥離する。
【００３９】続いて、絶縁層６となるポリイミドを、コ
−ティング法により１．５μｍ程度に着膜し、所定の形
状にパタ−ニングする。次いで、第２金属電極１０及び
遮光層１０′となるＡｌをスパッタ法により１〜１．５
μｍ程度に着膜し、所定の形状にパタ−ニングして実施
例１の受光素子Ｓ1,Ｓ2 は完成する。
【００４０】以上が受光素子Ｓ1,Ｓ2 の基本的な構成で
あるが、最後に、受光素子Ｓ1 をそのままとし、受光素
子Ｓ2 の受光部上に保護膜を介して赤色の色分離フィル
タ−を設ければ赤と黒のカラ−イメ−ジセンサとなる。
【００４１】次に、実施例１の原稿読取り装置の動作
を、図１〜図３を使って説明する。図１に示すように、
光源２２がプラテンガラス２１上に置かれた原稿２０へ
光を照射すると、ハ−フミラ−２３は原稿２０からの反
射光の一部をロッドレンズアレイ２５ａへ向けて更に反
射すると同時に、残りの一部をそのままミラ−２４へ向
けて透過するようになっている。
【００４２】そして、ロッドレンズアレイ２５ａはハ−
フミラ−２３からの反射光を集光してミラ−２７側で正
立結像とし、該正立結像の光がミラ−２７で反射され
て、絶縁性透明基板１の上面から受光素子アレイ１１ａ
へ入射すると、各受光素子Ｓ2が受光するようになって
いる。
【００４３】一方、ハ−フミラ−２３を透過した反射光
は、更に、ミラ−２４でロッドレンズアレイ２５ｂへ向
けて反射され、ロッドレンズアレイ２５ｂで集光してミ
ラ−２８側で正立結像とし、該正立結像の光がミラ−２
８で反射されて、絶縁性透明基板１の下面から受光素子
アレイ１１ｂへ入射し、各受光素子Ｓ1が受光するよう
になっている。
【００４４】そして、図２、図３に示すように、受光素
子Ｓ1 では第１透明電極３から電荷が読み取られ、受光
素子Ｓ2 では第１金属電極２から電荷が読み取られるよ
うになっている。
【００４５】原稿２０の１ライン分の画像信号をイメ−
ジセンサが読み取ると、前記動作を繰り返して原稿全体
の画像信号を得るようになっいる。
【００４６】また、実施例１のイメ−ジセンサでは、第
２金属電極１０は第２透明電極８と透明電極５とに接続
することで、受光素子Ｓ1 ，Ｓ2 の共通電極となってい
るが、更に応用例として、受光素子Ｓ1 と受光素子Ｓ2
とが順次積層し、金属電極を共通電極とする別のイメー
ジセンサも考えられる。
【００４７】次に、この積層構造のイメ−ジセンサの構
成を図４及び図５を使って説明する。図４は、該応用例
の受光素子の平面説明図であり、図５は、図４のＢ−
Ｂ′部分の断面説明図である。
【００４８】図４及び図５に示すように、絶縁性透明基
板１上部に受光素子Ｓ1 が形成され、受光素子Ｓ2 が受
光素子Ｓ1 上部に形成された積層構造となっており、受
光素子Ｓ1 へは絶縁性透明基板１の下面より光が入射
し、受光素子Ｓ2 へは絶縁性透明基板１の上面より光が
入射するようになっている。
【００４９】次に、受光素子Ｓ1 の構成について説明す
ると、絶縁性透明基板１上に第１透明電極３１、第１半
導体層３２が順次積層され、その上に第１絶縁層３４が
形成され、第１半導体層３２上の第１絶縁層３４を除去
して、金属電極３３が形成されている。第１透明電極３
１は、副走査方向に引き出され、受光素子Ｓ1 で発生し
た電荷を読み出すようになっている。
【００５０】また、受光素子Ｓ2 は、金属電極３３上に
第２半導体層３５、第２透明電極３６が積層され、全体
を覆うように第２絶縁層３７が形成されている。そし
て、第２絶縁層３７にコンタクトホ−ルを形成し、第２
透明電極３６からアルミニウム等の配線が、第１透明電
極３１の引き出し線とは逆方向に引き出され、受光素子
Ｓ2 で発生した電荷を読み出すようになっている。
【００５１】ここで、金属電極３３は、主走査方向に帯
状に延びて受光素子Ｓ1,Ｓ2 の共通のバイアス電極とな
っおり、更に受光素子Ｓ1 の遮光層としての役割も有す
るようになっている。そして、受光素子Ｓ1,Ｓ2 は主走
査方向に多数分割形成されて、受光素子アレイを構成し
ている。
【００５２】また、図４、図５に示すように、受光素子
Ｓ1,Ｓ2 が原稿の同一箇所からの反射光を光電変換して
発生する電荷について、受光素子Ｓ1 において発生した
電荷は、第１透明電極３１から読み出され、受光素子Ｓ
2 において発生した電荷は、第２透明電極３６から読み
出されるようになっている。
【００５３】実施例１の原稿読取り装置及び応用例の原
稿読取り装置によれば、一度の原稿読取り動作におい
て、原稿の同一箇所からの反射光をハ−フミラ−２３に
より二つに分け、絶縁性透明基板１上に設けられている
受光素子Ｓ1,Ｓ2 が別々に受光するので、受光素子Ｓ1,
Ｓ2 のそれぞれが別々の色分離フィルタを有するカラ−
イメ−ジセンサとすれば、一度の原稿読取りの動作で原
稿の同一箇所のカラ−画像情報が得られる効果がある。
【００５４】尚、実施例１の原稿読取り装置において
は、原稿の同一箇所からの反射光を二つの光学系で分け
て二つの受光素子アレイにより別々に読み取るものとし
たが、反射光を三つ以上の光学系で分けて各光学系に対
応するそれぞれの受光素子アレイにより別々に読み取る
原稿読取り装置としてもよい。
【００５５】次に、別の実施例の原稿読取り装置のイメ
−ジセンサ部分について、図６の平面説明図を使って説
明する。尚、図６で説明する実施例を実施例２とする。
実施例２のイメ−ジセンサは、図６に示すように、実施
例１における受光素子Ｓ2 の画素配列を受光素子Ｓ1 の
配列に対して１／２画素だけずらしてたものである。こ
の場合、隣り合う各受光素子Ｓ2 の間へ各受光素子Ｓ1
が対向するように配置されている為、原稿からの反射光
を一層精細に読み取ることでき、高解像度化することが
できる効果がある。
【００５６】次に、この別の実施例に係る原稿読取り装
置について、本体部分の概略説明図である図７を使って
説明する。尚、図７で説明する実施例を実施例３とし、
図１と同一の構成を取る部分については同一の符号を使
って説明することにする。
【００５７】実施例３の原稿読取り装置の本体部分は、
原稿２０が置かれるプラテンガラス２１と、プラテンガ
ラス２１上の原稿２０へ向けて光を照射する光源２２
と、反射光を集光する２つの光学系と、この光学系にそ
れぞれ対応する受光素子アレイ１１ａ，１１ｂとから構
成されている。
【００５８】第１光学系は、原稿２０からの反射光の一
部をそのまま透過して一部を反射するハ−フミラ−２３
と、プラテンガラス２１上に原稿２０が密着して置かれ
た場合のジャストフォ−カスポイントＡに、焦点位置が
予め調整されているロッドレンズアレイ２５ａと、ロッ
ドレンズアレイ２５ａによる正立結像の光を反射するミ
ラ−２７とから構成されている。そして、第１光学系に
対応する受光素子アレイ１１ａは、複数の受光素子Ｓ2
から構成されている。
【００５９】一方、第２光学系は、第１光学系のハ−フ
ミラ−２３を透過した光を反射するミラ−２４と、原稿
２０側の焦点位置Ｂがプラテンガラス２１上から若干
（１〜２mm程度）浮いた位置に設定されるように予め調
整されているロッドレンズアレイ２５ｂと、ロッドレン
ズアレイ２５ｂによる正立結像の光を反射するミラ−２
８とから構成されている。そして、第２光学系に対応す
る受光素子アレイ１１ｂは、複数の受光素子Ｓ1 から構
成されている。
【００６０】また、第１光学系により集光された光を受
光して電気信号に変換する受光素子Ｓ2 と、第２光学系
により集光された光を受光して電気信号に変換する受光
素子Ｓ1 とは、副走査方向に対して対向するよう形成さ
れ、それぞれ主走査方向にアレイ状に形成されて２列の
受光素子アレイ１１ａ，１１ｂを構成し、入射光を垂直
に受光するようになっている。
【００６１】次に、実施例３におけるロッドレンズアレ
イ２５ａ，２５ｂの有する焦点深度特性について図８及
び図９を使って説明する。ここで、図８は、実施例３で
使用されるロッドレンズアレイ２５が結ぶ像の結像位置
を示し、Δｌ＝０がジャストフォ−カスポイントであ
り、その位置からの変化量をΔｌで表している。また、
図９は、このΔｌと分解能（ＭＴＦ）との関係を表わす
焦点深度特性図である。尚、ロッドレンズアレイ２５は
日本板ガラス社製のセルホックレンズＳＬＡ−６（ＴＣ
６４）とし、光源２２には緑色蛍光灯を使用している。
【００６２】図９に示すように、通常の焦点深度を表現
している６ｌｐ／ｍｍ（line per/mm:１ｍｍ中に存在す
るロッドレンズアレイのライン数）のロッドレンズを使
用した場合では、Δｌ＝０．８ｍｍでＭＴＦ＝１０％と
なり、ＭＴＦの低下はΔｌ＝０に対して対称であるか
ら、Ａ点から０．８ｍｍ浮いた領域がロッドレンズアレ
イ２５ｂの焦点深度の範囲に含まれているためには、ロ
ッドレンズアレイ２５ｂの焦点位置の点Ｂを、更に０．
８ｍｍ上方の１．６ｍｍの位置に調整すればよいことが
分かる。
【００６３】従って、第１光学系に対応する各受光素子
Ｓ2 及び第２光学系に対応する各受光素子Ｓ1 で変換さ
れる画像信号の中で、焦点位置が合った画像信号を選択
するようにすれば、従来の原稿読取り装置と比べて３倍
の焦点深度が得られる原稿読取り装置とすることができ
る。
【００６４】また、第１光学系と第２光学系の他に更に
別の光学系を設けて、三つ以上の複数光学系が固有の焦
点位置に予め調整され、その中から焦点位置の最も合っ
た画像信号を選択する原稿読取り装置とすれば、更に焦
点深度が深く、正確な画像信号が得られる原稿読取り装
置とすることができる。
【００６５】次に、複数光学系により得られた原稿の同
一箇所の複数画像信号から焦点位置が最も合った画像信
号を選択する方法について、図１０を使って説明する。
但し、簡単の為、２つの光学系から成る原稿読取り装置
の場合を説明することにする。尚、図１０は該選択方法
に関する電気回路での処理概念図である。
【００６６】画像信号の選択方法に関する電気回路の動
作ついて図１０を使って説明する。第１光学系に対応す
る受光素子Ｓ2 及び第２光学系に対応する受光素子Ｓ1
からの画像信号ａ及び画像信号ｂはそれぞれ、Ａ／Ｄ変
換部５０ａ及びＡ／Ｄ変換部５０ｂにおいてディジタル
化され、次にディジタル化された画像信号ａ、ｂはダ−
クオフセット補正部５１ａ、５１ｂにおいてダ−クオフ
セット補正され、更にシェ−ディング補正部５２ａ、５
２ｂでシェ−ディング補正されて、画像デ−タａ及び画
像デ−タｂが得られ、複数の画像デ−タを１ブロックと
してバッファ５６に蓄える。
【００６７】次に、画像デ−タａ及び画像デ−タｂに対
して数１で計算される分散値Ｄv を分散値計算器５３
ａ，５３ｂで計算して求め、この分散値Ｄv 1 及び分散
値Ｄv2 を判定デ−タａ及び判定デ−タｂとする。但
し、分散値Ｄv 1 ，Ｄv 2 の計算は、バッファ５６に蓄
えられたブロック単位の複数の画像デ−タについて行
う。
【００６８】
【数１】
【００６９】数１では該ブロック単位を構成する受光素
子数をＮｌとし、ｎは各受光素子の順番とすれば、ｘ
（ｎ）は第ｎ番目の受光素子からの画像デ−タである。
判定デ−タａ及び判定デ−タｂは比較回路５４で大小比
較され、切換回路５５で大きい方の判定デ−タに対応し
たブロック単位の画像デ−タを選択して出力するように
なっている。ここで、判定デ−タの値が大きいというこ
とは、鮮明な画像が得られたこととなるので、焦点が合
っているということを意味している。
【００７０】次に、画像デ−タの選択方法の応用例とし
て、高速フ−リエ変換（ＦＦＴ）のプログラムを利用す
る方法について図１１及び図１２を使って説明する。図
１１は該選択方法に関する処理概念図であり、図１２は
そのプログラムフロ−図である。
【００７１】先ず、図１１を使ってＦＦＴによる画像デ
−タの選択方法の概略を説明する。この選択方法は、原
稿の１ライン分を読取る受光素子アレイ１１ａ，１１ｂ
について、複数の受光素子を同一範囲でブロック毎に分
解して、分解したブロック単位で選択処理を行うもので
ある。
【００７２】次に、その中から取り出された１ブロック
で得られた画像デ−タの配列をＤＳＰ（ディジタルシグ
ナルプロセッサ）内部に設けられたＦＦＴのプログラム
により空間周波数成分に変換する。そして、高域の周波
数成分を取り出すために、受光素子アレイ１１ａ，１１
ｂの画素密度の２分の１の空間周波数から１６分の１の
空間周波数までの範囲に入る空間周波数成分の電力を加
算し、それを判定デ−タとする。
【００７３】ここで、判定デ−タの値が大きいというこ
とは、ボケが少なく鮮明な画像が得られたこととなり、
焦点が合っているということを意味している。そして、
判定デ−タの大小の比較処理を他のＤＳＰで行い、判定
デ−タが大きい方のブロックに属する画像デ−タを選択
して出力するようになっている。
【００７４】次に、図１２を使って上記選択方法を具体
的に説明する。原稿の１ラインを読取る受光素子アレイ
１１ａ，１１ｂで得られる画像デ−タがＤＳＰへ入力さ
れると（１００）、Ｎb 個の連続した画素のブロックに
分解される（１０１）。但し、後に画像デ−タの配列を
ＦＦＴのアルゴリズムにより空間周波数に変換する為、
Ｎb は２のべき乗になる数にする。ここでは例として、
Ｎb ＝５１２又は１０２４を用いた。Ｎb 個の画素が含
まれるブロックに分割された個々の画像デ−タｘ（ｎ）
に対し、数２から求まる窓関数ｗ（ｎ）の値を乗じる
（１０２）。但し、ｎはブロック内部での画素の順番を
示す。
【００７５】
【数２】
【００７６】画像デ−タｘ（ｎ）に窓関数ｗ（ｎ）の値
を乗じるのは、デ−タ列をブロックに分解することから
生じる高域成分の増加を抑制（ノイズ成分の除去）する
為である。ここでは、窓関数ｗ（ｎ）として数２から求
まるハミング窓を用い、更に数３に示すように自然対数
の底ｅのべき乗の形に変換してｘ（ｎ）に乗じている。
ＦＦＴのアルゴリズムによって、数３を計算して周波数
成分の変換を行い、周波数成分Ｘ（ｓ）を求める（１０
３）。
【００７７】
【数３】
【００７８】周波数成分Ｘ（ｓ）の内、画素密度の２分
の１の空間周波数（ｓ＝Ｎｂ／２−１）から１６分の１
の空間周波数（ｓ＝Ｎｂ／１６−１）にある周波数成分
の電力を、数４を使い加算したものを判定デ−タＤs と
する（１０４）。尚、数４での計算においては周波数成
分Ｘ（ｓ）とその複素共役Ｘ＊（ｓ）を用いている。こ
のようにして求められた判定デ−タＤs を他のＤＳＰで
比較処理を行い、最も大きい判定デ−タＤs の画像デ−
タを選択出力するようになっている（１０５）。
【００７９】
【数４】
【００８０】前記方法を実施例３の原稿読取り装置に使
用すれば、プラテンガラス２１上で浮き上がりを有する
原稿２０に対しても、分散値と周波数変換の２つの選択
処理を行うことで常に焦点位置が合った画像信号が選択
できるので、ボケのない鮮明な原稿読取りができる効果
がある。
【００８１】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、複数の光
学系で原稿の同一箇所からの反射光を複数の光に分けて
集光し、集光した光を複数の光学系に対応した受光素子
で受光する原稿読取り装置としているので、一度の原稿
読取りの動作で原稿の同一箇所を複数の光学系で読取れ
るため、カラーイメージセンサに適用すると、カラーの
画像処理が容易にできる効果がある。
【００８２】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の原稿読取り装置において、同一の透明基板上に透明
基板の上面から光を受光する第１の受光素子と透明基板
の下面から光を受光する第２の受光素子とを形成してい
るので、一度の原稿読取りの動作で原稿の同一箇所を複
数の光学系で読取れるため、カラーイメージセンサに適
用すると、カラーの画像処理が容易にできる効果があ
る。
【００８３】請求項３記載の発明によれば、請求項２記
載の原稿読取り装置において、透明基板上に複数の第１
の受光素子と複数の第２の受光素子とを配列方向にずら
して配列しているので、第１の受光素子で読み取った配
列方向の画素の間の画素を第２の受光素子で読み取れる
ため、原稿からの反射光を一層正確に読み取ることがで
き、高解像度化することができる効果がある。
【００８４】請求項４記載の発明によれば、請求項１又
は請求項２記載の原稿読取り装置において、複数の光学
系に対応した受光素子で画素単位に得られた画素信号を
各光学系別の複数画素のブロック単位に画像データとし
てバッファが蓄積し、該ブロック単位の画像データに対
応する分散値を分散値計算手段により計算し、それぞれ
の分散値を比較手段により比較して最大値を求め、分散
値が最大となった値に対応するを画像データを選択手段
が選択するので、複数の光学系の中で焦点位置の合った
画像データを得ることができ、ボケのない鮮明な原稿読
取りができる効果がある。
【００８５】請求項５記載の発明によれば、請求項１又
は請求項２記載の原稿読み取り装置において、複数の光
学系に対応した受光素子で画素単位に得られた画像信号
を複数画素分読み取って、各光学系別に画像データとし
て取り込み、この画像データを各光学系別にブロック単
位に分割し、分割した画像データを高速フーリエ変換に
より周波数成分に変換し、該周波数成分の中から高域成
分の電力を計算処理手段により計算し、計算結果の電力
値を比較手段により比較して最大値を求め、電力値が最
大となった値に対応する画像データを選択手段により選
択するので、複数の光学系の中で焦点位置の合った画像
データを得ることができ、ボケのない鮮明な原稿読取り
ができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る原稿読取り装置の本
体部分の概略構成図である。
【図２】 実施例１の原稿読取り装置のイメ−ジセンサ
部分の平面説明図である。
【図３】 図２のＡ−Ａ′部分の断面説明図である。
【図４】 積層構造のイメ−ジセンサの平面説明図であ
る。
【図５】 図４のＢ−Ｂ′部分の断面説明図である。
【図６】 実施例２の原稿読取り装置のイメ−ジセンサ
部分の平面説明図である。
【図７】 実施例３の原稿読取り装置の本体部分の概略
構成図である。
【図８】 実施例３のロッドレンズアレイによる結像位
置を示す図である。
【図９】 実施例３に係る焦点深度特性図である。
【図１０】 画像信号選択方法の処理概念図である。
【図１１】 ＦＦＴを利用した画像信号選択方法の処理
概念図である。
【図１２】 ＦＦＴを利用した画像信号選択方法のプロ
グラムフロ−図である。
【図１３】 従来の原稿読取り装置におけるＴＦＴ駆動
型イメ−ジセンサの等価回路図である。
【図１４】 従来の原稿読取り装置の本体部分について
の概略構成図である。
【符号の説明】
１…透明絶縁性基板、 ２…第１金属電極、 ３…第１
透明電極、 ４…半導体層、 ５…透明電極、 ６…絶
縁層、 ７…半導体層、 ８…第２透明電極、１０…第
２金属電極、 １０′…遮光層、 １１…受光素子アレ
イ、 １１′…受光素子、 １３…多層配線、 １４…
共通信号線、 １５…駆動用ＩＣ、１６…ゲ−トパルス
発生回路、 ２０…原稿、 ２１…プラテンガラス、
２２…光源、 ２３…ハ−フミラ−、 ２４…ミラ−、
２５…ロッドレンズアレ−、 ２７…ミラ−、 ２８
…ミラ−、 ３１…第１透明電極、 ３２…第１半導体
層、３３…金属電極、 ３４…第１絶縁層、 ３５…第
２半導体層、 ３６…第２透明電極、 ３７…第２絶縁
層、 ５０…Ａ／Ｄ変換部、 ５１…ダ−クオフセット
補正部、 ５２…シェ−ディング補正部、 ５３…分散
値計算器、５４…比較回路、 ５５…切換回路、 ５６
…バッファ、 Ｐ…フォトダイオ−ド、 Ｔ…薄膜トラ
ンジスタ…、Ｃ…配線容量、 ＳＷ…アナログスイッ
チ、Ｓ…受光素子

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 原稿の同一箇所からの反射光を複数の光
    に分けて集光する複数の光学系と、透明基板上に前記光
    学系に対応するよう形成され、前記反射光を受光する複
    数の受光素子とを有することを特徴とする原稿読取り装
    置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の原稿読取り装置におい
    て、透明基板の上面から光を受光する第１の受光素子
    と、透明基板の下面から光を受光する第２の受光素子と
    を同一の透明基板上に形成したことを特徴とする原稿読
    取り装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の原稿読取り装置におい
    て、透明基板上に複数の第１の受光素子と複数の第２の
    受光素子とを配列方向にずらして配列したことを特徴と
    する原稿読取り装置。
  4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２記載の原稿読取り
    装置において、複数の光学系に対応した受光素子で画素
    単位に得られた画像信号を複数画素分読み取り、前記複
    数画素分を前記光学系別にブロック単位に画像データと
    して蓄積するバッファと、前記バッファ内の前記光学系
    別の画像データの分散値を計算する分散値計算手段と、
    前記分散値計算手段で得られた前記光学系別のブロック
    単位の画像データに対応する前記分散値を比較して最大
    値を求める比較手段と、前記比較手段で得られた前記最
    大値に対応する画像データを選択する選択手段とを有す
    ることを特徴とする原稿読取り装置。
  5. 【請求項５】 請求項１又は請求項２記載の原稿読取り
    装置において、複数の光学系に対応した受光素子で画素
    単位に得られた画像信号を複数画素分読み取り、前記複
    数画素分を前記光学系別に画像データとして取り込み、
    前記画像データをブロック単位に分割し、前記ブロック
    単位に分割した画像データを高速フーリエ変換により周
    波数成分に変換し、前記周波数成分の高域成分の電力を
    計算する計算処理手段と、前記計算処理手段で得られた
    前記光学系別のブロック毎の画像データの前記周波数成
    分の高域成分の電力値を比較して最大値を求める比較手
    段と、前記比較手段で得られた前記最大値に対応する画
    像データを選択する選択手段とを有することを特徴とす
    る原稿読取り装置。
JP3252779A 1991-09-05 1991-09-05 原稿読取り装置 Pending JPH0568132A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3252779A JPH0568132A (ja) 1991-09-05 1991-09-05 原稿読取り装置
US08/223,137 US5489993A (en) 1991-09-05 1994-04-05 Original image reading device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3252779A JPH0568132A (ja) 1991-09-05 1991-09-05 原稿読取り装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0568132A true JPH0568132A (ja) 1993-03-19

Family

ID=17242164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3252779A Pending JPH0568132A (ja) 1991-09-05 1991-09-05 原稿読取り装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5489993A (ja)
JP (1) JPH0568132A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0880859A4 (en) * 1995-10-27 1999-11-17 Northrop Grumman Corp APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING SHIFTING AND SHADING FROM A VIDEO SIGNAL
US6545811B1 (en) 1999-01-29 2003-04-08 Rohm Co., Ltd. Lens unit for image formation, and image reader having lens unit
JP2007336194A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像読取装置
US7855580B2 (en) 2008-05-01 2010-12-21 Fujitsu Limited Phase comparator, phase synchronizing circuit, and phase-comparison control method
JP2013541722A (ja) * 2010-08-24 2013-11-14 ウエイハイ ホアリン オプト−エレクトロニクス カンパニー リミテッド 複合ロッドレンズアレイ及び複合ロッドレンズアレイにより構成された画像読取り装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5726775A (en) * 1996-06-26 1998-03-10 Xerox Corporation Method and apparatus for determining a profile of an image displaced a distance from a platen
FR2820588B1 (fr) * 2001-02-06 2003-04-25 I2 S Procede de numerisation d'une surface coloree non plane
CN100490189C (zh) * 2002-08-09 2009-05-20 Lg电子株式会社 表面发射型发光二极管及其制造方法
US7225984B2 (en) * 2003-02-20 2007-06-05 Harris Rodney C Systems and methods for providing multiple object planes in an optical image scanning environment
US6906314B2 (en) * 2003-02-20 2005-06-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems and methods for providing multiple object planes in an optical image scanner
US7055743B2 (en) * 2003-02-20 2006-06-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. End-of-travel focus shift in an optical image scanner
US20040163754A1 (en) * 2003-02-22 2004-08-26 Nowicki James W. Reactivation of pre-applied adhesives by ultrasonic waves
US7894105B2 (en) * 2005-01-18 2011-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Image reading unit and image reader
US7843611B2 (en) * 2007-07-18 2010-11-30 Kuwait University High speed flatbed scanner comprising digital image-capture module with two-dimensional optical image photo-sensor or digital camera
CN101981910B (zh) * 2008-03-31 2013-04-03 三菱电机株式会社 图像读取装置
US7957040B2 (en) * 2008-10-13 2011-06-07 Lexmark International, Inc. Scan bar for scanning media sheet in image scanning device and method thereof
US9001107B2 (en) * 2011-07-14 2015-04-07 SK Hynix Inc. Image pixel and image pixel control method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5942511B2 (ja) * 1982-04-13 1984-10-15 株式会社東芝 密着センサ
JPS6152061A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Toshiba Corp 密着型カラ−イメ−ジセンサ
US4763189A (en) * 1984-08-31 1988-08-09 Canon Kabushiki Kaisha Color image sensor with three line sensors on different layers separated by electrically-insulating layers
JPS639358A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Fuji Xerox Co Ltd 原稿読取装置
JPS6376567A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Hitachi Ltd カラ−密着センサ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0880859A4 (en) * 1995-10-27 1999-11-17 Northrop Grumman Corp APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING SHIFTING AND SHADING FROM A VIDEO SIGNAL
US6545811B1 (en) 1999-01-29 2003-04-08 Rohm Co., Ltd. Lens unit for image formation, and image reader having lens unit
US6717734B2 (en) 1999-01-29 2004-04-06 Rohm Co., Ltd. Image forming lens unit and image reading apparatus using the same
JP2007336194A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像読取装置
US7855580B2 (en) 2008-05-01 2010-12-21 Fujitsu Limited Phase comparator, phase synchronizing circuit, and phase-comparison control method
JP2013541722A (ja) * 2010-08-24 2013-11-14 ウエイハイ ホアリン オプト−エレクトロニクス カンパニー リミテッド 複合ロッドレンズアレイ及び複合ロッドレンズアレイにより構成された画像読取り装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5489993A (en) 1996-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0568132A (ja) 原稿読取り装置
US5329112A (en) Multi-capacitance photodiode image sensor
JPS60161664A (ja) 密着型二次元画像読取装置
JP3006216B2 (ja) ２次元密着型イメージセンサ及びその駆動方法
JPS6156912B2 (ja)
KR100560347B1 (ko) 지문인식장치의 ｔｆｔ 지문입력기 제조방법
JPH0379910B2 (ja)
JPH0730084A (ja) ２次元密着型イメージセンサ
JPS628951B2 (ja)
JP3146509B2 (ja) ２次元密着型イメージセンサ
JP3144091B2 (ja) ２次元イメージセンサ
JPH0380385B2 (ja)
JPH04373172A (ja) イメージセンサ
JPH0775256B2 (ja) イメージセンサの製造方法
JPH04255269A (ja) 受光装置
JPH0758769B2 (ja) イメージセンサ
JPH0662175A (ja) 密着型２次元イメージセンサ
JP2006114596A (ja) フォトセンサ及びその製造方法
JPS6317554A (ja) 光導電装置
JP3094503B2 (ja) 画像読み取り装置及びその駆動方法
JPH084128B2 (ja) 画像読取装置
JPS59167054A (ja) 光電変換装置
KR940005901B1 (ko) 이미지 센서의 제조방법
JPS60147158A (ja) 密着型イメ−ジセンサ
JPH06283695A (ja) ２次元固体撮像装置および撮像方式