JPH0570221A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPH0570221A JPH0570221A JP3258318A JP25831891A JPH0570221A JP H0570221 A JPH0570221 A JP H0570221A JP 3258318 A JP3258318 A JP 3258318A JP 25831891 A JP25831891 A JP 25831891A JP H0570221 A JPH0570221 A JP H0570221A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 abstract description 4
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(III) oxide Inorganic materials O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 誘電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩ
Ｒで１２．０以上、誘電率の温度特性が２５℃の容量値
を基準とし、−５５℃〜１２５℃の広い範囲で±１５％
の範囲内にある非還元性誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 アルカリ金属酸化物含有量が、０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 とＴｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ
2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3の中の１種類以上の希土類酸化物
（Ｒｅ2 Ｏ3 ）とＣｏ2 Ｏ3 との配合比が、ＢａＴｉＯ
3 ９２．０〜９９．４モル％とＲｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．
０モル％とＣｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％の主成分１
００モル％に、ＢａＯ０．２〜４．０モル％とＭｎＯ
０．２〜３．０モル％とＭｇＯ０．５〜５．０モル％と
ＣａＴｉＯ3 ０．５〜４．０モル％とからなる副成分を
含有し、上記成分を１００重量部としてＢａＯ−ＳｒＯ
−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガラスを
０．５〜２．５重量部含有する組成より成る。
Ｒで１２．０以上、誘電率の温度特性が２５℃の容量値
を基準とし、−５５℃〜１２５℃の広い範囲で±１５％
の範囲内にある非還元性誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 アルカリ金属酸化物含有量が、０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 とＴｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ
2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3の中の１種類以上の希土類酸化物
（Ｒｅ2 Ｏ3 ）とＣｏ2 Ｏ3 との配合比が、ＢａＴｉＯ
3 ９２．０〜９９．４モル％とＲｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．
０モル％とＣｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％の主成分１
００モル％に、ＢａＯ０．２〜４．０モル％とＭｎＯ
０．２〜３．０モル％とＭｇＯ０．５〜５．０モル％と
ＣａＴｉＯ3 ０．５〜４．０モル％とからなる副成分を
含有し、上記成分を１００重量部としてＢａＯ−ＳｒＯ
−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガラスを
０．５〜２．５重量部含有する組成より成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の誘電体磁器材料は、中性または還
元性の低酸素分圧下で焼成すると、還元され、半導体化
を起こすという性質を有していた。そのため、内部電極
材料としては、誘電体磁器材料の焼結する温度で溶融せ
ず、かつ誘電体磁器材料を半導体化させない高い酸素分
圧下で焼成しても酸化されない、たとえばＰｄ，Ｐｔな
どの貴金属を用いなければならなかった。これは、製造
される積層コンデンサの低コスト化の大きな妨げとなっ
ていた。
元性の低酸素分圧下で焼成すると、還元され、半導体化
を起こすという性質を有していた。そのため、内部電極
材料としては、誘電体磁器材料の焼結する温度で溶融せ
ず、かつ誘電体磁器材料を半導体化させない高い酸素分
圧下で焼成しても酸化されない、たとえばＰｄ，Ｐｔな
どの貴金属を用いなければならなかった。これは、製造
される積層コンデンサの低コスト化の大きな妨げとなっ
ていた。
【０００３】そこで、上述の問題点を解決するために、
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用して、従来の条件で焼成する
と、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能を果
たさない。そのため、このような卑金属を内部電極の材
料として使用するためには、酸素分圧の低い中性または
還元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コン
デンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘
電特性とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
これらの条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば
特開昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒ
Ｏ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６
１１号のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用して、従来の条件で焼成する
と、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能を果
たさない。そのため、このような卑金属を内部電極の材
料として使用するためには、酸素分圧の低い中性または
還元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コン
デンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘
電特性とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
これらの条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば
特開昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒ
Ｏ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成や、特公昭６１−１４６
１１号のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６２−２５６４２２号に開示されている非還元性誘電体
磁器組成物では、ＣａＺｒＯ3 がＭｎなどとともに耐メ
ッキ性に劣った二次相を生成しやすいため、高温におけ
る信頼性の低下につながる危険性があった。
６２−２５６４２２号に開示されている非還元性誘電体
磁器組成物では、ＣａＺｒＯ3 がＭｎなどとともに耐メ
ッキ性に劣った二次相を生成しやすいため、高温におけ
る信頼性の低下につながる危険性があった。
【０００５】また、特公昭６１−１４６１１号に開示さ
れている組成物は、得られる誘電体の誘電率が２０００
〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用している従
来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５００
と比較すると劣っていた。したがって、この組成物をコ
ストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換える
のは、コンデンサの小型大容量化という点で不利であ
り、問題が残されていた。
れている組成物は、得られる誘電体の誘電率が２０００
〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用している従
来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５００
と比較すると劣っていた。したがって、この組成物をコ
ストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換える
のは、コンデンサの小型大容量化という点で不利であ
り、問題が残されていた。
【０００６】さらに、この組成物の誘電率の温度変化率
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であるが、＋８５
℃を超える高温では、１０％を大きく超えてしまい、Ｅ
ＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてし
まうという欠点があった。
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であるが、＋８５
℃を超える高温では、１０％を大きく超えてしまい、Ｅ
ＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてし
まうという欠点があった。
【０００７】また、上記の組成物に対し直流電圧を印加
した場合、静電容量が大きく変化するという欠点もあっ
た。
した場合、静電容量が大きく変化するという欠点もあっ
た。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、誘
電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩＲで１２．０
以上であり、さらに誘電率の温度特性が、２５℃の容量
値を基準として、−５５℃〜１２５℃の広い範囲にわた
って±１５％の範囲内にあることを満足し、直流バイア
ス電圧印加に対し、静電容量の変化率が小さい磁器を得
ることができ、低酸素分圧下であっても、組織が半導体
化せず焼成可能である、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。
電率が３０００以上、絶縁抵抗がｌｏｇＩＲで１２．０
以上であり、さらに誘電率の温度特性が、２５℃の容量
値を基準として、−５５℃〜１２５℃の広い範囲にわた
って±１５％の範囲内にあることを満足し、直流バイア
ス電圧印加に対し、静電容量の変化率が小さい磁器を得
ることができ、低酸素分圧下であっても、組織が半導体
化せず焼成可能である、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％と、
Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3
０．３〜４．０モル％との範囲内にある主成分１００モ
ル％に対し、副成分として、ＢａＯ ０．２〜４．０モ
ル％と、ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％と、ＭｇＯ
０．５〜５．０モル％と、ＣａＴｉＯ3 ０．５〜４．
０モル％とを含有し、さらに上記成分を１００重量部と
して、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分と
する酸化物ガラスを０．５〜２．５重量部含有する、非
還元性誘電体磁器組成物である。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％と、
Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3
０．３〜４．０モル％との範囲内にある主成分１００モ
ル％に対し、副成分として、ＢａＯ ０．２〜４．０モ
ル％と、ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％と、ＭｇＯ
０．５〜５．０モル％と、ＣａＴｉＯ3 ０．５〜４．
０モル％とを含有し、さらに上記成分を１００重量部と
して、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分と
する酸化物ガラスを０．５〜２．５重量部含有する、非
還元性誘電体磁器組成物である。
【００１０】
【発明の効果】この発明にかかる非還元性誘電体磁器組
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物によって得られる磁器は、ｌｏｇＩＲで１２．０
以上の高い絶縁抵抗値を示すとともに、３０００以上の
高誘電率を示し、容量温度変化率もＥＩＡに規定されて
いるＸ７Ｒ特性を満足し、直流バイアス特性にも優れて
いる。
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物によって得られる磁器は、ｌｏｇＩＲで１２．０
以上の高い絶縁抵抗値を示すとともに、３０００以上の
高誘電率を示し、容量温度変化率もＥＩＡに規定されて
いるＸ７Ｒ特性を満足し、直流バイアス特性にも優れて
いる。
【００１１】したがって、この発明にかかる非還元性誘
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いれば、内部電極材料としてＮｉなどで代表
される卑金属材料を用いることができる。そのため、従
来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性を落
とすことなく、大幅なコストダウンを行うことが可能と
なる。
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いれば、内部電極材料としてＮｉなどで代表
される卑金属材料を用いることができる。そのため、従
来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性を落
とすことなく、大幅なコストダウンを行うことが可能と
なる。
【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１３】
【実施例】出発原料として、不純物として含まれるアル
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，Ｂａ／
Ｔｉモル比補正のためのＢａＣＯ3 ，希土類酸化物，Ｃ
ｏ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，ＭｇＯ，ＣａＴｉＯ3 ，酸化物ガラ
スを準備した。これらの原料を表１に示す組成割合とな
るように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番号１〜
３２については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０
３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号３３につい
ては、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０５重量％の
ＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号３４については、アル
カリ金属酸化物の含有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ
3 を使用した。
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，Ｂａ／
Ｔｉモル比補正のためのＢａＣＯ3 ，希土類酸化物，Ｃ
ｏ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，ＭｇＯ，ＣａＴｉＯ3 ，酸化物ガラ
スを準備した。これらの原料を表１に示す組成割合とな
るように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番号１〜
３２については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０
３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号３３につい
ては、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０５重量％の
ＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号３４については、アル
カリ金属酸化物の含有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ
3 を使用した。
【００１４】
【表１】
【００１５】得られた秤量物に酢酸ビニル系バインダを
５重量％添加した後、ＰＳＺボールを用いたボールミル
で十分に湿式混合した。次に、この混合物中の分散媒を
蒸発、乾燥した後、整粒の工程を経て粉末を得た。得ら
れた粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で、直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの円板状にプレス成形して、成形体を得た。
５重量％添加した後、ＰＳＺボールを用いたボールミル
で十分に湿式混合した。次に、この混合物中の分散媒を
蒸発、乾燥した後、整粒の工程を経て粉末を得た。得ら
れた粉末を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で、直径１０ｍｍ、
厚さ１ｍｍの円板状にプレス成形して、成形体を得た。
【００１６】次いで、このようにして得られた成形体
を、空気中において４００℃で３時間保持の条件で脱バ
インダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００
の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２
時間焼成し、磁器を得た。
を、空気中において４００℃で３時間保持の条件で脱バ
インダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００
の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２
時間焼成し、磁器を得た。
【００１７】
【表２】
【００１８】得られた磁器の両面に、銀ペーストを塗布
して、焼き付けることにより、銀電極を形成してコンデ
ンサとした。そして、このコンデンサの室温における誘
電率ε，誘電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩ
Ｒ），容量の温度変化率（ＴＣＣ）および直流バイアス
特性を測定した。その結果を表２に示す。
して、焼き付けることにより、銀電極を形成してコンデ
ンサとした。そして、このコンデンサの室温における誘
電率ε，誘電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩ
Ｒ），容量の温度変化率（ＴＣＣ）および直流バイアス
特性を測定した。その結果を表２に示す。
【００１９】なお、誘電率ε，誘電損失ｔａｎδについ
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧５００Ｖを２分間印加して測定し、
その結果を対数値（ｌｏｇＩＲ）で示す。さらに、温度
変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準と
した時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ-55
／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２５℃
の間において、容量温度変化率が最大である値の絶対
値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）につい
て示す。また、直流バイアス特性については、２．０
（ｋＶ／ｍｍ）の電界強度になるように、直流電圧をか
けた際の静電容量値の、電圧を印加しない場合の静電容
量値に対する変化率で示す。
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧５００Ｖを２分間印加して測定し、
その結果を対数値（ｌｏｇＩＲ）で示す。さらに、温度
変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準と
した時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ-55
／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２５℃
の間において、容量温度変化率が最大である値の絶対
値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）につい
て示す。また、直流バイアス特性については、２．０
（ｋＶ／ｍｍ）の電界強度になるように、直流電圧をか
けた際の静電容量値の、電圧を印加しない場合の静電容
量値に対する変化率で示す。
【００２０】また、図１は実施例および比較例につい
て、直流印加電界強度を変化させたときの容量変化率を
示すグラフである。
て、直流印加電界強度を変化させたときの容量変化率を
示すグラフである。
【００２１】表２および図１から明らかなように、この
発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物は、優れた特性
を示す。
発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物は、優れた特性
を示す。
【００２２】この発明において主成分および副成分の範
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
【００２３】まず、主成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２４】主成分であるＢａＴｉＯ3 の構成比率を９
２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．
０モル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3
の構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、
絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。ま
た、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える
場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果が
なく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好まし
くない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物
含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超え
ると、試料番号３３および３４に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．
０モル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3
の構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、
絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。ま
た、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える
場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果が
なく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好まし
くない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物
含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超え
ると、試料番号３３および３４に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
【００２５】次に、副成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２６】ＢａＯ添加量を０．２〜４．０モル％とす
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号９に示すように、雰囲気焼成中に組織が半導体化し、
絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。ま
た、添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号
１２に示すように、焼結性が低下するので好ましくな
い。
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号９に示すように、雰囲気焼成中に組織が半導体化し、
絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。ま
た、添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号
１２に示すように、焼結性が低下するので好ましくな
い。
【００２７】また、ＭｎＯ添加量を０．２〜３．０モル
％とするのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、
試料番号１７に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１５に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
％とするのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、
試料番号１７に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１５に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
【００２８】ＭｇＯ添加量を０．５〜５．０モル％とす
るのは、添加量が０．５モル％未満の場合には、試料番
号２２および２３に示すように、容量温度変化率の曲線
がシングルピーク化する傾向があり、低温側で（−）側
にはずれ、高温側（キュリー点付近）で（＋）側にはず
れる傾向があるとともに、絶縁抵抗値向上の効果もなく
なるので好ましくない。また、添加量が５．０モル％を
超える場合には、試料番号２７に示すように、誘電率ε
および絶縁抵抗値の低下が生じるので好ましくない。
るのは、添加量が０．５モル％未満の場合には、試料番
号２２および２３に示すように、容量温度変化率の曲線
がシングルピーク化する傾向があり、低温側で（−）側
にはずれ、高温側（キュリー点付近）で（＋）側にはず
れる傾向があるとともに、絶縁抵抗値向上の効果もなく
なるので好ましくない。また、添加量が５．０モル％を
超える場合には、試料番号２７に示すように、誘電率ε
および絶縁抵抗値の低下が生じるので好ましくない。
【００２９】また、ＣａＴｉＯ3 添加量を０．５〜４．
０モル％とするのは、添加量が０．５モル％未満の場合
には、試料番号３２に示すように、直流バイアス特性の
改善に効果がなくなり、静電容量の印加電圧依存性が大
きくなるので好ましくない。また、添加量が４．０モル
％を超える場合には、試料番号３０に示すように、高温
部での容積温度変化率が（−）側にはずれる傾向がある
とともに、誘電率の低下も生じるので好ましくない。
０モル％とするのは、添加量が０．５モル％未満の場合
には、試料番号３２に示すように、直流バイアス特性の
改善に効果がなくなり、静電容量の印加電圧依存性が大
きくなるので好ましくない。また、添加量が４．０モル
％を超える場合には、試料番号３０に示すように、高温
部での容積温度変化率が（−）側にはずれる傾向がある
とともに、誘電率の低下も生じるので好ましくない。
【００３０】最後に、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を０．５〜
２．５重量％とするのは、添加量が０．５重量％未満の
場合には、試料番号２１に示すように、焼結温度を低下
させる効果および耐還元性向上の効果がなくなるので好
ましくない。また、添加量が２．５重量％を超える場合
には、試料番号１９に示すように、誘電率εの低下が生
じるので好ましくない。
Ｏ2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を０．５〜
２．５重量％とするのは、添加量が０．５重量％未満の
場合には、試料番号２１に示すように、焼結温度を低下
させる効果および耐還元性向上の効果がなくなるので好
ましくない。また、添加量が２．５重量％を超える場合
には、試料番号１９に示すように、誘電率εの低下が生
じるので好ましくない。
【００３１】なお、表２に示す特性データは、単板コン
デンサにおいて得られたデータであるが、同じ組成物を
シート成形し、チップ加工を行った積層コンデンサにお
いても、今回のデータとほぼ同等の結果が得られる。
デンサにおいて得られたデータであるが、同じ組成物を
シート成形し、チップ加工を行った積層コンデンサにお
いても、今回のデータとほぼ同等の結果が得られる。
【図１】直流印加電界強度を変化させたときの容量変化
率を示すグラフである。
率を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化
物の含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中か
ら選ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ
3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配合比が、 ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％、 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、および Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％の範囲内にある主
成分１００モル％に対し、 副成分として、 ＢａＯ ０．２〜４．０モル％、 ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％、 ＭｇＯ ０．５〜５．０モル％、および ＣａＴｉＯ3 ０．５〜４．０モル％を含有し、さらに
上記成分を１００重量部として、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ
2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化物ガラスを０．５〜
２．５重量部含有する、非還元性誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03258318A JP3109171B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| DE4220681A DE4220681C2 (de) | 1991-06-27 | 1992-06-24 | Nichtreduzierende, dielektrische, keramische Zusammensetzung |
| US07/904,398 US5268342A (en) | 1991-06-27 | 1992-06-25 | Nonreducing dielectric ceramic composition |
| FR9207823A FR2679227B1 (fr) | 1991-06-27 | 1992-06-25 | Composition ceramique dielectrique non-reductrice. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03258318A JP3109171B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570221A true JPH0570221A (ja) | 1993-03-23 |
| JP3109171B2 JP3109171B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=17318582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03258318A Expired - Lifetime JP3109171B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-09-09 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3109171B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231560A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2010180116A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP03258318A patent/JP3109171B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231560A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2010180116A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3109171B2 (ja) | 2000-11-13 |
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